UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO FACULTAD DE INGENIERÍA ESCUELA DE ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES SÍLABO DE LA CÁTEDRA ELECTRONICA Y LABORATORIO SÍLABO DE ELECTRONICA Y LABORATORIO
Jun 25, 2015
UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO
UNIVERSIDAD NACIONAL DE
CHIMBORAZO
FACULTAD DE INGENIERÍAESCUELA DE ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES SÍLABO DE
LA CÁTEDRA ELECTRONICA Y LABORATORIO
PROFESOR: ING. GIOVANNY CUZCO
PERIODO LECTIVO: 2012 2013
SEMESTRES
SÍLABO DE ELECTRONICA Y LABORATORIO
UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO
INSTITUCIÓN: UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO FACULTAD: INGENIERÍANOMBRE DE LA CARRERA: ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONESAÑO O SEMESTRE: SEMESTRENOMBRE DE LA MATERIA: ELECTRONICA Y LABORATORIO CÓDIGO DE LA MATERIA: EET42 +EET43
NÚMERO DE CRÉDITOS TEÓRICOS: 4 = 54 HORAS = 3.375 CRÉDITOS NÚMERO DE CRÉDITOS PRÁCTICOS: 3 = 54 HORAS = 3.375 CRÉDITOS
DESCRIPCIÓN DEL CURSO
El curso de electrónica, cubre la teoría básica de los semiconductores, concepto de uniones pn, tipos de diodos y sus aplicaciones, análisis y diseño de circuitos con diodos, transistores bipolares de unión y de efecto de campo, sistemas amplificadores de pequeña señal y de potencia, porque su estudio permite conocer, comprender y aplicar estos conocimientos en el diseño de circuitos electrónicos del futuro profesional.
PRERREQUISITOS
EET27 CIRCUITOS ELECTRICOS I
CORREQUISITOS
CIRCUITOS ELECTRICOS II
OBJETIVOS DEL CURSO
Conocer las diferentes aplicaciones de los distintos tipos de diodos.
Diseñar puntos de operación en CD de los transistores BJT.
Diseñar puntos de operación en CD de los transistores FET.
Conocer modelo hibrido, re del transistor y Calcular parámetros Zi,Zo,Av,Ai,Ap.Diseñar amplificadores de pequeña señal con transistores BJT utilizando las distintas
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UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZOconfiguraciones existentes tanto con parámetros h como con parámetros re.
Diseñar los amplificadores de pequeña señal para los transistores JFET y MOSFET en las
distintas configuraciones utilizando el circuito equivalente del transistor.
Conocer la respuesta de los amplificadores multietapa a alta y baja frecuencia
Conocer las diferentes clases de amplificadores de potencia
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CONTENIDOS – TEMAS (Que debe saber)
No DE
HORAS/ SEMANAS
RESULTADOS DEL
APRENDIZAJE (Qué debe ser capaz de hacer)
EVIDENCIAS DE LO APRENDIDO
1-1 El diodo ideal1-2 Análisis mediante
la recta de carga1-3 Aproximaciones
de diodos1-4 Configuraciones
de diodos en serie, paralelo y serie-paralelo conentradas DC
1-5 Rectificación de Media Onda, Onda completa
1-6 Diodos especiales, Zener, varactores, ópticos, Schottky, Túnel, Pin y laser
1-7 Circuitos recortadores y cambiadores de nivel
1-8 Aplicaciones con diodos
36/1-2
Conoce las distintas configuracione s de Diodos. Conoce las distintas aplicacionesde diodos
especiales Diseña circuitos rectificadoresy cambiadores
de nivel
Trabajos de los estudiantes en los que se demuestra
que conoceny diseñan
circuitos con diodos (Guardar
los trabajos).
TEORÍA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS Robert
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UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZOL. Boylestad. Cap1,2 Pag 1- 110.
Práctica Encendido de 3 Leds con una resistenciaPractica Encendido de 3 Leds con 3 resistenciaPráctica Cambiador de nivel
36/1-2
Calcular los valores de resistencia.Diseñar el cambiador de nivel
Trabajos que demuestran calculan y diseñan (informes y respaldos en discos ópticos)
TRABAJO DE INVESTIGACIÓN
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CONTENIDOS – TEMAS (Que debe saber)
No DE
HORAS/ SEMANAS
RESULTADOS DEL
APRENDIZAJE (Qué debe ser capaz de hacer)
EVIDENCIAS DE LO APRENDIDO
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2-1 Construcciónde transistores
2-2 Operación de los transistores
2-3 Configuracionesde transistores
2-4 Parámetros y rangos
de operación delos transistores
2-5 El transistorcomo interruptor
2-6 Punto de operación en
CD2-7 Polarizaciones
de transistores2-8 Operaciones
de diseño
36/3-4
Conoce las distintas configuracione s de los Transistores BJTCalcula Punto de operación Diseña el Punto Q de operación
Trabajos de los estudiantes en los que se demuestra que conoce, calcula y diseña punto de operación en DC de transistores BJT. (Guardar los trabajos).
Simular la polarización de Transistor
36/3-4 Diseña y Simula
Trabajos que demuestran el cálculo de punto Q de operación. (informes y respaldos en discos
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ópticos)
TRABAJO DE INVESTIGACIÓN
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UNIDAD 3 ( TRANSISTORES DE EFECTO
DE CAMPO)
CONTENIDOS – TEMAS (Que debe saber)
No DE
HORAS/ SEMANAS
RESULTADOS DEL
APRENDIZAJE (Qué debe ser capaz de hacer)
EVIDENCIAS DE LO APRENDIDO
3-1 Operación y Construcción de los JFET
3-2 Operación y Construcción de MOSFET
3-3 ConfiguraciónPolarización de
JFET
3-4 ConfiguraciónPolarización de
MOSFET
3-5 FET como interruptor
3-6 Operaciones de diseño
36/5-6
Conoce las distintas configuraciones de los Transistores JFET y MOSFET Calcula Punto de operaciónDiseña el Punto Qde operación
Trabajos de los estudiantes en los que se demuestra que conoce, calcula y diseña punto de operación en DC de transistores JFET y MOSFET. (Guardar los trabajos).
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Simular la polarización de Transistor
36/5-6 Diseña y Simula
Trabajos que demuestran el cálculo de punto Q de operación. (Informes y respaldos en discos ópticos).
TRABAJO DE INVESTIGACIÓN
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UNIDAD 4 ( MODELAJE DE TRANSISTORES
BIPOLARES)
CONTENIDOS – TEMAS (Que debe saber)
No DE
HORAS/
SEMANAS
RESULTADOS DEL
APRENDIZAJE (Qué debe
ser capaz de hacer)EVIDENCIAS
DE LO APRENDIDO
4-1 Amplificación en el dominio de AC.
4-2 Modelaje de transistores
BJT.4-3 Los
parámetros importantes: Zi, Zo, Av, Ai, Ap.
4-4 El modelo re de transistores.
4-5 El Modelo híbrido equivalente.
4-6 Determinación gráfica de los parámetros h.
4-7 Variaciones de los parámetros de transistores.
36/6-9
Conoce modelo hibrido, re del transistor
Calcula parámetrosZi,Zo,Av,Ai,Ap
Trabajos de los estudiantes en los que se demuestra que conocen los modelos hibrido, re, y calculan Zi, Zo, Av, Ai, Ap (Guardar los trabajos).
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Diseñar , Calcular los parámetros importantes con Av y Simular el circuito
36/7-9 Diseña y Simula
Trabajos que demuestran el cálculo de punto Q de operación. (Informes y respaldos en discos ópticos).
TRABAJO DE INVESTIGACIÓN
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UNIDAD 5 ( ANÁLISIS DE PEQUEÑA SEÑAL
DEL TRANSISTOR BIPOLAR)
CONTENIDOS – TEMAS (Que debe saber)
No DE
HORAS/
SEMANAS
RESULTADOS DEL
APRENDIZAJE (Qué debe
ser capaz de hacer)EVIDENCIAS
DE LO APRENDIDO
5-1 Configuración de emisor común con polarización fija
5-2 Polarización mediante divisor de voltaje
5-3 Configuración de emisor común con polarización en emisor
5-4 Configuración emisor –
seguidor5-5 Configuración de base
común5-6 Configuración con
retroalimentación en colector y dc en colector
5-7 Circuito equivalente híbrido aproximado yhíbrido completo
5-8 Efectos de Rs y RL en los amplificadores de pequeña señal
5-9 Amplificadores
Multietapa5-10 Diseño
de amplificadores de pequeña señal
36/9-11
Conoce las diferentes configuraciones aplicadas a pequeñas señalesDiseñaamplificadores de pequeña señal
Trabajos de los estudiantes en los que se demuestra
que diseñan amplificadores
Multietapa (Guardar los
trabajos).
SÍLABO DE ELECTRONICA Y LABORATORIO
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Diseñar y simular circuito multietapa con AV dada.
36/9-11 Diseña y simula
Trabajos que demuestran el diseño de amplificadoresmultietapa. (Informes y respaldos en discos ópticos).
TRABAJO DE INV ESTIGACIÓN
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UNIDAD 6 ( ANÁLISIS DE PEQUEÑA SEÑAL
DEL JFET)
CONTENIDOS – TEMAS (Que debe saber)
No DE
HORAS/
SEMANAS
RESULTADOS DEL
APRENDIZAJE (Qué debe
ser capaz de hacer)EVIDENCIAS
DE LO APRENDIDO
6-1 Modelo de pequeña señal del FET
6-2 Configuración de polarización fija, autopolarización,divisor de voltaje para elJFET
6-3 Configuración Fuente – Seguidor (Drenaje común) y compuerta común para el JFET
6-4 MOSFET detipo
Decremental.6-5 MOSFET de
tipoIncremental
6-6 Configuración de retroalimentación en drenaje y divisor de voltaje para el MOSFET
6-7 Efectos de Rs y RL en los amplificadores de pequeña señal
6-8 AmplificadoresMultietapa.
