7/21/2019 Electrotehnica -Teste Tecj http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-tecj 1/24 75 Capitolul 5 Tranzistoare cu efect de câmp cu jonc ţiune 1 2p Structura de principiu a tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune este prezentat ă în figura notată cu: a) S G D B SiO2p ++ n ++ n n canal b) S G D B SiO2 n ++ n ++ p canal c) G D G canal p p n S n joncţ iune p-n joncţ iune p-n d) S G D B SiO 2 n ++ n ++ p n canal 2. 1p Figura 5.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune. Cu S a fost notat electrodul numit: G D G canal p p n S n joncţ iune p-n joncţ iune p-n Figura 5.1 a) surs ă ; b)drenă; c)grilă;
This document is posted to help you gain knowledge. Please leave a comment to let me know what you think about it! Share it to your friends and learn new things together.
a) grilă şi drenă;b) sursă şi drenă;c) sursă şi grilă;d) grilă şi drenă.
8.2p
Curentul principal dintr-un TECJ cu canal n se stabileşte între sursă şidrenă. El este constituit din:
a) electronib) goluri;c) ioni pozitivi;d) ioni negativi.
9.2p
Curentul principal dintr-un TECJ cu canal p se stabileşte între sursă şidrenă. El este constituit din:
a) electronib) goluri;c) ioni pozitivi;d) ioni negativi.
10.2p
Curentul principal dintr-un TECJ cu canal n se stabileşte între sursă şidrenă. El este constituit din electroni. În parcursul lor, aceşti electronitrec printr-o regiune numită canal. Rezistenţa canalului este comandată de potenţialul grilei. Pentru a se realiza această comandă este necesar ca
în principiu:a) joncţiunea grilă-canal să fie polarizată invers;b) joncţiunea grilă-canal să fie polarizată direct;c) joncţiunea drena-sursă să fie polarizată invers;d) joncţiunea drena-sursă să fie polarizată direct.
11.3p
Curentul principal dintr-un TECJ cu canal n se stabileşte între sursă şidrenă. El este constituit din electroni. În parcursul lor, aceşti electronitrec printr-o regiune numită canal. Rezistenţa canalului este comandată de potenţialul grilei. Pentru a se realiza această comandă este necesar ca în principiu ca joncţiunea grilă-canal să fie polarizată invers. Mecanismulde comanda este:
a) potenţialul grilei modifică dimensiunile regiunii de neutră de tip
p ale joncţiunii grilă canal; modificarea dimensiunilor regiunii desarcină spatială ale joncţiunii grilă canal conduc la modificareageometriei canalului; modificarea geometriei canalului are caefect modificarea rezistenţei canalui; modificarea rezistenţeicanalui duce în final la efectul dorit şi anume la modificarea -lacomandă – a curentului dintre drenă şi sursă.
b) potenţialul grilei modifică dimensiunile regiunii de neutră de tipn ale joncţiunii grilă canal; modificarea dimensiunilor regiunii desarcină spatială ale joncţiunii grilă canal conduc la modificareageometriei canalului; modificarea geometriei canalului are caefect modificarea rezistenţei canalui; modificarea rezistenţeicanalui duce în final la efectul dorit şi anume la modificarea -lacomandă – a curentului dintre drenă şi sursă.
c) potenţialul grilei modifică dimensiunile regiunii de sarcină spatială ale joncţiunii grilă canal; modificarea dimensiunilorregiunii de sarcină spatială ale joncţiunii grilă canal conduc lamodificarea concentratiei de purtători; modificarea geometrieicanalului are ca efect modificarea rezistenţei canalui; modificarearezistenţei canalui duce în final la efectul dorit şi anume lamodificarea -la comandă – a curentului dintre drenă şi sursă.
d) potenţialul grilei modifică dimensiunile regiunii de sarcină spatială ale joncţiunii grilă canal; modificarea dimensiunilorregiunii de sarcină spatială ale joncţiunii grilă canal conduc lamodificarea geometriei canalului; modificarea geometrieicanalului are ca efect modificarea rezistenţei canalui; modificarearezistenţei canalui duce în final la efectul dorit şi anume lamodificarea -la comandă – a curentului dintre drenă şi sursă.
