Jammer tri-banda · Para facilitar la valoración y comparación de diferentes tipos de señales, se utiliza el generador de seña-les Agilent N9310A, fácilmente programable. El

Proyecto Medidas Electrónicas II2017

Jammer tri-bandaGrupo 1

Docente: Ing. Alejandro HenzeAyudante: Ing. Guillermo Monasterios

Luciano Alvarez ([email protected]) Juan Baglietto([email protected]), Juan Ignacio Battaglino

([email protected]), Michel Hidalgo ([email protected])

mailto:[email protected]




Índice general

1. Antecedentes 3

2. Especificación 42.1. Radio de cobertura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42.2. Redes afectadas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

3. Diseño 5

4. Implementación 64.1. Generación de señal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64.2. Distribución de señal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64.3. Amplificación de señal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74.4. Irradiación de señal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

5. Simulación 95.1. Caracterización del prototipo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95.2. Potencias transmitidas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95.3. Rango de cobertura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

6. Rediseño 136.1. Generador de señales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136.2. Placa Driver . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136.3. VCOs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

6.3.1. Diseño Banda I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136.3.2. Diseño Banda II . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156.3.3. Diseño Banda III . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

6.4. Amplificadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

7. Mediciones 187.1. Generador de señales + Placa driver . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 187.2. Generador de señales + Placa driver + VCO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 187.3. Amplificador de 900MHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 227.4. Amplificador de 2.4 GHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 227.5. Cadena de amplificadores de 900 MHz y 2.4 GHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 227.6. Amplificador de 2.4 GHz con retorno de masa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 227.7. Generador de señales + Placa driver + VCO + Amplificador de 2.4 GHz con retorno de masa 307.8. Interferencia en bandas de GSM y LTE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 307.9. Amplificador provisto por la Cátedra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

8. Implementación final 36

9. Resultados 38

1

10. Discusión. Posibles mejoras 39

11. Conclusiones 40

12. Anexo 1. Automatización de barrido con generador Agilent N9310A 42

13. Anexo 2. Hojas de datos 44

2

1. Antecedentes

Un jammer es un dispositivo que permite deliberadamente interferir, e idealmente bloquear, un dispo-sitivo receptor. Durante la Segunda Guerra Mundial, con el rápido avance de las comunicaciones y de lossistemas de detección y telemetría (como por ejempo, radares), surgen en forma simultánea, como contra-medida, los primeros diseños de este tipo de dispositivos partiendo de la premisa de que, transmitiendo conla suficiente potencia en el mismo espacio de frecuencias que la comunicación a inhibir utiliza, es posible,si no saturar, al menos elevar el piso de ruido de los receptores involucrados, anulándolos. Desde entonces,múltiples variaciones se han desarrollado, muchas tomando ventaja de los principios de operación de losenlaces a interferir, con diferentes objetivos:

irradiando pulsos en una dirección dada, ocultado un objeto bajo el ruido para el radar;transmitiendo e interfiriendo la comunicación empleando la misma modulación que el receptor;afectando los canales de control de los protocolos de los enlaces que busca inhibir;etc.

Hoy en día, aunque de uso casi exclusivamente militar, los jammers encuentran aplicación en el blo-queo de redes móviles y/o de área local en instituciones y/o empresas donde el resguardo de informaciónsensible sea de suma importancia.

3

2. Especificación

2.1. Radio de cobertura

El prototipo debe interferir en un radio r de al menos 5m.

2.2. Redes afectadas

El prototipo debe interferir las siguientes redes de comunicación móvil, listadas junto con sus paráme-tros de relevancia ([2], [3], [1]):

Protocolo ∆BDOWNLINK

(MHz)∆BUPLINK

(MHz)PMOV ILMAX

(dBm)PCELDAMAX

(dBm)SINRMIN

(dB)

GSM850

[869,2; 893,8] [824,2; 848,8] +39,0 +58,0 +9,0

GSM1900

[1930,2; 1989,8] [1850,2; 1909,8] +33,0 +46,0 +9,0

UMTS850

[869,0; 894,0] [824,0; 849,0] +24,0 +38,0 −16,6

UMTS1900

[1930,0; 1990,0] [1850,0; 1910,0] +24,0 +38,0 −16,6

LTE700

[758,0; 803,0] [703,0; 748,0] +23,0 +43,0 −5,4

LTE1700

[2110,0; 2155,0] [1710,0; 1755,0] +23,0 +43,0 −5,4

Adicionalmente, se busca afectar los siguientes protocolos de red local inalámbricos (WLAN), listadostambién junto con sus parámetros de relevancia ([5], [6], [7]) para este diseño:

Protocolo ∆B (MHz) PMAX (dBm) SINRMIN (dB)

WiFi 802.11b/g/n [2400,0; 2500,0] +30,0 +4,0

4

3. Diseño

Dada la disparidad en los esquemas de modulación y en los protocolos de capa de enlace de cada unade las redes a afectar, la metodología a emplear es la de denegación de servicio por reducción de la relaciónseñal a ruido S

N . Si bien genérica y en su construcción la más simple, esta implementación es particular-mente ineficiente en comparación con otras, específicamente diseñadas para afectar un protocolo particular(con conocimiento del esquema de modulación, la mecánica de las capas de enlace, red y/o transporte,etc.). Asímismo, la relativa lejanía en los anchos de banda ocupados requiere la utilización de cadenas am-plificadoras y elementos radiantes para cada uno de ellos (o más genéricamente, para cada intervalo defrecuencias, donde la conformación de los mismos estará dada fundamentalmente por el desempeño de lasantenas).

Dada la técnica de jamming a utilizar, se apunta a afectar el canal de recepción (o downlink) de los dis-positivos objetivo. Definimos entonces, en forma preliminar para guiar el diseño, tres (3) intervalos defrequencias o bandas a interferir:

1. Banda I [758,0MHz; 803,0MHz] ∪ [869,0MHz; 894,0MHz]

Comprende redes LTE700, GSM850 y UMTS850.

2. Banda II [1930,0MHz; 1990,0MHz]

Comprende redes GSM1900 y UMTS1900.

3. Banda III [2110,0MHz; 2155,0MHz] ∪ [2400,0MHz; 2500,0MHz]

Comprende redes LTE1700 y WiFi 802.11 b/g/n.

La señal interferente se sintetiza desde una única fuente o generador que barre en tiempo y secuen-cialmente las bandas descriptas. Se simplifica el diseño notablemente de esta forma. La potencia de señalinterferente se distribuye, en principio, equitativamente hacia las distintas cadenas amplificadoras.

Dadas las limitaciones en la manufactura de los bloques que componen este prototipo, el sistema sedimensiona acorde a los requerimientos y a los recursos disponibles, con lo cual el cumplimiento de losprimeros estará sujeto a condiciones de operación (en particular de la distancia al equipo transmisor, celdao AP, según corresponda).

5

4. Implementación

4.1. Generación de señal

Para facilitar la valoración y comparación de diferentes tipos de señales, se utiliza el generador de seña-les Agilent N9310A, fácilmente programable. El mismo cubre todas las bandas de interés.

Figura 4.1. Generador de señal Agilent N9310A

Parámetro Valor típico

Zo 50Ω∆B [9kHz; 3GHz]

PoMAX+13dBm

ROEρ < 1,8

4.2. Distribución de señal

Se utiliza el divisor de potencia de tres (3) salidas, o cuatro(4) puertos, MiniCircuits SEPS-3-33+, que semuestra en la figura 4.2.

Figura 4.2. Divisor de potencia MiniCircuits SEPS-3-33+

No es factible el prototipado rápido del layout recomendado por el fabricante, con lo cual se recurre a lacorrespondiente placa de prueba MiniCircuits TB-513+.

6

4.3. Amplificación de señal

La selección está fuertemente ligada a la factibilidad del prototipado de las cadenas amplificadoras.Nuevamente, no es posible producir los layouts especificados por los fabricantes. Se recurre entonces albloque de ganancia Qorvo ECG008B 4.3, el cual presenta un desempeño modesto en todas las bandas deinterés, tanto en ganancia como en pérdidas de retorno, y un factor de forma (SOT-89) de fácil manipulación,montado en la placa de prototipo Twin Industries MP-1. Ésta última ha sido diseñada para el montaje enun gabinete especial, con un costo prohibitivo en esta etapa del desarrollo. Por ello, se manufactura dichogabinete a partir de las piezas Hammond 1550Z101.

Figura 4.3. Bloque de ganancia Qorvo ECG008B

4.4. Irradiación de señal

En la figura 4.4 se muestra una de los elementos radiantes disponibles. Este en particular requirió laadquisición de un adaptador SMA hembra a RP SMA hembra (un estándar para este tipo de elementos).

