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MEMS Trend加速度計技術邁大步MEMS Trend
加速度計技術邁大步
微智半導體(Memsmart)微智半導體(Memsmart)邱奕翔(Eason)
[email protected] 02 192009.02.19
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Previous
me
T hTogether
Trend
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MEMS Historyy1878 Light - Edison(愛迪生)
Wall street
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MEMS Historyy1882 Light - Edison(愛迪生)
Black
Francis Upton(俄普頓)
Thermionic emission
(熱電子)
Vacuum
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MEMS Historyy1885 Light - Edison(愛迪生)
Fleming(傅雷明)
整流
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MEMS Historyy1897 Light - Edison(愛迪生)
Thomson(湯姆苼)
Electron(電子)
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MEMS Historyy1904 Light - Edison(愛迪生)
Fleming(傅雷明)
無線電接收器 AC DC
整流
開關迅速
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MEMS Historyy1906 Light - Edison(愛迪生)
距離遠訊號弱
DeForest(德福雷斯特)
電晶體 訊號放大
整流 開關迅速
超級電燈泡 (熱.大.耗電.命)
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MEMS Historyy1939 Light - Edison(愛迪生)
Shockley(蕭克利)
日記 1939.12.29
半導體 取代 電泡
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MEMS Historyy1947 Light - Edison(愛迪生)
ENIAC (賓州大學)
陸軍 彈道
18,000
Debug
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MEMS Historyy1947 Transistor - Shockley(蕭克利)
Bell Lab
Bardeen(巴丁)
Brattain(布拉頓)
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MEMS Historyy1958 VLSI – Kilby(基爾比)、Noyce(諾宜斯)
Kilby(基爾比)
實驗日誌 1958.07.24
T. D. R. C. in One Process
Device (飛線)
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MEMS Historyy1958 VLSI – Kilby(基爾比)、Noyce(諾宜斯)
Noyce(諾宜斯)
實驗日誌 1959.01.23
T. D. R. C. in One Process
Connect
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MEMS Historyy1958 VLSI – Kilby(基爾比)、Noyce(諾宜斯)
VLSI
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MEMS Historyy1959 MEMS – Feynman(費曼)
機構結構 in VLSI
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MEMS Historyy1990 MEMS – Feynman(費曼)
TI- DLP
HP- Inkjet
ADI/Bosch-A lAccelerometer
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MEMS Historyy2000 MEMS – Feynman(費曼)
MEMS Gyroscopes
MEMS Microphone
MEMS Accelerometer
Pressure Sensor
Inkjet 、DLP and more…
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MEMS AccelerometerProduct Feature
Hi h
重視
High
軸向
非線
靈敏
雜訊
反應
電量
溫度
尺寸
成本
0gi視
程度
向需求
線性
敏度
訊 應頻率
量需求
度影響
寸大小
本控制
BiasLevel
度Low
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MEMS AccelerometerApplication Trends
1950 軍事國防
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MEMS AccelerometerApplication Trends
1979 汽車工業
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MEMS AccelerometerApplication Trends
2006 消費性電子
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MEMS AccelerometerApplication Trends
2006 消費性電子
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MEMS AccelerometerApplication Trends
2006 消費性電子
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MEMS AccelerometerApplication Trends
2006 消費性電子
Page 25
MEMS AccelerometerApplication TrendsConsumer 需求趨勢
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MEMS AccelerometerApplication TrendsConsumer 需求趨勢
New Market!?
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MEMS AccelerometerApplication TrendsConsumer 需求趨勢
降低Performance
提高 Cost優勢
增加Multi Function
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MEMS AccelerometerFuture Application Trends
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MEMS AccelerometerTechnology
現況
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MEMS AccelerometerTechnology
電壓式加速度計
M
感測位移量→電壓訊號
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MEMS AccelerometerTechnology
電壓式加速度計產品特性
M 對溫度影響大
結構整合最低結構整合最低
感測位移量→電壓訊號
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MEMS AccelerometerTechnology
熱感式加速度計
感測熱氣分布
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MEMS AccelerometerTechnology
熱感式加速度計產品特性
對溫度影響大
反應速度慢反應速度慢
耗電量大感測熱氣分布
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MEMS AccelerometerTechnology
電容式加速度計
M
感測位移量→電容變化量→電壓訊號
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MEMS AccelerometerTechnology
電容式加速度計
M
感測位移量→電容變化量→電壓訊號
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MEMS AccelerometerTechnology