6-9 Diseño de redes con amplificador FET
36/11-14
Conoce las diferentes configuraciones aplicadas a pequeñas señalesDiseñaamplificadores de pequeña señal
Trabajos de los estudiantes en los que se demuestra que diseñan amplificadoresMultietapa (Guardar los trabajos).
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Diseñar y simular circuito multietapa con AV dada.
36/11-14 Diseña y simula
Trabajos que demuestran el diseño de amplificadoresmultietapa. (Informes y respaldos en discos ópticos).
TRABAJO DE INVESTIGACIÓN
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UNIDAD 7 (RESPUESTA EN FRECUENCIA DE
TRANSISTORES BJT Y JFET)
CONTENIDOS – TEMAS (Que debe saber)
No DE
HORAS/
SEMANAS
RESULTADOS DEL
APRENDIZAJE (Qué debe
ser capaz de hacer)EVIDENCIAS
DE LO APRENDIDO
7-1 Logaritmos y decibeles7-2 Consideraciones
generales sobre la frecuencia
7-3 Análisis a baja frecuencia, gráfica de Bode
7-4 Respuesta abaja
frecuencia, amplificadorBJT y FET
7-5 Capacitancia de efecto
Millar7-6 Respuesta a alta
frecuencia, amplificador BJT Y FET
7-7 Efectos de frecuencia en
Multietapas
36/11-14
Conoce la respuesta a alta y baja frecuencia de amplificadores de BJT y FETConoce los efectos de frecuencia en amplificadores multietapa
Trabajos de los estudiantes en los que se demuestra que el estudiante conoce los efectos amplificadores Multietapa (Guardar los trabajos).
Diseñe y simule un amplificador multietapa y analice sus efectos a alta y
36/11-14 Diseña y simula
Trabajos que demuestran los efectos de baja y alta frecuencia. (Informes y
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baja frecuencia respaldos en discos ópticos).
TRABAJO DE INVESTIGACIÓN
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UNIDAD 8 ( AMPLIFICADORES DE
POTENCIA)
CONTENIDOS – TEMAS (Que debe saber)
No DE
HORAS/
SEMANAS
RESULTADOS DEL
APRENDIZAJE (Qué debe
ser capaz de hacer)EVIDENCIAS
DE LO APRENDIDO
8-1 Introducción:definiciones y tipos de amplificadores
8-2 Amplificador claseA
alimentado en serie8-3 Amplificador acoplado
con transformador clase A
8-4 Operación del amplificador clase B
8-5 Circuitos de amplificador clase B
8-6 Distorsión del amplificador
8-7 Disipación de calor del transistor de potencia
8-8 Amplificadores clase C
y clase D
36/12-15
Conoce los distintas clases de amplificadores de potencia.
Trabajos de los estudiantes en los que se demuestra que el estudiante conoce los amplificadores de Potencia (Guardar los trabajos).
Diseñar y simular un amplificador de potencia
36/15-18Diseña y Simula
Trabajos que demuestran que diseñan amplificadores de potencia. (Informes
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y respaldos en discos ópticos).
TRABAJO DE INVESTIGACIÓN
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CONTRIBUCIÓN DEL CURSO EN LA FORMACIÓN DEL PROFESIONALLa asignatura de Electrónica y Laboratorio aporta con el conocimiento de dispositivos electrónicos y el diseño de amplificadores de pequeña señal para aplicaciones que se
presentan en la carrera de Ingeniería en Electrónica y telecomunicaciones
RELACIÓN DEL CURSO CON EL CRITERIO RESULTADO DE APRENDIZAJE.La asignatura contribuye para que el estudiante tenga una conocimientos, basada en el análisis
y en el desarrollo de habilidades y destrezas para solucionar el Diseño circuitos electrónicos.
ASPECTOS DE CONDUCTA Y COMPORTAMIENTO ETICOSe exige puntualidad, no se permitirá el ingreso de los estudiantes con retrasoLa copia de exámenes será severamente castigada. Art. 207 literal g. Sanciones (b) de laLOESRespeto en las relaciones docente-estudiante y alumno-alumno. Art. 86 de la LOESEn los trabajos se debe incluir las citas y referencias de los autores consultados, usando las normas APA. El plagio puede dar motivo a valorar con cero el respectivo trabajo.No se receptarán trabajos o deberes u otro fuero de la fecha prevista, salvo justificación debidamente aprobada.
BIBLIOGRAFÍA
Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky TEORÍA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS, Décima Edición, 2009, Prentice Hall
BIBLIOGRAFÍA COMPLEMENTARIA
Floy Thomas DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS, Octava Edición, 2008,PEARSON.
LECTURAS RECOMENDADASC. J. Savant Jr, Martin S. Roden, Gordon, Diseño Electronico, 3ª Edición, 2000 Editorial Prentice-Hall
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UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZORESPONSABLE DE LA ELABORACIÓN DEL
SILABO Ing. Giovanny Cuzco
FECHA Abril 2013
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