INFORMACION GENERALDDR-4 proviene de ("Dual Data Rate 4"),
significa transmisin doble de datos cuarta generacin: se trata de
el estndar desarrollado por la firma Samsung para el uso con
futuras tecnologas. Al igual que sus antecesoras, se basa en el uso
de tecnologa tipo DRAM (RAM de celdas construidas a base de
capacitores), las cules tienen los chips de memoria en ambos lados
de la tarjeta, y segn las imgenes liberadas por el sitio Web, 240
terminales, las cules estn especializadas para las ranuras de las
tarjetas principales (Motherboard) de nueva generacin. Tambin se
les denomina DIMM tipo DDR4, debido a que cuentan con conectores
fsicamente independientes por ambas caras como el primer estndar
DIMM.DDR4 entrega mayor rendimiento, capacidades DIMM ms elevadas,
una mejora en la integridad de los datos y ofrece un menor consumo
de energa.Llegando a ms de 2 Gbps por pin y con menor consumo de
energa que DDR3L, (DDR3 de Bajo Voltaje), DDR4 proporciona aumento
en el rendimiento y un ancho de banda de hasta 50%, mientras
disminuye el consumo de energa de su entorno de informtica en
general. Esto representa una mejora significativa sobre las
tecnologas de memoria anteriores y un ahorro de energa de hasta
40%.Adems de un rendimiento optimizado y ms ecolgico, computacin de
bajo costo, DDR4 tambin proporciona controles de redundancia cclica
(CRC) para mejorar la confiabilidad de los datos, deteccin de la
paridad en el chip para la verificacin de la integridad de
transferencias de comando y direccin sobre un enlace, una mayor
integridad de la seal y otras robustas caractersticas RAS.
PARTES DE UNA MEMORIA DDR4
1.- Tarjeta:es una placa plstica sobre la cul estn soldadas los
componentes de la memoria.2.-Chips:son mdulos de memoria voltil.3.-
Conector de 240 terminales:base de la memoria que se inserta en la
ranura especial para memoria DDR4.4.- Muesca:indica la posicin
correcta dentro de la ranura de memoria DDR4.
CARACTERISTICAS
Cuentan con 288 terminales para la conexin a la Motherboard.
Cuentan con una muesca en un lugar estratgico del conector, para
que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera
incorrecta para evitar que se inserten en ranuras inadecuadas. Como
sus antecesores, pueden estar no ocupadas todas sus ranuras para
memoria. Utiliza la tecnologa de 30 nanmetros para su fabricacin.
Los mdulos de memoria DDR4 SDRAM tienen un total de 288 pinesDIMM.
La velocidad de datos por pin, va de un mnimo de 1,6 GT/s hasta un
objetivo mximo inicial de 3,2 GT/s. Las memorias DDR4 SDRAM tienen
un mayor rendimiento y menor consumo que las memorias DDR
predecesoras.Tienen un gran ancho de banda en comparacin con sus
versiones anteriores.
VOLTAJE DE ALIMENTACIN DE UNA MEMORIA DDR4 Tiene un voltaje de
alimentacin de 1.2 Volts, menor a las anteriores por lo que segn la
firma, es ms ecolgica.
FUNCIONAMIENTO DE LA MEMORIA DDR4
1. La celda de memoria se carga de una corriente elctrica alta
cundo indica el valor 1.2. La celda de memoria se carga de una
corriente elctrica baja cundo indica el valor 0.3. Al apagar la
computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la informacin
se pierde.4. Este tipo de celdas tienen un fenmeno de recarga
constante ya que tienden a descargarse, independientemente si la
celda almacena un 0 un 1, esto se le llama "refrescar la memoria",
solo sucede en memorias RAM y ello las vuelve relativamente poco
eficaces.
CAPACIDAD DE UNA MEMORIA DDR4
DDR4 con 240 terminales en un solo mdulo su capacidad puede ser
de las siguientes: 2 GB, 4 GB, 8 GB y 16 GB
Tambien hay kids de 2 y 4 mdulos y su capacidad seria de 32GB Y
64GB respectivamente.
