XhZs Yprc }¦Ìô AKN Ð VmfY]ã ʨlalsie.ist.hokudai.ac.jp/publication/dlcenter.php?fn=dom...XhZs_Yprc } Ìô AKN Ð VmfY]ã ʨ Large-capacitance devices consisting of subthreshold

Large-capacitance devices consisting of

subthreshold CMOS operational amplifiers

Tomoki IIDA Tetsuya ASAI Yoshihito AMEMIYA

Department of Electrical Engineering, Hokkaido University

－ 337 －

第22回 回路とシステム軽井沢ワークショップ

The 22nd Workshop on Circuits and Systemsin Karuizawa, April 20-21, 2009

I0 I1 I2

C

Vin＋Vinー

Vout

Vdd

dB

Vin

Vdd

R1 R1

R2 R2C C

Vout

Vin

Vb

M1

Iref

Vb

Vdd

Vb Vb

Vout

0

40

80

120

1 1 k 1 M 1 G

[dB

]

[Hz]

1

2

3

－ 338 －

VCM

Vb1

Vb2

VCMVdd

I0

サブスレッショルドCMOS演算増幅器

出力 Vout＋

Vin＋

出力 Voutー

Vinー

10

20

30

40

50

60

10 100 1 k

15 pF

1 pF

10 k 100 k 1 M

20

30

40

50

60

0 10 20 30 40 50

mV

dB

0

1

2

3

0 10 20 30 40 50

mV

V

－ 339 －

Vdd

gnd

I0CMOS

Vout

Vin Vin2

位相

利得-20

-10

0

1 10 100 1 k 10 k 100 k 1 M [Hz]

[dB

]

－ 340 －

φ φvb1

I2M2

M3 M4 M5 M7

M6 M8C1 C2 C3

M1

Iout

Iref

Iref

I1

vdd

gnd

t

V

t

V

Tt D t /T

I1

I2

t

I

－ 341 －

96.6

96.56

96.52

96.64

100 100.1 100.2

time [ms]

Iout

[pA

]

－ 342 －