SiC szemcsék TEM vizsgálata Si hordozón

SiC szemcsék TEM vizsgálataSi hordozón

Készítette: Bucz Gábor, [email protected]

Földes Ferenc Gimnázium

Tanára: dr. Zsúdel László, Földes Ferenc Gimnázium, Miskolc

Témavezető: dr. Tóth Lajos, Radnóczi György Zoltán vékonyréteg fizikaosztály

Feladat

CO és Ar keverékében hőkezelt Si-szelet elektronmikroszkópos vizsgálata.

• Átnézeti kép készítése síkmintáról, morfológia vizsgálata;

• Moire-csíkrendszer vizsgálata síkmintán;• Nagyfelbontású vizsgálatok keresztmetszeti mintán.

Általános jellemzés

• Jellemző általános négyzetforma

• Nagyjából párhuzamos élek, • a Si [100]-hoz illeszkednek• Egyenletes méreteloszlás• Jellemző méret 50-100nm• Látható feszültség a

szemcsék körül

Moire-mérésKét egymásra vetülő kristály esetén: dm=d1×d2/(d1-d2)

d1=1,9201Å (Si 220); d2=1,5411Å (SiC 220)

Elméleti érték: dm=7,8Å

5,55×10-6cm / 68vonal = 8,16Å

Nagyfelbontású vizsgálatok keresztmetszeti mintán

• A hordozó és a SiC határfelülete sík (Si {001} alul és az oldalán is);• A szemcse tetején egy bemélyedés látható;

• A Si és a SiC kristályrácsa melletta képben megjelenik a Si és aSiC 111 síkjainak átfedéséből adódómoire-csíkrendszer

Köszönöm a figyelmet!