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Transistors Bipolaire et MOS Energie/EE Transistors en régime de découpage (Groupe fonctionnel I)
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Transistors Bipolaire et MOS - [Systèmes … · bipolaire NPN et le transistor MOS ; ... - Sur un schéma, analyser les structures associées au transistor de découpage. Cours de

Sep 10, 2018

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Page 1: Transistors Bipolaire et MOS - [Systèmes … · bipolaire NPN et le transistor MOS ; ... - Sur un schéma, analyser les structures associées au transistor de découpage. Cours de

Transistors Bipolaire et MOS

Energie/EE

Transistors en régimede découpage

(Groupe fonctionnel I)

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Objectif, introduction

Comprendre le principe de fonctionnement du transistor de puissance en commutation.

Transistors NPN et MOS canal NAnalyse et comportement du transistor NPNAnalyse et comportement du transistor MOSRésumé : les 4 phases d’un cycle de découpageCompte rendu, évaluation

Ce travail est préalable à l’étude de fonctionnement des alimentations à découpage et circuits de puissance ligne.

Cours de télévision (Dunod)Source :

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1- Mise en situation

Exemple d’application : alimentation à découpage

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Transistor dedécoupage

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2- Représentation des transistors

MOSCanal N

BipolaireNPN

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3- Structure du transistor bipolaire

Electrons majoritaires

Electrons majoritaires

Barrière « isolante »

NPN

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4- Polarisation du transistor bipolaire

Electrons majoritaires

Electrons majoritaires

Barrière « isolante »

+

-

NPN

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5- Rôle de la base (NPN)

Electrons majoritaires

Electrons majoritaires

Apport d’électrons

+

-+-

jusqu’à saturation de la zone

NPN

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6- Augmentation du courant de base

1ère phase :+

-+-

ib ic Bu

2ème phase :

ib ic Bu sat. max

ic

ib

NPN

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7- Vers une commande de blocage

3ère phase :+

-

ib ic Bu

ic

ib

nég.

Géné. déstockage

Extraire lesélectronsexcédentairesde la base

NPN

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8- Retour à l’état bloqué

+

-4ème phase :

ib ic Bu = 0 = 0

ic

ib

Maintien -

NPN

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9- Structure du transistor MOS

Electrons majoritaires

Electrons majoritaires

Barrière « isolante »

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10- Polarisation du transistor MOS

Electrons majoritaires

Electrons majoritaires

+

-

Barrière « isolante »

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11- Canal de conduction (MOS)

Canal N

Electrons majoritaires

Electrons majoritaires

+

-

Charge de capacité

+-

++++

----

Ouverture d’un canal Nde conduction

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12- Augmentation de la conduction

Canal N

+

-+-

++++

1ère phase :

Vg iD Bu

2ème phase :

Vg iD Bu sat. max

----

iD

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13- Vers une commande de blocage

Canal N

+

-

++

--

iD

3ère phase :

Vg iD Bu= 0Pas d’électronsExcédentaires= pas deDéstockage(recombinaison)

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14- Retour à l’état bloqué

Canal N

+

-

iD

4ème phase :

Vg iD Bu = 0 = 0

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15- Les 4 phases du cycle de découpage(alimentation “fly-back”)

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16- Les 4 phases du cycle de découpage

Compte rendu :- Evaluer les différences technologiques entre le transistor

bipolaire NPN et le transistor MOS ;- Evaluer les amplitudes de la tension de mise en saturation

des transistors bipolaire et MOS ; - Justifier la mise en œ uvre du générateur de déstockage ;- Evaluer les conséquences d’un temps de déstockage

trop long ;- Résumer les 4 phases d’un cycle de découpage ;- Sur quelle phase agit la régulation pour asservir le transfert ;- Sur un schéma, analyser les structures associées au transistor de

découpage.

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Fin

Transistors en régimede découpage

Merci de votre attention …