Expo Fet Señal Peq

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Modelo de señal pequeñ

para el FET

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Modelo equivalente de C.A. es un poco más simple que el de BJT.

BJT -> factor de amplificacin !"#eta$.

 FET -> factor de transconductancia %m.

FET -> Ampli&cador lineal o dispositivo di%ital.

M'todo similar al BJT.

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(m ) *alor de admitancia

+d ) resistencia de salida o resistencia del drenador.

Estos parámetros dependen de la corriente de polari,acin del transistor.

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Factor de admitancia %m

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+esistencia del drenado

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Factor de ampli&cacin

• e relaciona el parámetro de transconductancia

la resistencia del drenador.

• Es el equivalente a !"#eta$ en los transistores BJT.

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Circuito equivalente en señal pequeña p

Corriente Alterna (C.A.)

%m *( rd

(

/

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Ampli&cador compuerta com

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Ampli&cador compuerta com0

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Ampli&cador drena2e com0

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Ampli&cador drena2e com0n

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Ampli&cador fuente com0

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Ampli&cador fuente com0n

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Ampli&cador fuente com0n

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Ampli&cador fuente com0n

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Av es menor que en los BJT.

 5i es muc6o maor que en los BJT.

5o es equivalente al BJT.

Ai es indeterminada7 a que la entrada de corriente en los FET es de 89A.

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+eferencias

+onald J. Tocci. ":;<=$. Transistores de Efecto de Campo. E

dispositivos electrnicos"=8 pá%inas$. M'?ico7 /.F.@ ntera

Bapat. ":;<:$. Modelo de señal pequeña para el FET. En /i

circuitos electrnicos"44= pá%inas$. M'?ico@ Mc(ra-ill.

Barto. "18:1$. Electronica analisis a pequeña señal fet. :3Dlides6are itio e#@ [email protected]#De

analisis-a-pequea-seal-fet