Figura 4.4. Antena WiFi

En la figura 4.5 se muestra la caracterización de tres (3) antenas omnidireccionales, todas con una im-pedancia caracteristica Zo = 50Ω, utilizando el analizador de redes vectoriales KeySight N9917A, previacalibración con kit TOSM provisto por el departamento. Un

Comparativamente, el dipolo B presentará menos pérdidas por desadaptación que el dipolo A, por loque éste último se descarta.

7

0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0

Frecuencia [GHz]

−35

−30

−25

−20

−15

−10

−5

0

5

Mag

nit

ud

[dB

]

Caracterizacion de S11

Dipolo GSM/UMTS

Dipolo WiFi A

Dipolo WiFi B

Figura 4.5. Caracterización de parámetros S11 de antenas

8

5. Simulación

Para la simulación, se utilizó el software de código libre Qucs.

5.1. Caracterización del prototipo

Empleando los parámetros S suministrados por los fabricantes de los dispositivos de amplificación ydistribución de señal, se simula la caracterización de parámetros S del prototipo visto como sistema decuatro (4) puertos. Ésto se muestra debajo en las figuras 5.1 y 5.2.

Figura 5.1. Esquemático del equipo como sistema de 4 puertos

5.2. Potencias transmitidas

Empleando los parámetros S medidos para los elementos radiantes junto con las especificaciones parael generador de señal, se simulan las potencias transmitidas hacia el prototipo y hacia el espacio radio-eléctrico a través de los elementos radiantes. En la figura 5.3 se muestra el uso que se hace de acopladoresdireccionales ideales en cada uno de los puertos del prototipo para la medición de potencias desarrolladaso útiles en cada puerto.

En la figura 5.4 se meustran los resultados.

9

0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0

Frecuencia [GHz]

8.4

8.6

8.8

9.0

9.2

9.4

9.6

9.8

10.0

Mag

nit

ud

[dB

]Caracterizacion de SN1

S21

S31

S41

Figura 5.2. Caracterización de parámetros S21 del equipo en simulación

Figura 5.3. Arreglo para medición de potencia, con acopladores direccionales ideales

10

0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0

Frecuencia [GHz]

14

16

18

20

22

24

Pot

enci

a[d

Bm

]

Potencias transmitidas

PINPBANDAIPBANDAIIPBANDAIII

Figura 5.4. Potencias transmitidas por el equipo en simulación

5.3. Rango de cobertura

Para estimar una cota mínima (peor caso) para el rango de cobertura del prototipo en cada una de susbandas de operación, se considera únicamente la atenuación de espacio libre [4].

LdB = 10 · log10

[(4πdf

c

)2]dB = −147,55dB + 20 · log10(f)dB + 20 · log10(d)dB (5.1)

Ésto se constituye como un mejor caso para el transmisor del sistema de comunicaciones a interferir,pues se desprecian fenómenos como la interferencia por propagación multitrayecto, la dispersión y re-flexión de señales producto de estructuras edilicias en el camino de propagación, el desplazamiento enfrecuencia que observan los receptores en movimiento por efecto Doppler, etc.

Asumiendo antenas isotrópicas, podemos definir entonces un radio de cobertura r = f(d), donde d esla distancia entre el dispositivo y el equipo transmisor (celda o AP, según corresponda).

P JAMMERoMAX

(f, r) ≥PCELDAoMAX

(f, d− r)

SINRMIN(5.2)

P JAMMERoMAX

(c

4πrf

)2

≥PCELDAoMAX

(c

4π(d−r)f

)2

SINRMIN(5.3)

d

r− 1 ≥

√PCELDAoMAX

P JAMMERoMAX

SINRMIN(5.4)

r ≤ d√PCELDA

oMAX

PJAMMERoMAX

SINRMIN+ 1

(5.5)

11

101 102 103

Distancia [m]

100

101

102

Rad

io[m

]

Radio de cobertura r = f (d)

LTE 700

GSM 850

UMTS 850

GSM 1900

UMTS 1900

LTE 1700

WiFi 2.4

Figura 5.5. Radio de cobertura r = f(d) para cada banda en simulación

En la figura 5.5 se muestran las curvas para cada red, considerando la frecuencia superior de la bandade recepción (donde la atenuación de espacio libre es máxima) con las potencias que las simulaciones hanarrojado.

Se observa así que a una distancia de aproximadamente 120m de la celda celular se logra cumplimentarla especificación para las redes móviles. Para la red de área local inalámbrica, 10m son suficientes.

12

6. Rediseño

Al realizar el barrido de las bandas de interés mediante antenas conectadas directamente al generador,para lo cual fue preciso inicializar y automatizar el mismo (ver anexo en 12), se constata que el tiempo mí-nimo de establecimiento del generador ante un cambio de frecuencia central es excesivamente prolongadopara barrer e interferir las bandas de interés.

Se decide rediseñar entonces el prototipo, reemplazando el conjunto generador / power splitter porVCOs independientes más una placa para acondicionar las señales modulantes.

6.1. Generador de señales

Se utiliza el generador de señales GW Instek GFG-8219A. Se deciden realizar pruebas para comprobarlas diferencias en el espectro de frecuencias obtenido según se aplique la señal de barrido con formatorectangular o triangular. Se fija un nivel de señal modulante de 2,5V y limitada en banda por debajo de los500kHz para realizar el diseño de la placa driver.

6.2. Placa Driver

Se diseña un circuito compuesto por operacionales en configuración amplificador no inversor, cuyafinalidad es adaptar los niveles de tensión para generar el barrido de los tres (3) VCOs dentro de los rangosespecificados por los mismos. A la salida de los amplificadores operacionales se colocan diodos zener parafijar el nivel de tensión de entrada sobre los VCOs a modo de protección de los mismos. La figura 6.1muestra el esquemático básico.

6.3. VCOs

Se opta por los osciladores MiniCircuits ZX95-1300, que abarca frecuencias desde 400MHz hasta 1,3GHz,MiniCircuits ZX95-2360, que abarca frecuencias desde 1,43GHz hasta 2,3GHz, y MiniCircuits ZX95-2755,que abarca frecuencias desde 2,3GHz hasta 2,755GHz. A partir de la sensibilidad Sv

f mínima y máximaprovista por el fabricante, se determina el rango de tensión a cubrir para barrer los rangos de frecuenciasdeseados:

fo = Svf ∗ Vtune + fomin (6.1)

Vtune =fo − fomin

Svf

(6.2)

6.3.1. Diseño Banda I

El primer VCO, cuya función será realizar el barrido entre 750MHz a 900MHz, posee un rango de sensibi-lidad entre 25MHz

V a 65MHzV , lo cual determina un rango mínimo, medio y máximo de tensión a excursionar.

13

Figura 6.1. Acondicionamiento de señal, para barrido de sintonia

14

Frecuencia Voltaje c/ sens. mínima Voltaje c/ sens. máxima Voltaje c/ sens. media

750MHz 5,38V 14,0V 7,77V900MHz 7,69V 20,0V 11,11V

Para sensibilidad mínima:

Vtunemin=

750MHz− 400MHz

25MHzV

= 14V (6.3)

Vtunemax =900MHz− 400MHz

25MHzV

= 20V (6.4)

Para sensibilidad máximsa:

Vtunemin =750MHz− 400MHz

65MHzV

= 5,38V (6.5)


65MHzV

= 7,69V (6.6)

Para sensibilidad media:


45MHzV

= 7,77V (6.7)


45MHzV

= 11,11V (6.8)

Adoptando el resultado para sensibilidad media, se decide excursionar desde 7V hasta 12V.

6.3.2. Diseño Banda II

El segundo VCO, cuya función será realizar el barrido entre 1,9GHz a 2,3GHz, presenta un rango desensibilidad entre 51MHz

V a 70MHzV , lo cual determina un rango mínimo, medio y máximo de tensión a

excursionar.


1,9GHz 6,71V 8,14V 7,76V2,3GHz 12,42V 17V 14,38V



51MHzV

= 8,14V (6.9)


51MHzV

= 17V (6.10)

Para sensibilidad máxima:

15


70MHzV

= 6,71V (6.11)


70MHzV

= 12,42V (6.12)



60,5MHzV

= 7,76V (6.13)


60,5MHzV

= 14,38V (6.14)


6.3.3. Diseño Banda III

El tercer VCO, cuya función es realizar el barrido entre 2,3GHz a 2,5GHz, presenta un rango de sensibi-lidad entre 40MHz

V y 55MHzV , lo cual determina un rango mínimo, medio y máximo de tensión a excursionar.