電容式加速度計產品特性
M
結構簡易
靈敏度高靈敏度高
耗電量小感測位移量→電容變化量→電壓訊號
無溫度影響
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MEMS AccelerometerTechnology
電容式加速度計設計關鍵
M
輸出感測訊號
結構的應力分析結構的應力分析
Gap 距離感測位移量→電容變化量→電壓訊號
Noise影響
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MEMS AccelerometerTechnology CMOS MEMS
MEMS5
電容式
無
MEMS1
電容式
有
Provider
Sensing Way
FAB
MEMS4
熱感式
前段無/後段有
MEMS2
電容式
有
MEMS3
電壓式
有 無
SOCQFN
有
SOCQFN
FAB
SOC/SIPPackage
前段無/後段有
SOC/SIPLGA
有
SIPLGA
有
SIPLGA
中(0.9mA)
無影響
快
小(0.6mA)
無影響
快
Power Supply
Temperature
Frequency
最大(3.6mA)
最大
較慢
小(0.5mA)
無影響
快
小(0.5mA)
大
快 快
好
最便宜
快
好
最貴
q y
Sensitivity
Cost
較慢
不好
便宜
快
好
貴
快
不好
貴
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CMOS MEMS
i hiCMOS standard processSensing System On Chip
CMOSAnalogAnalog Circuit
MEMSMEMS
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CMOS MEMSCMOS standard process
MicroStructures
CMOS Circuits
Metal
StructuresCircuitsPad
ViaOxideSubstrate
Cross section of CMOS process
Substrate
Cross section of CMOS process
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CMOS MEMSCMOS standard process
RIE(反應離子蝕刻)RIE(反應離子蝕刻)
Page 42
CMOS MEMSCMOS standard process
Undercut
Anisotropic Etching(等向性蝕刻)Anisotropic Etching(等向性蝕刻)
Page 43
CMOS MEMSCMOS standard process
Wire BondingWire Bonding
Page 44
CMOS MEMSCMOS standard process
PackagePackage
Page 45
CMOS MEMSLGA Package
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CMOS MEMS
k kPackage Design
SOC Package VS. SIP Package
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CMOS MEMSCMOS 標準製程特性
良率高穩定性極高穩定性極高
成本低成本低功率消耗低
量產可行性高功率消耗低
晶片整合度高產 性
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CMOS MEMSCMOS 標準製程特性
良率高穩定性極高穩定性極高
成本低成本低功率消耗低
量產可行性高功率消耗低
晶片整合度高產 性
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CMOS MEMSMEMS Design Challenge 1
d 增加 長度C = εo A/d, 增加Beam長度?
殘餘應力殘餘應力
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CMOS MEMSMEMS Design Challenge 2
d 縮小 距離C = εo A/d, 縮小gap距離?
製程誤差
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CMOS MEMSMEMS Design Challenge 3
質量塊輕 彈簧的設計質量塊輕, 彈簧的設計
質量塊翹曲
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CMOS MEMSCircuit Design Challenge 4
fFfF 51 ± mVmVMEMS誤差fFfF 51 ±
gmV
gmV 2000400 ±
fFC 10 = fFC 5±=∆
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CMOS MEMSIntegrated Challenge 5
雜訊
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CMOS MEMS @Taiwan優勢
半導體產業群聚完整半導體產業群聚完整
應用市場朝IT、Consumer發展應用市場朝IT、Consumer發展
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CMOS MEMS @Taiwan劣勢
國外發展已久國外發展已久
產業分工太成熟產業分工太成熟
具產業縱向知識人力資源不足具產業縱向知識人力資源不足
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MEMSMARTDesign
IC backgroundIC background
CircuitMEMS
S i PSemi-Process
2005.9~2008.4
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MEMSMARTPatent
Standard CMOS IC process
USA : 6
p
TAIWAN: 10CHINA: 5CHINA: 5
2007.5~2009.1
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MEMSMART產業供應鍵整合
製造 後製程 封裝 測試製造 後製程 封裝 測試
2008.4~2009.1
Page 60
MEMSMART產業供應鍵整合
製造 後製程 封裝 測試
VIS
製造 後製程 封裝 測試
VIS
標準CMOS製程2008.4~2009.1
Page 61
MEMSMART產業供應鍵整合
製造 後製程 封裝 測試
Xi
製造 後製程 封裝 測試
Xintec
簡單的後製程處理(Patent)2008.4~2009.1
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MEMSMART產業供應鍵整合
製造 後製程 封裝 測試
LINGSEN
製造 後製程 封裝 測試
LINGSEN
標準QFN封裝2008.4~2009.1
Page 63
MEMSMART產業供應鍵整合
封裝
LINGSEN
封裝
LINGSEN
標準QFN封裝2008.4~2009.1
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MEMSMART產業供應鍵整合
製造 後製程 測試封裝製造 後製程 測試封裝
KYECKYEC
自行研發的測試設備2008.4~2009.1
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MEMSMART產業供應鍵整合
測試測試
KYECKYEC
自行研發的測試設備2008.4~2009.1
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MEMSMARTStrategy Canvas
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MEMSMARTMilestone
2006.02.05 ●曉翔、力墾、政諺、奕翔於清華大學電子所ASDM LAB組成創業團隊2006.12 ●完成加速度微感測晶片 Prototype α版2006.12.26 ●公司正式登記為股份有限公司006. . 6 公司正式登記為股份有限公司
2007.04 ●成功Demo 加速度微感測晶片 Prototype β版,國內第一
2008 04 ●完成量產流程整合 正式投產CMOS八吋晶圓廠 國內第2008.04 ●完成量產流程整合 正式投產CMOS八吋晶圓廠,國內第一2008.05 ●於 東京 11th EMBEDDED SYSTEM EXPO展 展出2008.06 ●於 台北國際光電展 展出2008.09 ●於 台北 IIC 展 展出於 台北 展 展出2008.10 ●於 香港秋季電子展 展出2008.12 ●完成 2-axis Analog Output G-sensor , Cost Down Version Design
2009 01 ●於 香港春季電子展 展出2009.01 ●於 香港春季電子展 展出2009.01 ●成功完成 Mass Production 之晶片,國內第一2009.02 ●晶片少量出貨,國內第一
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