信頼性レポート 49 Q1 2010
信頼性レポート 49
Q1 2010
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目 次
概要 1 アルテラの品質システム1 図 1 標準生産フローチャット2
信頼性試験の実施方法 3 表 1 信頼性認定試験4 表 2 信頼性モニタプログラム5 寿命試験実施方法と故障率の予測6 寿命試験の方法 6 故障率の予測 7
表 3 一般的な故障メカニズムと加速係数 8
寿命試験の結果 9 042 ミクロンプロセスのFLEX 製品 9 03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品10 022 ミクロンプロセスのFLEXACEX および APEX 製品11 018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品12 015 ミクロンプロセスの APEX および Mercury 製品13 013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCycloneおよび HardCopy 製品 14 90nm プロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GX および HardCopy II 製品15 6560nm プロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 16 40nm プロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 17 MAX 7000S および MAX 9000 ―第3世代品18 MAX 7000A および MAX 3000A ― 第4世代品 19 MAX 7000B ― 第5世代品 20 MAX II ― 018ミクロン FLASHプロセス品 21 コンフィグレーションデバイス ― EPROM 22 コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品 23
高温保存試験 24
耐湿特性(Moisture Resistance) 27 プレッシャークッカ試験(Autoclave)27 非バイアス HAST27
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング 32
高温高湿バイアス試験(THB) 33 超加速寿命試験(HAST) 36
温度サイクル試験 40
ハンダ付け部の信頼性 46
シリアルコンフィギュレーションデバイス 49
Altera Corporation 1
概 要
アルテラはプログラマブルロジックデバイス(PLD)の開発と製造を行っていますこれらのデバイスはユー
ザコンフィギュラブルな ICでカスタムディジタルロジックの機能を実現するときに使用されますアルテ
ラは幅広い PLDファミリとコンフィギュレーションデバイスファミリを供給しています各ファミリの詳細は
個別のデータシートで解説されています
また各デバイスファミリのアーキテクチャ詳細なパッケージ情報取り扱い方法表面実装に関するガイド
ライン製品の変更通知などの製品情報はアルテラの webサイトhttpwwwalteracomを通じて入手すること
もできますアルテラの webサイトには各資料が Adobe社のアクロバットとポストスクリプトのフォーマットで
提供されていますまた主要な資料は日本語でも提供されています各資料は日本アルテラまたは販売代理店か
らも入手可能です
アルテラの Support webサイトを通じた技術サポートも提供されていますこれらの技術サポートにはアルテラの
オンラインテクニカルサポートシステムlthttpswwwalteracommyalteramal-indexjspgtと「Altera
Knowledge Database」が含まれておりこれら双方を活用して技術的な質問に対する回答をみつけることができま
す
アルテラはISO 9001-Rev2000MIL-I-45208および JEDEC標準規格の要求に準拠したクローズドループの品質お
よび信頼性システムを確立していますアルテラとアルテラ製品の製造に関係したすべての主要ベンダはすでに
ISO 9000の認証を受けていますアルテラが実施している信頼性の認定プログラムおよびモニタプログラムは
その実施手順合格 不合格の基準不具合対策などを規定した厳格な社内規格によって統括されていますアル
テラは 1994年 10月以来ISO 9001の認証を得ておりアルテラの ISO 9001の認証を担当したのはアイルランドの
NSAI(National Standards Authority of Ireland)という認証機関です
アルテラの使命は 先端のプログラマブルロジックシリコンソリューションIP(Intellectual
Property)関連ソフトウェア開発ツール及びテクニカルサポートの優れたサプライヤとなることですアルテラ
はより大きなロジックICの市場シェアを得るためにこの利点を活用します顧客に選ばれるサプライヤとなり
その地位を維持するためにアルテラは効率的で 高級のソリューションをタイムリに顧客に提供し同時に常に顧
客の期待を満足しまたはそれらを凌ぐ品質と信頼性そしてサービスを提供することに努めています
アルテラの品質システム
アルテラの品質システムは ISO 9001のすべての要求に適合するように規定されておりその詳細はアルテラの品質
マニュアル11G-00000に記述されていますこのアルテラの品質システムは世界的な多国籍企業を含む主要顧客
による詳細にわたる評価と審査を受けていますアルテラは生産ラインをコントロールするための完全なオンライ
ンドキュメントとコンピュータをフルに活用した生産システムを維持しています 社内規格は JEDEC規格に準拠
していますアルテラのコンピュータを使用した生産システムによりウェハーとアッセンブルの各ロットは完全に
トレース可能になっていますまたアルテラは顧客の 終製品のデザインデバッグ製造出荷をサポートする
ため応用技術部門と品質保証部門の技術者間の緊密なネットワークを確保しています
アルテラのすべての製造パートナ(TSMCASEおよび AMKOR)は自動車業界の品質規格である ISOTS16949の認証
と登録を受けているため 高レベルの品質と信頼性で自動車業界のサプライチェインに対応することができま
す
アルテラはすべての製品に対して包括的なテストと生産コントロールを実施しています図1はアルテラ製品の
標準的な生産フローを示したものです
Altera Corporation 2
図 1 標準生産フローチャット
ウェハー検査 外観および電気的試験すべてのロットを100
チェック
ウェハーソート1試験 DC パラメータファンクションプログラマビ
リティ不揮発性デバイスのマージンテスト
またはSRAM のコンフィギュレーション
データ保持ベーク試験 EPROMEEPROMFLASH ベースのすべての製品に
対して24548 時間
ウェハーソート2試験 EPROMEEPROMFLASH ベースの製品に対するマ
ージンテスト
組立工程 2回目3回目4回目の光学的なサンプル検
査インラインマーク
QA による電気的試験 116 個抜き取り01 判定
マーキング 要求に応じたマーキング
外観検査 44 ピンを超えるすべてのプラスチックパッ
ケージに対する自動化された検査を含む
QA による工程審査 116 個抜き取り01 判定工程および書類の
レビュー
最終製品の容器への収納と移管規定に基くベーキングと耐湿バッグへの封入
出荷手続き梱包出荷
ウェハーファブリケーション すべての重要な工程はSPC コントロールによりチ
ェックされる
最終テスト AC およびDC パラメータファンクションプ
ログラマビリティまたはSRAM デバイスのコン
フィギュレーション
Altera Corporation 3
信頼性試験の実施方法
信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています各ファミリのすべての製品は同じデバイスアー
キテクチャとウェハー生産工程を採用しており同じパッケージタイプを使用していますアルテラの製品ファミ
リにはMAX reg
3000MAX 7000MAX 9000FLEXreg
6000FLEX 8000FLEX 10K APEXTM
Stratixreg
Stratix GX
Cyclonereg
Stratix IIStratix II GXCyclone IIStratix IIICyclone IIIStratix IVMAX IIHardCopyreg
があります各ファミリには複数の製品が含まれていますが各ファミリごとに同じロジックエレメントエンベ
デッドなストレージエレメントプログラマブルなインタコネクトテクノロジが使用されています各ファミリ
は集積度やパッケージオプションが異なる2種類から 10種類のデバイスで構成されています信頼性データや
不良率の予測などに関するデータはウェハーの生産に使用されるプロセステクノロジごとにレポートされていま
すここでいうプロセステクノロジとは使用されるストレージエレメントの種類(SRAMEEPROMEPROM)と
プロセスの 小加工寸法(013ミクロン65nm)に対応したものです
アルテラの製品ファミリは表1で規定された条件で認定されていますまた信頼性のモニタは表2で規定され
た条件と頻度で実施されています各製品ファミリの認定では各デバイスの集積度パッケージタイプパッ
ケージのピン数が考慮されます各製品ファミリにロジックエレメント数が大幅に増加した(50以上)デバイ
スが追加された場合はそのデバイスに対する認定試験が新たに実施されます
自動車市場向けに出荷されている製品はAutomotive Electronics Councilの標準規格でさらに大きなサンプル
サイズが要求されるAEC-Q100の認定も受けていますアルテラはAECおよび AEC-Q100のメンバとなっています
これらの詳細はhttpwwwaecouncilcom で確認することができます
軍用航空宇宙市場向けに出荷されている製品はAEQC (Aerospace Qualified Electronic Component)の標準規定
のGEIA-Std-0002-1に対する認定を受けていますアルテラはCycloneStratixそしてMAXII デバイスファミリ
によりこの標準規定に応じることを発表し半導体サプライヤの中から 初のものでしたこの標準規定はICサプ
ライヤと軍航空宇宙と防衛の請負業者の間のコミュニケーションを強調します
製品の変更はアルテラのプロダクト変更通知(PCN)システムを通じてユーザに通知されますこの通知は外観
外形寸法あるいは機能等に影響する変更が行われる場合に発行されますこの変更通知はアルテラの webサイ
トhttpwwwalteracom から入手することもできますまた
httpwwwalteracomliteratureupdatesregistrationupd-registrationjsp で PCNのメーリングリストに
登録することも可能です
アルテラでは通常の生産工程テスト工程およびプロセスコントロールから信頼性の高い製品が提供されるよう
にするため信頼性モニタプログラムを常時実施していますこの信頼性モニタプログラムは各製品ファミリご
とに実施されています各製品の信頼性のモニタには通常の生産工程で製造された複数の製品とパッケージタイ
プが使用され新製品を優先したLast-In-First-Out(LIFO)のタイムスケジュールで実施されていますこのレ
ポートに提示されているデータは過去 24ケ月に収集されたものです
Altera Corporation 4
表 1 信頼性認定試験
認定基準 テストの種類
MIL-STD-883または
JEDEC Std
方法条件 サンプル数 ロット数
許容不良数
ロット
寿命試験
JESD22-A108
1000時間Vcc標準値の11~12倍
Tj=+110以上+140以下
参考データの取得の場合は 2000時間
≦100ピン 77
101 - 240ピン 45
>240ピン 25
3
1
1
0
< 200
FIT at +55
データ保持ベーク試験
JESD22-A103
+150 1000時間以上
+245 168時間以上の条件で実施される
ウェハーレベルのテストで代替されること
がある
≦100ピン 45
>100ピン 25
3
1
0
温度サイクル試験
JESD22-A104
プリコンディショニング後
-55~ +125の 700サイクル
(条件 B)
≦100ピン 45
>100ピン 25
3
1
0
高温高湿バイアス試験または
超加速寿命試験 (HAST)
JESD22-A101または A110
プリコンディショニング後
+85 85 RH 1000時間以上
Vcc標準値1ピンおきにバイアス
または +130 85 RH
48時間または 96時間 Vcc標準値
≦100ピン 45
>100ピン 25
3 1
0
プレッシャークッカ試験
( Autoclave)
JESD22-A102
121 15 PSIG 96時間
参考データ取得の場合は 168時間
≦100ピン 45
>100ピン 25
3
1
0
人体モデル(HBM)
ESD耐量試験
JESD22-A114
MIL-STD-883 30157
100pF 1500 Ω
不良になったすべてのピンの分布を記録 3 1 1000V以上
チャージドデバイスモデル
ESD耐量試験
JESD22-C101
Field Induced Charge Device法 3 1
500V以上 高速
ピン( 400MHz以
上)は 200V以上
ラッチアップ耐量試験
JESD 78
(Icc標準値 +100mA)または
IOピン = Icc標準値 +50
電源ピン= Vcc+50
6 1 0
プログラム
イレーズサイクル試験
100サイクルのプログラムイレーズ
( EEPROMまたは FLASH) 25 1 0
プリント基板( PCB)
接続試験
JESD22-A104
0から +100単独の試験槽を使用 25
1
デージィ
チェイン
01の推定不良率
に達するまで
> 2000
サイクル
Altera Corporation 5
表 2信頼性モニタプログラム
テストの種類
MIL-STD-883または
JEDEC Std
方法条件 サンプル数 実施頻度
寿命試験 JESD22-A108
Vcc標準値の11~12倍
Tj = +110以上 +140以下で 1000時間
参考データ収集の場合は 2000時間
≦100ピン 77
>100 - 240ピン 45
>240ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
データ保持ベーク試験
(不揮発性デバイスのみ)
JESD22-A103
+150 500時間以上
参考データ収集の場合は 1000時間以上
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
温度サイクル試験
JESD22-A104
プリコンディショニング後
-55~ +125の 700サイクル
(工業用グレード品)
0~ +125の 700サイクル
(一般用グレード品)
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
高温高湿バイアス試験
または超加速寿命試験
(HAST)
JESD22-A101
または A110
プリコンディショニング後+ 85 85 RH
1000時間以上 Vcc標準値
1ピンおきにバイアスまたは +130
85 RH48時間または 96時間 Vcc標準値
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
プレッシャークッカ試験
(Autoclave)
JESD22-A102
+121 15PSIG 96時間以上
参考データ収集の場合は 168時間
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
プログラムイレーズ
サイクル試験
100サイクルのプログラムイレーズ
( EEPROMプロセス品のみ) 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
Altera Corporation 6
寿命試験実施方法と故障率の予測
寿命試験の方法
アルテラは製品に発生する可能性がある故障メカニズムが加速されるようにするため高温 高電圧の寿命試験
を実施していますデバイスの接合温度が125以上になるように寿命試験に使用される試験槽の周囲温度を上
昇させまたVccの電源電圧を標準値の+10~20まで上昇させることによって故障のメカニカニズムが加速さ
れます熱暴走のため接合温度を125に設定できなかった場合には 低の接合温度を 110に設定されま
す寿命試験に使用される基板にはリードの完全な接触が維持される特殊な高温用のソケットが実装されます
FLEXAPEX MercuryStratixStratix GXCycloneStratix IIStratix II GXおよび Cyclone IIの各
デバイスにはBIテストモードが使用されています 6560nm製品および40nm製品では実際にクロック動作
させる様にコンフィギュレーションを行ってダイナミックな寿命試験が実施されていますMAX 3000
MAX 7000MAX 9000(EEPROMデバイス)および MAX II(FLASHデバイス)の各デバイスには寿命試験前に 100