2,3GHz 0,5V 0,5V 0,5V2,5GHz 3,63V 5V 4,21V



40MHzV

= 0V (6.15)


40MHzV

= 5V (6.16)

Para sensibilidad máxima:


55MHzV

= 0V (6.17)

Vtunemax=

2500MHz− 2300MHz

55MHzV

= 3,63V (6.18)



47,5MHzV

= 0V (6.19)


47,5MHzV

= 4,21V (6.20)


16

6.4. Amplificadores

El fabricante especifica los componentes a colocar para lograr la amplificación deseada sobre cada unade las frecuencias centrales (14,6dB sobre 900MHz y 14,3dB sobre 1,9GHz y 2,4GHz).

Banda Bias feed (L) DC block / bypass (C)

900MHz 68nHy 100pF1,9GHz 27nHy 68pF2,4GHz 18nHy 56pF

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7. Mediciones

Las primeras mediciones se realizaron sobre la placa driver para verificar las excursiones de salida decada amplificador operacional mediante un osciloscopio, y luego, con un analizador de espectro, observan-do el barrido en frecuencia al modular la salida de los VCOs con señales rectangulares y triangulares. Secaracterizó la ganancia de los amplificadores de 900MHz y 2,4GHz (sin retorno de masa) por separado, yluegos colocados en cadena. Se reiteró la misma medición tras haber implementando el retorno de masasobre el amplificador de 2,4GHz. Se verificó también la potencia de salida de la cadena entera compuestapor generador, driver, VCO y amplificador.

7.1. Generador de señales + Placa driver

En las figuras 7.1, 7.2 y 7.3 se muestran las excursiones de salida al aplicar una señal rectangular de 2,5Vde amplitud y frecuencia 1kHz.

Figura 7.1. Medición de excursión de salida rectangular para barrido de VCO de 900MHz

En contraste, en las figuras 7.4, 7.5, y 7.6 se muestran las excursiones de salida al aplicar una señal trian-gular de iguales características. Se puede observar con claridad el recorte de la señal triangular generadopor el clamping del diodo zener.

7.2. Generador de señales + Placa driver + VCO

Utilizando el VCO ZX95-1300, y barriendo la banda de 900MHz, en las figuras 7.7 y 7.8 se puede observarel resultado de modular con una señal rectangular y con una señal triangular, respectivamente.

18

Figura 7.2. Medición de excursión de salida rectangular para barrido de VCO de 1,9GHz

Figura 7.3. Medición de excursión de salida rectangular para barrido de VCO de 2,4GHz

Figura 7.4. Medición de excursión de salida triangular para barrido de VCO de 900MHz

19

Figura 7.5. Medición de excursión de salida triangular para barrido de VCO de 1,9GHz

Figura 7.6. Medición de excursión de salida triangular para barrido de VCO de 2400MHz

20

Figura 7.7. Medición de espectro de salida para 900MHz con barrido rectangular

Figura 7.8. Medición de espectro de salida para 900MHz con barrido triangular

21

7.3. Amplificador de 900MHz

Empleando el Tracking Generator incorporado al analizador de espectro, y previa normalización median-te, se midió la ganancia del amplificador de 900MHz. En las figuras 7.9, 7.10 y 7.11 se muestra su gananciaa 900MHz, 1,9GHz y 2,4GHz respectivamente.

Figura 7.9. Ganancia de amplificador de 900MHz a 900MHz

7.4. Amplificador de 2.4 GHz

Empleando el Tracking Generator incorporado al analizador de espectro, y previa normalización median-te, se midió la ganancia del amplificador de 2,4GHz. En las figuras 7.9, 7.10 y 7.11 se muestra su ganancia a900MHz, 1,9GHz y 2,4GHz respectivamente.

7.5. Cadena de amplificadores de 900 MHz y 2.4 GHz

A partir de la observación de que ambos amplificadores muestran ganancia en la banda de 900MHz, seexploró colocarlos en cadena. Los resultados es muestran en las figuras ?? y ??. A 2,4GHz se observó unaatenuación de 7dB.

7.6. Amplificador de 2.4 GHz con retorno de masa

Para mejorar el desempeño del amplificador de 2,4GHz, se propuso colocar una plancha de cobre comoretorno de masa, en reemplazo de la puesta a masa que la sujeción con tornillos al gabinete proveía. Con

22

Figura 7.10. Ganancia de amplificador de 900MHz a 1,9GHz

23

Figura 7.11. Ganancia de amplificador de 900MHz a2,4GHz

24

Figura 7.12. Ganancia de amplificador de 2,4GHz a 900MHz

25

Figura 7.13. Ganancia de amplificador de 2,4GHz a 1,9GHz

26

Figura 7.14. Ganancia de amplificador de 2,4GHz a 2,4GHz

27

Figura 7.15. Ganancia de cadena amplificadora a 900MHz

28

Figura 7.16. Ganancia de cadena amplificadora a 1,9GHz

29

esta modificación, en las figuras 7.17 y 7.18 se observa la mejora en la amplificación, de 13dB a la frecuenciade interés. Adicionalmente, la ganancia a lo largo de las tres bandas de interés se mantiene en torno a los10dB.

Figura 7.17. Ganancia de amplificador de 2,4GHz a 1,9GHz con retorno de masa

7.7. Generador de señales + Placa driver + VCO + Amplificador de 2.4GHz con retorno de masa

En la figura 7.19 se muestra la potencia de salida del prototipo en la banda de 2,4GHz.

7.8. Interferencia en bandas de GSM y LTE

En la figura 7.20 se observa la potencia en bandas de GSM y LTE transmitida por el dispositivo y captadapor una antena (de WiFi) a la entrada del analizador de espectro.

Cabe mencionar que esta medición es afectada por la atenuación de espacio libre.

7.9. Amplificador provisto por la Cátedra

Se evalua el desempeño de un amplificador provisto por la cátedra en la banda de 2,4GHz con el finde aumentar la potencia de salida del equipo en esta banda. El dispositivo y la medición de ganancia semuestran en las figuras 7.21 y 7.22 respectivamente.

30

Figura 7.18. Ganancia de amplificador de 2,4GHz a 2,4GHz con retorno de masa

31

Figura 7.19. Medición de espectro de salida para 2,4GHz en cadena completa

32

Figura 7.20. Medición de espectro interferente en bandas de GSM y LTE

33

Figura 7.21. Amplificador provisto por la cátedra

34

Figura 7.22. Ganancia del amplificador provisto por la cátedra

35

8. Implementación final

Figura 8.1. Amplificador de 2,4GHz con retorno de masa

36

Figura 8.2. Armado Final

Puede verse la multiplicidad de fuentes de alimentación necesarias para los distintos componentes queintegran el equipo.

37

9. Resultados

Conectando en cadena ambos amplificadores y conectando a su salida la antena de GSM para analizarla interferencia sobre la banda de 900MHz, se observó la ausencia de señal telefónica hasta una distancia de5 metros. Al conectar la antena de WiFi a la salida del amplificador de 2,4GHz, se observó la desconexiónde los dispositivos celulares próximos que utilizan este radio a una distancia de 3 m. Aquellos dispositivoscelulares que se encontraron conectados sobre la banda de 5 GHz no sufrieron desconexión alguna.

38

10. Discusión. Posibles mejoras

En primer lugar, se observa la diferencia abrupta entre el barrido mediante una señal rectangular y latriangular. Analizando los resultados obtenidos a partir del analizador de espectro, al aplicar la señal rec-tangular se observa la formación de un valle en las frecuencias intermedias, mientras que al aplicar unaseñal triangular, se obtiene respuesta cuasi constante en las bandas de interés. Ésto se estima se debe a quedurante la mayor parte del ciclo de modulación se sintoniza a las tensiones pico de la señal del tipo rectan-gular, a diferencia de la señal triangular en la que el tiempo medio a cada tensión de sintonía es mayormenteuniforme. Por ello, la distorsión por recorte observada a la salida de la placa driver afecta de manera directael desempeño del dispositivo. Para evitar esto, se podrían colocar diodos zener con un mayor nivel de dis-paro como primer posible mejora. Adicionalmente, se podría llevar la frecuencia mínima de barrido a unvalor superior sobre la respuesta del VCO de 2,4GHz modificando el circuito amplificador en baja frecuen-cia para evitar el desperdicio de potencia, como segunda posible mejora. En segundo lugar, se encontrarondificultades en la manufactura de los amplificadores de alta frecuencia, tales como la temperatura máximasoportada por los componentes (en especial, la bobina), razón por la cual sólo fue posible producir dos (2)de los tres (3) amplificadores planteados inicialmente. En tercer lugar se observa una diferencia abruptaen la respuesta del amplificador de 2,4GHz con la adición del plano de masa a base de planchuelas decobre, pero no marca grandes diferencias contra la respuesta en frecuencia obtenida sobre el amplificadorde 900MHz sobre esta frecuencia, donde la ganancia apenas supera el par de dB. Las planchuelas de cobretambién permiten que se disipe temperatura por sobre la carcasa del dispositivo. Como resultado, la res-puesta del amplificador de 2,4GHz es plana entre las frecuencias comprendidas desde 300kHz hasta 3GHz,razón por la cual fue posible su utilización para interferir en la banda de 1,9GHz. Finalmente, se podríamejorar también el retorno de masa del amplificador de 900MHz para mejorar su respuesta en frecuencia,para obtener unos decibeles por encima de la respuesta en frecuencia conseguida, similar a la respuestadel amplificador de 2,4GHz; como también evitar el uso de cables e implementar sistemas mecánicos deconexión entre los distintos dispositivos.

