IGBT-modules F4-50R07W1H3 B11A EasyPACK module and ...

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テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation

F4-50R07W1H3_B11AIGBT-モジュールIGBT-modules

preparedby:ASapprovedby:TR

dateofpublication:2014-03-05revision:3.0 ULapproved(E83335)

EasyPACKモジュールandPressFIT/NTCサーミスタEasyPACKmoduleandPressFIT/NTC

J

VCES = 650VIC nom = 25A / ICRM = 50A

一般応用 TypicalApplications• •車載用アプリケーション AutomotiveApplications• •高周波スイッチングアプリケーション HighFrequencySwitchingApplication• •ja DC/DCconverter• •スタティックインバーター AuxiliaryInverters• •ハイブリッド自動車 HybridElectricalVehicles(H)EV• •誘導加熱　and　溶接 InductiveHeatingandWelding

電気的特性 ElectricalFeatures• •650Vに増加したブロッキング電圧 Increasedblockingvoltagecapabilityto650V• •高速IGBTH3 HighSpeedIGBTH3• •低インダクタンスデザイン Lowinductivedesign• •低スイッチング損失 LowSwitchingLosses• •低VCEsat飽和電圧 LowVCEsat

機械的特性 MechanicalFeatures• •2.5kVAC1分　絶縁耐圧 2.5kVAC1minInsulation• •長い縁面/空間距離 HighCreepageandClearanceDistances• •PressFIT接合技術 PressFITContactTechnology• •RoHS対応 RoHScompliant• •固定用クランプによる強固なマウンティング Rugged mounting due to integrated mounting

clamps

ModuleLabelCodeBarcodeCode128

DMX-Code

ContentoftheCode DigitModuleSerialNumber 1-5ModuleMaterialNumber 6-11ProductionOrderNumber 12-19Datecode(ProductionYear) 20-21Datecode(ProductionWeek) 22-23

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dateofpublication:2014-03-05revision:3.0

IGBT-　インバータ/IGBT,Inverter最大定格/MaximumRatedValuesコレクタ・エミッタ間電圧Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 650 V

コレクタ電流Implementedcollectorcurrent ICN 50 A

連続DCコレクタ電流ContinuousDCcollectorcurrent

TC = 130°C, Tvj max = 175°CTC = 25°C, Tvj max = 175°C

IC nom

IC 25

55 AA

繰り返しピークコレクタ電流Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 100 A

トータル損失Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 200 W

ゲート・エミッタ間ピーク電圧Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V

電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max.

コレクタ・エミッタ間飽和電圧Collector-emittersaturationvoltage

IC = 25 A, VGE = 15 VIC = 25 A, VGE = 15 VIC = 25 A, VGE = 15 V

VCE sat

1,501,551,60

1,85 VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

ゲート・エミッタ間しきい値電圧Gatethresholdvoltage IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 4,9 5,8 6,5 V

ゲート電荷量Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,50 µC

内蔵ゲート抵抗Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω

入力容量Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 3,25 nF

帰還容量Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,09 nF

コレクタ・エミッタ間遮断電流Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 0,05 mA

ゲート・エミッタ間漏れ電流Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA

ターンオン遅れ時間（誘導負荷）Turn-ondelaytime,inductiveload

IC = 25 A, VCE = 300 VVGE = ±15 VRGon = 6,8 Ω

td on0,020,020,02

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

ターンオン上昇時間（誘導負荷）Risetime,inductiveload

IC = 25 A, VCE = 300 VVGE = ±15 VRGon = 6,8 Ω

tr0,010,0110,012

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）Turn-offdelaytime,inductiveload

IC = 25 A, VCE = 300 VVGE = ±15 VRGoff = 6,8 Ω

td off0,150,180,19

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

ターンオフ下降時間（誘導負荷）Falltime,inductiveload

IC = 25 A, VCE = 300 VVGE = ±15 VRGoff = 6,8 Ω

tf0,0070,0110,013

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

ターンオンスイッチング損失Turn-onenergylossperpulse

IC = 25 A, VCE = 300 V, LS = 25 nHVGE = ±15 V, di/dt = 2300 A/µs (Tvj = 150°C)RGon = 6,8 Ω

Eon

0,210,320,35

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

ターンオフスイッチング損失Turn-offenergylossperpulse

IC = 25 A, VCE = 300 V, LS = 25 nHVGE = ±15 V, du/dt = 4800 V/µs (Tvj = 150°C)RGoff = 6,8 Ω

Eoff

0,220,350,38

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

短絡電流SCdata

VGE ≤ 15 V, VCC = 360 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 280 A

Tvj = 150°C

tP ≤ 4 µs,

ジャンクション・ケース間熱抵抗Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT RthJC 0,60 0,75 K/W

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ケース・ヒートシンク間熱抵抗Thermalresistance,casetoheatsink

IGBT部（１素子当り）/perIGBTλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,75 K/W

動作温度Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C

Diode、インバータ/Diode,Inverter最大定格/MaximumRatedValuesピーク繰返し逆電圧Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 650 V

連続DC電流ContinuousDCforwardcurrent IF 25 A

ピーク繰返し順電流Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 50 A

電流二乗時間積I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 50,0 A²s

電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max.

