Top Banner
CERN AT-MEL-PM Rola i parametry diod półprzewodnikowych bocznikujących główne magnesy LHC Adam Drózd
19

Rola i parametry diod półprzewodnikowych …qps.web.cern.ch/qps/external_seminar/diody_Adam_Drozd.pdfWspólne warunki pracy diod Temperatura pracy: 1.8K – 450K Odpornośćradiacyjna

Jan 25, 2020

Download

Documents

dariahiddleston
Welcome message from author
This document is posted to help you gain knowledge. Please leave a comment to let me know what you think about it! Share it to your friends and learn new things together.
Transcript
Page 1: Rola i parametry diod półprzewodnikowych …qps.web.cern.ch/qps/external_seminar/diody_Adam_Drozd.pdfWspólne warunki pracy diod Temperatura pracy: 1.8K – 450K Odpornośćradiacyjna

CE

RN

AT-M

EL-P

M

Rola i parametry diod półprzewodnikowych bocznikujących główne magnesy LHC

Adam Drózd

Page 2: Rola i parametry diod półprzewodnikowych …qps.web.cern.ch/qps/external_seminar/diody_Adam_Drozd.pdfWspólne warunki pracy diod Temperatura pracy: 1.8K – 450K Odpornośćradiacyjna

CE

RN

AT-M

EL-P

M

Wprowadzenie:

► 3 mechanizmy zabezpieczające magnes przed skutkami quenchu.

► Elementy bocznikujące: by-pass diodes.► Dlaczego na każdy magnes przypada jedna dioda?

► Warunki pracy diody:– Dla obwodów dipolowych– Dla obwodów kwadrupolowych

► Budowa steku diodowego– Zmiany temperatur elementów składowych.

► Wspólne warunki pracy diod.► Podsumowanie

Page 3: Rola i parametry diod półprzewodnikowych …qps.web.cern.ch/qps/external_seminar/diody_Adam_Drozd.pdfWspólne warunki pracy diod Temperatura pracy: 1.8K – 450K Odpornośćradiacyjna

CE

RN

AT-M

EL-P

M

3 mechanizmy zabezpieczające.

1. Zastosowanie elementów bocznikujących magnesy, tzw. by-pass.2. Zastosowanie urządzeń podgrzewających magnesy (heater).3. Ekstrakcja energii do rezystorów.

Page 4: Rola i parametry diod półprzewodnikowych …qps.web.cern.ch/qps/external_seminar/diody_Adam_Drozd.pdfWspólne warunki pracy diod Temperatura pracy: 1.8K – 450K Odpornośćradiacyjna

CE

RN

AT-M

EL-P

M

Elementy bocznikujące – by-pass diodes.

► Wymagania:– Podczas normalnej pracy: Rby-pass>>Rmagnesu– Podczas quenchu: Rby-pass<<Rmagnesu– Prąd przewodzenia: 13kA– dI/dt = 80kA/s– Element pasywny

Te wymagania spełnia dioda półprzewodnikowa.

prąd

Page 5: Rola i parametry diod półprzewodnikowych …qps.web.cern.ch/qps/external_seminar/diody_Adam_Drozd.pdfWspólne warunki pracy diod Temperatura pracy: 1.8K – 450K Odpornośćradiacyjna

CE

RN

AT-M

EL-P

M

Dlaczego na każdy magnes przypada jedna dioda?

► Wspólna dioda dla kilku magnesów bardzo ograniczyłaby ich ilość, ale pojawiają się wtedy inne problemy:

– dodatkowe linie zasilania montowane wzdłuż magnesów,

– dodatkowy typ magnesów,

– podgrzewanie kilku magnesów w przypadku quenchu.

Page 6: Rola i parametry diod półprzewodnikowych …qps.web.cern.ch/qps/external_seminar/diody_Adam_Drozd.pdfWspólne warunki pracy diod Temperatura pracy: 1.8K – 450K Odpornośćradiacyjna

CE

RN

AT-M

EL-P

M

Parametry pracy diody.

Page 7: Rola i parametry diod półprzewodnikowych …qps.web.cern.ch/qps/external_seminar/diody_Adam_Drozd.pdfWspólne warunki pracy diod Temperatura pracy: 1.8K – 450K Odpornośćradiacyjna

CE

RN

AT-M

EL-P

M

Warunki pracy diody (1)

► Parametry pracy diody (obwody dipolowe):– Prąd maksymalny I: 13 [kA]– Czas narastania do I0: ~0.5 [s]– Napięcie przewodzenia: >1.2 [V]– Napięcie zaporowe: >200 [V]– -dI/dt 110 [A/s]

Page 8: Rola i parametry diod półprzewodnikowych …qps.web.cern.ch/qps/external_seminar/diody_Adam_Drozd.pdfWspólne warunki pracy diod Temperatura pracy: 1.8K – 450K Odpornośćradiacyjna

CE

RN

AT-M

EL-P

M

Warunki pracy diody (2)

► Parametry pracy diody (obwody kwadrupolowe):– Prąd maksymalny I: 13 [kA]– Czas narastania do I0: ~0.3 [s]– Napięcie przewodzenia: >0.6 [V]– Napięcie zaporowe: >200 [V]– -dI/dt 260 [A/s]

Page 9: Rola i parametry diod półprzewodnikowych …qps.web.cern.ch/qps/external_seminar/diody_Adam_Drozd.pdfWspólne warunki pracy diod Temperatura pracy: 1.8K – 450K Odpornośćradiacyjna

CE

RN

AT-M

EL-P

M

Warunki pracy diody (3)

► Schemat elektryczny w przypadku ekstremalnym, gdy wszystkie grzałki zostały włączone i switche zostały otwarte.

