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DTC114W シリーズ NPN 100mA 50V デジタルトランジスタ (抵抗内蔵トランジスタ) Datasheet l 外形図 外形図 項目 規定値 EMT3 UMT3 V CC 50V I C(MAX.) 100mA R 1 10kΩ DTC114WE DTC114WUA R 2 4.7kΩ SOT-416(SC-75A) SOT-323(SC-70) SMT3 l 特長 特長 1) バイアス用の抵抗を内蔵している。 2) バイアス用の抵抗を内蔵しているため、入力 側の外付け抵抗なしでインバータ回路が構成 できる。(内部回路図参照) 3) バイアス用の抵抗は完全に分離した薄膜抵抗 によって構成しているため、正負の電圧を 入力できる。また寄生効果がほとんど生じ ない利点がある。 4) 入力電圧の設定でオン/オフ制御ができる ため、回路の設計が容易に行える。 5) コンプリメンタリ:DTA114Wシリーズ (PNPタイプ) 6) Pbフリー対応済み/RoHS準拠 DTC114WKA SOT-346(SC-59) l 内部回路図 内部回路図 l 用途 用途 スイッチング回路、インバータ回路、インターフェース回路 ドライバ回路 l 包装仕様 包装仕様 形名 パッケージ パッケージ サイズ テーピング コード リール サイズ (mm) テープ幅 (mm) 基本発注 単位 (pcs) 標印 DTC114WE EMT3 1616 TL 180 8 3000 84 DTC114WUA UMT3 2021 T106 180 8 3000 84 DTC114WKA SMT3 2928 T146 180 8 3000 84 www.rohm.com © 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/7 20121023 - Rev.001 Not Recommended for New Designs
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DTC114W : トランジスタ - ROHM Semiconductorrohmfs.rohm.com/jp/products/databook/datasheet-nrnd/...DTC114W シリーズNPN 100mA 50V デジタルトランジスタ...

Jan 24, 2021

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DTC114W シリーズNPN 100mA 50V デジタルトランジスタ (抵抗内蔵トランジスタ) Datasheet

ll外形図外形図

項目 規定値 EMT3 UMT3

VCC 50V

     IC(MAX.) 100mA

R1 10kΩ DTC114WE DTC114WUA

R2 4.7kΩ SOT-416(SC-75A) SOT-323(SC-70)

SMT3                      

ll特長特長

  

  

1) バイアス用の抵抗を内蔵している。

2) バイアス用の抵抗を内蔵しているため、入力

 側の外付け抵抗なしでインバータ回路が構成

 できる。(内部回路図参照)

3) バイアス用の抵抗は完全に分離した薄膜抵抗

 によって構成しているため、正負の電圧を

 入力できる。また寄生効果がほとんど生じ

 ない利点がある。

4) 入力電圧の設定でオン/オフ制御ができる

 ため、回路の設計が容易に行える。

5) コンプリメンタリ:DTA114Wシリーズ

 (PNPタイプ)

6) Pbフリー対応済み/RoHS準拠

  

  

DTC114WKA  

SOT-346(SC-59)  

                     

ll内部回路図内部回路図

ll用途用途

スイッチング回路、インバータ回路、インターフェース回路

ドライバ回路

ll包装仕様包装仕様

形名 パッケージ パッケージサイズ

テーピングコード

リールサイズ(mm)

テープ幅(mm)

基本発注単位(pcs)

標印

DTC114WE EMT3 1616 TL 180 8 3000 84

DTC114WUA UMT3 2021 T106 180 8 3000 84

DTC114WKA SMT3 2928 T146 180 8 3000 84

                                                                                         

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DTC114Wシリーズシリーズ                   Datasheet

ll絶対最大定格絶対最大定格 (Ta = 25°C)

項目 記号 規定値 単位

電源電圧 VCC 50 V

入力電圧 VIN -10 ~ 30 V

出力電流 IO 100 mA

コレクタ電流 IC(MAX)*1 100 mA

許容損失

DTC114WE

PD*2

150

mW DTC114WUA 200

DTC114WKA 200

ジャンクション温度 Tj 150 ℃

保存温度 Tstg -55 ~ +150 ℃

ll電気的特性電気的特性 (Ta = 25°C)        

項目 記号 条件 最小値 標準値 最大値 単位

入力電圧VI(off) VCC = 5V, IO = 100μA - - 0.8

VVI(on) VO = 0.3V, IO = 2mA 3 - -

出力電圧 VO(on) IO / I I = 10mA / 0.5mA - 0.1 0.3 V

入力電流 II VI = 5V - - 0.88 mA

出力電流 IO(off) VCC = 50V, VI = 0V - - 0.5 μA

直流電流増幅率 GI VO = 5V, IO = 10mA 24 - - -

入力抵抗 R1 - 7 10 13 kΩ

抵抗比率 R2/R1 - 0.37 0.47 0.57 -

利得帯域幅積 fT*1 VCE = 10V, IE = -5mA,

f = 100MHz- 250 - MHz

*1 構成トランジスタの特性です

*2 各端子を参考ランドパターンに実装した場合

                                                                                       

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DTC114Wシリーズシリーズ                   Datasheet

ll電気的特性曲線電気的特性曲線 (Ta=25°C)

Fig.1 Input voltage vs. output current(ON characteristics)

Fig.2 Output current vs. input voltage(OFF characteristics)

Fig.3 Output current vs. output voltage Fig.4 DC current gain vs. output current

                                                                                           

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DTC114Wシリーズシリーズ                   Datasheet

ll電気的特性曲線電気的特性曲線 (Ta=25°C)

Fig.5 Output voltage vs. output current

                                                                                           

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DTC114Wシリーズシリーズ                   Datasheet

ll外形寸法図外形寸法図

                                                                                           

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DTC114Wシリーズシリーズ                   Datasheet

ll外形寸法図外形寸法図

                                                                                           

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ll外形寸法図外形寸法図

                                                                                           

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