順電圧Forwardvoltage

IF = 25 A, VGE = 0 VIF = 25 A, VGE = 0 VIF = 25 A, VGE = 0 V

VF

1,651,601,55

2,15 VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

ピーク逆回復電流Peakreverserecoverycurrent

IF = 25 A, - diF/dt = 2300 A/µs (Tvj=150°C)VR = 300 VVGE = -15 V

IRM

35,040,041,0

AAA

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

逆回復電荷量Recoveredcharge


Qr

0,961,601,75

µCµCµC

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

逆回復損失Reverserecoveryenergy


Erec

0,210,350,39

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

ジャンクション・ケース間熱抵抗Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC 1,25 1,45 K/W

ケース・ヒートシンク間熱抵抗Thermalresistance,casetoheatsink

/Diode（１素子当り）/perdiodeλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,95 K/W

動作温度Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C

NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max.

定格抵抗値Ratedresistance TC = 25°C R25 5,00 kΩ

R100の偏差DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %

損失Powerdissipation TC = 25°C P25 20,0 mW

B-定数B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K



適切なアプリケーションノートによる仕様Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

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モジュール/Module絶縁耐圧Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV

内部絶縁Internalisolation

基礎絶縁(クラス1,IEC61140)basicinsulation(class1,IEC61140) impr.Al2O3

沿面距離Creepagedistance

連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 11,5

6,3 mm

空間距離Clearance

連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 10,0

5,0 mm

相対トラッキング指数Comperativetrackingindex CTI > 200

min. typ. max.

内部インダクタンスStrayinductancemodule LsCE 15 nH

パワーターミナル・チップ間抵抗Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch RCC'+EE' 5,50 mΩ

保存温度Storagetemperature Tstg -40 125 °C

Anpresskraft für mech. Bef. pro Federmountig force per clamp F 20 - 50 N

質量Weight G 24 g

Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.VGE muss im Kurzschluss auf 15V begrenzt werden (z.B. Klemmschaltung).VGE has to be limited to 15V during shortcircuit (e.g. clamping).

5





出力特性IGBT-　インバータ(Typical)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)VGE=15V

VCE [V]

IC [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50Tvj = -40°CTvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

出力特性IGBT-　インバータ(Typical)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)Tvj=150°C

VCE [V]

IC [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,00

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100VGE = 9VVGE = 11VVGE = 13VVGE = 15VVGE = 17V

伝達特性IGBT-　インバータ(Typical)transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VGE)VCE=20V

VGE [V]

IC [A

]

5 6 7 8 9 10 11 120

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(IC),Eoff=f(IC)VGE=±15V,RGon=6.8Ω,RGoff=6.8Ω,VCE=300V

IC [A]

E [m

J]

0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 500,0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,8Eon, Tvj = 25°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 25°CEoff, Tvj = 150°C

6





スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(RG),Eoff=f(RG)VGE=±15V,IC=25A,VCE=300V

RG [Ω]

E [m

J]

0 2 4 6 8 10 12 140,0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,8Eon, Tvj = 25°CEon, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 25°CEoff, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 150°C

過渡熱インピーダンスIGBT-　インバータtransientthermalimpedanceIGBT,InverterZthJH=f(t)

t [s]

Zth

JH [K

/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,1

1

10ZthJH : IGBT

i:ri[K/W]:τi[s]:

10,050,0005

20,150,005

30,350,05

40,80,2

逆バイアス安全動作領域IGBT-　インバータ（RBSOA）)reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)IC=f(VCE)VGE=±15V,RGoff=6.8Ω,Tvj=150°C

VCE [V]

IC [A

]

0 100 200 300 400 500 600 7000

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

110IC, ModulIC, Chip

容量特性IGBT-　インバータ(Typical)capacitycharcteristicIGBT,Inverter(typical)C=f(VCE)VGE=0V,Tvj=25°C,f=1MHz

VCE [V]

C [pF

]

0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 50010

100

1000

10000

Cies

Coes

Cres

7





ゲート充電特性IGBT-　インバータ（典型)gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical)VGE=f(QG)IC=25A,Tvj=25°C

QG [µC]

VG

E [V

]

0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5-15

-13

-11

-9

-7

-5

-3

-1

1

3

5

7

9

11

13

15VCC = 120VVCC = 480V

順電圧特性Diode、インバータ（typical)forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)IF=f(VF)

VF [V]

IF [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50Tvj = -40°CTvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(IF)RGon=6.8Ω,VCE=300V

IF [A]

E [m

J]

0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 500,0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6Erec, Tvj = 25°CErec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C

スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(RG)IF=25A,VCE=300V

RG [Ω]

E [m

J]

0 2 4 6 8 10 12 140,0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6Erec, Tvj = 25°CErec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C

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過渡熱インピーダンスDiode、インバータtransientthermalimpedanceDiode,InverterZthJH=f(t)

t [s]

Zth

JH [K

/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,1

1

10ZthJH : Diode

i:ri[K/W]:τi[s]:

10,20,0005

20,60,005

30,90,05

40,50,2

NTC-サーミスタサーミスタの温度特性NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)R=f(T)

TC [°C]

R[Ω

]

0 20 40 60 80 100 120 140 160100

1000

10000

100000Rtyp

9





回路図/circuit_diagram_headline

J

パッケージ概要/packageoutlines

´´

´ ´

FxxxRxxW1 xxEasyPIM

Infineon GYYWW

TM

10





この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。

利用規約このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。このデータシートには、保証されている特性が記述されております。その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。

追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスにお問い合わせ願います。　(www.infineon.com参照)製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。

航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。ー　リスク　及び　品質の評価ー　品質契約ー　アプリケーションの共同評価上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。

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Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou.

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Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.

Changesofthisproductdatasheetarereserved.

IGBT-modules F4-50R07W1H3 B11A EasyPACK module and ...

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