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QUE ES UN DIDO GUNN,PARA QUE SIRVE UN DIODO GUNN ,DONDE  APLICO UN DIODO GUN N COMO FUNCIONA DIDO GUNN, OBJETIVOS GENERAL, ESPECIFICOS,, CONCLUSIONES, CURVA CARACTERISTICAS DEL DIODO GUNN See more FACU LTAD:  
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Lo Sentimos 2 gunn

Feb 17, 2018

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QUE ES UN DIDO GUNN,PARA QUE SIRVE UN DIODO GUNN ,DONDE APLICO UN DIODO GUNN COMO FUNCIONA DIDO GUNN, OBJETIVOSGENERAL, ESPECIFICOS,, CONCLUSIONES, CURVA CARACTERISTICASDEL DIODO GUNNSee more

FACULTAD: 

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INFORMÁTICA &ELECTR 

ÓNICA 

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ESCUELA: ING.ELECTR ÓNICA 

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CARR ERA: ING. EN

TELEC

OMUNI

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CACION

ES YREDES 

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INTEGARNTES: 

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EDWIN

JAMI 185EDYYGUSQUI

 211EDU

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ARDO

TENEZACA 183 

MATERIA:

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TEORÍA

ELECTR OMAGNÉTICA

II 

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LEER LA VERSIÓN COMPLETA 

1. TEMA: 

EL DIODO GUNN2. 

OBJETIVOS OBJETIVOSGENERAL 

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 Obtener los conoci

mientos sobre las características del di

odo Gunn. OBJETIVOS

ESPECIFICOS Conocer las distint

as aplicaciones del

diodo Gunn 

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 Ampliar

conocimientossobre el tema

específico sobreosciladores

en línea coaxial

y enguía de ondas 

3.INTRODUC

CIÓN. 

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La generación de

frecuencias para elrango

de microondasse puede realizar de

variasmaneras,

siendo las más

comunes el uso del

Klystron,Magnetrón, sobre

todo enaplicaciones

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de grandes

 potencias, paraotros fines lo más

común es el usodedispositivos

de estadosólido

como

los transistoresde

efecto de campo deAsGay diodosGunn

, sobre todo por su

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tamaño pequeño y

 bajo consumo. Enel

 presente trabajo, seexplicara acerca de

los principiosy el

funcionamiento

deloscilador Gunn,

el mismo que se basa en el diodo

Gunn, y por ende

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en el efecto que

llevael mismonombre. Los

mismos que seutilizan para

aplicaciones

de semiconductores

serevisara

conceptos básicosreferentes al diodo

Gunn, así como a

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algunas de

suscaracterísticas, para desarrollar el

tema relacionado alefecto Gunn, que es

la base deloscilador

Gunn se verá

algunas de las

configuracionestípicas para la

obtención de

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unoscilador Gunn

dentro de cavidadesresonantes

osciladores Gunnen línea coaxial y

enguía de ondas. 

4. MARCO T

EORICO QUE ES UNDIODO 

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Un diodo es una

sustancia cuyaconductividad es

menor que la de unconductor y

mayorque la de un

aislante. 

QUE ES UN

DIODO GUNN Los diodos Gunn

son unos

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dispositivos

electrónicos queemiten radiaciónele

ctromagnéticaen elrango de

las microondas. Es

una clase particular

de diodo,

que, junto con el diodo de efecto túnel,

 permite disponer s

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olamente de una zo

na N en elmaterialEs una forma de

diodo usado en laelectrónica de alta

frecuencia. A

diferencia de

losdiodos

ordinarios Losdiodos Gunn son

usados para

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construir

osciladores en elrango

defrecuenciascomprendido entre

los 10 Gigahertzy

frecuencias aún

más

altas(hastaTerahertz). Este diodo

se usa

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en combinación co

n circuitosresonantes construidoscon

guías de ondas,cavidades coaxiales

y resonadores y la

sintonización es

realizadamediante

ajustes mecánico,eléctricos.Los

diodos Gunn suelen

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fabricarse

de arseniuro degalio para

osciladores dehasta 200GHz,

mientras que los de

 Nitruro de Galio

 pueden alcanzar los

3 Terahertz.Losque están

disponibles hoy en

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día emiten

radiación de unafrecuencia de entre

10 y100 GHz máso menos 1 GHz se

lee un gigahercioy

es una unidad que

significa que

laradiación tieneuna frecuencia de

1.000.000.000 Hz, 

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que son

1.000.000.000 dehercios

o1.000.000.000 deoscilaciones por

segundo. 

