Nombre : Ary Jared Zarate Farías Ciclo : VI Carrera : Ingeniería de Sistemas e Informática
Nombre : Ary Jared Zarate FaríasCiclo : VICarrera : Ingeniería de Sistemas e Informática
Y después colocamos líneas imaginarias y tenemos la estructura cúbica centrada en las caras.
En el ión de silicio, colocamos cuatro palillos, partiendo delcentro del ión, cada palillo se dirija hacia un vértice de un tetraedro imaginario
En cada palillo clavamos un ión de oxígeno, y ya tenemos el tetraedro de silicio.
CARACTERISTICAS DEL SILICIO
Nombre
Numero Atómico
Punto de Ebullición (°C)Punto de Fusión (°C)Densidad (g/ml)
Configuración Electrónica
Valencia
Masa atómica (g/mol)
Símbolo
SILICONA
Circuitos integrados analógicos
Circuitos integrados digitales
FERTILIZANTE DE SILICIO
DIODO
Aleación cubierta de silicio
Vidrio
Estructura cristalina:•cúbica centrada en las caras•Dimensiones de la celda unidad / pm: a=565.754•Grupo espacial: Fd3m
Nombre
Numero Atómico
Punto de Ebullición (°C)Punto de Fusión (°C)Densidad (g/ml)
Configuración Electrónica
Valencia
Masa atómica (g/mol)
Símbolo
Fibra óptica
Espectroscopios
amplificadores
Estructura cristalina:•Ortorrómbica centrada en las bases•Dimensiones de la celda unidad / pm: a=451.86, b=765.70 , c=452.58•Grupo espacial: Cmca
Nombre
Numero Atómico
Punto de Ebullición (°C)Punto de Fusión (°C)Densidad (g/ml)
Configuración Electrónica
Valencia
Masa atómica (g/mol)
Símbolo
Fibra óptica
Espectroscopios
amplificadores