WŁAŚCIWOŚCI PÓŁPRZEWODNIKÓW 0,543 nm 0,235 nm 3sp –w i ązania kowalentne tetraedru Struktura kryształu krzemu i tetraedr koordynacyjny utworzony przez najbliższych sąsiadów każdego jonu Si +4 (=108 o 29') +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 Model planarny periodycznej struktury półprzewodnika
WŁAŚCIWOŚCI PÓŁPRZEWODNIKÓW. Struktura kryształu krzemu i tetraedr koordynacyjny utworzony przez najbliższych sąsiadów każdego jonu Si +4 ( a =108 o 29'). Model planarny periodycznej struktury półprzewodnika. Tablica 1.1. Krzem w grupie węglowców [1,2,3]. Krzem w grupie węglowców. Element - PowerPoint PPT Presentation
Welcome message from author
This document is posted to help you gain knowledge. Please leave a comment to let me know what you think about it! Share it to your friends and learn new things together.
Transcript
WŁAŚCIWOŚCI PÓŁPRZEWODNIKÓW
0,543 nm
0,235 nm
3sp –wiązania kowalentne tetraedru
Struktura kryształu krzemu i tetraedr koordynacyjny utworzony przez najbliższych sąsiadów każdego jonu Si+4 (=108o29')
+4 +4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4 +4
Model planarny periodycznej struktury półprzewodnika
ElementParametr
C Si Ge Sn Pb
grafit diament
masa atomowa 12.01115 28,09 72,60 118,70 207,21
liczba atomowa 6 14 32 50 82
ilość elektronów na ostatniej powłoce
4
4
4
4
4
wartościowość +4 +4 +4 +2, +4 +2, +4
gęstość atom. [#/cm3] 5,0x1022 4,4x1022
stała sieci [nm] w 300K 0,337 0,3567 0,54308 0,56575 0,64892(szara)
4,95
odl. m. jonami [nm] 0,142 0,154 0,235 0,244 0,28(szara) 0,350
gęstość [g/cm3] 2,25 3,52 2,32 5,323 5,8(-szara)7,3(biała)
Tworzenie się pasm energetycznych po zbliżeniu jonów na odległość stałej sieci a oraz położenie poziomu EC (zwykle pustego w półprzewodnikach w T=0 K)
i poziomu EV zapełnionego elektronami w T=0 K
W półprzewodnikach (i dielektrykach) istnieje pomiędzy pasmem walencyjnym o największej energii EV a pasmem przewodnictwa o
najmniejszej energii EC zakres energii wzbronionej dla elektronów
walencyjnych – przerwa energetyczna VCg EEE
Minimalny poziom energetyczny EC jest energią potencjalną elektronów w paśmie
przewodnictwa; każdy nadmiar ponad EC jest energią kinetyczną w całkowitej
energii E prawie swobodnie przemieszczającego się elektronu w przestrzeniach międzywęzłowych sieci krystalicznej półprzewodnika
2
2*the
Cvm
EE
gdzie: - tzw. masa efektywna elektronu, czyli masa, która uwzględnia także oddziaływanie periodycznego pola sieci krystalicznej na elektron, vth - średnia prędkość termiczna elektronu.
*em
wolny elektron oraz dziura utworzone po zerwaniu wiązania walencyjnego
+4 +4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4 +4
Generacja pary elektron-dziura w strukturze wiązań walencyjnych półprzewodnika
Prawdopodobieństwo obsady dozwolonego kwantowymi prawami wyboru stanu o energii E przez elektron w półprzewodniku o temperaturze T jest wyrażone funkcją Fermiego-Diraca
kT
EETEf
Fn
exp1
1,
gdzie: EF –poziom Fermiego, hipotetyczny stan energetyczny odniesienia, w
którym prawdopodobieństwo znalezienia elektronu wynosi fn(EF,T)=0,5, k - stała
Boltzmanna: k=8,857.10-5 eV/K.