APLICACIONES 

Mediciones de dist

ancia, 

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Detección de movimientos (que no

sean muy rápidos), 

Radares de velocid

ad, 

Detectores para au

tomatismos de aper 

tura/cierre de puert

as, 

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Engeneral relacionada

s con detecciónde objetos y su

movimiento You're Reading a Free Preview

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DESCARGA

Sirve para

medir la

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efecto Gunn, una

 propiedaddedeterminados

semiconductores J.B. Gunn se dio

cuenta de que al

aplicar una

diferenciade

 potencial constanteen otras palabras,

una tensión o un

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voltaje constantes

entre losextremosde un trocito de un

semiconductorcomo el fosfuro de

indio(InP) o

el arseniurode

galio(GaAs),

dopados tipo n, lacorriente que

circulaba por el

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material dejaba de

sercontinua yoscilaba a gran

velocidad. Paso 1(a) 

Esquema deldiodo. 

(b) Relación entre la

velocidad de los

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electrones y el

campo eléctrico. Aun campoeléctrico

aplicado E lecorresponde una

velocidad de

electrones

determinada, va. 

(c) Dependencia de la

densidad de

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electrones y el

campo eléctricorespecto de la

 posicióndentro dela pieza de

GaAs. Aplicando el

diferencial de

voltaje en los

extremos tenemos (a) 

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Para unos

determinadosvalores del campo

eléctrico dentro yfuera del dominio,

todoslos electrones

viajan a la misma

velocidad. 

(b) El dominio de

carga espacial de

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Gunn ya no crece

más y sigue suviaje hacia

elelectrodo positivo. 

(c) El campo eléctrico

fuera del dominio

no essuficientemente

grande como para

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que seformen más

dominiosadicionales. 

FUNCIONAMIENTO EN

RESISTENCIAPOSITIVA 

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El Arseniuro de

Galio (GaAs) esuno de los pocos

materiales

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semiconductores

que en unamuestracon dopado tipo N,

tiene una banda deenergía vacía más

alta que la

máselevada de las

que se encuentran

ocupadas parcial ototalmente.Cuando

se aplica una

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tensión a una placa

(tipo N) deArseniuro de Galio

(GaAs),loselectrones, que

el material tiene en

exceso, circulan y

 producen corriente.

Si se aumentalatensión, la corriente

aumenta. 

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FUNCIONAMIENTO ENRESISTENCIA

NEGATIVA Si se le sigue

aumentando latensión, se les

comunica a los

electronesuna mayorenergía,

 pero en lugar de

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moverse más

rápido, loselectrones saltan a

una bandadeenergía más

elevada, que

normalmente está

vacía, disminuyen

su velocidad y, porende,la corriente.

Así, una elevación

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de la tensión en

este elemento causauna disminución

delacorriente.Finalment

e, la tensión en la

 placa se hace

suficiente para

extraer electronesde la bandade

mayor energía y

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menor movilidad,

 por lo que lacorriente

aumentará denuevo con

latensión. La

característica

tensión contra

corriente se parecemucho a la

del Diodo

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Túnel. Sin

embargo, una delas dificultades de

utilizardirectamente el

compuesto como

unaresistencia

negativa en AC es

la aparición deinestabilidades

internas.

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Fluctuacionesespon

taneas de ladensidad

electrónicacausadas por ruido

o por un efecto en

el dopadopueden

dar lugar a

acumulacionesespaciales de carga

(dominios).En un

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dispositivo de

longitud finita, eldominio se forma

cerca del cátodo porque estaregión

 presenta una mayor

no uniformidad

debido al dañado

que se produce enel cristal alformarse

los contactos. El

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dominio se

desplaza por elcristal con una

velocidad delordende 105 m/s

hasta q alcanza al

ánodo, donde

colapsa y el

 potencial seredistribuye en

elcampo fuera del

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dominio. La

corriente tambiénaumenta con este

campo hastaquealcanza un

valor máximo,

donde de nuevo se

cae hasta q se

forma el dominiosiguiente.Como

resultado, la

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corriente a través

del dispositivo esuna serie de pulsos

superpuestossobreun nivel constante,

como se muestra en

la Figura. 

Forma de onda

para la corrientetípica de tiempo

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de transito de undispositivo Gunn La frecuencia del

oscilador esta estádeterminada por el

tiempo de transitodel dominio.Sin

embargo se puede

forzar, medianteresonadores, que

los modos colapsen

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andealcanzar el

ánodo, lo cual permite modificar

el tiempo detransito, de este

modo se

 puedesintonizar la

frecuencia de

operación. Por lo general

existen 3 diseños

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diferentes deosciladores: 

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