Halbleiter-Elektronik Eine aktuelle Buchreihe fiir Studierende und Ingenieure Halbleiter-Bauelemente beherrschen heute einen großen Teil der Elektrotech- nik. Dies äußert sich einerseits in der großen Vielfalt neuartiger Bauelemente und andererseits in den enormen Zuwachsraten der Herstellungsstückzahlen. Ihre besonderen physikalischen und funktionellen Eigenschaften haben komple- xe elektronische Systeme z. B. in der Datenverarbeitung und der Nachrichten- technik ermöglicht. Dieser Fortschritt konnte nur durch das Zusammenwirken physikalischer Grundlagenforschung und elektrotechnischer Entwicklung er- reicht werden. Um mit dieser Vielfalt erfolgreich arbeiten zu können und auch zukünftigen Anforderungen gewachsen zu sein, muß nicht nur der Entwickler von Bauele- menten, sondern auch der Schaltungstechniker das breite Spektrum von physi- kalischen Grundlagenkenntnissen bis zu den durch die Anwendung geforderten Funktionscharakteristiken der Bauelemente beherrschen. Dieser engen Verknüpfung zwischen physikalischer Wirkungsweise und elek- trotechnischer Zielsetzung soll die Buchreihe "Halbleiter-Elektronik" Rechnung tragen. Sie beschreibt die Halbleiter-Bauelemente (Dioden, Transistoren, Thyri- storen usw.) in ihrer physikalischen Wirkungsweise, in ihrer Herstellung und in ihren elektrotechnischen Daten. Um der fortschreitenden Entwicklung am ehesten gerecht werden und den Lesern ein für Studium und Berufsarbeit brauchbares Instrument in die Hand geben zu können, wurde diese Buchreihe nach einem "Baukastenprinzip" konzi- piert: Die ersten beiden Bände sind als Einführung gedacht, wobei Band 1 die phy- sikalischen Grundlagen der Halbleiter darbietet und die entsprechenden Begrif- fe definiert und erklärt. Band 2 behandelt die heute technisch bedeutsamen Halbleiterbauelemente in einfachster Form. Ergänzt werden diese beiden Bände durch die Bände 3 bis 5, die einerseits eine vertiefte Beschreibung der Bänder- struktur und der Transportphänomene in Halbleitern und andererseits eine Ein- führung in die technologischen Grundverfahren zur Herstellung dieser Halblei- ter bieten. Alle diese Bände haben als Grundlage einsemestrige Grund- bzw. Er- gänzungsvorlesungen an Technischen Universitäten. Fortsetzung und Übersicht über die Reihe: 3. Umschlagseite
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Halbleiter-Elektronik Eine aktuelle Buchreihe fiir Studierende und Ingenieure
Halbleiter-Bauelemente beherrschen heute einen großen Teil der Elektrotechnik. Dies äußert sich einerseits in der großen Vielfalt neuartiger Bauelemente und andererseits in den enormen Zuwachsraten der Herstellungsstückzahlen. Ihre besonderen physikalischen und funktionellen Eigenschaften haben komplexe elektronische Systeme z. B. in der Datenverarbeitung und der Nachrichtentechnik ermöglicht. Dieser Fortschritt konnte nur durch das Zusammenwirken physikalischer Grundlagenforschung und elektrotechnischer Entwicklung erreicht werden.
Um mit dieser Vielfalt erfolgreich arbeiten zu können und auch zukünftigen Anforderungen gewachsen zu sein, muß nicht nur der Entwickler von Bauelementen, sondern auch der Schaltungstechniker das breite Spektrum von physikalischen Grundlagenkenntnissen bis zu den durch die Anwendung geforderten Funktionscharakteristiken der Bauelemente beherrschen.
Dieser engen Verknüpfung zwischen physikalischer Wirkungsweise und elektrotechnischer Zielsetzung soll die Buchreihe "Halbleiter-Elektronik" Rechnung tragen. Sie beschreibt die Halbleiter-Bauelemente (Dioden, Transistoren, Thyristoren usw.) in ihrer physikalischen Wirkungsweise, in ihrer Herstellung und in ihren elektrotechnischen Daten.
Um der fortschreitenden Entwicklung am ehesten gerecht werden und den Lesern ein für Studium und Berufsarbeit brauchbares Instrument in die Hand geben zu können, wurde diese Buchreihe nach einem "Baukastenprinzip" konzipiert:
Die ersten beiden Bände sind als Einführung gedacht, wobei Band 1 die physikalischen Grundlagen der Halbleiter darbietet und die entsprechenden Begriffe definiert und erklärt. Band 2 behandelt die heute technisch bedeutsamen Halbleiterbauelemente in einfachster Form. Ergänzt werden diese beiden Bände durch die Bände 3 bis 5, die einerseits eine vertiefte Beschreibung der Bänderstruktur und der Transportphänomene in Halbleitern und andererseits eine Einführung in die technologischen Grundverfahren zur Herstellung dieser Halbleiter bieten. Alle diese Bände haben als Grundlage einsemestrige Grund- bzw. Ergänzungsvorlesungen an Technischen Universitäten.
Fortsetzung und Übersicht über die Reihe: 3. Umschlagseite
Halbleiter-Elektronik Herausgegeben von W. Heywang und R. Müller Band16
W. Kellner · H. Kniepkamp
GaAsFeldeffekttransistoren
Mit 119 Abbildungen
Springer-Verlag Berlin Heidelberg GmbH
Dr. phil. WALTER KELLNER Fachgruppenleiter, Zentrale Forschung und Entwicklung der Siemens AG, München
Dipi.-Phys. HERMANN KNIEPKAMP Fachabteilungsleiter, Zentrale Forschung und Entwicklung der Siemens AG, München
Dr. rer. nat. WALTER HEYWANG Leiter der Zentralen Forschung und Entwicklung der Siemens AG, München Professor an der Technischen Universität München
Dr. techn. RUDOLF MÜLLER Professor, Inhaber des Lehrstuhls für Technische Elektronik der Technischen Universität München
CIP-Kurztitelaufnahme der Deutschen Biblithek. Kellner, Waller: GaAs-Feldeffekttransistoren!W Kellner; H. Kniepkamp.Berlin; Heidelberg; NewYork; Tokyo: Springer 1985. (Halbleiter-Elektronik; Bd.16)
ISBN 978-3-540-13763-4 ISBN 978-3-662-07363-6 (eBook) DOI 10.1007/978-3-662-07363-6
NE: Kniepkamp, Hermann; GT Das Werk ist urheberrechtlich geschützt. Die dadurch begründeten Rechte, insbesondere die der Übersetzung, des Nachdrucks, der Entnahme von Abbildungen, der Funksendung, der Wiedergabe auf photomechanischem oder ähnlichem Wege und der Speicherung in Datenverarbeitungsanlagen bleiben, auch bei nur auszugsweiser Verwertung, vorbehalten. Die Vergütungsansprüche des§ 54, Abs. 2 UrhG werden durch die »Verwertungsgesellschaft Wort«, München, wahrgenommen.
Ursprünglich erschienen bei Springer-Verlag Berlin Heidelberg New York 1985
Die Wiedergabe von Gebrauchsnamen, Handelsnamen, Warenbezeichnungen usw. in diesem Buch berechtigt auch ohne besondere Kennzeichnung nicht zu der Annahme, daß solche Namen im Sinne der Warenzeichen- und Markenschutz-Gesetzgebung als frei zu betrachten wären und daher von jedermann benutzt werden dürften.
2362/3020 - 54321 0
Vorwort
Die zunehmende Bedeutung von Galliumarsenid-Feldeffekttransi
storen al& vielseitig einsetzbare Bauelemente in der Mikro
wellentechnik und als Grundelemente integrierter Schaltungen
gab den Anlaß, diesem Bauelement einen eigenen Band der Reihe
"Halbleiter-Elektronik" zu widmen. Hierin werden zunächst die
Grundlagen und die Theorie des Stromtransports allgemein für