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EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO
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EL TRANSISTOR MOSFET CURVAS … TRANSISTOR MOSFET CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO FORMA DE PRESENTACIÓN DE LAS ECUACIONES DEL MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO

Mar 19, 2018

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lamanh
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ELTRANSISTORMOSFETCURVASCARACTERÍSTICASDEUN

MOSFETCANALNDEENRIQUECIMIENTO

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FORMADEPRESENTACIÓNDELASECUACIONESDELMOSFETDEENRIQUECIMIENTO

SedefineParalaregióntriodo(zonaohmica)VGS>VtVDS<VGS-VtVGD>Vt

ParalaregióndesaturaciónVGS≥VtVDS≥VGS-VtVGD<Vt

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CARACTERÍSTICADETRANSFERENCIAIDVS.VGSDELMOSFETDEENRIQUECIMIENTO

DelaecuaciónenlazonadesaturaciónpuederealizarselagráficadelacorrienteiDvs.elvoltajevGSenellímiteentrelasregiones.

EnlaregióndesaturaciónelMOSFETsecomportacomounafuentedecorrientecuyovalorestácontroladoporvGS.

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CARCTERÍSTICASCOMPLETASDELMOSFETTIPONDEENRIQUECIMIENTO

ElMOSFETsecomportacomounafuentedecorrientecuyovalorestácontroladoporvGS

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RESISTENCIAENLAREGIÓNDESATURACIÓN*Enlapráctica,alaumentarvDSseveafectadoelpuntodepinch-off.Lalongituddelcanalsereduce(modulacióndelalongituddelcanal).*LacorrienteiDesinver-samenteproporcionalalalongituddelcanalyaumenta.

λ esunparámetroquedepen-dedelatecnologíautilizadayesinversamenteproporcionalalalongituddelcanal.

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CARACTERÍSTICASREALESDESALIDADEUNMOSFETTIPOENRIQUECIMIENTOCONSIDERANDOLAMODULACIÓNDELCANAL

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EXTRAPOLACIÓNDELASCURVASCARACTERÍSTICASDELMOSFETLainterseccióndelaextrapolacióndelascurvasocurreenVA=1/λ.Laresistenciadesalidaes

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SÍMBOLOSCIRCUITALES

ParaelNMOSdeenriquecimiento(MOSTETcanalN)ParaelPMOSdeenriquecimiento(MOSTETcanalP)

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POLARIZACIÓN:RECTADECARGA

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CARACTERÍSTICADETRANFERENCIA.GRANSEÑAL

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ELMOSFETCOMOAMPLIFICADOR

Ensaturación:CorrienteDC(polarización)

AlaplicarlafuenteAC:

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Sivgssemantienelosuficientementepequeño,sepuedentomarencuentasololosdosprimerostérminos.Encasocontrario:distorsión

Entonces:

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Otrasexpresionesparagm

Sustituyendoenlaexpresióndegm

Unaterceraexpresión:

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Gananciadevoltaje

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MODELOEQUIVALENTEDEPEQUEÑASEÑAL

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AMPLIFICADORSOURCECOMÚN

EnDC:PuntodeoperaciónQEnAC:Gananciadevoltaje,gananciadecorriente,impedanciadeentradaeimpedanciadesalida.

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EjerciciodeAmplificadorSourceComúnVth=1,5Vk'(W/L)=0,25mA/V2,VA=50V

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Puntodeoperación.SuponemosqueelMOSFETestáensaturación

ComolacorrientedeGateesceronohaycaídadevoltajeenRG,porlotantoVD=VG.ElvoltajedeSourceescero.EntoncesVGS=VG=VD

Resolviendo

Cálculodelosparámetros

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Resolucióndelaecuacióndesegundogrado

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*Circuitodepequeñaseñal

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CálculodeAV

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ParaRGconvalorelevado(enestecasoRG=10MΩ)Eslasolucióndellibro

¿Esaceptablelaaproximación?Esaceptable.SiRGtieneunvalorelevado,puededespreciarseestaresistenciaenloscálculosdelagananciadevoltaje.

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ResistenciadeentradaRin=vi/ii

Deotraforma:

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Resistenciadesalida

Ro=Vp/Ipvgs=0Ro=RD//ro=47//10=8,25kΩ

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*GananciadecorrienteEsmuyelevada

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CONCLUSIONESSOBREELAMPLIFICADORSOURCECOMÚN

*LagananciadelamplificadorSourceComúnesrelativamenteelevada,ylaseñaldesalidapresentaundesfasajede180ºconrespectoaladeentrada,segúnindicaelsignonegativoqueseobtieneenlarelacióndeAV.*Laimpedanciadeentradadependedelasresistenciasdelpolarización,porloqueseseleccionanvaloreselevados,delordendelasunidadesodecenasdeMΩ,paraobtenerlaresistenciadeentradamasaltaposible.*LaimpedanciadesalidadependedelaresistenciadeDrain,locualhacequepresenteunvalorrelativamentealto.

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ELAMPLIFICADORSOURCECOMÚNCONRESISTENCIADESOURCE

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EJEMPLODEAMPLIFICADORSOURCECOMÚNCONRESISTENCIADESOURCE

Para el siguiente amplificador, determine la ganancia de voltaje, lagananciadecorriente,laresistenciadeentradaylaresistenciadesalida.

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AnálisisdelcircuitoGate-Source

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Resolucióndelaecuación

Puntodeoperación:ID=1mA,VDS=3V,VGS=2V

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Modelodepequeñaseñal

Cálculodelparámetrogm

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Gananciadevoltaje

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Gananciadecorriente

Resistenciadeentrada:PorinspecciónResistenciadesalida:Sivgs=0resulta

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AMPLIFICADORDRAINCOMÚN

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*Circuitoequivalenteconelmodeloπincluyendoro

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*GananciadevoltajeSedefineRp=RC//RL//r

Esmenorque1

Lasalidaestáenfaseconlaentrada

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ResistenciadeentradaResistenciadesalidaVp=-vgs

Ro=Rs//ro//(1/gm)

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Gananciadecorriente

Dependedelvalordelasresistenciasdepolarización

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AMPLIFICADORGATECOMÚN

LaresistenciaRGevitalaacumulacióndecargaestáticaenGate,yelcondensadorCGaseguraqueGateestéatierraparaelanálisisdepequeñaseñal.Hayquecalcularelpuntodeoperaciónylosparámetrosdelmodelodepequeñaseñal.

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MODELODEPEQUEÑASEÑALConmodeloπronosevaatomarencuenta

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*Delmodeloπsimplificado:

*Gananciadevoltaje:

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GananciadecorrienteEsmenorque1

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Resistenciadeentrada

Estaconfiguracióntieneunabajaresistenciadeentrada.

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*Resistenciadesalida