7/21/2019 Electrotehnica -Teste Circuite TB http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-circuite-tb 1/32 49 Capitolul 4 Circuite fundamentale cu tranzistoare bipolare 1. 1p Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentat ă în figura: a) E C R C v IN v O i C i IN b) E C R E v IN v O i IN c) v IN v O E C R C i C i IN d) EC R C Vin V o I in R B1 R B2 R E C 1 C 2 C E 2. 1p Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura: a) E C R C v IN v O i C i IN b) E C R E v IN v O i IN
This document is posted to help you gain knowledge. Please leave a comment to let me know what you think about it! Share it to your friends and learn new things together.
Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura4.1. Tranzistorul T este blocat dacă vIN<Vγ . În aceste condiţii schemaechivalentă de semnal mare pentru regim cvasistatic este:a)
EC
RC
vIN vO
iC
B
CE
b)EC
RE
vIN
vO
iIN BC
E
c)EC
RC
vIN vO
iC
BC
E
d)EC
RC
0v IN ≈ vO
BC
E
RB
14.3p
Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura4.2. Tranzistorul T este blocat dacă γ ∞−∈ V,v IN . În aceste condiţii
schema echivalentă de semnal mare pentru regim cvasistatic este:a)
Schema de principiu a unui etaj bază comună comun este prezentată înfigura 4.3. Tranzistorul T este blocat dacă +∞−∈ γ ,V . În aceste condiţii
schema echivalentă de semnal mare pentru regim cvasistatic este:a)
EC
RC
vIN vO
iC
B
CE
b)EC
RE
vIN
vO
iIN BC
E
c)EC
RC
vIN vO
iC
BC
E
d)EC
RC
0v IN ≈ vO
BC
E
RB
16.2p
Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura4.1. Tranzistorul T operează în regim activ normal dacă Vγ <vIN<VBEsat. Înaceste condiţii schema echivalentă de semnal mare pentru regimcvasistatic este::a)
Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura4.2. Tranzistorul T operează în regim activ normal dacă vIN∈ [ γ V , EC). În
aceste condiţii schema echivalentă de semnal mare pentru regimcvasistatic este:a)
EC
RC
vIN v
O
βiIN
B C
E
iC
iIN
b)EC
RE
vIN
vO
B C
E
vBE
iIN
βiIN
c)
vIN v
O
B
E
EC
RC
C
iC
iIN
βiIN
d)
RB
rπ
Vt
bIβ
IcIb
Vot
B C
E
It
Ir
RE
18.2p
Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura4.3. Tranzistorul T operează în regim activ normal dacă vIN∈(-vBEsat, - γ V ). În aceste condiţii schema echivalentă de semnal marepentru regim cvasistatic este:a)
Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura4.1. Tranzistorul T operează în regim saturat dacă vIN≈vBEsat În acestecondiţii schema echivalentă de semnal mare pentru regim cvasistaticeste::a)
vIN vO
EC
RCvCEsat
vBEsat
B C
E
b)
vO
EC
RCvCEsat
vBEsat
B C
E
RB
CIN Ev ≈
c)
vIN
vO
EC
RE
vBEsat
B C
E
vCEsat
d)
vIN vOvBEsat
B
EC
RC
CEvCEsat
20.2p
Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura4.2. Tranzistorul T operează în regim saturat dacă vIN=EC. În acestecondiţii schema echivalentă de semnal mare pentru regim cvasistaticeste:
Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura4.3. Tranzistorul T operează în regim saturat dacă BEsatIN vv ≅ . În acestecondiţii schema echivalentă de semnal mare pentru regim cvasistaticeste:a)
Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura4.2. Dacă tranzistorul T operează în regim activ normal, tensiunea deieşire are valoarea:
a)
−−=
T
IN S C C O
V
v I R E v exp
b) vO=vIN-vBE c) 0≅≈
sat CE O V v
d) T
INCSCO
V
vexpRIEv −=
27.4p Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura4.3. Dacă tranzistorul T operează în regim activ normal, tensiunea deieşire are valoarea:
a)
−−=
T
IN S C C O
e
v I R E v exp
b) vO=vIN-vBE c) 0≅≈
sat CE O V v
d) T
IN C S C O
e
v R I E v exp−=
28.
4p
Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura
4.1. Dacă tranzistorul T operează în regim saturat, tensiunea de ieşire arevaloarea:
a) vO=vCEsat b) vO=EC-vCEsat c) vO=EC d) vO=EC-vBEsat
29.4p
Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura4.2. Dacă tranzistorul T operează în regim saturat, tensiunea de ieşire arevaloarea:
a) vO=vCEsat b) vO=EC-vCEsat c) vO=EC d) vO=EC-vBEsat
30.4p Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura4.3. Dacă tranzistorul T operează în regim saturat, tensiunea de ieşire arevaloarea:
a) vO=vCEsat b) vO=EC-vCEsat c) vO=EC d) vO=EC-vBEsat
31.3p
Caracteristica de transfer a unui etaj emitor comun este prezentată înfigura:
a)
0.5V 1V vIN
vO
EC
vCEsat
γ V
vBEsat
b)
γ V
vIN
vO
EC-vCEsat.
EC
c)
- γ V vIN
vO
EC
-vBEsat
d)
γ V
vIN
vO
EC-vCEsat.
EC
32.3p
Caracteristica de transfer a unui etaj colector comun este prezentată înfigura:a)
b) de sarcină asigura stabilizare termică c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componentacontinuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.
d) de a pune emitorul la masă în curent alternativ.
511p
Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. Rezistorii RB1 şiRB2 au rolul:
a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiuneaactivă normală.
b) de a asigura stabilizare termică c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta
continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.d) de a pune baza la masă în curent alternativ.
