PRACTICA#10 AMPLIFICACION MOSFET

UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANAFACULTAD DE INGENIERIA EN SISTEMAS

LABORATORIO DE ELECTRONICA ANALOGA

PRACTICA N o 10 AMPLIFICADORES CON MOSFET

1. OBJETIVOS.-

Comprobar los fundamentos teóricos de la asignatura mediante la experimentación empleando los medios de enseñanza necesarios, garantizando el trabajo individual en la ejecución de la práctica.

2. MATERIAL NECESARIO.- 1 MOSFET 2N700 ó 2N7000 1 condensador de 100uF o 10uF Protoboard Resistencias de 2.2MΩ, 270 kΩ, 330Ω, 2.7 Ω, 1.2kΩ Fuente de Poder Multimetro Osciloscopio Alambre de conexiones Cable, 600 mm, color rojo Cable, 600 mm, color negro

3. MARCO TEORICO.-

AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES MOSFET

Estructura básica y el Principio de Funcionamiento

El n-tipo metal-óxido-semiconductor de efecto de campo-transistor (MOSFET) consiste en una fuente y un dren, dos regiones altamente la realización de los semiconductores de tipo n, que están aislados del tipo de sustrato p sesgada por diodos pn-invertida. Un metal (o policristalino) puerta cubre la región entre la fuente y drenaje, pero está separada de la de semiconductores por el óxido de la puerta. Como se muestra en la figura.

Como se puede observar en la figura de la fuente y el drenaje de las regiones son idénticas Se trata de los voltajes aplicados que determinar qué región de tipo n proporciona los electrones y se convierte en la fuente, mientras que la otra región de tipo n recoge los electrones y se convierte en el desagüe. Los voltajes aplicados a la fuga y el electrodo de puerta, así como al sustrato por medio de un contacto de nuevo se refirió al potencial de origen, como también se indica en la figura.

Una vista desde arriba del MOSFET mismo se muestra en la siguiente figura, donde la longitud de la puerta, L y anchura de la puerta, W, se identifican. Tenga en cuenta que la longitud de la puerta no es igual a la dimensión física de la puerta, sino más bien la distancia entre las regiones de origen y de drenaje debajo de la puerta. La coincidencia entre la puerta y la fuente y la región de drenaje es necesario para asegurar que la capa de inversión constituye una trayectoria continua realizando entre la fuente y la región de drenaje. Normalmente esta superposición se hace tan pequeño como sea posible para minimizar su capacitancia parásita.

El flujo de electrones de la fuente de la fuga está controlada por el voltaje aplicado a la puerta. Un voltaje positivo aplicado a la puerta, atrae a los electrones a la interfaz entre el dieléctrico de la puerta y el semiconductor. Estos electrones forman un canal conductor entre la fuente y el dren, llamada la capa de inversión. No hay corriente de compuerta se requiere para mantener la capa de inversión en la interfaz desde los bloques de óxido de la puerta el flujo de gas portador. El resultado neto es que la corriente entre drenaje y fuente es controlada por la tensión que se aplica a la puerta.

El típico corriente contra voltaje (IV) las características de un MOSFET se muestran en la siguiente figura.

Funcionamiento de un amplificar señales eléctricas MOSFET

Mientras que un requisito mínimo para la amplificación de señales eléctricas es obtener el poder, se encuentra que un dispositivo con dos y la corriente ganancia de tensión es un circuito elemento muy conveniente . El MOSFET proporciona una ganancia de corriente y tensión produciendo una corriente de salida en una carga externa que supera la entrada de corriente y un voltaje de salida a través de esa carga externa que supera el voltaje de entrada.

La capacidad de ganancia de intensidad de un efecto de campo-transistor (FET) se explica fácilmente por el hecho de que no hay corriente de compuerta se requiere para mantener la capa de inversión y la corriente resultante entre el drenaje y la fuente. El dispositivo tiene por lo tanto una ganancia infinita corriente en DC. La ganancia de intensidad es inversamente proporcional a la frecuencia de la señal, llegando a obtener la unidad actual en la frecuencia de tránsito.

La ganancia de voltaje del MOSFET es causada por el hecho de que los ácidos grasos saturados actual en mayor fuente de tensiones de drenaje, por lo que una variación pequeña fuga de corriente puede causar una variación de tensión de drenaje de gran tamaño.

4. PROCEDIMIENTO.-

Armar el circuito y tomar las de medidas de polarización indicadas

Circuito armado

SEÑAL DE AMPLIFICACION EN EL OSCILOSCOPIO

5.CONCLUSIONES:

Gracias a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.

Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe aplicar en la compuerta. Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos.

El mosfet gracias a su gran velocidad de conmutación presenta una gran versatilidad de trabajo; este puede reemplazar dispositivos como el Jfet.

6.BIBLIOGRAFIA

http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET http://translate.google.com.ec/translate?hl=es&langpair=en|es&u=http://

ecee.colorado.edu/~bart/book/mosintro.htm