サイクルのプログラムイレーズが実施されます
試験されるデバイスにストレスを加える前に各デバイスがデータシートで保証された規格を満足しているか
どうかを生産工程用の機器を使用してテストしますまた同じテスト機器を使用してデータシート上の各
パラメータに対する測定値が記録されますこのときデータシートの規格を満足しないデバイスは不良品
と判定されます
MAX IIを除く不揮発性のコンフィギュレーションエレメントを持つデバイスについてはコンフィギュレー
ションエレメントとなるフローティングゲートに蓄積される電荷量が規定値に対してどのようなマージン
を持っているかをテストできる試験方法が開発されていますこれによって各コンフィギュレーションエ
レメントのマージンがテストされもっとも低いマージンが記録されますMAX IIはデバイスの機能がイレ
ーズされたビットの電荷量が増加したときにのみ影響を受けプログラムされたビットの電荷量が減少したと
きには影響を受けないようにした独特の設計となっていますMAX IIのテストにおいて機能を保証するた
めに必要なイレーズされたビットのテスト電流は 10 microAですがアルテラではこれを 25 microAでテストしていま
す
Altera Corporation 7
故障率の予測
アルテラでは故障率の予測に業界標準の手法を採用しています故障率は故障の時間に対する指数分布をベ
ースにして予測されます(一定の故障率を仮定)
前記のように寿命試験ではデバイスの故障を加速するために高い温度と電圧の条件が与えられ全体の加速係
数は単純に温度と電圧の加速係数の積になります
通常の使用条件での等価動作時間 = (寿命試験の時間)times(加速係数)
加速係数 = (温度の加速係数)times(電圧の加速係数)
温度と電圧の加速係数は標準的な計算式と公表されている加速係数を基準に算出されます加速係数はJEDEC発行
のドキュメントJEP122を基準にしたものとなっています加速係数の計算式は下記に示されており各故障モ
ードに対応した加速係数は表3の通りですアルテラではより薄い酸化膜(< 70Å)を使用したテクノロジ
への移行に伴って電圧による加速に対する「べき乗則」の依存性を観察してきました65nm以降のプロセス
テクノロジのゲート酸化膜への電圧加速には「べき乗則」モデルを採用しています
90nmまでのすべてのプロセスでは絶縁膜ブレークダウンの加速係数が 07eVになっています発表されている
論文では新しいプロセスにおける酸化膜ブレークダウンの熱活性化エレルギがこれまで言われていた03eVよ
りも高くなりその値が 03eVから 09eVの範囲になると報告されていますi ii
アルテラでは複数回の温度バ
ーイン試験のテスト結果から90nmまでのプロセスには 07eVが適用可能であることを確認しています65nm以
降のプロセスに対しては「べき乗則」に基づく異なる加速係数を採用しています
温度の加速係数を計算する場合は周囲温度ではなく接合温度が使用される必要があります接合温度はスト
レスを与えた条件での実際の消費電力およびターボビットをオンに設定した通常の使用条件での標準的な消
費電力を使用して算出されます(多くのアプリケーションではターボビットがオフに設定されるため実際の
消費電力はデータブックの Iccのカーブに示されているように大幅に低減され安全サイドになります)接合
温度は周囲温度またはケース温度の測定値と「Altera Device Package Information Data Sheet」に記載され
ている熱抵抗の値から算出されます熱抵抗の値は各製品のパッケージごとに規定されていますこの接合温
度の計算式は下記に示されている通りです
温度の加速係数の式を使用する場合は温度を次のように絶対温度に変換する必要があります
絶対温度=摂氏温度+ 273
Altera Corporation 8
表 3一般的な故障メカニズムと加速係数 iii
メカニズム 活性化エネルギ Ea( eV) 電圧指数係数
ゲート酸化膜のブレークダウン( ≧ 90nm) 07 γ =32中間絶縁膜層の欠陥 07 γ =20ビアのボイド (015 microm amp 013microm) 08 00 ビアのボイド (90nm amp 65nm) 10 00 シリコン接合部の欠陥 08 00 マスクの欠陥(ポリ拡散その他) 05 00 メタライゼーションの欠陥 05 00 Alのエレクトロマイグレーション 07 (Al-Si) 085 (Al-Cu) 電流密度依存性(1J2)Cuのエレクトロマイグレーション (013microm
FSG 絶縁膜)
08 電流密度依存性( 1J2)
Cuのエレクトロマイグレーション ( 90nm
および 65nm low-k絶縁膜)
09 電流密度依存性(1J)
汚染(表面およびバルク) 10 00 データ保持
チャージロス (EPROM) 06 00 チャージ放出 (FLASHと EEPROM
le 168時間)
11 00
SILC (FLASH と EEPROM gt 168 時間) 0 23 65nm以降のプロセスには異なる値を使用
故障率は次ページ以降のデータのように製品ファミリごとに計算されていますストレスが与えられた条件で
の累積動作時間は前述の加速係数を使用して通常の使用条件の動作時間に変換されますこの変換された動作
時間が強制空冷なしの55の周囲温度または70の接合温度Vccの標準値で動作した時間と等価となります
故障のメカニズムは不良解析によって判断されますストレスを与えた条件で観測された故障メカニズムに対
して前述の計算式と加速係数を使用して加速係数が計算されます2種類の故障メカニズムが確認された場合
はそれぞれの故障メカニズムごとに故障率を加算し全体の故障率を算出します故障が起こらなかった場合
は 低の加速係数を持つ故障メカニズムが故障レートの算出に使用されます
故障率はFIT(Failure In Time)数で表され1 FITは 10 9デバイス時間で1個が故障することを意味します
アルテラはJESD85(FIT数で表された故障率の計算方法)を使用して FIT数を計算しています
故障率はカイ2乗分布から算出され母集団から抜き取られた限定数の試験サンプルと不良が少数であることを
前提に 60の信頼度水準で予測されますカイ2乗値は要求される信頼度水準と自由度を使用してカイ2乗分
布表の逆数から算出されますiv また自由度はv = 2n+ 2として計算されここで nは確認された不良の数
になります故障率はカイ2乗の値を使用して下記の式から算出されます
ここで FIT数は 10 9times故障率となりMTTF(Mean Time to Failure)は指数分布に対して単純に故障率の逆数と
なります
Altera Corporation 9
寿命試験の結果
寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用
されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同
じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ
ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製
品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています
各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています
042ミクロンプロセスの FLEX製品
FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン
プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験
の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています
042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
パッケージ故障
等価時間
デート
コード
9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837
502E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182
Altera Corporation 10
03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの
電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ
クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ
らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています
03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801
295E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311
Altera Corporation 11
022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい
る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお
りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源
電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています
022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825
491E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186
Altera Corporation 12
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ
クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP
PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧
で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737
537E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171
Altera Corporation 13
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品
APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ
ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ
トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています
これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており
多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作
しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは
15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523
a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定
Altera Corporation 14
013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ
ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから
101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて
いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており
多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに
3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています
StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験
は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか
のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました
013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試
験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
ビアのボイド故障
等価時間
デート
コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713
7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743
7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743
8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831
7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701
8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831
9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925
9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919
9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907
9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925
9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901
9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907
7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707
7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719
7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719
8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807
8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841
9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942
7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701
8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817
8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843
9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911
9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913
7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701
7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748
8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826
8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832
8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825
8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827
8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838
8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825