39

11. Conclusiones

Se observa una mejora en la respuesta del amplificador centrado en 2,4GHz debido al cambio del retornode masa (a base de planchuelas de cobre soldadas contra el amplificador), el cual a su vez actúa comodisipador. Se observa también un buen desempeño de este amplificador a frecuencias bajas, por lo que sepodran haber manufacturado tres (3) unidades con los mismos componentes. Se verifica interferencia deWiFi a una distancia de aproximadamente 4m, e interferfencia de las bandas GSM y LTE a una distancia deaproximadamente 1,5m, lo cual puede atribuirse a la ausencia de una antena adecuada para la banda de1,9GHz.

40

Bibliografía

[1] 3GPP. Evolved Universal Terrestrial Radio Access (E-UTRA); User Equipment (UE) radio transmission andreception. Technical Specification (TS) 36.101. 3rd Generation Partnership Project (3GPP).

[2] 3GPP. GSM/EDGE Radio transmission and reception. Technical Specification (TS) 45.005. 3rd GenerationPartnership Project (3GPP).

[3] 3GPP. User Equipment (UE) radio transmission and reception (FDD). Technical Specification (TS) 25.101.3rd Generation Partnership Project (3GPP).

[4] H.T. Friis. “A Note on a Simple Transmission Formula”. En: Proceedings of the IRE 34.5 (1946),págs. 254-256. DOI: 10.1109/jrproc.1946.234568.

[5] IEEE 802.11 Working Group. Information Technology - Telecommunications and Information Exchange Bet-ween Systems - Local and Metropolitan Area Networks - Specific Requirements Part 11: Wireless LAN MediumAccess Control (MAC) and Physical Layer (PHY) specifications. Standard. ISO/IEC - IEEE, 2003.

[6] IEEE ICES SCC 28 S4. IEEE Standard for Safety Levels with Respect to Human Exposure to Radio FrequencyElectromagnetic Fields, 3 kHz to 300 GHz. Standard. IEEE, 2005.

[7] Tektronix. Wi-Fi: Overview of the 802.11 Physical Layer and Transmitter Measurements. Inf. téc. Tektronix,2013, págs. 34-39.

41

http://dx.doi.org/10.1109/jrproc.1946.234568

12. Anexo 1. Automatización de barridocon generador Agilent N9310A

Se reproduce debajo el código Matlab utilizado para barrer el generador de señales en forma automática.

clcpause on;n9310 = visa('agilent', 'USB0::0x0957::0x2018::01152719::0::INSTR');fopen(n9310)get(n9310, 'status')%fprintf(n9310, '*CLS')fprintf(n9310, ':AMPLitude:CW 14 dBm')

figure('doublebuffer','on', ...'CurrentCharacter','a', ...'WindowStyle','modal')

t=text(.5,.5,datestr(now),'Hor','center');

while double(get(gcf,'CurrentCharacter'))~=27

fprintf(n9310, ':SWEep:RF:STOP 803 MHz')fprintf(n9310, ':SWEep:RF:STARt 758 MHz')fprintf(n9310, ':SWEep:RF:STARt?')%freq_start=fscanf(n9310)%fprintf(n9310, ':SWEep:RF:STARt 869 MHz')%fprintf(n9310, ':SWEep:RF:STOP?')%freq_sotp=fscanf(n9310)fprintf(n9310, ':SWEep:STEP:POINts 20')fprintf(n9310, ':SWEep:STEP:DWELl 1 ms')fprintf(n9310, ':SWEep:RF:STATe ON')pause(0.01*100);

fprintf(n9310, ':SWEep:RF:STOP 894 MHz')fprintf(n9310, ':SWEep:RF:STARt 869 MHz')pause(0.01*100);

fprintf(n9310, ':SWEep:RF:STOP 1990 MHz')fprintf(n9310, ':SWEep:RF:STARt 1930 MHz')fprintf(n9310, ':SWEep:RF:STATe ON')pause(0.01*100);

fprintf(n9310, ':SWEep:RF:STOP 2155 MHz')fprintf(n9310, ':SWEep:RF:STARt 2110 MHz')

42

pause(0.01*100);

fprintf(n9310, ':SWEep:RF:STOP 2500 MHz')fprintf(n9310, ':SWEep:RF:STARt 2400 MHz')fprintf(n9310, ':SWEep:RF:STATe ON')

pause(0.01*100);

end

fprintf(n9310, ':SWEep:RF:STATe OFF')fclose(n9310);get(n9310, 'status')delete(n9310)clear n9310set(t,'String','Finished');set(gcf,'WindowStyle','normal');

43

13. Anexo 2. Hojas de datos

Se incluyen debajo las hojas de datos de amplificador y VCOs.

44

ECG008B-G InGap HBT Gain Block

Data Sheet: Rev. D 12-04-15 - 1 of 8 - Disclaimer: Subject to change without notice

© 2015 TriQuint Semiconductor, Inc www.triquint.com / www.qorvo.com

Applications Wireless Infrastructure

CATV / SATV / MoCA

Point to Point

Defense & Aerospace

Test & Measurement Equipment

General Purpose Wireless

Product Features DC – 4 GHz

+24 dBm P1dB at 1 GHz

+40 dBm OIP3 at 1 GHz

15 dB Gain at 1 GHz

4.6 dB Noise Figure

Internally matched to 50 Ω

Lead-free / green / RoHS-Compliant SOT-89 Package

Functional Block Diagram

Pin Configuration Pin No. Label 1 RF IN

2 GND

3 RF OUT / VCC

Backside Paddle GND

ECG008B-G

SOT-89 Package Style

Ordering Information Part No. Description ECG008B-G InGaP HBT Gain Block

ECG008B-PCB 500 – 4000 MHz Evaluation Board

Standard T/R size = 1000 pieces on a 7” reel

General Description The ECG008B-G is a general-purpose buffer amplifier

that offers high dynamic range in a low-cost surface-

mount package. At 1000 MHz, the ECG008B-G typically

provides 15 dB of gain, +40 dBm Output IP3, and

+24 dBm P1dB.

The ECG008B-G consists of Darlington pair amplifiers

using the high reliability InGaP / GaAs HBT process

technology and only requires DC-blocking capacitors, a

bias resistor, and an inductive RF choke for operation.

The device is ideal for wireless applications and is

available in a lead-free/green/RoHS-compliant SOT-89

package. All devices are 100% RF and DC tested.

This broadband MMIC amplifier can be directly applied to

various current and next generation wireless

technologies. In addition, the ECG0038B-G will satisfy

general amplification requirements in the DC to 4 GHz

frequency range such as CATV and mobile wireless.

RF IN GND RF OUT / VCC

1 2 3

Backside Paddle - GND




Recommended Operating Conditions Parameter Min Typ Max Units TCASE −40 +85 °C

Junction Temperature +160 °C

Electrical specifications are measured at specified test conditions. Specifications are not guaranteed over all recommended operating conditions.

Absolute Maximum Ratings Parameter Rating Storage Temperature −65 to +150 °C

RF Input Power (Continuous) +15 dBm

Device Current 160 mA

Operation of this device outside the parameter ranges given above may cause permanent damage.

Electrical Specifications Test conditions unless otherwise noted: VSUPPLY = +9 V, RBIAS = 14 Ω, Temp.=+25 °C, 50 Ω System

Parameter Conditions Min Typ Max Units Operational Bandwidth DC 4000 MHz

Gain

Freq.=1000 MHz Pout=+2 dBm / Tone, Δf = 1 MHz

15 dB

Output P1dB +24 dBm

Output IP3 +40 dBm

Noise Figure 4.6 dB

Gain

Freq.=2000 MHz Pout=+2 dBm / Tone, Δf = 1 MHz

13 14.3 17.2 dB

Input Return Loss 25 dB

Output Return Loss 14 dB

Output P1dB +23 dBm

Output IP3 +34 +37 dBm

Noise Figure 4.8 dB

Device Voltage +6.8 +7.3 +7.8 V

Device Current 120 mA

Output mismatch w/o spurs 10:1 VSWR

Thermal Resistance 86 °C / W

Typical Device RF Performance (1) Test conditions unless otherwise noted: VSUPPLY = +9 V, ICC = 120 mA (typ.), RBIAS = 14 Ω, Temp.=+25 °C, 50 Ω System

Parameter Typical Units Frequency 100 500 900 1900 2140 2400 3500 5800 MHz

Gain 14.8 14.7 14.6 14.3 14.3 14.2 14.5 12.4 dB

Input Return Loss 25 26 28.5 28 25 23.2 15.4 6 dB

Output Return Loss 20 19 17 13 13 12 7.9 2.7 dB

Output P1dB +24.5 +24.3 +24 +23.2 +22.8 +21.8 +17.3 dBm

Output IP3 (2) +41.6 +41 +40 +37 +36 +34 dBm

Noise Figure 4.9 4.7 4.6 4.7 4.9 5.2 dB

Notes: 1. Gain and return loss values presented above, and in the plots of the following section, are measured at the device level.

Application specific performance values will differ in accordance with external components selected for the desired frequency band of operation. P1dB, OIP3 and NF data is measured using the application circuit shown on page 4.

2. Pout = +9 dBm / tone, 1 MHz tone spacing.




Typical RF Device Performance (1) Test conditions unless otherwise noted: VSUPPLY = +9 V, ICC = 120 mA (typ.), RBIAS = 14 Ω, 50 Ω System

Typical Device S-Parameters Test Conditions: VDEVICE= +7.3 V, ICC = 120 mA, Temp. =+25 °C, Calibrated to device leads

Freq (MHz) S11 (dB) S11 (ang) S21 (dB) S21 (ang) S12 (dB) S12 (ang) S22 (dB) S22 (ang)

50 −24.87 176.05 14.88 177.77 −18.94 −1.51 −20.41 −4.20

500 −26.14 167.68 14.71 161.26 −18.94 −5.99 −19.43 −39.76

1000 −28.46 166.94 14.60 142.99 −19.02 −11.44 −17.47 −72.27

1500 −30.86 −178.22 14.39 125.46 −18.94 −16.56 −15.40 −95.62

2000 −28.14 −144.76 14.30 108.38 −18.86 −21.00 −13.40 −116.18

2500 −23.15 −137.68 14.20 91.08 −18.64 −25.54 −11.63 −133.34

3000 −18.78 −150.37 14.30 74.41 −18.20 −29.98 −9.65 −151.20

3500 −15.39 −171.26 14.48 56.29 −17.52 −36.74 −7.83 −171.17

4000 −12.91 161.38 14.65 35.57 −16.85 −45.50 −6.06 165.56

4500 −10.59 132.87 14.51 13.60 −16.36 −56.53 −4.68 141.33

5000 −8.44 105.27 14.04 −8.75 −16.20 −68.74 −3.62 117.07

5500 −6.76 80.71 13.17 −31.25 −16.26 −81.52 −2.87 94.30

6000 −5.43 61.63 12.10 −50.89 −16.59 −93.75 −2.41 73.89

Notes: 1. Device S-parameters are available for download off of the website at: www.triquint.com

10

12

14

16

18

20

500 1000 1500 2000 2500 3000

Gain

(d

B)

Frequency (MHz)

Gain vs. Frequency

+85°C

+25°C

−40°C

-40

-35

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

0 1 2 3 4 5 6

|S11

|, |S

22| (d

B)

Frequency (GHz)

Return Loss vs. Frequency

|S22|

|S11|

Temp.=+25°C

0

20

40

60

80

100

120

140

0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0

I CC

(mA

)

VDE (V)

VDE vs. ICC

Temp.=+25°C

25

30

35

40

45

500 1000 1500 2000 2500 3000

Oup

ut

IP3

(dB

m)

Frequency (MHz)

OIP3 vs. Frequency

+85°C

+25°C

−40°C

10

15

20

25

30

500 1000 1500 2000 2500 3000

P1dB

(dB

m)

Frequency (MHz)

P1dB vs. Frequency

+85°C

+25°C

−40°C

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

500 1000 1500 2000

NF

(d

B)

Frequency (MHz)

Noise Figure vs. Frequency

Temp.=+25°C




ECG008B-PCB Evaluation Board

Notes: 1. See Evaluation Board PCB Information section for material and stack-up.

Bill of Material: ECG008B-PCB Ref. Des. Value Description U1 n/a ECG008B-G

L1 39 nH Wirewound Inductor, 0603

C1, C2 56 pF Chip Capacitor, 0603

C3 0.018 F Chip Capacitor, 0603

C4 Do Not Place

R1 18 Ω Chip Resistor, 0603

R2 4.7 Ω Chip Resistor, 0603

R3 14 Ω 1% Tolerance, 2010

RBIAS Values for Various VSUPPLY VSUPPLY (VCC) 9 10 12

R3 (Ω) 14 23 39

Component Size 2010 2512 2512

Component Values for Specific Frequencies Frequency (MHz) 50 500 900 1900 2200 2500 3500

L1 820 nH 220 nH 68 nH 27 nH 22 nH 18 nH 15 nH

C1, C2, C3 .018 uF 1000 pF 100 pF 68 pF 68 pF 56 pF 39 pF

Notes: 1. R1 and R2 are shown in the circuit diagram to avoid potential instabilities. The configuration shown above assures unconditional stability. It is

expected linearity parameters (OIP3 and P1dB) to degrade about 0.5 dB, while overall gain will be about 2 dB less than the performance shown on page 2 and 3. Input and output return loss is expected to improve with the use of the I/O series resistances at 2 GHz.

J1 J2

Q1

C1 R1 R2 C2

C3

J4

J3

L1

R3

U1J2

RFOutput

J4 GND

J3Vsupply

1

2, BacksidePaddle

3J1

RFInput

L1 RF

ChokeC2

DC BlockingCapacitor

C1

DC BlockingCapacitor

C3

0.018 uF

C4

Bypass Capacitor

R2

4.7

R1

18

R3

BiasResistor

Notes

A. Performance and quality attributes and conditions not expressly stated in this specification document are intended to be excluded and do not form a part of this specification document. B. Electrical specifications and performance data contained in this specification document are based on Mini-Circuit’s applicable established test performance criteria and measurement instructions. C. The parts covered by this specification document are subject to Mini-Circuits standard limited warranty and terms and conditions (collectively, “Standard Terms”); Purchasers of this part are entitled to the rights and benefits contained therein. For a full statement of the Standard Terms and the exclusive rights and remedies thereunder, please visit Mini-Circuits’ website at www.minicircuits.com/MCLStore/terms.jsp

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www.minicircuits.com P.O. Box 350166, Brooklyn, NY 11235-0003 (718) 934-4500 [email protected]

Maximum Ratings

Operating Temperature -55°C to 85°C

Storage Temperature -55°C to 100°C

Absolute Max. Supply Voltage (Vcc) 6V

Absolute Max. Tuning Voltage (Vtune) 22V

All speciications 50 ohm system

Electrical Speciications

Coaxial

Voltage Controlled OscillatorWide Band 400 to 1300 MHz

• very wide band frequency

• linear tuning characteristics• low phase noise• low pushing• protected by US patent 6,790,049

Features

• r & d

• lab

• instrumentation

• wireless communications

• industrial communications

• test equipment

Applications

ZX95-1300+

CASE STYLE: GB956

Connectors Model

SMA ZX95-1300-S+

REV. A

M152815

EDR-11366

ZX95-1300+

RAV

150909

Page 1 of 2

MODEL FREQ. POWER PHASE NOISE TUNING NON HARMONICS PULLING PUSHING DC

NO. (MHz) OUTPUT dBc/Hz SSB at offset HARMONIC (dBc) pk-pk (MHz/V) OPERATING(dBm) frequencies,kHz VOLTAGE SENSI- PORT 3 dB SPURIOUS @12 dBr POWER

RANGE TIVITY CAP MODULATION (dBc) (MHz)

Typ. (V) (MHz/V) (pF) BANDWIDTH Vcc Current(MHz) (volts) (mA)

Min. Max. Typ. 1 10 100 1000 Min. Max. Typ. Typ. Typ. Typ. Typ. Max. Typ. Typ. Max.

ZX95-1300+ 400 1300 +8 -70 -95 -120 -141 0.3 20 25-65 120 30 -90 -11 - 3.5 3 5 42

Permanent damage may occur if any of these limits are exceeded.

Outline Drawing

Outline Dimensions ( )inchmm

A B C D E F G H J K L M N P Q R S T wt.

1.20 .75 .46 1.18 .04 .38 .38 .57 .18 .33 .21 .22 .18 1.00 .50 .35 .18 .106 grams

30.48 19.05 11.68 29.97 1.02 9.65 9.65 14.48 4.57 8.38 5.33 5.59 4.57 25.40 12.70 8.89 4.57 2.69 35.0

+RoHS CompliantThe +Suffix identifies RoHS Compliance. See our web site

for RoHS Compliance methodologies and qualifications

NOTE: When soldering the DC connections, caution must be used to avoid overheating the DC terminals. See Application Note AN-40-10 .!

Notes

A. Performance and quality attributes and conditions not expressly stated in this specification document are intended to be excluded and do not form a part of this specification document. B. Electrical specifications and performance data contained in this specification document are based on Mini-Circuit’s applicable established test performance criteria and measurement instructions. C. The parts covered by this specification document are subject to Mini-Circuits standard limited warranty and terms and conditions (collectively, “Standard Terms”); Purchasers of this part are entitled to the rights and benefits contained therein. For a full statement of the Standard Terms and the exclusive rights and remedies thereunder, please visit Mini-Circuits’ website at www.minicircuits.com/MCLStore/terms.jsp

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Performance Data & Curves*

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*at 25oC unless mentioned otherwise

ZX95-1300+

50

60

70

1050

1300

1550

y (

MH

z)

ZX95-1300+Frequency and Tuning Sensitivity

20

30

40

300

550

800

0 4 8 12 16 20

Fre

qu

en

cy

T i V lt (V)

FREQ. @ -55°C

FREQ. @ +25°C

FREQ. @ +85°C

T.SENS @ +25°C

Tuning Voltage (V)

8

9

10

we

r (d

Bm

)

ZX95-1300+Power Output

-55°C

+25°C

+85°C

5

6

7

0 4 8 12 16 20

Outp

ut P

ow

T i V lt (V)Tuning Voltage (V)

2.3

2.9

3.5

6

8

10

MH

z)

(MH

z/V

)

ZX95-1300+Frequency Pulling & Pushing (Vcc ± 5%)

Pulling

Pushing

0.5

1.1

1.7

0

2

4

0 4 8 12 16 20

Pu

llin

g (

M

Pu

sh

ing

(

Tuning Voltage (V)Tuning Voltage (V)

-90

-70

-50

(dB

c/H

z)

ZX95-1300+Phase Noise Vs. Tuning Voltage

1kHz 10kHz 100kHz 1MHz

-150

-130

-110

0 4 8 12 16 20

Ph

ase

No

ise


-20

-10

0

(dB

c)

ZX95-1300+Harmonics Level

F2 F3 F4

-50

-40

-30

0 4 8 12 16 20

Ha

rmo

nic

s


-100

-90

-80

-70

(dB

c/H

z)

ZX95-1300+Phase Noise

-150

-140

-130

-120

-110

1 10 100 1000

Ph

ase

No

ise

F Off (kH )Frequency Offset (kHz)

V TUNE FREQUENCY POWER OUTPUT Icc HARMONICS (dBc) FREQ. FREQ. PHASE NOISE (dBc/Hz) FREQ PHASE

TUNE SENS (MHz) (dBm) (mA) PUSH PULL at offsets OFFSET NOISE at(MHz/V) (MHz/V) (MHz) (kHz) 850 MHz

-55°C +25°C +85°C -55°C +25°C +85°C F2 F3 F4 1kHz 10kHz 100kHz 1MHz (dBc/Hz)

0.00 63.57 354.3 347.6 337.7 9.47 7.43 5.58 34.27 -9.0 -17.2 -25.6 2.98 0.81 -70.31 -93.2 -119.1 -141.2 1.0 -74.080.30 59.68 374.3 366.7 357.5 9.55 8.00 6.25 34.19 -9.1 -16.7 -23.7 3.13 1.02 -70.09 -93.1 -118.6 -140.4 2.5 -85.492.00 46.89 472.0 461.8 454.6 9.66 9.46 8.20 34.13 -9.8 -15.6 -19.4 2.07 4.23 -71.65 -95.8 -120.3 -140.9 4.2 -90.813.00 45.43 519.8 508.7 501.3 9.38 9.24 7.96 34.25 -10.4 -16.0 -21.5 1.86 4.51 -72.21 -96.1 -120.1 -140.7 7.3 -96.474.00 46.07 565.7 554.1 546.8 9.17 9.04 7.84 34.39 -10.7 -16.1 -24.5 1.81 1.24 -73.65 -96.5 -120.0 -140.7 10.0 -99.68

5.00 49.34 612.8 600.2 592.7 8.90 8.78 7.64 34.50 -11.2 -16.8 -29.1 1.79 3.75 -73.57 -96.9 -120.1 -140.7 12.0 -101.646.00 53.58 662.7 649.5 641.6 8.65 8.50 7.59 34.66 -11.1 -18.0 -29.7 1.63 5.25 -73.57 -97.5 -121.1 -141.7 23.6 -108.417.00 58.48 717.3 703.1 694.4 8.37 8.25 7.57 34.82 -10.5 -20.2 -26.1 1.36 3.56 -74.90 -98.4 -121.6 -142.2 39.5 -113.698.00 62.94 775.9 761.6 752.6 8.15 8.03 7.49 35.00 -10.1 -23.8 -24.4 1.15 3.43 -73.96 -99.0 -122.5 -143.1 65.2 -118.859.00 64.76 839.5 824.5 814.9 7.90 7.84 7.39 35.08 -9.7 -29.0 -23.2 1.16 2.66 -73.99 -99.7 -123.0 -143.6 100.0 -123.15

10.00 64.67 904.9 889.3 879.2 7.72 7.70 7.29 35.12 -9.1 -31.5 -22.6 1.32 2.66 -74.25 -99.3 -123.1 -143.6 109.3 -124.1712.00 57.31 1031.6 1015.6 1005.7 7.54 7.43 6.92 34.72 -8.9 -34.0 -22.4 2.50 3.14 -72.83 -98.7 -123.1 -143.8 153.5 -127.2513.00 50.94 1088.6 1073.0 1063.5 7.54 7.32 6.70 34.49 -9.2 -36.2 -22.3 2.83 3.23 -73.57 -98.6 -123.1 -144.0 180.2 -128.7814.00 45.07 1140.3 1123.9 1114.7 7.53 7.24 6.47 34.25 -9.8 -40.2 -23.4 2.85 3.22 -73.23 -98.2 -122.8 -143.7 215.4 -130.4415.00 39.74 1185.1 1169.0 1160.4 7.51 7.09 6.18 34.12 -10.6 -37.4 -24.1 2.58 3.43 -71.75 -97.8 -122.5 -143.6 302.4 -133.34

16.00 35.29 1225.2 1208.7 1200.4 7.49 6.98 5.92 34.03 -11.3 -35.9 -25.3 2.35 2.66 -71.87 -97.7 -122.3 -143.3 355.1 -134.8417.00 31.49 1260.3 1244.0 1236.1 7.42 6.83 5.74 34.01 -11.9 -33.4 -25.6 2.15 3.69 -71.15 -97.8 -122.2 -143.2 498.5 -137.7918.00 28.41 1292.1 1275.5 1267.5 7.35 6.71 5.62 34.01 -12.8 -31.0 -26.2 2.06 2.04 -72.71 -97.9 -122.1 -143.1 595.9 -139.3619.00 24.92 1320.5 1303.9 1295.7 7.27 6.65 5.60 34.05 -13.6 -28.6 -26.5 2.05 3.54 -70.71 -97.4 -121.9 -142.9 982.3 -143.6020.00 22.09 1345.7 1328.8 1320.5 7.25 6.60 5.59 34.08 -14.4 -27.0 -27.0 2.06 4.05 -71.44 -97.4 -121.7 -142.6 1000.0 -143.76


NotesA. Performance and quality attributes and conditions not expressly stated in this specification document are intended to be excluded and do not form a part of this specification document. B. Electrical specifications and performance data contained in this specification document are based on Mini-Circuit’s applicable established test performance criteria and measurement instructions. C. The parts covered by this specification document are subject to Mini-Circuits standard limited warranty and terms and conditions (collectively, “Standard Terms”); Purchasers of this part are entitled to the rights and benefits contained therein. For a full statement of the Standard Terms and the exclusive rights and remedies thereunder, please visit Mini-Circuits’ website at www.minicircuits.com/MCLStore/terms.jsp

Mini-Circuits®


Maximum RatingsOperating Temperature -55°C to 85°CStorage Temperature -55°C to 100°CAbsolute Max. Supply Voltage (Vcc) 7VAbsolute Max. Tuning Voltage (Vtune) 22VAll specifications 50 ohm system

REV. BM152326EDR-8997F2ZX95-2360W+RAV150923Page 1 of 2

Electrical Specifications

Coaxial

Voltage Controlled Oscillator ZX95-2360W+

CASE STYLE: GB956

Connectors Model

SMA ZX95-2360W-S+

Wide Band 1430 to 2360 MHz

• r & d• lab• instrumentation• wireless communications• signal analyzer

Applications

• wide band frequency range• low phase noise• low pushing• protected by US patent 6,790,049

Features

MODEL FREQ. POWER PHASE NOISE TUNING NON HARMONICS PULLING PUSHING DC

NO. (MHz) OUTPUT dBc/Hz SSB at offset HARMONIC (dBc) pk-pk (MHz/V) OPERATING(dBm) frequencies,kHz VOLTAGE SENSI- PORT 3 dB SPURIOUS @12 dBr POWER

RANGE TIVITY CAP MODULATION (dBc) (MHz)Typ. (V) (MHz/V) (pF) BANDWIDTH Vcc Current

(MHz) (volts) (mA)


ZX95-2360W+ 1430 2360 +8.5 -73 -100 -122 -142 0.5 20 51-70 65 95 -90 -20 -10 7 0.5 5 35

Outline Drawing


A B C D E F G H J K L M N P Q R S T wt.1.20 .75 .46 1.18 .04 .38 .38 .57 .18 .33 .21 .22 .18 1.00 .50 .35 .18 .106 grams

30.48 19.05 11.68 29.97 1.02 9.65 9.65 14.48 4.57 8.38 5.33 5.59 4.57 25.40 12.70 8.89 4.57 2.69 35.0

+RoHS CompliantThe +Suffix identifies RoHS Compliance. See our web site for RoHS Compliance methodologies and qualifications

http://www.minicircuits.com/app/AN40-010.pdfhttp://www.minicircuits.com/app/AN40-010.pdfhttp://www.minicircuits.com/app/AN40-010.pdf



Mini-Circuits®



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ZX95-2360W+

ZX95-2360W+Power Output

5

6

7

8

9

10

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20Tuning Voltage (V)

Out

put P

ower

(dB

m)

-55°C+25°C+85°C

ZX95-2360W+Frequency Pulling & Pushing (Vcc ± 5%)

0

2

4

6

8

10

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20Tuning Voltage (V)

Pus

hing

(M

Hz/

V)

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

Pul

ling

(MH

z)

PullingPushing

ZX95-2360W+Phase Noise Vs. Tuning Voltage

-150

-140

-130

-120

-110

-100

-90

-80

-70

-60

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20Tuning Voltage (V)

Pha

se N

oise

(dB

c/H

z)

1KHz 10KHz 100KHz 1MHz

ZX95-2360W+Harmonics Level

-50

-45

-40

-35

-30

-25

-20

-15

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20Tuning Voltage (V)

Har

mon

ics

(dB

c)

F2 F3 F4

ZX95-2360W+Phase Noise

-150

-140

-130

-120

-110

-100

-90

-80

-70

-60

1 10 100 1000Frequency Offset (KHz)

Pha

se N

oise

(dB

c/H

z)

ZX95-2360W+Frequency and Tuning Sensitivity

1200

1400

1600

1800

2000

2200

2400

2600

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20Tuning Voltage (V)

Fre

quen

cy (

MH

z)

0

20

40

60

80

100

120

140

Tun

ing

Sen

sitiv

ity (

MH

z/V

)

FREQ. @ -55°CFREQ. @ +25°CFREQ. @ +85°CT.SENS @ +25°C

V TUNE FREQUENCY POWER OUTPUT Icc HARMONICS (dBc) FREQ. FREQ. PHASE NOISE (dBc/Hz) FREQ PHASETUNE SENS (MHz) (dBm) (mA) PUSH PULL at offsets OFFSET NOISE at

(MHz/V) (MHz/V) (MHz) (KHz) 1895 MHz-55°C +25°C +85°C -55°C +25°C +85°C F2 F3 F4 1kHz 10kHz 100kHz 1MHz (dBc/Hz)

0.00 85.09 1274.1 1263.2 1257.1 7.99 8.59 8.64 27.15 -23.6 -21.6 -41.4 0.06 3.19 -73.4 -99.7 -120.6 -140.7 1.0 -73.470.50 79.69 1317.1 1305.7 1299.2 8.24 8.81 8.84 27.41 -22.2 -22.3 -41.1 0.16 2.99 -73.1 -101.2 -122.8 -142.7 2.0 -82.342.00 70.73 1435.7 1422.5 1414.4 8.80 9.31 9.29 27.98 -19.3 -27.1 -41.7 0.37 3.91 -74.0 -101.8 -122.9 -143.0 3.5 -89.213.00 69.82 1507.8 1493.3 1484.3 9.01 9.50 9.44 28.17 -18.8 -35.3 -38.7 0.44 4.56 -72.8 -100.8 -122.9 -142.8 6.0 -94.974.00 69.64 1578.1 1563.1 1553.7 9.16 9.62 9.53 28.30 -18.9 -32.3 -32.1 0.40 4.66 -73.1 -100.7 -122.4 -142.8 8.5 -98.62

5.00 68.62 1648.0 1632.7 1623.4 9.17 9.56 9.44 28.33 -18.5 -30.4 -31.5 0.35 8.13 -74.6 -100.2 -122.1 -142.5 10.0 -100.186.00 67.89 1717.1 1701.3 1692.0 9.08 9.48 9.34 28.25 -18.6 -31.3 -32.2 0.29 6.07 -74.3 -100.7 -121.8 -142.4 20.8 -107.817.00 67.85 1784.6 1769.2 1760.3 8.99 9.36 9.22 28.19 -18.9 -31.6 -32.8 0.18 7.05 -73.9 -99.2 -121.9 -142.3 35.5 -112.868.00 66.91 1852.0 1837.1 1828.5 8.83 9.14 8.99 28.13 -18.6 -31.9 -32.8 0.16 8.18 -74.0 -100.1 -122.4 -142.5 60.7 -117.639.00 66.29 1918.8 1904.0 1895.3 8.61 8.97 8.84 27.98 -18.7 -33.5 -32.5 0.12 7.60 -74.0 -99.6 -122.2 -142.8 86.7 -120.98

10.00 66.44 1984.6 1970.3 1962.1 8.41 8.79 8.66 27.93 -19.9 -32.9 -32.7 0.02 8.73 -73.0 -100.8 -122.3 -142.9 100.0 -122.2311.00 65.09 2050.6 2036.7 2028.7 8.19 8.58 8.48 27.87 -20.3 -28.0 -34.2 0.17 7.62 -73.1 -100.0 -122.2 -142.8 148.1 -125.7012.00 63.47 2115.9 2101.8 2093.7 7.90 8.39 8.33 27.74 -21.9 -22.2 -37.7 0.37 7.80 -72.8 -99.5 -121.8 -142.3 177.0 -127.2613.00 62.31 2179.2 2165.3 2157.4 7.55 8.12 8.07 27.69 -24.8 -20.4 -42.7 0.66 9.08 -72.6 -99.5 -121.4 -141.7 211.6 -128.8814.00 58.95 2241.1 2227.6 2219.6 7.31 7.87 7.83 27.65 -30.3 -21.0 -40.1 0.89 8.26 -71.1 -99.3 -121.1 -141.8 302.4 -132.01

15.00 56.79 2300.0 2286.5 2278.7 7.03 7.58 7.57 27.58 -31.7 -21.5 -37.6 1.10 6.63 -71.1 -98.8 -120.8 -141.6 361.5 -133.5516.00 52.08 2356.0 2343.3 2335.6 6.88 7.41 7.33 27.58 -28.5 -20.3 -36.8 1.23 4.09 -71.3 -99.0 -121.3 -142.2 507.5 -136.6117.00 48.73 2408.8 2395.4 2387.6 6.55 7.07 7.08 27.46 -26.8 -21.6 -38.3 1.48 7.05 -71.3 -100.1 -121.3 -142.0 606.7 -138.1918.00 43.12 2456.6 2444.1 2436.7 6.43 7.05 7.01 27.54 -25.5 -22.0 -39.7 1.77 7.83 -72.3 -98.9 -121.2 -141.9 851.6 -141.1920.00 31.06 2538.4 2525.6 2517.8 6.01 6.54 6.50 27.49 -27.0 -21.2 -38.2 2.48 8.04 -70.5 -98.9 -121.2 -141.3 1000.0 -142.65


Mini-Circuits®


Maximum RatingsOperating Temperature -55°C to 85°CStorage Temperature -55°C to 100°CAbsolute Max. Supply Voltage (Vcc) 7VAbsolute Max. Tuning Voltage (Vtune) 15VAll specifications 50 ohm system

REV. AM152326EDR-6673ZX95-2755+RAV150923Page 1 of 2

Electrical Specifications

Coaxial

Voltage Controlled OscillatorLinear Tuning 2300 to 2755 MHz

• linear tuning characteristics• low pushing• protected by US patent 6,790,049

Features

• r & d• lab• instrumentation• wireless communications• CATV

Applications

ZX95-2755+

CASE STYLE: GB956

Connectors Model

SMA ZX95-2755-S+

MODEL FREQ. POWER PHASE NOISE TUNING NON HARMONICS PULLING PUSHING DC NO. (MHz) OUTPUT dBc/Hz SSB at offset HARMONIC (dBc) pk-pk (MHz/V) OPERATING

(dBm) frequencies,kHz VOLTAGE SENSI- PORT 3 dB SPURIOUS @12 dBr POWERRANGE TIVITY CAP MODULATION (dBc) (MHz)

Typ. (V) (MHz/V) (pF) BANDWIDTH Vcc Current(MHz) (volts) (mA)


ZX95-2755+ 2300 2755 +8 -74 -100 -120 -140 0.5 13 40-55 20 600 -90 -17 -10 9 1.5 5 30


Outline Drawing


A B C D E F G H J K L M N P Q R S T wt.1.20 .75 .46 1.18 .04 .38 .38 .57 .18 .33 .21 .22 .18 1.00 .50 .35 .18 .106 grams

30.48 19.05 11.68 29.97 1.02 9.65 9.65 14.48 4.57 8.38 5.33 5.59 4.57 25.40 12.70 8.89 4.57 2.69 35.0

+RoHS CompliantThe +Suffix identifies RoHS Compliance. See our web site for RoHS Compliance methodologies and qualifications

http://www.minicircuits.com/app/AN40-010.pdfhttp://www.minicircuits.com/app/AN40-010.pdfhttp://www.minicircuits.com/app/AN40-010.pdf



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ZX95-2755+

ZX95-2755+Frequency and Tuning Sensitivity

2150

2250

2350

2450

2550

2650

2750

2850

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13Tuning Voltage (V)

Fre

quen

cy (

MH

z)

30

40

50

60

70

80

90

100

Tun

ing

Sen

sitiv

ity (

MH

z/V

)

FREQ. @ -55°CFREQ. @ +25°CFREQ. @ +85°CT.SENS @ +25°C

ZX95-2755+Power Output

6.5

7.0

7.5

8.0

8.5

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13Tuning Voltage (V)

Out

put P

ower

(dB

m)

-55°C+25°C+85°C

ZX95-2755+Frequency Pulling & Pushing (Vcc ± 5%)

0

3

6

9

12

15

18

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13Tuning Voltage (V)

Pus

hing

(M

Hz/

V)

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

Pul

ling

(MH

z)

Pulling

Pushing

ZX95-2755+Phase Noise Vs. Tuning Voltage

-150

-140

-130

-120

-110

-100

-90

-80

-70

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13Tuning Voltage (V)

Pha

se N

oise

(dB

c/H

z)

1KHz 10KHz 100KHz 1MHz

ZX95-2755+Harmonics Level

-50

-40

-30

-20

-10

0

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13Tuning Voltage (V)

Har

mon

ics

(dB

c)

F2 F3 F4

ZX95-2755+Phase Noise

-150

-140

-130

-120

-110

-100

-90

-80

-70

1 10 100 1000Frequency Offset (KHz)

Pha

se N

oise

(dB

c/H

z)

V TUNE FREQUENCY POWER OUTPUT Icc HARMONICS (dBc) FREQ. FREQ. PHASE NOISE (dBc/Hz) FREQ PHASETUNE SENS (MHz) (dBm) (mA) PUSH PULL at offsets OFFSET NOISE at

(MHz/V) (MHz/V) (MHz) (KHz) 2530 MHz-55°C +25°C +85°C -55°C +25°C +85°C F2 F3 F4 1kHz 10kHz 100kHz 1MHz (dBc/Hz)

0.00 92.23 2219.7 2197.6 2177.6 7.90 7.85 7.28 23.08 -17.6 -25.2 -43.7 1.49 7.10 -72.0 -96.9 -120.0 -136.8 1.0 -74.450.50 71.17 2262.9 2243.7 2225.5 8.05 8.17 7.37 23.24 -17.0 -26.6 -43.0 0.13 9.15 -73.9 -99.0 -121.0 -139.0 2.0 -82.751.00 62.96 2298.3 2279.3 2262.9 8.08 8.22 7.71 23.25 -17.0 -26.4 -42.0 0.37 6.86 -74.2 -98.1 -120.2 -138.4 3.4 -90.001.50 57.55 2329.8 2310.8 2295.1 8.02 8.24 7.79 23.28 -16.7 -27.7 -41.3 0.63 10.88 -73.6 -98.9 -120.9 -140.1 5.7 -93.562.00 53.15 2357.2 2339.6 2324.3 7.94 8.29 7.77 23.37 -16.5 -27.8 -40.2 0.72 6.64 -75.5 -99.2 -121.6 -141.0 8.1 -97.20

2.50 48.91 2383.5 2366.1 2350.7 7.90 8.25 7.84 23.43 -17.2 -29.1 -41.5 0.86 6.75 -74.8 -99.5 -121.4 -141.3 10.0 -98.133.00 48.10 2408.5 2390.6 2375.9 7.81 8.19 7.86 23.45 -16.9 -29.6 -38.7 0.96 10.49 -75.2 -99.2 -121.3 -140.5 19.6 -105.853.50 46.66 2432.1 2414.7 2399.8 7.74 8.11 7.79 23.47 -17.0 -30.4 -37.5 1.02 9.34 -75.0 -99.4 -121.4 -141.8 33.3 -111.244.00 44.95 2455.5 2438.0 2423.0 7.89 8.07 7.74 23.49 -17.8 -31.6 -38.9 1.16 5.79 -74.5 -99.0 -119.8 -141.2 57.2 -115.715.00 42.18 2499.1 2482.2 2467.5 8.00 8.22 7.83 23.60 -18.1 -32.5 -37.2 1.27 11.57 -75.3 -100.2 -121.2 -140.2 81.8 -119.29

5.50 42.60 2520.4 2503.3 2489.0 7.98 8.27 7.86 23.63 -18.6 -33.8 -38.8 1.31 9.14 -75.9 -99.1 -121.2 -142.4 100.0 -120.616.00 42.80 2541.7 2524.6 2509.8 7.91 8.24 7.90 23.62 -18.5 -34.9 -39.0 1.47 5.29 -74.7 -99.7 -120.8 -140.2 139.3 -123.436.50 43.20 2563.4 2546.0 2531.2 7.91 8.12 7.83 23.64 -18.7 -34.8 -39.0 1.59 7.82 -75.1 -99.7 -119.4 -140.8 167.3 -124.457.00 40.91 2583.7 2567.6 2552.5 7.87 8.15 7.73 23.70 -18.6 -35.1 -40.7 1.67 12.03 -74.5 -99.3 -121.5 -139.6 199.2 -126.648.00 41.64 2624.9 2608.6 2593.9 7.59 8.06 7.74 23.77 -18.0 -35.7 -41.7 1.83 6.89 -74.7 -99.8 -120.8 -140.8 284.8 -128.52

9.00 42.98 2668.1 2651.5 2635.7 7.41 7.81 7.53 23.78 -17.8 -36.1 -45.0 2.20 13.04 -73.9 -98.8 -119.9 -140.1 342.1 -131.1210.00 42.19 2710.0 2693.9 2678.8 7.13 7.71 7.44 23.91 -16.9 -35.1 -45.8 2.27 4.31 -74.9 -99.9 -120.4 -140.2 489.1 -134.2311.00 45.51 2754.4 2736.7 2720.8 6.80 7.38 7.23 23.91 -16.3 -35.5 -45.9 2.53 11.10 -73.5 -98.8 -120.3 -139.4 600.0 -136.2012.00 44.25 2799.1 2781.5 2765.2 6.84 7.29 7.05 23.98 -16.0 -36.1 -44.9 2.62 6.29 -72.9 -99.3 -120.4 -138.8 832.6 -138.4313.00 43.40 2843.1 2824.6 2808.4 6.61 7.25 7.09 24.04 -15.7 -36.2 -40.2 2.51 15.94 -73.2 -98.3 -119.4 -138.8 1000.0 -140.63

Jammer tri-banda · Para facilitar la valoración y comparación de diferentes tipos de señales, se utiliza el generador de seña-les Agilent N9310A, fácilmente programable. El

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