DTC114W シリーズNPN 100mA 50V デジタルトランジスタ (抵抗内蔵トランジスタ) Datasheet
ll外形図外形図
項目 規定値 EMT3 UMT3
VCC 50V
IC(MAX.) 100mA
R1 10kΩ DTC114WE DTC114WUA
R2 4.7kΩ SOT-416(SC-75A) SOT-323(SC-70)
SMT3
ll特長特長
1) バイアス用の抵抗を内蔵している。
2) バイアス用の抵抗を内蔵しているため、入力
側の外付け抵抗なしでインバータ回路が構成
できる。(内部回路図参照)
3) バイアス用の抵抗は完全に分離した薄膜抵抗
によって構成しているため、正負の電圧を
入力できる。また寄生効果がほとんど生じ
ない利点がある。
4) 入力電圧の設定でオン/オフ制御ができる
ため、回路の設計が容易に行える。
5) コンプリメンタリ:DTA114Wシリーズ
(PNPタイプ)
6) Pbフリー対応済み/RoHS準拠
DTC114WKA
SOT-346(SC-59)
ll内部回路図内部回路図
ll用途用途
スイッチング回路、インバータ回路、インターフェース回路
ドライバ回路
ll包装仕様包装仕様
形名 パッケージ パッケージサイズ
テーピングコード
リールサイズ(mm)
テープ幅(mm)
基本発注単位(pcs)
標印
DTC114WE EMT3 1616 TL 180 8 3000 84
DTC114WUA UMT3 2021 T106 180 8 3000 84
DTC114WKA SMT3 2928 T146 180 8 3000 84
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ll絶対最大定格絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項目 記号 規定値 単位
電源電圧 VCC 50 V
入力電圧 VIN -10 ~ 30 V
出力電流 IO 100 mA
コレクタ電流 IC(MAX)*1 100 mA
許容損失
DTC114WE
PD*2
150
mW DTC114WUA 200
DTC114WKA 200
ジャンクション温度 Tj 150 ℃
保存温度 Tstg -55 ~ +150 ℃
ll電気的特性電気的特性 (Ta = 25°C)
項目 記号 条件 最小値 標準値 最大値 単位
入力電圧VI(off) VCC = 5V, IO = 100μA - - 0.8
VVI(on) VO = 0.3V, IO = 2mA 3 - -
出力電圧 VO(on) IO / I I = 10mA / 0.5mA - 0.1 0.3 V
入力電流 II VI = 5V - - 0.88 mA
出力電流 IO(off) VCC = 50V, VI = 0V - - 0.5 μA
直流電流増幅率 GI VO = 5V, IO = 10mA 24 - - -
入力抵抗 R1 - 7 10 13 kΩ
抵抗比率 R2/R1 - 0.37 0.47 0.57 -
利得帯域幅積 fT*1 VCE = 10V, IE = -5mA,
f = 100MHz- 250 - MHz
*1 構成トランジスタの特性です
*2 各端子を参考ランドパターンに実装した場合
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ll電気的特性曲線電気的特性曲線 (Ta=25°C)
Fig.1 Input voltage vs. output current(ON characteristics)
Fig.2 Output current vs. input voltage(OFF characteristics)
Fig.3 Output current vs. output voltage Fig.4 DC current gain vs. output current
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ll電気的特性曲線電気的特性曲線 (Ta=25°C)
Fig.5 Output voltage vs. output current
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ll外形寸法図外形寸法図
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ll外形寸法図外形寸法図
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ll外形寸法図外形寸法図
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