Caracteristicile statice din figura 5.3 pun în evidenţa fenomenul destrăpungere al canalului pentru un tranzistor cu efect de câmp.
uDS
iD
UDS(BR)
IDmax
Figura 5.3
a) Fenomenul apare la tensiuni mari drenă sursă şi este datoratstrăpungerii prin multiplicare în avalanşă care apare la capătuldinspre sursă al canalului.
b) Fenomenul apare la tensiuni mari drenă sursă şi este datoratstrăpungerii prin multiplicare în avalanşă care apare la capătuldinspre drenă al canalului.
c) Fenomenul apare la tensiuni mari drenă sursă şi este datoratstrăpungerii prin efect tunel care apare la capătul dinspre drenă alcanalului.
d) Fenomenul apare la tensiuni mari drenă sursă şi este datoratstrăpungerii prin efect tunel care apare la capătul dinspre sursă alcanalului.
36.3p
Caracteristicile statice din figura 5.3 pun în evidenţa fenomenul destrăpungere la nivelul canalului pentru un tranzistor cu efect de câmp.Există, de asemenea străpungere la nivelul joncţiunii de poartă. Evitareaacestui fenomen se face prin:
a) limitarea tensiunilor inverse pe poartă;b) limitarea tensiunilor directe pe poartă;c) limitarea tensiunilor inverse pe drenă;d) limitarea tensiunilor directe pe drenă.
a) IDSS scade iar VT creşte;b) IDSS creşte iar VT scade;c) IDSS şi cresc;d) IDSS şi VT scad.
Pentru notaţii vezi figura 5.4
38.3p
Pentru un TECJ, o dată cu creşterea temperaturii:
a) iD scade dacă iD>IZ;b) iD creşte dacă iD>IZ;c) iD scade dacă iD<IZ;d) temperatura nu are nici un fel de efect asupra valorii lui iD;
pentru notaţii vezi figura 5.4
39.4p
Pentru un tranzistor cu efect de câmp:
iD
vGS
T2
VT1
T1 T2>T1
VT2
IDSS1
IDSS2
Z
VGZ
IZ
Figura 5.4
a) problema ambalării termice se rezolvă ca şi în cazultranzistoarelor bipolare;
b) problema ambalării termice nu se pune;
c) problema ambalării termice nu se pune dacă ID<IZ;d) problema ambalării termice nu se pune dacă ID>IZ.unde ID curentul de drenă din punctul static de funcţionare, iar pentru IZ vezi figura 5.4.
40.3p
O dată cu variaţia temperaturii caracteristicile de ieşire ale unui TECJ semodifică ca în figura notată (urmăriţi relaţia dintre T1 şi T2):
Un posibil model matematic pentru un TECJ – pentru regimul cvasistaticde semnal mic – este:
a)
id =0 şi id =gmvdsb) ig=0 şi id =gmvgs c) id =0 şi id =gmvds
d) ig=0 şi id =gmvgs
undeig curent de grilă (valoare instantanee de semnal)id curent de drenă (valoare instantanee de semnal)vgs tensiune de grilă-sursa (valoare instantanee de semnal)vds tensiune de drenă-sursa (valoare instantanee de semnal)
T GS
Dm
vV
I g
−=
2
423p
Tranconductanţă mutuală a unui TECJ are expresia:
a) T GS
d mV V
I g −=
2;
b) T gs
Dm
V V
I g
−=
2 ;
c) T GS
Dm
V V
I g
−=
2 ;
d) T gs
d m
V V
I g
−=
2 .
433p
Schema echivalentă ce corespunde modelului matematicig=0 id =gmvgs
al unui TECJ – pentru regimul cvasistatic de semnal mic – esteprezentată în figura:
Circuitul de polarizare al unui TECJ are sarcina de a asigura:
a) polarizarea inversă a joncţinii poartă – canal, stabilitateapunctului static de funcţionare funcţie de dispersia parametrilor,dar nu şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţiatemperaturii;
b) polarizarea directă a joncţinii poartă – canal, stabilitateapunctului static de funcţionare funcţie de dispersia parametrilor,dar nu şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţiatemperaturii;
c) polarizarea inversă a joncţinii poartă – canal, stabilitateapunctului static de funcţionare funcţie de dispersia parametrilor,precum şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţiatemperaturii;
d) stabilitatea punctului static funcţie de variaţia temperaturii;
45.3p
Aşa numitul „circuit cu negativare automată” utilizat pentru polarizareaunui TECJ este prezentat în figura notată:
Figura 5.5 prezintă aşa numitul „circuit cu negativare automată” utilizatpentru polarizarea unui TECJ. Schema echivalentă de semnal mare ce îicorespunde este:
ED
RS RG
Figura 5.5 a)
ID
RS RG ED
VGS
G D
S
VDS
b)
ID
RS RG ED
VGS
G D
S
VDS
c)
ID
RS RG ED
VGS
G D
S
VDS
d)
ID
RS RG ED
VGS
G D
S
VDS
474p
Figura 5.6 prezintă schema echivalentă de semnal mare a circuitului dinfigura 5.5. Căderea de tensiune VGS are expresia:
Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună. Dacă tranzistorul operează în regiunea de saturaţie schema se modelează ca înfigura notată:a)
ED
RD
vIN vO
iDiINiO
vGS
G D
S
b)ED
RD
vIN vO
iIN
vGS
G D
S
iD
c)ED
RD
vIN vO
iIN
vGSE
G D
S
R
d)ED
vIN vO
iIN
vGS
G D
S
R
53.2p
Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună. Dacă tranzistorul operează în regiunea liniară schema se modelează ca înfigura notată:
a) face parte din circuitul de negativarea automată;b) este rezistor de sarcină;c) este rezistor de limitare;d) asigură valoarea necesară a rezistenţei de ieşire.
59.1p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Rezistorul RS
a) face parte din circuitul de negativarea automată;b) este rezistor de sarcină;c) este rezistor de limitare;d) asigură valoarea necesară a rezistenţei de ieşire.
60.1p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Rezistorul RD
a) face parte din circuitul de negativarea automată;b) este rezistor de sarcină;c) este rezistor de limitare;d) asigură valoarea necesară a rezistenţei de ieşire.
61.1p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Condensatorul C1
a) în curent continuu pune sursa la masă, în curent alternativneavând nici un efect.
b) separă în curent alternativ etajul blocând componenta alternativă,dar lasă să treacă componenta continuă.
c) condensator de decupare; în curent alternativ pune sursa la masă, în curent continuu neavând nici un efect.
d) condensator de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocândcomponenta continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă.
62.1p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Condensatorul C2
a) în curent continuu pune sursa la masă, în curent alternativ
neavând nici un efect.b) separă în curent alternativ etajul blocând componenta alternativă,dar lasă să treacă componenta continuă.
c) condensator de decupare; în curent alternativ pune sursa la masă, în curent continuu neavând nici un efect.
d) condensator de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocândcomponenta continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă.
63.1p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Condensatorul CS
a) în curent continuu pune sursa la masă, în curent alternativneavând nici un efect.
b) separă în curent alternativ etajul blocând componenta alternativă,
dar lasă să treacă componenta continuă.c) condensator de decupare; în curent alternativ pune sursa la masă,
în curent continuu neavând nici un efect.d) condensator de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocând
componenta continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă.
64.3p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic înconexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Amplificarea în
tensiune definită prin:in
o
V V
V A = este:
a) Av=gm R D b) Av=-gm R D
c) Av=gm RS d) Av=-gm RS
65.3p
Schema unui etaj de amplificare în conexiunea sursă comună esteprezentată în figura 5.8. Schema echivalentă de semnal mic regimcvasistatic este prezentată în figura notată: