FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICALABORATORIO DE
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
ESCUELA POLITCNICA NACIONALFACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y
ELECTRNICALABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
INFORME
Prctica #: 11 Tema: Transistor de Efecto de Campo.
Realizado por:
GR1-S1 Alumno(s): -Angel Ricardo Torres Cuenca. Grupo: -Vctor
Hugo Tibanlombo Timbila. -David Gastn Guamn Caiza.
Fecha de entrega: 02/02/2015 f.______________________Sancin:
_______________________________________________________
Semestre: 2014-BLABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOSPRCTICA
N11
Tema: Transistor de Efecto de Campo.Objetivo General: -Analizar
e implementar un circuito de polarizacin para JFET. -Analizar e
implementar un amplificador en JFET
INFORME
1. Tabular un cuadro en el cual consten los valores medidos, los
tericos del preparatorio y calcular el error, justificar su
respuesta.
CIRCUITO POLARIZACION:VALOR TEORICOVALOR MEDIDOERROR
CALCULADO
VG2.29 V2.23 v2.62%
VS2.4 V2.3 v4.16%
VD10.6 V10.8v1.88%
VDS8.2 V8.5 V3.65%
VGS-0.11 V-0.07 V36.36%
ID2 mA1.96 mA2%
Calculo de los valores tericos:Circuito de polarizacin Total
Vp=-1.05VVGS=VG-VS
JUSTIFICACION DE ERRORES:Debido a los valores de tolerancia que
presenta cada resistencia, los valores de las mismas varan.Debido a
que los valores de voltaje de corte y la corriente de saturacin
fueron clculos al inicio de la prctica y estos varan respecto a los
valores que d el fabricante.
2. Realizar los clculos necesarios para determinar la ganancia
de voltaje, compararla con el valor terico y calcular los
errores.
a) Valor terico
b) Valor prctico
3)Graficar en hojas de papel milimetrado las seales observadas
en el osciloscopio
CONCLUSIONESPor Angel Ricardo Torres: Se puede medir el valor de
Idss y Vp de un JFET. El valor de Idss se produce cuando el voltaje
compuerta - fuente Vgs posee un valor de cero, mientras el Vp se
produce cuando la corriente de drenaje Id posee un valor de cero.
Se logran estas condiciones polarizando al JFET mediante dos
fuentes y variando los valores de ests. Un amplificador en drenaje
comn, es el equivalente a un amplificador en emisor comn, por tanto
posee las caractersticas de esta configuracin, sin embargo la
amplificacin de un JFET es inferior a la amplificacin de un TBJ. En
un JFET no existe perdida de corriente, la corriente que circula
por el drenaje es la misma que la que circula por la fuente, y esta
corriente depende del valor de voltaje con que se polarice la
compuerta. El voltaje entre la compuerta y fuente Vgs debe ser
menor a cero para que el JFET funcione correctamente.
Por David Guamn: Debido que el transistor usado en la prctica no
era el adecuado, se procedi a calcular los parmetros tanto de
voltaje de corte y corriente de saturacin, como el transistor usado
en la prctica era canal n el voltaje de corte era negativo. Una de
las formas de verificar que el transistor canal n este funcionando,
era verificando que el voltaje entre compuerta y fuente sea
negativa. Se verifico que existe un desfase de 180 entre el voltaje
de entrada y el voltaje de salida en un circuito amplificador en
fuente comn de manera similar como en un amplificador emisor comn.
El comportamiento de un FET en AC, es que la resistencia que
presenta en la compuerta es extremadamente grande por tal motivo no
existe corriente atreves de la compuerta y se concluye que la
corriente de fuente es igual a la corriente de drenaje.
Por Victor Timbalombo: Se pudo constatar mediante las grficas en
el osciloscopio que un fet se le puede usar como amplificador de
voltaje. Mediante la prctica se pudo constatar que esta
configuracin de fet el cual es en fuente comn es homologo al TBJ en
emisor comn en el anlisis de ac ya que existe un desfase de la seal
de salida con respecto al de entrada. En los errores obtenidos en
la prctica se justifica mediante la tolerancia de los valores de
las resistencias as como la diferencia entre el IDSS y VGSoff usado
tericamente y el medido prcticamente. El transistor de efecto de
campo se basa en la presencia y no presencia de un campo elctrico
por lo que se debe manejar cuidadosamente sin tocar sus terminales
ya que este es sensible a la esttica pudindose daar.
REFERENCIAS
Apuntes de clase, Dispositivos Electrnicos, Ing. Jorge
Rivadeneira. Dispositivos Electrnicos, Thomas L. Floyd, 8va edicin,
Editorial Pearson, Captulo 6.