958E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 15
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品
Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と
「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造
されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット
から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています
Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており
QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ
び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V
で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス
寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710
7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705
8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837
8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913
7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719
8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737
7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719
8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942
8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818
8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818
8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937
8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826
9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901
8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751
8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834
8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843
9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737
8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801
7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737
8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837
430E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 16
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ
リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス
は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお
りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと
414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい
ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で
動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803
540E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170
注 通常のアプリケーション Tj = 70
(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用
(ttf=toV^-nexp(EakT))
nおよび Eaの値は要求に応じて公表
Altera Corporation 17
40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで
製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ
リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています
Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット
番号 デバイス パッケージタイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デート
コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938
9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939
9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940
9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946
10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952
注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で
きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています
40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい
Altera Corporation 18
MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品
MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ
れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの
各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施
されています
第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613
810E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 810E+07 113
Altera Corporation 19
MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい
ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供
給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています
第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922
977E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 977E+07 94
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Copyright copy 2010 Altera Corporation All rights reserved Altera The Programmable Solutions Company the stylized Altera logo specific device designations and all other words and logos that are identified as trademarks andor service marks are unless noted otherwise the trademarks and service marks of Altera Corporation in the US and other countries All other product or service names are the property of their respective holders Altera products are protected under numerous US and foreign patents and pending applications maskwork rights and copyrights Altera warrants performance of its semiconductor products to current specifications in accordance with Alteras standard warranty but reserves the right to make changes to any products and services at any time without notice Altera assumes no responsibility or liability arising out of the application or use of any information product or service described herein except as expressly agreed to in writing by Altera Corporation Altera customers are advised to obtain the latest version of device specifications before relying on any published information and before placing orders for products or services
目 次
概要 1 アルテラの品質システム1 図 1 標準生産フローチャット2
信頼性試験の実施方法 3 表 1 信頼性認定試験4 表 2 信頼性モニタプログラム5 寿命試験実施方法と故障率の予測6 寿命試験の方法 6 故障率の予測 7
表 3 一般的な故障メカニズムと加速係数 8
寿命試験の結果 9 042 ミクロンプロセスのFLEX 製品 9 03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品10 022 ミクロンプロセスのFLEXACEX および APEX 製品11 018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品12 015 ミクロンプロセスの APEX および Mercury 製品13 013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCycloneおよび HardCopy 製品 14 90nm プロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GX および HardCopy II 製品15 6560nm プロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 16 40nm プロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 17 MAX 7000S および MAX 9000 ―第3世代品18 MAX 7000A および MAX 3000A ― 第4世代品 19 MAX 7000B ― 第5世代品 20 MAX II ― 018ミクロン FLASHプロセス品 21 コンフィグレーションデバイス ― EPROM 22 コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品 23
高温保存試験 24
耐湿特性(Moisture Resistance) 27 プレッシャークッカ試験(Autoclave)27 非バイアス HAST27
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング 32
高温高湿バイアス試験(THB) 33 超加速寿命試験(HAST) 36
温度サイクル試験 40
ハンダ付け部の信頼性 46
シリアルコンフィギュレーションデバイス 49
Altera Corporation 1
概 要
アルテラはプログラマブルロジックデバイス(PLD)の開発と製造を行っていますこれらのデバイスはユー
ザコンフィギュラブルな ICでカスタムディジタルロジックの機能を実現するときに使用されますアルテ
ラは幅広い PLDファミリとコンフィギュレーションデバイスファミリを供給しています各ファミリの詳細は
個別のデータシートで解説されています
また各デバイスファミリのアーキテクチャ詳細なパッケージ情報取り扱い方法表面実装に関するガイド
ライン製品の変更通知などの製品情報はアルテラの webサイトhttpwwwalteracomを通じて入手すること
もできますアルテラの webサイトには各資料が Adobe社のアクロバットとポストスクリプトのフォーマットで
提供されていますまた主要な資料は日本語でも提供されています各資料は日本アルテラまたは販売代理店か
らも入手可能です
アルテラの Support webサイトを通じた技術サポートも提供されていますこれらの技術サポートにはアルテラの
オンラインテクニカルサポートシステムlthttpswwwalteracommyalteramal-indexjspgtと「Altera
Knowledge Database」が含まれておりこれら双方を活用して技術的な質問に対する回答をみつけることができま
す
アルテラはISO 9001-Rev2000MIL-I-45208および JEDEC標準規格の要求に準拠したクローズドループの品質お
よび信頼性システムを確立していますアルテラとアルテラ製品の製造に関係したすべての主要ベンダはすでに
ISO 9000の認証を受けていますアルテラが実施している信頼性の認定プログラムおよびモニタプログラムは
その実施手順合格 不合格の基準不具合対策などを規定した厳格な社内規格によって統括されていますアル
テラは 1994年 10月以来ISO 9001の認証を得ておりアルテラの ISO 9001の認証を担当したのはアイルランドの
NSAI(National Standards Authority of Ireland)という認証機関です
アルテラの使命は 先端のプログラマブルロジックシリコンソリューションIP(Intellectual
Property)関連ソフトウェア開発ツール及びテクニカルサポートの優れたサプライヤとなることですアルテラ
はより大きなロジックICの市場シェアを得るためにこの利点を活用します顧客に選ばれるサプライヤとなり
その地位を維持するためにアルテラは効率的で 高級のソリューションをタイムリに顧客に提供し同時に常に顧
客の期待を満足しまたはそれらを凌ぐ品質と信頼性そしてサービスを提供することに努めています
アルテラの品質システム
アルテラの品質システムは ISO 9001のすべての要求に適合するように規定されておりその詳細はアルテラの品質
マニュアル11G-00000に記述されていますこのアルテラの品質システムは世界的な多国籍企業を含む主要顧客
による詳細にわたる評価と審査を受けていますアルテラは生産ラインをコントロールするための完全なオンライ
ンドキュメントとコンピュータをフルに活用した生産システムを維持しています 社内規格は JEDEC規格に準拠
していますアルテラのコンピュータを使用した生産システムによりウェハーとアッセンブルの各ロットは完全に
トレース可能になっていますまたアルテラは顧客の 終製品のデザインデバッグ製造出荷をサポートする
ため応用技術部門と品質保証部門の技術者間の緊密なネットワークを確保しています
アルテラのすべての製造パートナ(TSMCASEおよび AMKOR)は自動車業界の品質規格である ISOTS16949の認証