E
EC
EF T=0
T1
T1<T2
EV
0 0,5 1,0 fn(E)
fp.(E) 1,0 0,5 0
Funkcje Fermiego-Diraca dla elektronów fn(E)
i dziur fp(E) w różnych temperaturach
1.2. PÓŁPRZEWODNIKI DOMIESZKOWANE
a) b) Model planarny periodycznej struktury półprzewodnika domieszkowanego: a)- donorami Me+5 (i elektronami ), b) - akceptorami Me+3 (i dziurami )
+4 +4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +5 +4
+4 +5 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4 +4
+4 +3 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +3
+4
+4 +4 +4 +4 +4
D
n
N
n n-Si (ND=10
16 cm-3)
2 zakres samoistny zakres domieszkowy 1 jonizacja pękanie domieszek wiązań walencyjnych 0 100 200 300 400 500 600 [K] T Ts Ti Względna koncentracja elektronów w funkcji temperatury
SZUMY W PÓŁPRZEWODNIKACH W półprzewodnikach występują cztery podstawowe mechanizmy szumów, które powodują, że prądy i napięcia fluktuują w sposób przypadkowy wokół wartości średniej.
1. Szumy cieplne (thermal noise), szumy śrutowe (shot noise), szumy generacyjno-rekombinacyjne (G-R noise) i szumy migotania (flickier noise – albo szum typu 1/f).
Szumy cieplne powstają na skutek oddziaływań drgań cieplnych sieci krystalicznej półprzewodnika w temperaturze T>0 na nośniki ładunku. Ich ruch cieplny z kolei wywołuje chaotyczne zmiany napięcia un,th(t) lub prądu in,th(t) fluktuujące wokół wartości średnich lub ,
obserwowane pomiędzy zewnętrznymi elektrodami próbki półprzewodnika o rezystancji R.
c) d) a) b) R(w 0 K) R R In
G=1/R(w 0K) R Un
Un
a) Szumiący rezystor rzeczywisty i jego równoważne źródła szumów: b) - napięciowe, c) - prądowe oraz d) - warunki maksymalnego przekazu mocy szumów
2. Szum śrutowy występuje przy przepływie prądu przez barierę potencjału w aktywnych przyrządach półprzewodnikowych i jest efektem mikroskopowej, dyskretnej natury prądu: I=Nq/t - jako strumienia skończonej liczby N nośników o ładunku q. Średnia kwadratowa wartość szumu śrutowego zgodnie z teorią Schottky'ego wynosi
)gdzie I0 - wartość średnia prądu, B=Df - przedział częstotliwości, w którym mierzony jest szum.
2, 02n shi qI B
3. Szum generacyjno-rekombinacyjny (szumy G-R), który powstaje przy fluktuacjach prędkości generacji, rekombinacji i pułapkowania nośników ładunku. Prąd szumów G-R zależy od średniego czasu życia nośników ładunku; generowanych elektronów w paśmie przewodnictwa tn
B
fI
n
RGn 2,π21
const
Po przyłożeniu pola elektrycznego także w półprzewodnikach pojawia się 4. Szum migotania. Źródło prądowe tych szumów zapisywane jest w postaci
gdzie: a2, b=0,8...1,4. Szum migotania jest głównym szumem obserwowanym poniżej
10 kHz i malejącym z częstotliwością. Jest związany z prądami upływności przez stany powierzchniowe, które przechwytują część nośników. Stała czasowa przebywania nośników w pułapkach może być dostatecznie długa. Przy bardzo niskich częstotliwościach szumy te mają charakter przypadkowych trzasków we wzmacniaczach akustycznych (tzw. popcorn noise). Niektóre efekty mogą być związane z obecnością ziaren i innych defektów krystalicznych. Szumy migotania słabo zależą od temperatury.
f
BkII fn
0/1,
DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE
obszar złącza p-na)anoda p-baza n-baza katoda
iD
b) uD
c) iD
uD
d)
a) Przekrój, b) symbol graficzny diody złączowej p-n oraz c) charakterystyka prądowo-napięciowa i d) symbol diody idealnej
Aby ocenić przydatność diody w różnorodnych układach elektronicznych określane są jej maksymalne, dopuszczalne oraz charakterystyczne prądy i napięcia:
URWM - maksymalne napięcie wsteczne, które może być
wielokrotnie przykładane do diody,UR - maksymalne stałe napięcie wsteczne,
URSM - maksymalne napięcie wsteczne, które niepowtarzalnie
może być przyłożone do diody,IFSM - maksymalny prąd przewodzenia,
UF - napięcie przewodzenia przy stałym określonym prądzie,
IR - prąd wsteczny przy określonym napięciu rewersyjnym
UT - potencjał termiczny elektronów: UT =kT/q ( 25,8 mV w 300 K),
uD-iDrS - napięcie bezpośrednio na złączu, przeciwne napięciu
dyfuzyjnemu
1exp1
2exp 00
T
SDD
T
SDDGRD U
riuI
U
riuIi
a) b) IBV
(I0, n=1) (IKF0, n˜ 2) (IBV, nBV)iD rS iR UBR
rR
(IGR0, n=2)
A K A K
Schemat zastępczy diody rzeczywistej: a) w kierunku przewodzenia, b) w kierunku zaporowym
iD iD
IFSM
IS IS uD t uD UM
Praca diody prostowniczej: UM i I FSM - maksymalne wartości t napięcia i prądu diody
Diody impulsowe
rd
Id Cd rS
Cj
Ud -Id rS
Ud
rF < R <rR iD(t)
u(t) uD(t) t1 t
Efekty dynamiczne diody impulsowej
uD(t) UF
t1 t3 t
-UR
uB(t)
t t1 t2 t3 t4 t
uJ(t)
t
iD(t) IF
tON
IS t 0,1IR
-IR
tS tf tOFF
Załączenie i przełączenie diody p+-n generatorem napięciowym: a) - napięcia na diodzie, b) - napięcia na bazie diody,c) - napięcia na złączu, d) - prąd płynący przez diodę
iD(t) ID a)
t uB(t)
UB b)
t uJ(t) c) UJ
t uD(t) UFmax d) UF
UB
UJ
tON t
Procesy przejściowe w diodzie pracującej przy dużych impulsach prądowych: a) - prąd płynący przez diodę,b) - napięcie na rezystancji szeregowej bazy, c) - napięcie na złączu p+-n, d) - całkowity przebieg napięcia na diodzie
ZU ZKU
Zi
Zu
ZIZi
Zu
optymalnypunktpracy
MINI
MAXIMAXP
Diody stabilizacyjne
iD iD
[mA] a) b) 400
300
200
100
0 0,1 0,2 0,3 0,4 uD[V]
IP
IR
IV
UP UR UV UDD uD
Diody tunelowe
(3.75)gdzie: IS - prąd nasycenia w temperaturze nominalnej TNOM=27oC (IS ), N - współczynnik emisji (n) -
parametry komputerowe, które mają w programie wbudowaną wartość – SPICE default
1
T
DD U
ui
NexpIS
Model komputerowy diody (SPICE)
RS + iD uD Cj
-
. Model małosygnałowy diody w SPICE/Pspice
Tranzystory bipolarne
E n+ p n C E p+ n p C
B B E C E C
B B
Struktury n-p-n i p-n-p tranzystorów bipolarnych oraz ich symbole układowe: E - emiter, C - kolektor, B - baza
E B C bez polaryzacji
qUEB = +0,6eV
b)
-qUCB = -10eV
a ) c ) z polaryzacją xE xB
n+ p n IE InE InC IC
E C IpE InE -In
E IRG C RC B _ _UEB IB UCB _ _ UBE B UCC xE xB xC
a ) Przekrój planarnego tranzystora bipolarnego n-p-n, b ) diagram pasm energetycznych, c ) jednowymiarowy model tranzystora przy polaryzacji do pracy w układzie wzmacniającym uEB >0 i uCB <0 (z zaznaczonymi strumieniami elektronów i dziur )
ICO
x’ x’E 0’ 0 xB x 0” x” noE poB a) noC IE E(n+) B (p) C (n) IC nB(x) poC pE(x’) noB
RE pC(x’’) RC poE
UEE UEB IB UCB UCC IE=InE+IpE InE IC=InC+IpC b) InC IpE IpC
ICO a) Rozkłady nośników, b) rozkłady prądów dyfuzyjnych w tranzystorze n+-p-n przy pracy w stanie normalnym aktywnym, gdy xB<<LnB (noE, poE i noC, poC - stany równowagowe koncentracji nośników w emiterze i kolektorze)
IC[mA]
8 IE=8 mA
= 6 mA
4 =4 mA
=2 mA
IE =0 mA
1 0 -5 -10[V] UBC
Charakterystyki wyjściowe tranzystora dla konfiguracji wspólnej bazy
OB OE OC C E E C B B uWY uWY
uWE uWY uWE uWE
B E C
Trzy konfiguracje pracy tranzystora bipolarnego
iC
uBC
n RC
RB
p + uBB + n
+ UCC
uBE iE
iBB
C
E
Jednowymiarowa struktura tranzystora n+-p-n
w konfiguracji OE
Konfiguracja OE
E C E C
B B
aRiR aFiF aRiR aFiF
E iE iC C E iE iC C
iF iR iF iR
iB iB
uBE uBC uBE uBC
B BModele Ebersa-Molla dla tranzystorów n-p-n i p-n-p
Model Ebersa-Molla
1exp1exp
TC
BCCSR
TE
BEESE Un
uI
Un
uIi
1exp1exp
TC
BCCS
TE
BEESFC Un
uI
Un
uIi
- prąd rewersyjny nasycenia złącza emiterowego przy zwartym (S – short) złączu kolektorowym (prąd zerowy przy = 0), -
prąd rewersyjny nasycenia złącza kolektorowego przy zwartym złączu emiterowym (prąd zerowy przy = 0), nE i nC -
współczynniki nieidealności (emisji) złącza, kolejno, emiterowego i kolektorowego, - stałoprądowy współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora w konfiguracji wspólnej bazy (OB) przy aktywnej pracy normalnej wg definicji (4.3), - stałoprądowy współczynnik wzmocnienia prądowego dla konfiguracji OB przy aktywnej
pracy inwersyjnej (zwrotnej).