521p
Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. Rezistorul RE arerolul:
a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiuneaactivă normală.
b) de a asigura stabilizare termică c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta
continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.d) de a pune baza la masă în curent alternativ.
531p
Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. Rezistorul RC arerolul:
a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiunea
activă normală.b) de a asigura stabilizare termică c) de sarcină.d) de a pune baza la masă în curent alternativ.
541p
Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. CondensatorulC1 are rolul:
a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiuneaactivă normală.
b) de a asigura stabilizare termică;c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta
continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă;d) de a pune baza la masă în curent alternativ.
55 Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. Condensatorul
1p C2 are rolul:a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiuneaactivă normală;
b) de a asigura stabilizare termică;c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta
continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă;d) de a pune baza la masă în curent alternativ.
561p
Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. CondensatorulCB are rolul:
a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiuneaactivă normală;
b) de a asigura stabilizare termică;
c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componentacontinuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă;
d) de a pune baza la masă în curent alternativ.
57.4p
Figura 4.7 prezintă un etaj emitor comun atacat cu un generator detensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi arezistenţei de intrare. Schema echivalentă de semnal mic, regimcvasistatic este:
Figura 4.8 prezintă un etaj colector comun atacat cu un generator detensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi arezistenţei de intrare. Schema echivalentă de semnal mic, regim
Figura 4.9 prezintă un etaj bază comună atacat cu un generator detensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi arezistenţei de intrare. Schema echivalentă de semnal mic, regim
cvasistatic este:
RB1
RB2 RC
+EC
CBRE
C1 C2
It
Vt Vot
Figura 4.9
a)
RB rπVt gmVbe
Ic
Vbe
Ib
Ir
VotRC
B C
E
It
b)
It
RB RCrπ Vbe
B
gmVbe
C
E
Vt
+
-
c)
RB
rπ
Vt
bIβ
IcIb
Vot
B C
E
It
Ir
RE
d)
rπRE RC
IeIb
βIb
Vot
Vx
It
Vt
60.4p
Figura 4.7 prezintă un etaj emitor comun atacat cu un generator detensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi a
rezistenţei de intrare. Ştiind că amplificarea în tensiune este definită prinrelaţia
t
otV
V
VA = , expresia acestei amplificări este:
a) C v Rg A π −= ;
b) C mv Rg A −= ;
c) 1≅v A ;
d) C mv Rg A = .
61.4p
Figura 4.8 prezintă un etaj colector comun atacat cu un generator detensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi arezistenţei de intrare. Ştiind că amplificarea în tensiune este definită prin
relaţiat
otV
V
VA = , expresia acestei amplificări este:
a) C v Rg A π −= ;
b) C mv Rg A −= ;
c) 1≅v A ;
d) C mv Rg A = .
62.4p
Figura 4.9 prezintă un etaj bază comună atacat cu un generator detensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi arezistenţei de intrare. Ştiind că amplificarea în tensiune este definită prin
relaţiat
ot
VV
VA = , expresia acestei amplificări este:
a) C v Rg A π −= ;
b) C mv Rg A −= ;
c) ( )
( )1
1
1≅
++
+=
E
E v
Rr
R A
β
β
π
;
d) C mv Rg A = .
63.4p
Figura 4.7 prezintă un etaj emitor comun atacat cu un generator detensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi arezistenţei de intrare. Ştiind că rezistenţa de intrare este definită prin
relaţiat
t
inIVR = , expresia acestei rezistenţe de intrare este:
c) ( )[ ] E E B E Bin R R R Rr R R β β β π ≅≅++= 1
d) π π r r R R Bin ≅=
64.4p
Figura 4.8 prezintă un etaj colector comun atacat cu un generator detensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi arezistenţei de intrare. Ştiind că rezistenţa de intrare este definită prin
relaţiat
tin
IVR = , expresia acestei rezistenţe de intrare este:
a) β β mm
E in
r r R R ≅
+=
1
b) β β π π r r
R R E in ≅
+=
1
c) ( )[ ] E E B E Bin R R R Rr R R β β β π ≅≅++= 1
d) π π r r R R Bin ≅=
65.4p
Figura 4.9 prezintă un etaj bază comună atacat cu un generator detensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi arezistenţei de intrare. Ştiind că rezistenţa de intrare este definită prin
relaţiat
t
inI
VR = , expresia acestei rezistenţe de intrare este:
a) β β mm
E in
r r R R ≅
+=
1
b) β β π π r r
R R E in ≅
+=
1
c) ( )[ ] E E B E Bin R R R Rr R R β β β π ≅≅++= 1
d) π π
r r R R Bin
≅=
66. Figura 4.10 prezintă un etaj emitor comun atacat la ieşire cu un generator
4p de tensiune pentru a evalua rezistenţa de ieşire. Schema echivalentă desemnal mic, regim cvasistatic este:+EC
RC
Vt
RB1
RB2 RE
C1
C2
CE
It
+
-
CS
Figura 4.10
a)It
RC Vt
+
-
b)
ItRB
RE
rπ
B
bIβ
C
E
Vt
+
-
Ib
Ie
c)
RB
rπ
Vt
bIβ
IcIb
Vot
B C
E
It
Ir
RE
d)
rπRE RC
IeIb
βIb
Vot
Vx
It
Vt
67.4p
Figura 4.11 prezintă un etaj colector comun atacat la ieşire cu ungenerator de tensiune pentru a evalua rezistenţa de ieşire. Schemaechivalentă de semnal mic, regim cvasistatic este:
Figura 4.12 prezintă un etaj bază comună atacat la ieşire cu un generatorde tensiune pentru a evalua rezistenţa de ieşire. Schema echivalentă desemnal mic, regim cvasistatic este: