Βασικές τ ο πο λ ογίες ενισχυτ ών Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας με διπολικά τρανζίστορ
Βασικές τοπολογίες ενισχυτών Βασικές τοπολογίες ενισχυτών μιας βαθμίδας
με διπολικά τρανζίστορ
Ενισχυτής κοινού Εκπομπού
• Πόλωση με δικτύωμα τεσσάρων αντιστάσεων.• Το AC σήμα εισόδου εισάγεται στη Βάση του τρανζίστορ μέσω ενός πυκνωτήΤο AC σήμα εισόδου εισάγεται στη Βάση του τρανζίστορ μέσω ενός πυκνωτή
σύζευξης.• Η AC έξοδος λαμβάνεται από τον Συλλέκτη.• Ο Εκπομπός είναι γειωμένος στο AC.• Η RI αντιπροσωπεύει την αντίσταση εξόδου της προηγούμενης βαθμίδας και η
R3 την αντίσταση εισόδου της επόμενης βαθμίδας.R3 την αντίσταση εισόδου της επόμενης βαθμίδας.• Οι χωρητικότητες των πυκνωτών πρέπει να είναι μεγάλες, πράγμα που δεν
είναι αποδεκτό στα Ολοκληρωμένα Κυκλώματα.
Ενισχυτής κοινού Εκπομπού
Βασικά Χαρακτηριστικά Ενισχυτών: Ορισμοί
outA υ
Απολαβή-Ενίσχυση Τάσης
in
outAυυ ≡
Απολαβή-Ενίσχυση Ρεύματος
in
outi iiA ≡
Απολαβή Ενίσχυση Ρεύματος
in
inR υ≡
Αντίσταση Εισόδου
inin iR ≡
Αντίσταση Εξόδου
∞==≡LR,0
x
xout iR
inυυ
η ξ
x
DC ανάλυση – Υπολογισμός του σημείου λειτουργίας η γ μ ς ημ ργ ς
• Όλοι οι πυκνωτές του αρχικού κυκλώματος αντικαθίστανται απόανοιχτοκύκλωμα.
• Το σημείο ηρεμίας Q μπορεί τώρα να υπολογιστεί με βάση την• Το σημείο ηρεμίας Q μπορεί τώρα να υπολογιστεί με βάση τηνDC ανάλυση που έχουμε ήδη αναπτύξει.
AC ανάλυση η
• Αντικαθιστούμε τους πυκνωτές απόβραχυκύκλωμα και τα πηνία (ανυπάρχουν) από ανοιχτοκύκλωμα.
• Αντικαθιστούμε όλες τις ανεξάρτητεςΑντικαθιστούμε όλες τις ανεξάρτητεςπηγές DC τάσης από βραχυκύκλωμα καιτις DC πηγές ρεύματος απόανοιχτοκύκλωμα.
• Αντικαθιστούμε το τρανζίστορ από τοισοδύναμό του μικρού σήματοςισοδύναμό του μικρού σήματος.
• Αναλύουμε το γραμμικό ισοδύναμοκύκλωμα μικρού σήματος για ναυπολογίσουμε τα χαρακτηριστικά τουενισχυτή: απολαβή τάσης, αντίστασηεισόδου, αντίσταση εξόδου κ άεισόδου, αντίσταση εξόδου κ.ά.
Ισοδύναμο κύκλωμα μικρού σήματος.
Απολαβή τάσης
3C0L RRrR =
Απολαβή τάσης μεταξύ Βάσης και Συλλέκτη
Lmbe
o
b
oo RgA −===
υυ
υυ
υ
Ολική απολαβή τάσης
beb
⇒=== υυ υυ
υυ
υυ
υυ AA
i
beo
i
be
be
o
i
o
( )⎥⎦⎤
⎢⎣
⎡+
−=π
πυ r//RR
r//RRgABI
BLm
iibei
( )⎦⎣ πBI
Αντίσταση εισόδου
Αντίσταση εισόδου είναι η ολική η η ήαντίσταση που εμφανίζει ο ενισχυτής προς την πηγή του σήματος εισόδου.
πυ rRi Bxx )//(=
ππυ rRRrRi
R 21Bx
xin ////// ===
Για μεγάλη αντίσταση εισόδου απαιτείται RB>>, σε αντίθεση με τη συνθήκη που θέτει η ανάγκη σταθεροποίησης του σημείου ηρεμίας.η γ η ρ η ης ημ ηρ μ ς
Αντίσταση εξόδου
•Αντίσταση εξόδου είναι η ολική ισοδύναμη αντίσταση που βλέπουμεισοδύναμη αντίσταση που βλέπουμε από το φόρτο προς την έξοδο του ενισχυτή.
Γ β ύ R δ ίζ•Για να βρούμε την Rout μηδενίζουμε το σήμα εισόδου και εφαρμόζουμε μία τάση δοκιμής στην έξοδο του ενισχυτήενισχυτή.
xx 0άi λλυυ
x
bebemo
x
C
xx
RRRR
0άgrR
i =++=
υ
υαλλυ
// CoCoCx
xout RrRrR
iR >>≅== για//
Απολαβή ρεύματος
Απολαβή ρεύματος μεταξύ Βάσης και Συλλέκτη
βυπ
π −=−=−=−=≡ rgirig
ig
iiA m
b
bm
b
bem
b
Lit
Ολική απολαβή ρεύματος
iii bbb
RRRiii )//( BmB
Bm
B
B
B
Bit
i
b
b
L
i
Li Rrg
rRRrg
rRR
rRRA
ii
ii
iiA π
ππ
ππ
β −=+
−=+
−=+
==≡
Συμπερασματικά, ο ενισχυτής κοινού εκπομπού παρουσιάζει:
•Μεγάλη απολαβή ρεύματος και τάσης.
Α ά άλ ί όδ ξόδ•Αρκετά μεγάλη αντίσταση εισόδου και εξόδου.
•Εμφανίζει μόνο πρόβλημα στις υψηλές συχνότητες.
Παράδειγμα: Να υπολογιστεί η απολαβή τάσης, η αντίσταση εισόδου και η αντίσταση εξόδου.Δίνονται: β=65, VA=50VΥποθέσεις: Λειτουργία στην ενεργό περιοχή, VBE=0.7V, συνθήκες λειτουργίας μικρού σήματος.
DC ανάλυση
VRIVIR 5)1( +++ β VRIVIR EBBEBB 5)1( =+++ β
AIB μ71.3=
AIIAII
BE
BC
μμ
2456624165
====
0)5(5 =−−−−− VRIVIRV EECECC
BE μ
VV 673 Πράγματι το κύκλωμα λειτουργεί στην ενεργό περιοχή.VVCE 67.3=
Παράδειγμα (συνέχεια):
AC ανάλυση
Ισοδύναμο κύκλωμα μικρού σήματος
×== −
V
SVIgT
Cm 1064.9 3
β
Ω+
Ω==
kVV
kIVr
CEA
C
T
223
64.6βπ
RRR
84rRRgA B −=⎥⎤
⎢⎡
−= π//
Ω== kI
rC
CEAo 223
30 RRrR CL =
( ) 84rRR
RgABI
Lmo =⎥⎦
⎢⎣ +
=π
υ //
Ωk236rRR ==
Ω
Ωπ
k579RR
k23.6rRR Bin ==
Ωk57.9rRR oCout ==
Άσκηση: Στο κύκλωμα του σχήματος η υsig είναι ημιτονικό σήμα μικρού πλάτους και μηδενικής μέσης τιμής.
) Β ί R ώ Ι 1 Aα) Βρείτε την RE ώστε ΙΕ=1mA. β) Βρείτε την RC ώστε VC=+5V. γ) Για RL=5kΩ και ro=100kΩ σχεδιάστε το ισοδύναμο κύκλωμα μικρού σήματος του ενισχυτή και υπολογίστε την ολική ενίσχυση τάσης.και υπολογίστε την ολική ενίσχυση τάσης.Δίνεται β=100.
0V15RIVRI)a ++
βVV15RIR
1I
0V15RIVRI)a
BEEEsigE
EEBEsigB
−=++
⇒
=−++
ΩΩΩ
Ωβ
k27.147.24k3.14
101k5.2
mA1V)7.015(
1R
IVV15R sig
E
BEE
≈−=
=−−
=+
−−
=⇒
Ωβ k10mA1
V)515(IVVRRIVV) CCC
CCCCCC =−
≈−
=⇒=−mA1IC
Συνέχεια:sigR outU
B C
LC00 RRrR =)γ
sigυ πrbemg υ
0r CR LR
B
E
π
π
π
π υυυrR
rRgArR
rRgRgsig
0msigsig
0m0bemout +−=⇒
+−=−=
VmAmVmA
VIgT
Cm /40
251
===
V25V 532Ωπ k53.2101
mA1mV25
IVrB
T =⋅==
Ωk441R1111111
97.285.253.2
53.244.140 −=+
⋅−=⇒ Α
ΩΩΩΩ
k44.1Rk5k10k53.2RRrR 0
LC00
≈⇒++=++=
Άσκηση: Στο κύκλωμα του σχήματος η υsig είναι ημιτονικό σήμα μικρού πλάτους και μηδενικής μέσης τιμής. Σχεδιάστε τον ενισχυτή αυτόν ώστε να λειτουργεί με Rsig=10kΩ, RL=2kΩ, VCC=9V
ά ί ά Α 8και να επιτυγχάνει ενίσχυση τάσης Αυ=-8.Χρησιμοποιείστε ΙΕ=2mA, VBB=1/3VCC και ρεύμα βάσης ίσο με το ένα δέκατο του ρεύματος του διαιρέτη τάσης. Δίνεται β=100 και VA=100VΔίνεται β 100 και VA 100V.