PRECIOS
Como es evidente, es el proceso que seguirn las memorias DDR4,
en cuanto a la evolucin de su precio en el mercado. No obstante,
teniendo en cuenta que actualmente superan en un 50% de media el
precio de las DDR3, no sera complicado que a finales del prximo ao
2015, finalmente, se alcance la diferencia esperada inicialmente de
tan solo el 30% de sobrecoste con respecto a la tecnologa ms
generalizada de ahora, una generacin de memorias anterior que,
tambin debe sealarse, continuar bajando de precio a un ritmo
similar.
VentajasSus principales ventajas en comparacin conDDR2yDDR3son
una tasa ms alta de frecuencias de reloj y de transferencias de
datos (2133 a 4266 MT/s en comparacin con DDR3 de 800M a
2.133MT/s),la tensin es tambin menor a sus antecesoras (1,2 a 1,05
para DDR4 y 1,5 a 1,2 para DDR3) DDR4 tambin apunta un cambio en la
topologa descartando los enfoques de doble y triple canal, cada
controlador de memoria est conectado a un mdulo nico.DesventajasNo
es compatible con versiones anteriores por diferencias en los
voltajes, interfaz fsica y otros factores.Bibliografia1.
http://media.kingston.com/pdfs/HX_Predator_DDR4_US.pdf2.
http://www.informaticamoderna.com/Memoria_DDR4.htm3.
http://www.kingston.com/latam/memory/ddr44.
http://computadoras.about.com/od/memorias/a/Ddr-4.htm
ANEXOS
DescripcinDDR3DDR4Beneficio
Densidades del chip512Mb a 8Gb4Gb a 16GbMayores capacidades en
mdulos DIMM
Data Rates800Mb/s 2133Mb/s1600Mb/s 3200Mb/sMigration to
Higher-Speed I/O
Voltaje1.5V1.2VReduccin de la demanda de energa para la
memoria
Norma de voltaje bajoS (DDR3L a 1.35V)Anticipado a
1.1VReducciones de energa para la memoria
Bancos internos816Ms bancos
Grupos de bancos (BG)04Accesos de rfaga ms rpidos
Entradas VREF2 DQs y CMD/ADDR1 CMD/ADDRVREFDQ Ahora interno
tCK habilitado con DLL300MHz a 800MHz667MHz a 1.6GHzMayores
velocidades de transmisin de datos
tCK deshabilitado con DLL10MHz 125MHz (opcional)Indefinido para
125MHzDLL-off es ahora totalmente compatible
Latencia en lecturaAL + CLAL + CLValores ampliados
Latencia en escrituraAL + CWLAL + CWLValores ampliados
Controlador DQ (ALT)40 48 ptimo para aplicaciones PtP
Bus DQSSTL15POD12Menos ruido y energa de E/S
Valores RTT (en )120, 60, 40, 30, 20240, 120, 80, 60, 48, 40,
34Compatible con velocidades de transmisin de datos ms elevadas
No se permite RTTRfagas de READDesactiva durante rfagas de
lecturaFacilidad de uso
Modos ODTNominal, DinmicoNominal, Dinmico, EstacionarModo de
control adicional; Cambio de Valor OTF
Control ODTSe requiere sealizacin ODTNO se requiere sealizacin
ODTFacilidad de control ODT; Permite enrutamiento qye no es ODT,
Aplicaciones PtP
Registro multi-propsitoCuatro registros - 1 Definido, 3
RFUCuatro registros - 3 Definido, 1 RFUProporciona lectura
especializada adicional
Tipos de DIMMRDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMMRDIMM, LRDIMM, UDIMM,
SODIMM
Contactos DIMM240 (R, LR, U); 204 (SODIMM)288 (R, LR, U); 260
(SODIMM)
RASECCCRC, Paridad, Direccionabilidad, GDMMs caractersticas RAS;
integridad de datos mejorada
ESCUELA SUPERIOR POLITCNICA DE CHIMBORAZOFACULTAD: INFORMTICA Y
ELECTRNICAESCUELA: INGENIERIA ELECTRONICA EN CONTROL Y REDES
INDUSTRIALESCARRERA: INGENIERIA EN ELECTRONICA, CONTROL Y REDES
INDUSTRIALES
CONSULTA DE INVESTIGACIN DE ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS.QUINTO
B
TEMA: (MEMORIA DDR4)
DATOS GENERALES:
NOMBRE: Roberto Crdova 427
FECHA DE REALIZACIN: FECHA DE ENTREGA: 01/07/2015 8/07/2015