Technologia cienkowarstwowa dr K.Marszałek 1 Physical Vapour Deposition Evaporation Dlaczego w próżni? 1. topiony materiał wrze w niższej temperaturze 2. zmniejsza się proces utleniania wrzącej powierzchni 3. zmniejsza się liczba zanieczyszczeń w warstwie p = 10 -3 Tr 5cm p = 10 -4 Tr 45cm p = 10 -5 Tr 5m
23
Embed
Technika jonowego rozpylania - Strona główna AGHhome.agh.edu.pl/~marszale/downloads/w2.pdf · Technologia cienkowarstwowa dr K.Marszałek 2 Istotne czynniki i parametry procesu
This document is posted to help you gain knowledge. Please leave a comment to let me know what you think about it! Share it to your friends and learn new things together.
Transcript
Technologia cienkowarstwowa
dr K.Marszałek 1
Physical Vapour Deposition
Evaporation
Dlaczego w próżni?
1. topiony materiał wrze w niższej temperaturze
2. zmniejsza się proces utleniania wrzącej powierzchni
3. zmniejsza się liczba zanieczyszczeń w warstwie
p = 10-3 Tr 5cm
p = 10-4 Tr 45cm
p = 10-5 Tr 5m
Technologia cienkowarstwowa
dr K.Marszałek 2
Istotne czynniki i parametry procesu naparowania
- ciśnienie gazów resztkowych
- szybkość wyparowywania
- szybkość wzrostu warstwy (deposition rate)
- rodzaj źródła par
- temperatura źródła
- temperatura podłoża
- odległość i wzajemne usytuowanie źródła par i podłoży