Transistores de Efecto de Campo Fet 2015i

7/23/2019 Transistores de Efecto de Campo Fet 2015i

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TRANSITORES?



TRANSISTORES DEEFECTO DE CAMPO

FET: FIELD-EFFECT TRANSITOR

INGENIERÍA ELECTROMECÁNICA

UPTC

2015



TRANSISTOR:CARACTERÍSTICA BJT FET

Conducción

Bipolar: el nivel deconducción es una

función de dosportadores de carga,electrones y huecos.

Dispositivo unipolar.



TRANSISTOR:CARACTERÍSTICA BJT FET

Impedancia de entradaBaja [1!" #lta [1$!"

%anancias de voltaje deca t&picas paraamplificadores

$ayor $enor

'sta(ilidad a latemperatura

$enor $ayor

Caracter&sticas deconstrucción

$as grandes $enor tama)o

*ensi(les a

electroest+tica

o Si



( ESDElectrostatic Sensitive Devices

http:--.seguridadaerea.go(.es-media-/0234/-modulo526cap14.pdf

http://www.seguridadaerea.gob.es/media/3785423/modulo05_cap12.pdf

http://www.seguridadaerea.gob.es/media/3785423/modulo05_cap12.pdf



)



TRANSISTOR:

CARACTERÍSTICA BJT FET

7erminalesBase B

Colector C'misor E

Compuerta G 8gate9Drenaje D 8drain9uente S8source9



TRANSISTOR:

CARACTERÍSTICA BJT FET

Control ;or corriente ;or voltaje

<ango operación de frecuencia => $=>

Casificaciónpn;np

JFET canal n y canal p

MOSFET:Decremental: canal n y canal p

Incremental: canal n y canal p

CMOSVMOS

MESFET



'7

?'7: junction '7

Canal n

Canal p

$@*'7

Decremental,empo(recimiento oDeplection DA

$@*'7

Canal n

Canal p

Incremental,enriuecimiento o'nhancement 'A

$@*'7

Canal n

Canal p

$@*

Canal n

Canal p

C$@*

Canal n

Canal p

$'*'7



1. TRANSISTOR DE EFECTO DECAMPO DE UNIÓN JFET

CANAL N CANAL



JFET CANAL N:

VGS ID

Con!iciones !e o"eraci#n$

a9 %*5, D*E5

(9 %*F5, D*E5

c9 %*G5, D*E5



TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPODE UNIÓN JFET CANAL N

a% VGS&' VDS)'




a% VGS&' VDS)'




*% VGS+' VDS)'




c% VGS,' VDS)'

IG "-e!e ser )'

ID&'

NO ES .NICA CONDICI/N

DE OLARI0ACI/N CORRECTA111

X

X



JFET CANAL N:

VGS & 2V" & 2VGSo33 p pinchA off

VGS , 'NO ERMITIDO1



CONTROL DE CORRIENTE IDJFET CANAL NHa ecuación de Shockley:



HOJA DE ESPECIFICACIONESJFET CANAL N


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CIRCUITOS JFETCANAL N:

REDES EN DC$A OLARI0ACI/N FIJAA A.TOOLARI0ACI/N

A DIVISOR DE TENSI/NA REDES COMBINADAS



CONFIGURACIÓN DE POLARIACIÓN

FIJA

JFET CANAL N



AU OPOLARIACIÓN

JFET CANAL N



CONFIGURACIÓN DI!ISOR DE !OL AJE

JFET CANAL N



REDE

COM"INADAS:



JFET CANAL P:

VGS ID


a9 %* 5, D* J 5

(9 %* G 5, D* J 5

c9 %* F 5, D* J 5

TRANSISTOR DE EFECTO DE



TRANSISTOR DE EFECTO DECAMPO DE UNIÓN JFET CANAL P

a% VGS & ' VDS J '

*% VGS , ' VDS 4 '

VDS





CAMPO DE UNIÓN JFET CANAL P

VGS + 'NO ERMITIDO1



CIRCUITO JFET CANAL P:



'7

?'7: junction '7

Canal n

Canal p

$@*'7

Decremental,

empo(recimiento oDeplection DA

$@*'7

Canal n

Canal p

Incremental,

enriuecimiento o'nhancement 'A

$@*'7

Canal n

Canal p

$@*

Canal n

Canal p

C$@*

Canal n

Canal p

$'*'7



TRANSISTOR MOSFET:TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPOSEMICONDUCTOR DE O#IDO METÁLICO

METAL5O6IDE5SEMICOND.CTOR FIELD2EFFECT TRANSISTOR

DE EMOBRECIMIENTO



TRANSISTOR MOSFET:TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPOSEMICONDUCTOR DE O#IDO METÁLICO

METAL5O6IDE5SEMICOND.CTOR FIELD2EFFECT TRANSISTOR

DE ENRI7.ECIMIENTO$



MOSFET DEEMPO"RECIMIENTO CANAL N

Decremental

'mpo(recimiento

Deplection DA$@*'7



POLARIACIÓN D-MOSFETCANAL N :

VGS ID


a9 %* 5, D* E 5

(9 %* F 5, D* E 5

c9 %* G 5, D* E 5

Ó




VGS IDCon!iciones !e o"eraci#n$

a9 %* 5, D* J 5

Ó




VGS IDCon!iciones !e o"eraci#n$

(9 %* F 5, D* E 5

POLARIACIÓN D MOSFET




VGS

IDCon!iciones !e o"eraci#n$

c9 %* G 5, D* E 5



CONTROL DE CORRIENTE IDD-MOSFET CANAL NHa ecuación de Shockley:



MOSFET DEEMPO"RECIMIENTO CANAL P

Decremental

'mpo(recimiento

Deplection DA$@*'7



CONTROL DE CORRIENTE IDD-MOSFET CANAL N





CIRCUITOS D-MOSFETCANAL N:

ID "-e!e ser ) IDss

REDES EN DC$

A OLARI0ACI/N FIJAA A.TOOLARI0ACI/NA DIVISOR DE TENSI/NA REDES COMBINADAS



REDES:



MOSFET DEENRI$UECIMIENTO CANAL N

Incremental

'nriuecimiento

'nhancement 'A$@*'7



POLARIACIÓN E-MOSFETCANAL N :

VGS ID


a9 %* 5, D* E 5

(9 %* G 5, D* E 5

c9 %* F 5, D* E 5




VGS ID


a9 %* 5, D* E 5

ID&'

POLARIACIÓN E MOSFET




VGS

IDCon!iciones !e o"eraci#n$

(9 %* G 5, D* E 5




VGS ID


c9 %* F 5, D* E 5

NO ES .NICA CONDICI/NDE OLARI0ACI/N CORRECTA111

X

CONTROL DE CORRIENTE ID



CONTROL DE CORRIENTE IDD-MOSFET CANAL N@ #;HIC# la ecuación de Shockley

Ahora se considera la relación:

VT voltaje umbral

CONTROL DE CORRIENTE ID



CONTROL DE CORRIENTE IDD-MOSFET CANAL N@ #;HIC# la ecuación de Shockley

Ahora se considera la relación:

VT voltaje umbral





CIRCUITOS D-MOSFETCANAL N:

REDES EN DC$A OR REALIMENTACI/NA DIVISOR DE VOLTAJE



CONFIGURACIÓN DE REALIMEN ACIÓN

E-MOSFE

CANAL N



CONFIGURACIÓN POR DI!ISOR DE !OL AJE

E-MOSFE

CANAL N





MOSFET DEENRI$UECIMIENTO CANAL N

Incremental

'nriuecimiento

'nhancement 'A$@*'7

Ó



POLARIACIÓN E-MOSFETCANAL P :

VGS ID


a9 %* 5, D* J 5

(9 %* F 5, D* J 5

c9 %* G 5, D* J 5

X

Ó



POLARIACIÓN E-MOSFETCANAL P :

VGS ID


a9 %* 5, D* J 5

(9 %* F 5, D* J 5



REFERENCIAS:

Bo8lesta! (9'':%; 'lectrónica: teor&a de circuitos y dispositivos

'lectrónicos. 15 edición.

K Cap. L. 7ransistores de efecto de campo. 15 edición.

K Cap. 0. ;olari>ación de los '7

Malvino (9'''%; ;rincipios de 'lectrónica. L edición.

K Cap. 1/. ?'7

K Cap. 13 $@*'7

Transistores de Efecto de Campo Fet 2015i

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