と登録を受けているため 高レベルの品質と信頼性で自動車業界のサプライチェインに対応することができま
す
アルテラはすべての製品に対して包括的なテストと生産コントロールを実施しています図1はアルテラ製品の
標準的な生産フローを示したものです
Altera Corporation 2
図 1 標準生産フローチャット
ウェハー検査 外観および電気的試験すべてのロットを100
チェック
ウェハーソート1試験 DC パラメータファンクションプログラマビ
リティ不揮発性デバイスのマージンテスト
またはSRAM のコンフィギュレーション
データ保持ベーク試験 EPROMEEPROMFLASH ベースのすべての製品に
対して24548 時間
ウェハーソート2試験 EPROMEEPROMFLASH ベースの製品に対するマ
ージンテスト
組立工程 2回目3回目4回目の光学的なサンプル検
査インラインマーク
QA による電気的試験 116 個抜き取り01 判定
マーキング 要求に応じたマーキング
外観検査 44 ピンを超えるすべてのプラスチックパッ
ケージに対する自動化された検査を含む
QA による工程審査 116 個抜き取り01 判定工程および書類の
レビュー
最終製品の容器への収納と移管規定に基くベーキングと耐湿バッグへの封入
出荷手続き梱包出荷
ウェハーファブリケーション すべての重要な工程はSPC コントロールによりチ
ェックされる
最終テスト AC およびDC パラメータファンクションプ
ログラマビリティまたはSRAM デバイスのコン
フィギュレーション
Altera Corporation 3
信頼性試験の実施方法
信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています各ファミリのすべての製品は同じデバイスアー
キテクチャとウェハー生産工程を採用しており同じパッケージタイプを使用していますアルテラの製品ファミ
リにはMAX reg
3000MAX 7000MAX 9000FLEXreg
6000FLEX 8000FLEX 10K APEXTM
Stratixreg
Stratix GX
Cyclonereg
Stratix IIStratix II GXCyclone IIStratix IIICyclone IIIStratix IVMAX IIHardCopyreg
があります各ファミリには複数の製品が含まれていますが各ファミリごとに同じロジックエレメントエンベ
デッドなストレージエレメントプログラマブルなインタコネクトテクノロジが使用されています各ファミリ
は集積度やパッケージオプションが異なる2種類から 10種類のデバイスで構成されています信頼性データや
不良率の予測などに関するデータはウェハーの生産に使用されるプロセステクノロジごとにレポートされていま
すここでいうプロセステクノロジとは使用されるストレージエレメントの種類(SRAMEEPROMEPROM)と
プロセスの 小加工寸法(013ミクロン65nm)に対応したものです
アルテラの製品ファミリは表1で規定された条件で認定されていますまた信頼性のモニタは表2で規定され
た条件と頻度で実施されています各製品ファミリの認定では各デバイスの集積度パッケージタイプパッ
ケージのピン数が考慮されます各製品ファミリにロジックエレメント数が大幅に増加した(50以上)デバイ
スが追加された場合はそのデバイスに対する認定試験が新たに実施されます
自動車市場向けに出荷されている製品はAutomotive Electronics Councilの標準規格でさらに大きなサンプル
サイズが要求されるAEC-Q100の認定も受けていますアルテラはAECおよび AEC-Q100のメンバとなっています
これらの詳細はhttpwwwaecouncilcom で確認することができます
軍用航空宇宙市場向けに出荷されている製品はAEQC (Aerospace Qualified Electronic Component)の標準規定
のGEIA-Std-0002-1に対する認定を受けていますアルテラはCycloneStratixそしてMAXII デバイスファミリ
によりこの標準規定に応じることを発表し半導体サプライヤの中から 初のものでしたこの標準規定はICサプ
ライヤと軍航空宇宙と防衛の請負業者の間のコミュニケーションを強調します
製品の変更はアルテラのプロダクト変更通知(PCN)システムを通じてユーザに通知されますこの通知は外観
外形寸法あるいは機能等に影響する変更が行われる場合に発行されますこの変更通知はアルテラの webサイ
トhttpwwwalteracom から入手することもできますまた
httpwwwalteracomliteratureupdatesregistrationupd-registrationjsp で PCNのメーリングリストに
登録することも可能です
アルテラでは通常の生産工程テスト工程およびプロセスコントロールから信頼性の高い製品が提供されるよう
にするため信頼性モニタプログラムを常時実施していますこの信頼性モニタプログラムは各製品ファミリご
とに実施されています各製品の信頼性のモニタには通常の生産工程で製造された複数の製品とパッケージタイ
プが使用され新製品を優先したLast-In-First-Out(LIFO)のタイムスケジュールで実施されていますこのレ
ポートに提示されているデータは過去 24ケ月に収集されたものです
Altera Corporation 4
表 1 信頼性認定試験
認定基準 テストの種類
MIL-STD-883または
JEDEC Std
方法条件 サンプル数 ロット数
許容不良数
ロット
寿命試験
JESD22-A108
1000時間Vcc標準値の11~12倍
Tj=+110以上+140以下
参考データの取得の場合は 2000時間
≦100ピン 77
101 - 240ピン 45
>240ピン 25
3
1
1
0
< 200
FIT at +55
データ保持ベーク試験
JESD22-A103
+150 1000時間以上
+245 168時間以上の条件で実施される
ウェハーレベルのテストで代替されること
がある
≦100ピン 45
>100ピン 25
3
1
0
温度サイクル試験
JESD22-A104
プリコンディショニング後
-55~ +125の 700サイクル
(条件 B)
≦100ピン 45
>100ピン 25
3
1
0
高温高湿バイアス試験または
超加速寿命試験 (HAST)
JESD22-A101または A110
プリコンディショニング後
+85 85 RH 1000時間以上
Vcc標準値1ピンおきにバイアス
または +130 85 RH
48時間または 96時間 Vcc標準値
≦100ピン 45
>100ピン 25
3 1
0
プレッシャークッカ試験
( Autoclave)
JESD22-A102
121 15 PSIG 96時間
参考データ取得の場合は 168時間
≦100ピン 45
>100ピン 25
3
1
0
人体モデル(HBM)
ESD耐量試験
JESD22-A114
MIL-STD-883 30157
100pF 1500 Ω
不良になったすべてのピンの分布を記録 3 1 1000V以上
チャージドデバイスモデル
ESD耐量試験
JESD22-C101
Field Induced Charge Device法 3 1
500V以上 高速
ピン( 400MHz以
上)は 200V以上
ラッチアップ耐量試験
JESD 78
(Icc標準値 +100mA)または
IOピン = Icc標準値 +50
電源ピン= Vcc+50
6 1 0
プログラム
イレーズサイクル試験
100サイクルのプログラムイレーズ
( EEPROMまたは FLASH) 25 1 0
プリント基板( PCB)
接続試験
JESD22-A104
0から +100単独の試験槽を使用 25
1
デージィ
チェイン
01の推定不良率
に達するまで
> 2000
サイクル
Altera Corporation 5
表 2信頼性モニタプログラム
テストの種類
MIL-STD-883または
JEDEC Std
方法条件 サンプル数 実施頻度
寿命試験 JESD22-A108
Vcc標準値の11~12倍
Tj = +110以上 +140以下で 1000時間
参考データ収集の場合は 2000時間
≦100ピン 77
>100 - 240ピン 45
>240ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
データ保持ベーク試験
(不揮発性デバイスのみ)
JESD22-A103
+150 500時間以上
参考データ収集の場合は 1000時間以上
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
温度サイクル試験
JESD22-A104
プリコンディショニング後
-55~ +125の 700サイクル
(工業用グレード品)
0~ +125の 700サイクル
(一般用グレード品)
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
高温高湿バイアス試験
または超加速寿命試験
(HAST)
JESD22-A101
または A110
プリコンディショニング後+ 85 85 RH
1000時間以上 Vcc標準値
1ピンおきにバイアスまたは +130
85 RH48時間または 96時間 Vcc標準値
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
プレッシャークッカ試験
(Autoclave)
JESD22-A102
+121 15PSIG 96時間以上
参考データ収集の場合は 168時間
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
プログラムイレーズ
サイクル試験
100サイクルのプログラムイレーズ
( EEPROMプロセス品のみ) 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
Altera Corporation 6
寿命試験実施方法と故障率の予測
寿命試験の方法
アルテラは製品に発生する可能性がある故障メカニズムが加速されるようにするため高温 高電圧の寿命試験
を実施していますデバイスの接合温度が125以上になるように寿命試験に使用される試験槽の周囲温度を上
昇させまたVccの電源電圧を標準値の+10~20まで上昇させることによって故障のメカニカニズムが加速さ
れます熱暴走のため接合温度を125に設定できなかった場合には 低の接合温度を 110に設定されま
す寿命試験に使用される基板にはリードの完全な接触が維持される特殊な高温用のソケットが実装されます
FLEXAPEX MercuryStratixStratix GXCycloneStratix IIStratix II GXおよび Cyclone IIの各
デバイスにはBIテストモードが使用されています 6560nm製品および40nm製品では実際にクロック動作
させる様にコンフィギュレーションを行ってダイナミックな寿命試験が実施されていますMAX 3000
MAX 7000MAX 9000(EEPROMデバイス)および MAX II(FLASHデバイス)の各デバイスには寿命試験前に 100
サイクルのプログラムイレーズが実施されます
試験されるデバイスにストレスを加える前に各デバイスがデータシートで保証された規格を満足しているか
どうかを生産工程用の機器を使用してテストしますまた同じテスト機器を使用してデータシート上の各
パラメータに対する測定値が記録されますこのときデータシートの規格を満足しないデバイスは不良品
と判定されます
MAX IIを除く不揮発性のコンフィギュレーションエレメントを持つデバイスについてはコンフィギュレー
ションエレメントとなるフローティングゲートに蓄積される電荷量が規定値に対してどのようなマージン
を持っているかをテストできる試験方法が開発されていますこれによって各コンフィギュレーションエ
レメントのマージンがテストされもっとも低いマージンが記録されますMAX IIはデバイスの機能がイレ
ーズされたビットの電荷量が増加したときにのみ影響を受けプログラムされたビットの電荷量が減少したと
きには影響を受けないようにした独特の設計となっていますMAX IIのテストにおいて機能を保証するた
めに必要なイレーズされたビットのテスト電流は 10 microAですがアルテラではこれを 25 microAでテストしていま
す
Altera Corporation 7
故障率の予測
アルテラでは故障率の予測に業界標準の手法を採用しています故障率は故障の時間に対する指数分布をベ
ースにして予測されます(一定の故障率を仮定)
前記のように寿命試験ではデバイスの故障を加速するために高い温度と電圧の条件が与えられ全体の加速係
数は単純に温度と電圧の加速係数の積になります
通常の使用条件での等価動作時間 = (寿命試験の時間)times(加速係数)
加速係数 = (温度の加速係数)times(電圧の加速係数)
温度と電圧の加速係数は標準的な計算式と公表されている加速係数を基準に算出されます加速係数はJEDEC発行
のドキュメントJEP122を基準にしたものとなっています加速係数の計算式は下記に示されており各故障モ
ードに対応した加速係数は表3の通りですアルテラではより薄い酸化膜(< 70Å)を使用したテクノロジ
への移行に伴って電圧による加速に対する「べき乗則」の依存性を観察してきました65nm以降のプロセス
テクノロジのゲート酸化膜への電圧加速には「べき乗則」モデルを採用しています
90nmまでのすべてのプロセスでは絶縁膜ブレークダウンの加速係数が 07eVになっています発表されている
論文では新しいプロセスにおける酸化膜ブレークダウンの熱活性化エレルギがこれまで言われていた03eVよ
りも高くなりその値が 03eVから 09eVの範囲になると報告されていますi ii
アルテラでは複数回の温度バ
ーイン試験のテスト結果から90nmまでのプロセスには 07eVが適用可能であることを確認しています65nm以
降のプロセスに対しては「べき乗則」に基づく異なる加速係数を採用しています
温度の加速係数を計算する場合は周囲温度ではなく接合温度が使用される必要があります接合温度はスト
レスを与えた条件での実際の消費電力およびターボビットをオンに設定した通常の使用条件での標準的な消
費電力を使用して算出されます(多くのアプリケーションではターボビットがオフに設定されるため実際の
消費電力はデータブックの Iccのカーブに示されているように大幅に低減され安全サイドになります)接合
温度は周囲温度またはケース温度の測定値と「Altera Device Package Information Data Sheet」に記載され
ている熱抵抗の値から算出されます熱抵抗の値は各製品のパッケージごとに規定されていますこの接合温
度の計算式は下記に示されている通りです
温度の加速係数の式を使用する場合は温度を次のように絶対温度に変換する必要があります
絶対温度=摂氏温度+ 273
Altera Corporation 8
表 3一般的な故障メカニズムと加速係数 iii
メカニズム 活性化エネルギ Ea( eV) 電圧指数係数
ゲート酸化膜のブレークダウン( ≧ 90nm) 07 γ =32中間絶縁膜層の欠陥 07 γ =20ビアのボイド (015 microm amp 013microm) 08 00 ビアのボイド (90nm amp 65nm) 10 00 シリコン接合部の欠陥 08 00 マスクの欠陥(ポリ拡散その他) 05 00 メタライゼーションの欠陥 05 00 Alのエレクトロマイグレーション 07 (Al-Si) 085 (Al-Cu) 電流密度依存性(1J2)Cuのエレクトロマイグレーション (013microm
FSG 絶縁膜)
08 電流密度依存性( 1J2)
Cuのエレクトロマイグレーション ( 90nm
および 65nm low-k絶縁膜)
09 電流密度依存性(1J)
汚染(表面およびバルク) 10 00 データ保持
チャージロス (EPROM) 06 00 チャージ放出 (FLASHと EEPROM
le 168時間)
11 00
SILC (FLASH と EEPROM gt 168 時間) 0 23 65nm以降のプロセスには異なる値を使用
故障率は次ページ以降のデータのように製品ファミリごとに計算されていますストレスが与えられた条件で
の累積動作時間は前述の加速係数を使用して通常の使用条件の動作時間に変換されますこの変換された動作
時間が強制空冷なしの55の周囲温度または70の接合温度Vccの標準値で動作した時間と等価となります
故障のメカニズムは不良解析によって判断されますストレスを与えた条件で観測された故障メカニズムに対
して前述の計算式と加速係数を使用して加速係数が計算されます2種類の故障メカニズムが確認された場合
はそれぞれの故障メカニズムごとに故障率を加算し全体の故障率を算出します故障が起こらなかった場合
は 低の加速係数を持つ故障メカニズムが故障レートの算出に使用されます
故障率はFIT(Failure In Time)数で表され1 FITは 10 9デバイス時間で1個が故障することを意味します
アルテラはJESD85(FIT数で表された故障率の計算方法)を使用して FIT数を計算しています
故障率はカイ2乗分布から算出され母集団から抜き取られた限定数の試験サンプルと不良が少数であることを
前提に 60の信頼度水準で予測されますカイ2乗値は要求される信頼度水準と自由度を使用してカイ2乗分
布表の逆数から算出されますiv また自由度はv = 2n+ 2として計算されここで nは確認された不良の数
になります故障率はカイ2乗の値を使用して下記の式から算出されます
ここで FIT数は 10 9times故障率となりMTTF(Mean Time to Failure)は指数分布に対して単純に故障率の逆数と
なります
Altera Corporation 9
寿命試験の結果
寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用
されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同
じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ
ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製
品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています
各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています
042ミクロンプロセスの FLEX製品
FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン
プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験
の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています
042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
パッケージ故障
等価時間
デート
コード
9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837
502E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182
Altera Corporation 10
03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの
電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ
クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ
らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています
03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801
295E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311
Altera Corporation 11
022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい
る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお
りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源
電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています
022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825
491E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186
Altera Corporation 12
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ
クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP
PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧
で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737
537E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171
Altera Corporation 13
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品
APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ
ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ
トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています
これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており
多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作
しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは
15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523
a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定
Altera Corporation 14
013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ
ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから
101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて
いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており
多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに
3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています
StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験
は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか
のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました
013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試
験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
ビアのボイド故障
等価時間
デート
コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713
7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743
7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743
8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831
7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701
8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831
9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925
9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919
9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907
9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925
9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901
9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907
7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707
7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719
7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719
8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807
8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841
9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942
7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701
8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817
8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843
9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911
9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913
7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701
7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748
8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826
8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832
8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825
8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827
8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838
8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825
958E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 15
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品
Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と
「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造
されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット
から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています
Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており
QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ
び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V
で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス
寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710
7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705
8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837
8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913
7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719
8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737
7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719
8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942
8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818
8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818
8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937
8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826
9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901
8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751
8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834
8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843
9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737
8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801
7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737
8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837
430E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 16
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ
リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス
は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお
りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと
414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい
ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で
動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803
540E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170
注 通常のアプリケーション Tj = 70
(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用
(ttf=toV^-nexp(EakT))
nおよび Eaの値は要求に応じて公表
Altera Corporation 17
40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで
製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ
リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています
Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット
番号 デバイス パッケージタイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デート
コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938
9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939
9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940
9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946
10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952
注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で
きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています
40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい
Altera Corporation 18
MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品
MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ
れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの
各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施
されています
第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613
810E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 810E+07 113
Altera Corporation 19
MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい
ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供
給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています
第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922
977E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 977E+07 94
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
目 次
概要 1 アルテラの品質システム1 図 1 標準生産フローチャット2
信頼性試験の実施方法 3 表 1 信頼性認定試験4 表 2 信頼性モニタプログラム5 寿命試験実施方法と故障率の予測6 寿命試験の方法 6 故障率の予測 7
表 3 一般的な故障メカニズムと加速係数 8
寿命試験の結果 9 042 ミクロンプロセスのFLEX 製品 9 03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品10 022 ミクロンプロセスのFLEXACEX および APEX 製品11 018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品12 015 ミクロンプロセスの APEX および Mercury 製品13 013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCycloneおよび HardCopy 製品 14 90nm プロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GX および HardCopy II 製品15 6560nm プロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 16 40nm プロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 17 MAX 7000S および MAX 9000 ―第3世代品18 MAX 7000A および MAX 3000A ― 第4世代品 19 MAX 7000B ― 第5世代品 20 MAX II ― 018ミクロン FLASHプロセス品 21 コンフィグレーションデバイス ― EPROM 22 コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品 23
高温保存試験 24
耐湿特性(Moisture Resistance) 27 プレッシャークッカ試験(Autoclave)27 非バイアス HAST27
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング 32
高温高湿バイアス試験(THB) 33 超加速寿命試験(HAST) 36
温度サイクル試験 40
ハンダ付け部の信頼性 46
シリアルコンフィギュレーションデバイス 49
Altera Corporation 1
概 要
アルテラはプログラマブルロジックデバイス(PLD)の開発と製造を行っていますこれらのデバイスはユー
ザコンフィギュラブルな ICでカスタムディジタルロジックの機能を実現するときに使用されますアルテ
ラは幅広い PLDファミリとコンフィギュレーションデバイスファミリを供給しています各ファミリの詳細は
個別のデータシートで解説されています
また各デバイスファミリのアーキテクチャ詳細なパッケージ情報取り扱い方法表面実装に関するガイド
ライン製品の変更通知などの製品情報はアルテラの webサイトhttpwwwalteracomを通じて入手すること
もできますアルテラの webサイトには各資料が Adobe社のアクロバットとポストスクリプトのフォーマットで
提供されていますまた主要な資料は日本語でも提供されています各資料は日本アルテラまたは販売代理店か
らも入手可能です
アルテラの Support webサイトを通じた技術サポートも提供されていますこれらの技術サポートにはアルテラの
オンラインテクニカルサポートシステムlthttpswwwalteracommyalteramal-indexjspgtと「Altera
Knowledge Database」が含まれておりこれら双方を活用して技術的な質問に対する回答をみつけることができま
す
アルテラはISO 9001-Rev2000MIL-I-45208および JEDEC標準規格の要求に準拠したクローズドループの品質お
よび信頼性システムを確立していますアルテラとアルテラ製品の製造に関係したすべての主要ベンダはすでに
ISO 9000の認証を受けていますアルテラが実施している信頼性の認定プログラムおよびモニタプログラムは
その実施手順合格 不合格の基準不具合対策などを規定した厳格な社内規格によって統括されていますアル
テラは 1994年 10月以来ISO 9001の認証を得ておりアルテラの ISO 9001の認証を担当したのはアイルランドの
NSAI(National Standards Authority of Ireland)という認証機関です
アルテラの使命は 先端のプログラマブルロジックシリコンソリューションIP(Intellectual
Property)関連ソフトウェア開発ツール及びテクニカルサポートの優れたサプライヤとなることですアルテラ
はより大きなロジックICの市場シェアを得るためにこの利点を活用します顧客に選ばれるサプライヤとなり
その地位を維持するためにアルテラは効率的で 高級のソリューションをタイムリに顧客に提供し同時に常に顧
客の期待を満足しまたはそれらを凌ぐ品質と信頼性そしてサービスを提供することに努めています
アルテラの品質システム
アルテラの品質システムは ISO 9001のすべての要求に適合するように規定されておりその詳細はアルテラの品質
マニュアル11G-00000に記述されていますこのアルテラの品質システムは世界的な多国籍企業を含む主要顧客
による詳細にわたる評価と審査を受けていますアルテラは生産ラインをコントロールするための完全なオンライ
ンドキュメントとコンピュータをフルに活用した生産システムを維持しています 社内規格は JEDEC規格に準拠
していますアルテラのコンピュータを使用した生産システムによりウェハーとアッセンブルの各ロットは完全に
トレース可能になっていますまたアルテラは顧客の 終製品のデザインデバッグ製造出荷をサポートする
ため応用技術部門と品質保証部門の技術者間の緊密なネットワークを確保しています
アルテラのすべての製造パートナ(TSMCASEおよび AMKOR)は自動車業界の品質規格である ISOTS16949の認証
と登録を受けているため 高レベルの品質と信頼性で自動車業界のサプライチェインに対応することができま
す
アルテラはすべての製品に対して包括的なテストと生産コントロールを実施しています図1はアルテラ製品の
標準的な生産フローを示したものです
Altera Corporation 2
図 1 標準生産フローチャット
ウェハー検査 外観および電気的試験すべてのロットを100
チェック
ウェハーソート1試験 DC パラメータファンクションプログラマビ
リティ不揮発性デバイスのマージンテスト
またはSRAM のコンフィギュレーション
データ保持ベーク試験 EPROMEEPROMFLASH ベースのすべての製品に
対して24548 時間
ウェハーソート2試験 EPROMEEPROMFLASH ベースの製品に対するマ
ージンテスト
組立工程 2回目3回目4回目の光学的なサンプル検
査インラインマーク
QA による電気的試験 116 個抜き取り01 判定
マーキング 要求に応じたマーキング
外観検査 44 ピンを超えるすべてのプラスチックパッ
ケージに対する自動化された検査を含む
QA による工程審査 116 個抜き取り01 判定工程および書類の
レビュー
最終製品の容器への収納と移管規定に基くベーキングと耐湿バッグへの封入
出荷手続き梱包出荷
ウェハーファブリケーション すべての重要な工程はSPC コントロールによりチ
ェックされる
最終テスト AC およびDC パラメータファンクションプ
ログラマビリティまたはSRAM デバイスのコン
フィギュレーション
Altera Corporation 3
信頼性試験の実施方法
信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています各ファミリのすべての製品は同じデバイスアー
キテクチャとウェハー生産工程を採用しており同じパッケージタイプを使用していますアルテラの製品ファミ
リにはMAX reg
3000MAX 7000MAX 9000FLEXreg
6000FLEX 8000FLEX 10K APEXTM
Stratixreg
Stratix GX
Cyclonereg
Stratix IIStratix II GXCyclone IIStratix IIICyclone IIIStratix IVMAX IIHardCopyreg
があります各ファミリには複数の製品が含まれていますが各ファミリごとに同じロジックエレメントエンベ
デッドなストレージエレメントプログラマブルなインタコネクトテクノロジが使用されています各ファミリ
は集積度やパッケージオプションが異なる2種類から 10種類のデバイスで構成されています信頼性データや
不良率の予測などに関するデータはウェハーの生産に使用されるプロセステクノロジごとにレポートされていま
すここでいうプロセステクノロジとは使用されるストレージエレメントの種類(SRAMEEPROMEPROM)と
プロセスの 小加工寸法(013ミクロン65nm)に対応したものです
アルテラの製品ファミリは表1で規定された条件で認定されていますまた信頼性のモニタは表2で規定され
た条件と頻度で実施されています各製品ファミリの認定では各デバイスの集積度パッケージタイプパッ
ケージのピン数が考慮されます各製品ファミリにロジックエレメント数が大幅に増加した(50以上)デバイ
スが追加された場合はそのデバイスに対する認定試験が新たに実施されます
自動車市場向けに出荷されている製品はAutomotive Electronics Councilの標準規格でさらに大きなサンプル
サイズが要求されるAEC-Q100の認定も受けていますアルテラはAECおよび AEC-Q100のメンバとなっています
これらの詳細はhttpwwwaecouncilcom で確認することができます
軍用航空宇宙市場向けに出荷されている製品はAEQC (Aerospace Qualified Electronic Component)の標準規定
のGEIA-Std-0002-1に対する認定を受けていますアルテラはCycloneStratixそしてMAXII デバイスファミリ
によりこの標準規定に応じることを発表し半導体サプライヤの中から 初のものでしたこの標準規定はICサプ
ライヤと軍航空宇宙と防衛の請負業者の間のコミュニケーションを強調します
製品の変更はアルテラのプロダクト変更通知(PCN)システムを通じてユーザに通知されますこの通知は外観
外形寸法あるいは機能等に影響する変更が行われる場合に発行されますこの変更通知はアルテラの webサイ
トhttpwwwalteracom から入手することもできますまた
httpwwwalteracomliteratureupdatesregistrationupd-registrationjsp で PCNのメーリングリストに
登録することも可能です
アルテラでは通常の生産工程テスト工程およびプロセスコントロールから信頼性の高い製品が提供されるよう
にするため信頼性モニタプログラムを常時実施していますこの信頼性モニタプログラムは各製品ファミリご
とに実施されています各製品の信頼性のモニタには通常の生産工程で製造された複数の製品とパッケージタイ
プが使用され新製品を優先したLast-In-First-Out(LIFO)のタイムスケジュールで実施されていますこのレ
ポートに提示されているデータは過去 24ケ月に収集されたものです
Altera Corporation 4
表 1 信頼性認定試験
認定基準 テストの種類
MIL-STD-883または
JEDEC Std
方法条件 サンプル数 ロット数
許容不良数
ロット
寿命試験
JESD22-A108
1000時間Vcc標準値の11~12倍
Tj=+110以上+140以下
参考データの取得の場合は 2000時間
≦100ピン 77
101 - 240ピン 45
>240ピン 25
3
1
1
0
< 200
FIT at +55
データ保持ベーク試験
JESD22-A103
+150 1000時間以上
+245 168時間以上の条件で実施される
ウェハーレベルのテストで代替されること
がある
≦100ピン 45
>100ピン 25
3
1
0
温度サイクル試験
JESD22-A104
プリコンディショニング後
-55~ +125の 700サイクル
(条件 B)
≦100ピン 45
>100ピン 25
3
1
0
高温高湿バイアス試験または
超加速寿命試験 (HAST)
JESD22-A101または A110
プリコンディショニング後
+85 85 RH 1000時間以上
Vcc標準値1ピンおきにバイアス
または +130 85 RH
48時間または 96時間 Vcc標準値
≦100ピン 45
>100ピン 25
3 1
0
プレッシャークッカ試験
( Autoclave)
JESD22-A102
121 15 PSIG 96時間
参考データ取得の場合は 168時間
≦100ピン 45
>100ピン 25
3
1
0
人体モデル(HBM)
ESD耐量試験
JESD22-A114
MIL-STD-883 30157
100pF 1500 Ω
不良になったすべてのピンの分布を記録 3 1 1000V以上
チャージドデバイスモデル
ESD耐量試験
JESD22-C101
Field Induced Charge Device法 3 1
500V以上 高速
ピン( 400MHz以
上)は 200V以上
ラッチアップ耐量試験
JESD 78
(Icc標準値 +100mA)または
IOピン = Icc標準値 +50
電源ピン= Vcc+50
6 1 0
プログラム
イレーズサイクル試験
100サイクルのプログラムイレーズ
( EEPROMまたは FLASH) 25 1 0
プリント基板( PCB)
接続試験
JESD22-A104
0から +100単独の試験槽を使用 25
1
デージィ
チェイン
01の推定不良率
に達するまで
> 2000
サイクル
Altera Corporation 5
表 2信頼性モニタプログラム
テストの種類
MIL-STD-883または
JEDEC Std
方法条件 サンプル数 実施頻度
寿命試験 JESD22-A108
Vcc標準値の11~12倍
Tj = +110以上 +140以下で 1000時間
参考データ収集の場合は 2000時間
≦100ピン 77
>100 - 240ピン 45
>240ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
データ保持ベーク試験
(不揮発性デバイスのみ)
JESD22-A103
+150 500時間以上
参考データ収集の場合は 1000時間以上
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
温度サイクル試験
JESD22-A104
プリコンディショニング後
-55~ +125の 700サイクル
(工業用グレード品)
0~ +125の 700サイクル
(一般用グレード品)
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
高温高湿バイアス試験
または超加速寿命試験
(HAST)
JESD22-A101
または A110
プリコンディショニング後+ 85 85 RH
1000時間以上 Vcc標準値
1ピンおきにバイアスまたは +130
85 RH48時間または 96時間 Vcc標準値
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
プレッシャークッカ試験
(Autoclave)
JESD22-A102
+121 15PSIG 96時間以上
参考データ収集の場合は 168時間
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
プログラムイレーズ
サイクル試験
100サイクルのプログラムイレーズ
( EEPROMプロセス品のみ) 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
Altera Corporation 6
寿命試験実施方法と故障率の予測
寿命試験の方法
アルテラは製品に発生する可能性がある故障メカニズムが加速されるようにするため高温 高電圧の寿命試験
を実施していますデバイスの接合温度が125以上になるように寿命試験に使用される試験槽の周囲温度を上
昇させまたVccの電源電圧を標準値の+10~20まで上昇させることによって故障のメカニカニズムが加速さ
れます熱暴走のため接合温度を125に設定できなかった場合には 低の接合温度を 110に設定されま
す寿命試験に使用される基板にはリードの完全な接触が維持される特殊な高温用のソケットが実装されます
FLEXAPEX MercuryStratixStratix GXCycloneStratix IIStratix II GXおよび Cyclone IIの各
デバイスにはBIテストモードが使用されています 6560nm製品および40nm製品では実際にクロック動作
させる様にコンフィギュレーションを行ってダイナミックな寿命試験が実施されていますMAX 3000
MAX 7000MAX 9000(EEPROMデバイス)および MAX II(FLASHデバイス)の各デバイスには寿命試験前に 100
サイクルのプログラムイレーズが実施されます
試験されるデバイスにストレスを加える前に各デバイスがデータシートで保証された規格を満足しているか
どうかを生産工程用の機器を使用してテストしますまた同じテスト機器を使用してデータシート上の各
パラメータに対する測定値が記録されますこのときデータシートの規格を満足しないデバイスは不良品
と判定されます
MAX IIを除く不揮発性のコンフィギュレーションエレメントを持つデバイスについてはコンフィギュレー
ションエレメントとなるフローティングゲートに蓄積される電荷量が規定値に対してどのようなマージン
を持っているかをテストできる試験方法が開発されていますこれによって各コンフィギュレーションエ
レメントのマージンがテストされもっとも低いマージンが記録されますMAX IIはデバイスの機能がイレ
ーズされたビットの電荷量が増加したときにのみ影響を受けプログラムされたビットの電荷量が減少したと
きには影響を受けないようにした独特の設計となっていますMAX IIのテストにおいて機能を保証するた
めに必要なイレーズされたビットのテスト電流は 10 microAですがアルテラではこれを 25 microAでテストしていま
す
Altera Corporation 7
故障率の予測
アルテラでは故障率の予測に業界標準の手法を採用しています故障率は故障の時間に対する指数分布をベ
ースにして予測されます(一定の故障率を仮定)
前記のように寿命試験ではデバイスの故障を加速するために高い温度と電圧の条件が与えられ全体の加速係
数は単純に温度と電圧の加速係数の積になります
通常の使用条件での等価動作時間 = (寿命試験の時間)times(加速係数)
加速係数 = (温度の加速係数)times(電圧の加速係数)
温度と電圧の加速係数は標準的な計算式と公表されている加速係数を基準に算出されます加速係数はJEDEC発行
のドキュメントJEP122を基準にしたものとなっています加速係数の計算式は下記に示されており各故障モ
ードに対応した加速係数は表3の通りですアルテラではより薄い酸化膜(< 70Å)を使用したテクノロジ
への移行に伴って電圧による加速に対する「べき乗則」の依存性を観察してきました65nm以降のプロセス
テクノロジのゲート酸化膜への電圧加速には「べき乗則」モデルを採用しています
90nmまでのすべてのプロセスでは絶縁膜ブレークダウンの加速係数が 07eVになっています発表されている
論文では新しいプロセスにおける酸化膜ブレークダウンの熱活性化エレルギがこれまで言われていた03eVよ
りも高くなりその値が 03eVから 09eVの範囲になると報告されていますi ii
アルテラでは複数回の温度バ
ーイン試験のテスト結果から90nmまでのプロセスには 07eVが適用可能であることを確認しています65nm以
降のプロセスに対しては「べき乗則」に基づく異なる加速係数を採用しています
温度の加速係数を計算する場合は周囲温度ではなく接合温度が使用される必要があります接合温度はスト
レスを与えた条件での実際の消費電力およびターボビットをオンに設定した通常の使用条件での標準的な消
費電力を使用して算出されます(多くのアプリケーションではターボビットがオフに設定されるため実際の
消費電力はデータブックの Iccのカーブに示されているように大幅に低減され安全サイドになります)接合
温度は周囲温度またはケース温度の測定値と「Altera Device Package Information Data Sheet」に記載され
ている熱抵抗の値から算出されます熱抵抗の値は各製品のパッケージごとに規定されていますこの接合温
度の計算式は下記に示されている通りです
温度の加速係数の式を使用する場合は温度を次のように絶対温度に変換する必要があります
絶対温度=摂氏温度+ 273
Altera Corporation 8
表 3一般的な故障メカニズムと加速係数 iii
メカニズム 活性化エネルギ Ea( eV) 電圧指数係数
ゲート酸化膜のブレークダウン( ≧ 90nm) 07 γ =32中間絶縁膜層の欠陥 07 γ =20ビアのボイド (015 microm amp 013microm) 08 00 ビアのボイド (90nm amp 65nm) 10 00 シリコン接合部の欠陥 08 00 マスクの欠陥(ポリ拡散その他) 05 00 メタライゼーションの欠陥 05 00 Alのエレクトロマイグレーション 07 (Al-Si) 085 (Al-Cu) 電流密度依存性(1J2)Cuのエレクトロマイグレーション (013microm
FSG 絶縁膜)
08 電流密度依存性( 1J2)
Cuのエレクトロマイグレーション ( 90nm
および 65nm low-k絶縁膜)
09 電流密度依存性(1J)
汚染(表面およびバルク) 10 00 データ保持
チャージロス (EPROM) 06 00 チャージ放出 (FLASHと EEPROM
le 168時間)
11 00
SILC (FLASH と EEPROM gt 168 時間) 0 23 65nm以降のプロセスには異なる値を使用
故障率は次ページ以降のデータのように製品ファミリごとに計算されていますストレスが与えられた条件で
の累積動作時間は前述の加速係数を使用して通常の使用条件の動作時間に変換されますこの変換された動作
時間が強制空冷なしの55の周囲温度または70の接合温度Vccの標準値で動作した時間と等価となります
故障のメカニズムは不良解析によって判断されますストレスを与えた条件で観測された故障メカニズムに対
して前述の計算式と加速係数を使用して加速係数が計算されます2種類の故障メカニズムが確認された場合
はそれぞれの故障メカニズムごとに故障率を加算し全体の故障率を算出します故障が起こらなかった場合
は 低の加速係数を持つ故障メカニズムが故障レートの算出に使用されます
故障率はFIT(Failure In Time)数で表され1 FITは 10 9デバイス時間で1個が故障することを意味します
アルテラはJESD85(FIT数で表された故障率の計算方法)を使用して FIT数を計算しています
故障率はカイ2乗分布から算出され母集団から抜き取られた限定数の試験サンプルと不良が少数であることを
前提に 60の信頼度水準で予測されますカイ2乗値は要求される信頼度水準と自由度を使用してカイ2乗分
布表の逆数から算出されますiv また自由度はv = 2n+ 2として計算されここで nは確認された不良の数
になります故障率はカイ2乗の値を使用して下記の式から算出されます
ここで FIT数は 10 9times故障率となりMTTF(Mean Time to Failure)は指数分布に対して単純に故障率の逆数と
なります
Altera Corporation 9
寿命試験の結果
寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用
されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同
じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ
ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製
品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています
各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています
042ミクロンプロセスの FLEX製品
FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン
プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験
の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています
042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
パッケージ故障
等価時間
デート
コード
9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837
502E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182
Altera Corporation 10
03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの
電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ
クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ
らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています
03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801
295E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311
Altera Corporation 11
022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい
る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお
りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源
電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています
022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825
491E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186
Altera Corporation 12
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ
クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP
PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧
で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737
537E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171
Altera Corporation 13
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品
APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ
ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ
トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています
これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており
多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作
しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは
15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523
a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定
Altera Corporation 14
013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ
ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから
101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて
いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており
多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに
3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています
StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験
は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか
のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました
013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試
験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
ビアのボイド故障
等価時間
デート
コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713
7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743
7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743
8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831
7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701
8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831
9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925
9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919
9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907
9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925
9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901
9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907
7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707
7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719