– Najgorszy przypadek w obwodzie dipolowym: Uextr. ~ 2000 V– Najgorszy przypadek w obwodzie kwadrupolowym: Uextr. ~ 140 V

► Uextr.=I2Rd

► Uruchomienie wszystkich grzałek w sektorze jest wypadkiem, do którego nie wolno dopuścić.

Page 10: Rola i parametry diod półprzewodnikowych …qps.web.cern.ch/qps/external_seminar/diody_Adam_Drozd.pdfWspólne warunki pracy diod Temperatura pracy: 1.8K – 450K Odpornośćradiacyjna

CE

RN

AT-M

EL-P

M

Warunki pracy diody (4)

► Prąd w magnesie Im i prąd diody Id w skali czasu.

Page 11: Rola i parametry diod półprzewodnikowych …qps.web.cern.ch/qps/external_seminar/diody_Adam_Drozd.pdfWspólne warunki pracy diod Temperatura pracy: 1.8K – 450K Odpornośćradiacyjna

CE

RN

AT-M

EL-P

M

Budowa stosu diodowego dipolowego.

► Zdjęcie diody dipolowej i opis Złącza półksiężycowe

Linia zasilająca

Podkładki sprężynujące8 x Cu-Be

Radiator(heat sink)

DIODA

Radiator(heat sink)

Page 12: Rola i parametry diod półprzewodnikowych …qps.web.cern.ch/qps/external_seminar/diody_Adam_Drozd.pdfWspólne warunki pracy diod Temperatura pracy: 1.8K – 450K Odpornośćradiacyjna

CE

RN

AT-M

EL-P

M

Budowa stosu diodowego kwadrupolowego.

Podkładki sprężynujące8 x Cu-Be

DIODA

DIODA

IzolatorRadiatory(heat sink)

Radiator(heat sink)

Radiator(heat sink)

Page 13: Rola i parametry diod półprzewodnikowych …qps.web.cern.ch/qps/external_seminar/diody_Adam_Drozd.pdfWspólne warunki pracy diod Temperatura pracy: 1.8K – 450K Odpornośćradiacyjna

CE

RN

AT-M

EL-P

M

Temperatury struktury krzemowej diody i radiatora w stosie diodowym

Po 350[s] prąd spadł do ok. 800 [A]

Page 14: Rola i parametry diod półprzewodnikowych …qps.web.cern.ch/qps/external_seminar/diody_Adam_Drozd.pdfWspólne warunki pracy diod Temperatura pracy: 1.8K – 450K Odpornośćradiacyjna

CE

RN

AT-M

EL-P

M

Gdzie montowany jest stos diodowy?

Diody poprzez nadprzewodzące linie zasilające podłączone są do początku i końca nadprzewodzącej cewki.

Page 15: Rola i parametry diod półprzewodnikowych …qps.web.cern.ch/qps/external_seminar/diody_Adam_Drozd.pdfWspólne warunki pracy diod Temperatura pracy: 1.8K – 450K Odpornośćradiacyjna

CE

RN

AT-M

EL-P

M

Gdzie montowany jest stos diodowy?

Uproszczony schemat połączenia diody i cewek nadprzewodzących, w przypadku magnesu dipolowego.

Page 16: Rola i parametry diod półprzewodnikowych …qps.web.cern.ch/qps/external_seminar/diody_Adam_Drozd.pdfWspólne warunki pracy diod Temperatura pracy: 1.8K – 450K Odpornośćradiacyjna

CE

RN

AT-M

EL-P

M

Wspólne warunki pracy diod

► Temperatura pracy: 1.8K – 450K► Odporność radiacyjna

► Czas życia diody: 20 lat w warunkach normalnych.

► W przypadku wyparowania płytki krzemowej diody, stos musi pracować w trybie zwarcia.

1000

2700

70

250

Dawka [Gy]

~2*1012

~3*1012

~0.35*1012

~1.5*1012

Strumień neutronów [n/cm2]

DS-dipole

DS-quadrupoles

Dipole

Kwadrupole

Diody

Page 17: Rola i parametry diod półprzewodnikowych …qps.web.cern.ch/qps/external_seminar/diody_Adam_Drozd.pdfWspólne warunki pracy diod Temperatura pracy: 1.8K – 450K Odpornośćradiacyjna

CE

RN

AT-M

EL-P

M

Podsumowanie

► Wyprodukowanych zostało 2100 diód.► Jest 1250 stosów dipolowych i 400 stosów kwadrupolowych.► Obecnie produkowana jest partia diód potrzebnych na ewentualność

wymiany (ok. 150 sztuk)► Do zamontowania w magnesach pozostało ponad 40 stosów

dipolowych i więcej niż 27 stosów kwadrupolowych.

Page 18: Rola i parametry diod półprzewodnikowych …qps.web.cern.ch/qps/external_seminar/diody_Adam_Drozd.pdfWspólne warunki pracy diod Temperatura pracy: 1.8K – 450K Odpornośćradiacyjna

CE

RN

AT-M

EL-P

M

Wygląd grzejników.

Page 19: Rola i parametry diod półprzewodnikowych …qps.web.cern.ch/qps/external_seminar/diody_Adam_Drozd.pdfWspólne warunki pracy diod Temperatura pracy: 1.8K – 450K Odpornośćradiacyjna

CE

RN

AT-M

EL-P

M

koniec

Koniec