INSTITUTO TECNOLGICO DE MRIDA DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA
Y ELECTRNICACARRERA: INGENIERA ELECTRNICA
MATERIA: DISEO CON TRANSOISTORESGRUPO: 6EM
NOMBRE MAESTRO: JOS AGUSTN HERNNDEZ BENTEZ
NM. PRCTICA:2
NOMBRE DE LA PRCTICA: AMPLIFICADOR DIFERENCIAL CON BJT
INTEGRANTES DEL EQUIPOMATRCULA
Cristobal Arellano HernandezE1
Carlos castellanosE1
Angel Nicols Bonilla OrtegnE1
La rocaE1
E1
REPORTE DE LA PRCTICA
INTRODUCCINRealizar el diseo de un circuito amplificador
diferencial con BJTs, cumpliendo ciertas caractersticas.
OBJETIVOS DE LA PRCTICARealizar el diseo y verificacin de un
amplificador diferencial con transistores bipolares.
MARCO TERICOTransistor de unin bipolar
BJT (Bipolar Junction Transistor). El trmino bipolar hace
referencia al hecho de que en la conduccin de la corriente
intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos). El
termino junction (unin) hace referencia a la estructura del
dispositivo, ya que como veremos a continuacin tenemos dos uniones
pn en el transistor y mediante la polarizacin de estas uniones
conseguiremos controlar el funcionamiento del dispositivo.
El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos
tener una zona de material tipo n en medio de dos zonas de material
tipo p, en este caso se denomina transistor pnp, o bien tener una
zona tipo p con dos zonas tipo n a cada lado, en cuyo caso
estaramos hablando de un transistor npn.
Tipos de Transistor de Unin BipolarNPN
El NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los
cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga
mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La
mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN,
debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de
los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes
y velocidades de operacin.PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las
letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de
las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados
hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo
en la mayora de las circunstancias.Los transistores PNP consisten
en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de
material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con
el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la
fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa.
Amplificador diferencialEl amplificador diferencial es un
circuito que constituye parte fundamental demuchos amplificadores y
comparadores y es la etapa clave de la familia lgicaECL. En este
tema se describen y analizan diferentes tipos de amplificadores
diferenciales basados en dispositivos bipolares y FET. Se abordan
tcnicas de polarizacin y anlisis de pequea seal introduciendo los
conceptos en modo diferencial y modo comn que permiten simplificar
el anlisis de estos amplificadores. Por ltimo, se presentan y
estudian amplificadores diferenciales integrados complejos que
resultan muy tiles como introduccin a los amplificadores
operacionales.
MATERIAL UTILIZADO BJT NPN 2N3904 x 3. Resistores: segn diseo en
pre-laboratorio.
DESARROLLO EXPERIMENTAL*Disear el siguiente circuito tomando en
cuenta las siguientes especificaciones:Vic = 0 VExcursin sin
recortar 0-a-pico en Vo1 2.5 VVCC = VEE = 5 V|Adm| 40Frecuencia de
operacin: 1 kHzRid 20 kCMRR 70 dB
*Con las restricciones que se tienen, procedemos a realizar los
clculos correspondientes para obtener los valores de las cargas
resistivas correctas:
*Cabe resaltar que esto fue un diseo, por lo que cada equipo es
libre de disear su propio circuito amplificador diferencial
RESULTADOSEn esta seccin se debe incluir los resultados y
mediciones obtenidas en el desarrollo experimental, debe contener
tablas, grficas
PREGUNTASEn esta seccin se contestarn las preguntas indicadas
por el maestro
CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES Para poder disear un amplificador
diferencial, es importante conocer sus peculiaridades. Como por
ejemplo, que los transistores son iguales, por lo tanto tienen la
misma transconductancia, resistencia de colector y emisor,
resistencia Pi. Esto nos beneficia de gran manera, ya que reducimos
el nmero de variables a considerar. Despus, se suman las corrientes
de ambos transistores, por ejemplo, en nuestro diseo asumimos que
tendramos 10 miliamperios, por lo que en el transistor de la
siguiente etapa, tendr una corriente de colector de 20
miliamperios.Es importante tener un amplio dominio de los temas
como lo son anlisis de transistores en corriente directa y
corriente alterna, ya que con esto podemos proceder a analizar un
circuito diferencial.
COMENTARIOSEste apartado es donde el equipo se comunica con el
profesor para hacer las recomendaciones necesarias para mejorar la
prctica, avisar sobre la baja participacin de algn miembro del
equipo, proporcionar datos fuera del tema pero que estn en contexto
con el desarrollo de la prctica como por ejemplo, falta de
herramientas en el laboratorio, fallas de algn equipo o propuestas
de mejora. Deben ser breves y concretos.
REFERENCIAS
BIBLIOGRFICAShttp://cenicasol.chica.org.ni/wp-content/uploads/2012/07/Tema6.pdfhttp://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electro_gen/teoria/tema-4-teoria.pdf
Aqu se deben incluir todas las referencias bibliogrficas y
electrnicas que se hayan utilizado para el desarrollo del
documento. El apartado de desarrollo y la bibliografa deben estar
debidamente referenciados. Sugerencia: seguir la norma IEEE, hoja
anexa con las indicaciones para las referencias bibliogrficas.
* NOTA IMPORTANTE: PARA LA ENTREGA FINAL PRESENTAR EN UN FOLDER
O ENGARGOLADO TODAS LAS PRCTICAS, EN EL CASO DEL FOLDER DEBE TENER
UN BROCHE BACCO PARA SUJETAR LAS HOJAS.
VALORACION DEL PROFESOREn esta seccin se debe incluir la
valoracin de los diferentes aspectos que el profesor evala para
cada prctica y que indic al inicio del semestre.
Referencias bibliogrficas (IEEE)
El encabezado de la seccin de referencias debe seguir las normas
del nivel ttulo sin embargo, no debe tener numeracin. Todas las
referencias se hacen en letra de 8 puntos. Utilice cursiva para
distinguir los diferentes campos de la referencia. Utilice los
ejemplos adjuntos en este documento. Todas las referencias estn
numeradas con nmeros arbigos consecutivos que inician en 1 y
siempre estn encerrados en parntesis cuadrados (p.e. [1]).Si en el
cuerpo del artculo hace referencia a alguna de estas referencias,
utilice solamente los parntesis cuadrados y el nmero
correspondiente. Nunca use trminos como ver referencia [4], en su
lugar use ver [4]. Si son varias referencias juntas, seprelas con
comas. Las referencias cambian segn el tipo de fuente. Los ejemplos
enumerados en la seccin de referencias de este documento
incluyen:
ejemplo de un libro [1] ejemplo de un libro parte de una serie
[2] ejemplo de otro artculo de revista [3] ejemplo de un artculo de
conferencia [4] ejemplo de una patente [5] ejemplo de un sitio web
[6] ejemplo de una pgina de un sitio web [7] ejemplo de un manual
[8] ejemplo de una hoja de datos [9] ejemplo de una tesis [10]
ejemplo de un reporte tcnico [11] ejemplo de un estndar
[12]REFERENCIAS
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Zhang, C. Zhu, J. K. O. Sin, and P. K. T. Mok, A novel ultrathin
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Towsley, A stochastic model of TCP Reno congestion avoidance and
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Physical Layer (PHY) Specification, IEEE Std. 802.11, 1997.
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