Ενισχυτής κοινού Εκπομπού με αντίσταση εκφυλισμού
Είσοδος Έξοδος
Αντίσταση εκφυλισμού
Γείωση AC
Η αντίσταση εκφυλισμού δημιουργεί στο κύκλωμα αρνητική ανασύζευξη.
Απολαβή τάσης
Χρησιμοποιούμε το π-υβριδικό μοντέλο παραλείποντας την ro.
Eb iR)1(ir ⎫++= βυi
L
E
Eb
iR]R)1(r[i
iR)1(ir⇒
⎪⎭
⎪⎬
⎫
−=++=++
βυββυ
π
π
+
bυπr iβ
LR oυ+
−
i
Li
E
L
b
ot
Lo
R)1(rRA
iR
++−=≡
⎭
ββ
υυβυ
πυ
−
ER i)1( +β
Eb R)1(r ++ βυ π
LmLm RgRrgA ≅= πβΛαμβάνονταςEmEm
t Rg1R)1rg(rA
+−≅
++−=
ππυ⇒=βπ mgr
Η αντίσταση RE μειώνει την απολαβή τάσης, αλλά την κάνει λιγότερο ευαίσθητη στις μεταβολές του gm (πιο σταθεροποιημένη).
Αντίσταση εισόδου
]R)1(r[i Eb ++= βυ π
)(b R1rR ++== βυi
)(
)(
Em
Ein
R1rgr
R1ri
R
++=
++==
ππ
π β+
−bυ πr iβ
LR oυ+
−Li
)( EmRg1r +≅ πER i)1( +β
Η αντίσταση RE αυξάνει την αντίσταση εισόδου του ενισχυτή.
Αντίσταση εξόδου
0X
Xout iR =≡
iυυ
Xi
Ee iR1)( += βυ
0)rR(i eth =++υ
υπ
0
0)rR(R)1( ethE
e =+++
υβυ
πi xi
0e =⇒υ
00 iii β
thR πr iβxυ
00 ==⇒= iii X β
∞== XR υER i)1( +β
∞==X
out iR
Αντίσταση εξόδου, αν λάβουμε υπόψη και την ro.
⎫
⎪⎪⎪⎫
+−=+= υβυυυ rii eoxerx )(+R
xii
( )( ) ⇒
⎪⎪
⎪⎪⎬+= πυ
RRrRi Ethxe
eoxerx
//xυ+
−
iβthRπr
xi
or+
−rυ
⎪⎪⎪
⎭++−=
πrRRRiithE
ExER eυ
+
−
( )( )E RrRiRiir //βυ ++⎟⎟⎞
⎜⎜⎛
+= ( )( )EthxthE
xxox RrRirRR
iir //ππ
βυ ++⎟⎟⎠
⎜⎜⎝ ++
+=
⎟⎞
⎜⎛ βυ R
για ro>>⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛++
+≅≡π
βυrRR
R1ri
RthE
Eo
x
xout
Η αντίσταση RE αυξάνει την αντίσταση εξόδου του ενισχυτή.
Απολαβή ρεύματος
+ r iβ RIR +
iiLi
i
−iυ πr iβ
LR oυ−
R
BReυ
ER
Απολαβή ρεύματος μεταξύ Βάσης και Συλλέκτη
β−=≡iA L
it
Ολική απολαβή ρεύματος
βi
Ait
Ολική απολαβή ρεύματος
B
B
B
Bit
LLi RR
RRR
RAii
ii
iiA
+−=
+==≡ β
inBinBii RRRRiii ++
Ενισχυτής κοινής Βάσης
Γείωση AC
ΈξοδοςΦόρτος
oυ+
−LR
RoutR
Γείωση AC
+
iυ
IR
4RinR
−i4
Είσοδος Πηγή σήματος 73 RRRL =
Απολαβή τάσης
++
RRπr
+
bemg υ+
−beυ
oυ+
−LR
i
oυ−
LR
IR
R
outR
−eυ+
−iυ4R
inR
Lm0CB
t RgA +=≡υ
υ Lme
t gυυ
Δεν έχουμε αναστροφή της τάσης εξόδου.