Ci
AFU CEu
BnI
0BI1BI
2BI
0
Charakterystyki wyjściowe dla konfiguracji OE
AR
CE
TC
BCCSRE U
u
Un
uIi 1exp
- napięcie Early’ego dla pracy inwersyjnej ARU
UCC
a) RC b) RC
IB + UCC
UBE
uWE uWY
RB C2
C1
RE
RB
RE
IC
IE
UBC
Małosygnałowy wzmacniacz na tranzystorze bipolarnym w konfiguracji OE
a) Małosygnałowy stopień wzmacniania na tranzystorze n-p-n, b) układ polaryzacji stałoprądowej tranzystora
, a) Ic c)
02
0
(j)
0
2
f= fT /fT f logf
π
4
π
2
b)
j
-20 dB/dek=-6 dB/okt
Ib
Ic
1
10
100
0
Zależności częstotliwościowe: a) - modułów małosygnałowych współczynników wzmocnienia dla OE i dla OB, , b) – fazy oraz c) idealny diagram wektorowy amplitud zespolonych prądów tranzystora
Wyznacza sie maksymalną częstotliwość przenoszenia fT jako
TT fπ2
2πm
T
je de jc
gf f
C C C
OE OB OC
Impedancja wejściowaZwe
średniarbe
małarbe/F
dużarbe+(1+F)()
Impedancja wyjściowa duża bardzo duża mała
Wzmocnienie prądowe duże F
<1F=F
/(1+F)
dużeF+1
Wzmocnienie napięciowe <1
Wzmocnienie mocy bardzo duże duże średnie
Częstotliwości graniczne małef
dużefF f
małe f
Małosygnałowe parametry użytkowe tranzystorów bipolarnych w podstawowych konfiguracjach układowych
uBE(t) UF a)
t -UR
iB
IB1 b)
-IB2 t
iC(t) FIB1
ICsat t 0,9IC1
QS c) ICEO 0,1IC1
t uCE(t) UCC
d)UCEsat
td tr ts tf t
Odpowiedzi tranzystora na idealny (prostokątny) impuls załączenia i przełączenia ze źródła napięciowego od UF do -UR:
a) - napięcia na złączu emiterowym, b) - prądu bazy, c) - prądu kolektora z zaznaczonym ładunkiem przesterowania bazy QS
d) - napięcia na tranzystorze
F
a)
IE
F
b)
UCB
lgF
1/f
FP c)
fc lgf
Typowe zależności współczynnika szumów tranzystora: a) od prądu emitera, b) od napięcia na kolektorze, c) od częstotliwości
TRANZYSTORY POLOWETranzystory polowe złączowe - JFET: - z kanałem typu n: uDS>0, iD>0, uGS<0 i UP<0
D iD iD iD uDS-uGS=UP
D uGS=0 uDS IDSS G G uGS S
uGS=-UP S UP uGS uDS
- kanałem typu p: uDS<0, iD<0, uGS>0 i UP>0
D iD iD
iD UP uGS
D uDS
uDS G G uGS S -IDSS
S uDS-uGS=UP
obszar n+
obszar n+
obszar n
obszar p+
obszar p+
obszar puGS=UP
uGS=0
Przekroje, symbole graficzne, sposób polaryzacji oraz charakterystyki przejściowe i wyjściowe tranzystorów polowych złączowych (JFET)
IzolacjabramkiSiO2
Tranzystory polowe z izolowaną bramką (MOSFET) normalnie włączone: - z zubożanym kanałem typu n: uDS>0, iD>0, uGS<0 i UP<0 uDS=uGS-UP
D iD iD
iD uGS>0 D
G G B uDS ID0 uGS=0
uBB
uGS S uGS<0
S UP uGS uDS
- z p-kanałem zubożanym: uDS<0, iD<0, uGS>0 i UP>0 iD iD
D UP uGS
iD uDS D G G B uDS uGS>0 n uBB ID 0
uGS S uGS=0
S uGS<0 uDS=uGS-UP
IzolacjabramkiSiO2
n+
p+
p+
n+
kanał n
kanał p
Przekroje, symbole graficzne, sposób polaryzacji oraz charakterystyki przejściowe i wyjściowe tranzystorów polowych z izolowana bramką z kanałem zubożanym (MOSFET)
Tranzystory polowe z izolowną bramką MOSFET normalnie wyłączone: - ze wzbogacanym kanałem typu n: uDS>0, iD>0, uGS>0 i VT>0 uDS=uGS-VT
D iD iD
iD D G p G B uDS uGS>0 uBB
uGS S
S VT uGS uDS uGS=VT
- ze wzbogacanym kanałem typu p: uDS<0, iD<0, uGS<0 i VT<0 iD uGS=-VT iD
D VT uGS iD uDS
D G n G B uDS -uGS
uBB
uGS S S uDS=uGS-VT
IzolacjabramkiSiO2
IzolacjabramkiSiO2
n+
n+
p+
p+
kanał n
kanał p
Przekroje, symbole graficzne, sposób polaryzacji oraz charakterystyki przejściowe i wyjściowe tranzystorów polowych z izolowana bramką z kanałem wzbogacanym (MOSFET)
Charakterystyki wyjściowe tranzystora n-JFET z ekstrapolacyjnym sposobem wyznaczenia współczynnika modulacji długości kanału (wymaga to około 10x wydłużenia skali dla uDS<0 dla typowych wartości =0,01... 0,002 1/V)
iD
uDS 1/
uDS.-uGS=UP
IDSS uDS
B Gb S Gt D
CGTS p++CGTD
rSS iDT rDD
n p+ n p CBGb
CBGb iDB
CGbS CGbD
a)
CBGb
CgTd
b) GT ggTd
ggTs CgTs gdsT
ugTs gmTugTs
rss rdd D S
ugBs ggBs CgBs gdsB
gmBugBs
GB ggBd
ggBb CgBb CgBd
B
a) Monolityczny n-JFET w układzie scalonym wykonany w technologii BiFET, b) – i jego małosygnałowy schemat zastępczy z dwoma źródłami prądowymi
RS iD RD S D Cgs IGS IGD Cgd G Model tranzystora n-JFET w SPICE/PSpice
MODEL KOMPUTEROWY JFET W SPICE/PSpice
TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ (MOSFET)
Al bramka z warstwą SiO2 (oxide) (Gate) dren (Dren) źródło (Source) SiO2
n+ n-kanałL’ n+ L W podłoże (Body) p-Si
Przekrój poprzeczny tranzystora n-MOS z zaindukowanym kanałem typu n w zakresie nasycenia przy uDS>uGS
- VT (skróconym do długości L’)
...=0,707
...=0,867
...=0,5
...=0,0
iD nachylenie jest efektem IDS0 uDS=uGS-VT skrócenia kanału do L’ zakres liniowy =1 zakres nasycenia 0,25 stan odcięcia 0 0,5 1,0 1,5 2,0 uDS UGS0-VT
Charakterystyki wyjściowe tranzystora MOSFET (znormalizowane względem uGS
UGS0 oraz iD= IDS0)
uGS-VT UGS0-VT
0,50
0,75
1,00
Cgd rdd G D ugs’
Cgs gds Cdb gmugs’ gmbubs S’ a) rss’ Cbs ubs Cgb S B G Cgd D Cgs gds Cdb ugs gmugs gmbubs S b) ubs Cbs Cgb B Małosygnałowy model tranzystora MOSFET: a) z uwzględnieniem rezystancji szeregowych rdd i rss, b) z pominięciem tych rezystancji
PRZYRZĄDY OPTOELEKTRONICZNE
h
U L I
obszar AFotorezystor
-UR
p+ i n+
x)
0
W
Fotodioda
baza h emiter p n
n
UCE kolektor
n+ p IE n IE IL
Fototranzystor
a) hv b) IFD c) rS
ISH I
UD
RL rSH U RL
IF ID Cj
a) Fotodioda pracująca jako ogniwo słoneczne z efektem fotowoltaicznym, b) sposób załączenia, c) schemat zastępczy
Dioda punktowa LED Dioda planarna tlenek Lp epi-GaAsP rS
p n n+-GaP Cp
U warstwa refleksyjna b) Cj(U) rd(U) a) R c) Konstrukcje luminescencyjnej diody: a) - punktowej i b) - planarnej w wyświetlaczu cyfrowym oraz c) symbol graficzny i schemat zastępczy diody
GaAs Si
Kompaktowy transoptor składający się z LED i fotodiody krzemowej zalanych w żywicy polimerowej i jego symbol graficzny