Το μέτρο της απολαβής είναι ίδιο με του ενισχυτή κοινού εκπομπού χωρίς αντίσταση RE.
Αντίσταση εισόδου
oυ+
−LR
RoutR
+
iυ
IR
4RinR
eme gr
i υυ+=
−i4
rπ
CB 11r ⎟⎞
⎜⎛υ
πrbemg υ+
−beυ
oυ+
−LR
i
mmm
eCBin g
1g1r
1grr
iR ≅⎟⎟
⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛=
+== //π
π
πυ+
−eυ
i
Η αντίσταση εισόδου είναι μικρή, δεδομένου ότι το gm είναι μεγάλο.
Ολική απολαβή τάσης
( )in4
teooCB
RRRRRAA ⎥
⎦
⎤⎢⎣
⎡+
=⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛==
////
υυ υυ
υυ
υυ
oυ+
−LRoutR ( )
( )Lm4Lm
in4Iiei
R1Rg
RRR
RR1Rg
RRR
≅⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛=
⎦⎣ +⎠⎝⎠⎝
//
//υυυ
+
IR
RinR
για R4>>RI
( ) Im4II4m Rg1RRRRg1 +⎟⎠
⎜⎝ ++ //
−iυ4R
Για gmRI<<1 LmCB RgA +=υ
Για gmRI>>1LCB
RRA +=υgm I
Για να επιτύχουμε μεγάλη απολαβή πρέπει η RI να είναι πολύ μικρή.
IR
χ μ μ γ η βή ρ η I μ ρή
Αντίσταση εξόδου
Παρατηρούμε ότι η αντίσταση εξόδου είναι η ίδια με του ενισχυτή κοινού
oυ+
−LRoutR
είναι η ίδια με του ενισχυτή κοινού εκπομπού με αντίσταση εκφυλισμού.
+
IR
RinR
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛+
+=βrR
R1rR tho
CBout
−iυ4R
⎠⎝ + πrRth
CB
xi
( )( )thmoCBout RrgrR //1 π+≅
xυ+
−
CBoutR
Μεγάλη αντίσταση εξόδου.
thR
Απολαβή ρεύματος
Απολαβή ρεύματος μεταξύ Εκπομπού και Συλλέκτη
i+
R
li
1aiiAe
lCBit +≅==oυ
−LR
IR iei
Ολική απολαβή ρεύματος
Riii ⎞⎛⎟⎞
⎜⎛
+
−iυR
για R>>Rin1ARR
RAii
ii
iiA it
init
e
e
llCBi =≅
+=⎟⎠⎞
⎜⎝⎛⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛==
Συμπερασματικά, ο ενισχυτής κοινής βάσης χρησιμοποιείται ωςαπομονωτής ρεύματος, ο οποίος δέχεται ρεύμα σε χαμηλή αντίστασηεισόδου (re) και παρέχει στον συλλέκτη περίπου το ίδιο ρεύμα σε πολύυψηλή αντίσταση εξόδου (ιδανική πηγή ρεύματος)υψηλή αντίσταση εξόδου (ιδανική πηγή ρεύματος).
Ο ενισχυτής κοινής βάσης πλεονεκτεί στις υψηλές συχνότητες.
Παράδειγμα 1: Να υπολογιστεί η ολική λ βή άαπολαβή τάσης.
Δίνονται: β=100, ΙC=245μΑ, VCE=3.64V, gm=9.8mS, rπ=10.2kΩ.Υ θέ λ ί όΥποθέτουμε λειτουργία στην ενεργό περιοχή και συνθήκες μικρού σήματος.
( ) ⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛++
= 4Lm
RRR
RRg1RgA//υ ( ) ⎠⎝ ++ 4II4m RRRRg1 //
k71RRk18RRRk2Rk13R //// ΩΩΩΩ
78
k71RRk18RRRk2Rk13R I473LI4
,
,//,//,,
υ ≈⇒
=≈===
Α
ΩΩΩΩ
,υ
Ενισχυτής κοινού Συλλέκτη ή Ακολουθητής Εκπομπού
Γείωση ACΓείωση ACΕίσοδος
Έξοδος
Φόρτος
Πηγή σήματος
74L
R//RRR//RR
==
21B R//RR =
Απολαβή τάσης
i+
−bυ
+
πr iβ
i)1( +β
LR oυ+
−
για β>>1( ) LoCC R1A +==
βυ LmCC RgA ≅( ) Lb
t R1rA
++==
βυ πυ
Lmt Rg1A
+≅υ
1A1Rg CCtLm ≅⇒>> υΓια
Αντίσταση εισόδου και ολική απολαβή τάσης
+
bυ πr iβ
i
−
LR oυ+
i)1( +β
⎞⎛⎞⎛⎞⎛
−
( ) LbCC
in R1ri
R ++== βυπ ⎟⎟
⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛=⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛==
i
bt
i
b
b
o
i
oCC AA υυ υυ
υυ
υυ
υυ
Μεγάλη αντίσταση εισόδου.( )⎥⎦
⎤⎢⎣
⎡=
⎠⎝⎠⎝⎠⎝
CC
CCinBCC
t R//RRR//RAυ ( )⎥⎦⎢
⎣ + CCinBI
t R//RRυ
Αντίσταση εξόδου
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛−−=−−=
υβυβRR
iii xxx ⎟
⎠⎜⎝ ++ ππ rRrR thth
x
RrrR +1
R1
r1rRR ththCC
out ++
+=
++
≅βββ
ππ
i
11
1 ++≅
++=
ββththCC
outRRaR
πr iβthR
Μικρή αντίσταση εξόδου
11 ++ ββ mm ggxυ
+
−
xi
Μικρή αντίσταση εξόδου.
BIth R//RR =
Απολαβή ρεύματος
i
1iiA 1CC
it +== βthR
πr iβ+
−thυ
eυ i
LR
lie
Σ ά ή ύ λλέ ίΣυμπερασματικά, ο ενισχυτής κοινού συλλέκτη χρησιμοποιείται ωςαπομονωτής τάσης (συνήθως στη βαθμίδα εξόδου ενισχυτή πολλώνβαθμίδων). Επιτυγχάνει προσαρμογή αντιστάσεων όταν πρέπει ναοδηγηθεί φόρτος χαμηλής αντίστασης από ενισχυτή υψηλήςηγη φ ρ ς χ μη ής ης χ ή ψη ήςαντίστασης εξόδου.
Παράδειγμα 1: Να υπολογιστεί η ολική απολαβή τάσης.Δίνονται: β=100, ΙC=245μΑ, VCE=3.64V, gm=9.8mS, rπ=10.2kΩ.Υποθέτουμε λειτουργία στην ενεργό περιοχή και συνθήκες μικρού σήματος.
⎤⎡ CCRR //( )⎥⎦
⎤⎢⎣
⎡+
= CCinBI
CCinB
t RRRRRAA//
//υυ
RR
( ) Ω171R1rR Μβ =++=
Ωk35,104RRRRR//RR
21
2121B =
+⋅
==
( ) Ω17,1R1rR Lin Μβπ =++=
kΩ5,11RRRRR//RR74
7474L =
+⋅
== 970A ,≈υ74
990Rg1RgA
Lm
Lmt ,≈
+≅υ
υ
kΩ104RRRRR//R
inB
inBin ≈
+⋅
=Β
Παράδειγμα 2: Να υπολογιστεί η αντίσταση εξόδουαντίσταση εξόδου.Δίνονται: β=100, ΙC=245μΑ, VCE=3.64V, gm=9.8mS, rπ=10.2kΩ, ro=219kΩ .Υποθέτουμε λειτουργία στην ενεργόΥποθέτουμε λειτουργία στην ενεργό περιοχή και συνθήκες μικρού σήματος.
1R
g1R th
mout +
+≅β 1gm +β
Ωk35,104R//RR 21B ==
Ωk92,1R//RR BIth ==
Ω121Rout ≅⇒
Σύγκριση των ενισχυτών με διπολικά τρανζίστορ
Απολαβή τάσης
Αντίσταση εισόδου
Αντίσταση εξόδου
Α λ βήΑπολαβή ρεύματος
Άσκηση 1: Για το κύκλωμα του σχήματος υπολογίστε την ολική απολαβή τάσης στις ενδιάμεσες συχνότητες.Δί δύ ζί β 100 1kΩ θώ ί R 1kΩΔίνονται: και για τα δύο τρανζίστορ β=100, rπ=1kΩ και ro= , καθώς επίσης RΕ1=1kΩ, RC1=10kΩ, RE2=100Ω, RC2=RL=3kΩ και CC= CE .