obszar optycznie aktywny
L
I
p n kontakt omowy
powierzchnia szlifowana (lustro półprzepuszczalne)
J3 nE T2 uAK d) T2(n-p-n) iK iK iK uGK a) uK b) uK c) a) Struktura złączowa tyrystora, b) modelowe rozdzielenie na dwie struktury tranzystorowe, c) tranzystorowy schemat zastępczy, d) symbol graficzny tyrystora
iB2
iG iG
iA
IT(AV) UT
stan przewodzenia IL IG2>IG1>0
IH IG=0 URSM URRM IIN ICO UH UB2 UB1 UB0 uAK IRRM stan zaworowy stan blokowania Charakterystyka napięciowo-prądowa tyrystora
a) b)
c) d) e)
SD
3
2
1
0,3 m ND=3.1016 cm-3
EC
EV
EF EFs
EFm
EFm
UD=0
i=0UD>0
i<0
UD>0
i<0Qn=0Qn0
(x)
qND
-qNA x
x
EFs
Przy oświetleniuPrzed oświetleniem
ELEMENTY CCD (Charge-Coupled Devices, czyli przyrządy sprzężone ładunkowo)
powierzchnia chłodzona o Tp-n p-typ n-typ
T E
Unoszenie ciepła przez strumień dziur i strumień elektronów w chłodziarce Peltiere’a
PRZYRZĄDY TERMOELEKTRYCZNE
Th>To
p-typ n-typ L
obszar A n
To
RL
Schemat termoelementu półprzewodnikowego z rezystancją obciążenia RL
Tp-n Th T Chłodzony obiekt Podłoże Termoelement ceramiczne typu n Termoelement typu p Chłodnica I U Otoczenie Ta
x Schematyczny przekrój chłodziarki termoelektrycznej oraz profil temperaturowy konstrukcji
UKŁADY SCALONE
Przekrój i topografia CMOS-owego inwertera
Różne topografie CMOS-owych inwerterów
Topografia padu I/O
Przykładowa topografia z padami
Przykładowa cela standardowa jako podsystem modułu scalonego
Wybrany procesor z bondingiem
Mikrofotografia 6 - bitowego A/D konwertera
Procesor Motorola 6809
Topografia 1Mb DRAM
Procesor Motorola 68030 (logika strukturalna)
Przykładowy projekt studencki
Wzmacniacze tranzystorowe sygnałów zmiennych
Schematy ideowe wzmacniaczy sygnałów zmiennych a) na bazie tranzystora bipolarnegob) na bazie tranzystora polowego
Podstawowe układy wzmacniaczyróżnicowycha) na bazie tranzystorów nMOSb) na bazie źródeł prądowych na tranzystorach pMOSc) z lustrem prądowym z tranz. pMOS
Wzmacniacze operacyjne
Wzmacniacz operacyjny. Oznaczenie i charakterystyka przejściowa
Przykładowy wzmacniacz operacyjny wykonany w technologii CMOS
Dwustopniowy wzmacniacz operacyjny BiCMOS
- Zalety technologii BiCMOS
Filtry
Charakterystyki filtrów a) dolnoprzepustowego, b) górnoprzepustowego, c) środkowoprzepustowego, d) pasmowozaporowego
Filtr dolnoprzepustowy Sallen-Keya
Górnoprzepustowy filtr Sallen-Keya
Środkowoprzepustowy filtr Sallen-Keya
Środkowoprzepustowy filtr Sallen-Keya
Wzmacniacze mocy
Charakterystyki tranzystora bipolarnego zaznaczonym obszarem użytecznym wzmacniacza mocy
Klasy pracy wzmacniaczy mocy
Uproszczony schemat wzmacniacza przeciwsobnego
Prosta pracy i przebiegi czasowe prądów kolektorów tranzystorówprzeciwsobnego wzmacniacza klasy B
Schemat wzmacniacza mocy w klasie AB z tranzystorami VDMOS