Lυ
πrSυ πmg υ 2CR LR↑
Cυ↓
↑
Πυ
Πr1CR Cmg υ↓
1ER
rg1)rR(g
)RR(g
1CmC
L2CCmL
ππ
υυυ
υυ
+
−=
−=
)Rrrg11(R)g
r( 1E
m1EmS
π
πππ
π
ππ υυυυυ +
+=++=
]r)rR(g)][RR(g[ π υυ
⇒−−==⇒
⋅++
−−=
]r)rR(g)][RR(g[
]R)rg1(r
)rR(g)][RR(g[
L
1Em1CmL2CmL
π
ππ
ππ
υΑ
υυ s
AAA ⋅=⇒++
==⇒ ]R)rg1(r
)rR(g)][RR(g[1Em
1CmL2Cmππ
πυΑ
s21 AAA ⋅=
Άσκηση 2: Η συνδεσμολογία δύο τρανζίστορ με τη μορφή που φαίνεται στο σχήμα (a)είναι γνωστή ως ζεύγος Darlington.Για το κύκλωμα του σχήματος (b) θεωρήστε ότι το Q2 είναι πολωμένο με IE=5mA και ότι Rsig=100kΩ, RΕ=1kΩ και β1=β2=100. Υπολογίστε τα Rin, AV και Rout.
Άσκηση 3: Ο ενισχυτής ΚΕ έχει απολαβή τάσης 20, χωρίς εξωτερικό φόρτο. Υπολογίστε την απολαβή τάσης του ενισχυτή ΚΕ: α) Όταν οδηγεί ένα μεγάφωνο με αντίσταση 8Ωα) Όταν οδηγεί ένα μεγάφωνο με αντίσταση 8Ω.β) Όταν παρεμβάλλεται ενισχυτής ΚΣ μεταξύ του ενισχυτή ΚΕ και του μεγαφώνου.Δίνονται: β=100, VΑ=∞ και Ι1=5mA (ιδανική πηγή ρεύματος).
VCC VCC
RC=1kΩ RC=1kΩQ2
C1
C1
Q1Q1
VinVinRsp Rsp
R
I1
Rin
Άσκηση 4: Ο ενισχυτής του σχήματος αποτελείται από δύο ταυτόσημους ενισχυτέςκοινού εκπομπού συνδεδεμένους σε σειρά. Παρατηρήστε ότι η αντίσταση εισόδου τηςδ ύ β θ ίδ R ί ί ό ώ β θ ίδ Δίδεύτερης βαθμίδας, Rin2 , είναι η αντίσταση φόρτου της πρώτης βαθμίδας. Δίνονται:Vcc=15V, R1=100kΩ, R2=47kΩ, RE=3.9kΩ, RC=6.8kΩ και β=100.α) Υπολογίστε το σημείο ηρεμίας και για τα δύο τρανζίστορ.β) Σχεδιάστε το ισοδύναμο μικρού σήματος όλου του ενισχυτή και υπολογίστε τις τιμέςβ) χ μ μ ρ ήμ ς χ ή γ ς μ ςτων στοιχείων του.γ) Βρείτε τα Rin1 και υb1/ υs για Rs=5kΩ.δ) Βρείτε τα Rin2 και υb2/ υb1 .) Γ R 2kΩ β ί /ε) Για RL=2kΩ, βρείτε το υο/ υb2.στ) Βρείτε τη συνολική ενίσχυση τάσης υο/ υs.
SR
Sυ
ΆσκησηΆσκηση 55: Για το κύκλωμα ακολουθητή εκπομπού με bootstrapping τουσχήματος υπολογίστε:α) Τα I g r και r για β=100α) Τα IE, gm, re και rπ για β=100.β) Σχεδιάστε το ισοδύναμο μικρού σήματος χρησιμοποιώντας το π-υβριδικόμοντέλο του τρανζίστορ (για rο =∞).Υπολογίστε την αντίσταση εισόδου R και την απολαβή τάσης υ / υ τουΥπολογίστε την αντίσταση εισόδου, Rin, και την απολαβή τάσης, υο/ υsig, τουκυκλώματος.γ) Επαναλάβετε το ερώτημα (β) χωρίς τον πυκνωτή CB. Συγκρίνετε τααποτελέσματα με αυτά του (β).αποτελέσματα με αυτά του (β).