7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719
8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807
8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841
9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942
7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701
8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817
8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843
9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911
9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913
7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701
7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748
8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826
8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832
8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825
8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827
8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838
8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825
958E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 15
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品
Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と
「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造
されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット
から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています
Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており
QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ
び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V
で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス
寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710
7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705
8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837
8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913
7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719
8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737
7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719
8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942
8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818
8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818
8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937
8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826
9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901
8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751
8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834
8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843
9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737
8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801
7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737
8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837
430E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 16
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ
リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス
は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお
りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと
414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい
ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で
動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803
540E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170
注 通常のアプリケーション Tj = 70
(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用
(ttf=toV^-nexp(EakT))
nおよび Eaの値は要求に応じて公表
Altera Corporation 17
40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで
製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ
リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています
Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット
番号 デバイス パッケージタイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デート
コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938
9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939
9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940
9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946
10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952
注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で
きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています
40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい
Altera Corporation 18
MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品
MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ
れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの
各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施
されています
第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613
810E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 810E+07 113
Altera Corporation 19
MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい
ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供
給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています
第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922
977E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 977E+07 94
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 1
概 要
アルテラはプログラマブルロジックデバイス(PLD)の開発と製造を行っていますこれらのデバイスはユー
ザコンフィギュラブルな ICでカスタムディジタルロジックの機能を実現するときに使用されますアルテ
ラは幅広い PLDファミリとコンフィギュレーションデバイスファミリを供給しています各ファミリの詳細は
個別のデータシートで解説されています
また各デバイスファミリのアーキテクチャ詳細なパッケージ情報取り扱い方法表面実装に関するガイド
ライン製品の変更通知などの製品情報はアルテラの webサイトhttpwwwalteracomを通じて入手すること
もできますアルテラの webサイトには各資料が Adobe社のアクロバットとポストスクリプトのフォーマットで
提供されていますまた主要な資料は日本語でも提供されています各資料は日本アルテラまたは販売代理店か
らも入手可能です
アルテラの Support webサイトを通じた技術サポートも提供されていますこれらの技術サポートにはアルテラの
オンラインテクニカルサポートシステムlthttpswwwalteracommyalteramal-indexjspgtと「Altera
Knowledge Database」が含まれておりこれら双方を活用して技術的な質問に対する回答をみつけることができま
す
アルテラはISO 9001-Rev2000MIL-I-45208および JEDEC標準規格の要求に準拠したクローズドループの品質お
よび信頼性システムを確立していますアルテラとアルテラ製品の製造に関係したすべての主要ベンダはすでに
ISO 9000の認証を受けていますアルテラが実施している信頼性の認定プログラムおよびモニタプログラムは
その実施手順合格 不合格の基準不具合対策などを規定した厳格な社内規格によって統括されていますアル
テラは 1994年 10月以来ISO 9001の認証を得ておりアルテラの ISO 9001の認証を担当したのはアイルランドの
NSAI(National Standards Authority of Ireland)という認証機関です
アルテラの使命は 先端のプログラマブルロジックシリコンソリューションIP(Intellectual
Property)関連ソフトウェア開発ツール及びテクニカルサポートの優れたサプライヤとなることですアルテラ
はより大きなロジックICの市場シェアを得るためにこの利点を活用します顧客に選ばれるサプライヤとなり
その地位を維持するためにアルテラは効率的で 高級のソリューションをタイムリに顧客に提供し同時に常に顧
客の期待を満足しまたはそれらを凌ぐ品質と信頼性そしてサービスを提供することに努めています
アルテラの品質システム
アルテラの品質システムは ISO 9001のすべての要求に適合するように規定されておりその詳細はアルテラの品質
マニュアル11G-00000に記述されていますこのアルテラの品質システムは世界的な多国籍企業を含む主要顧客
による詳細にわたる評価と審査を受けていますアルテラは生産ラインをコントロールするための完全なオンライ
ンドキュメントとコンピュータをフルに活用した生産システムを維持しています 社内規格は JEDEC規格に準拠
していますアルテラのコンピュータを使用した生産システムによりウェハーとアッセンブルの各ロットは完全に
トレース可能になっていますまたアルテラは顧客の 終製品のデザインデバッグ製造出荷をサポートする
ため応用技術部門と品質保証部門の技術者間の緊密なネットワークを確保しています
アルテラのすべての製造パートナ(TSMCASEおよび AMKOR)は自動車業界の品質規格である ISOTS16949の認証
と登録を受けているため 高レベルの品質と信頼性で自動車業界のサプライチェインに対応することができま
す
アルテラはすべての製品に対して包括的なテストと生産コントロールを実施しています図1はアルテラ製品の
標準的な生産フローを示したものです
Altera Corporation 2
図 1 標準生産フローチャット
ウェハー検査 外観および電気的試験すべてのロットを100
チェック
ウェハーソート1試験 DC パラメータファンクションプログラマビ
リティ不揮発性デバイスのマージンテスト
またはSRAM のコンフィギュレーション
データ保持ベーク試験 EPROMEEPROMFLASH ベースのすべての製品に
対して24548 時間
ウェハーソート2試験 EPROMEEPROMFLASH ベースの製品に対するマ
ージンテスト
組立工程 2回目3回目4回目の光学的なサンプル検
査インラインマーク
QA による電気的試験 116 個抜き取り01 判定
マーキング 要求に応じたマーキング
外観検査 44 ピンを超えるすべてのプラスチックパッ
ケージに対する自動化された検査を含む
QA による工程審査 116 個抜き取り01 判定工程および書類の
レビュー
最終製品の容器への収納と移管規定に基くベーキングと耐湿バッグへの封入
出荷手続き梱包出荷
ウェハーファブリケーション すべての重要な工程はSPC コントロールによりチ
ェックされる
最終テスト AC およびDC パラメータファンクションプ
ログラマビリティまたはSRAM デバイスのコン
フィギュレーション
Altera Corporation 3
信頼性試験の実施方法
信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています各ファミリのすべての製品は同じデバイスアー
キテクチャとウェハー生産工程を採用しており同じパッケージタイプを使用していますアルテラの製品ファミ
リにはMAX reg
3000MAX 7000MAX 9000FLEXreg
6000FLEX 8000FLEX 10K APEXTM
Stratixreg
Stratix GX
Cyclonereg
Stratix IIStratix II GXCyclone IIStratix IIICyclone IIIStratix IVMAX IIHardCopyreg
があります各ファミリには複数の製品が含まれていますが各ファミリごとに同じロジックエレメントエンベ
デッドなストレージエレメントプログラマブルなインタコネクトテクノロジが使用されています各ファミリ
は集積度やパッケージオプションが異なる2種類から 10種類のデバイスで構成されています信頼性データや
不良率の予測などに関するデータはウェハーの生産に使用されるプロセステクノロジごとにレポートされていま
すここでいうプロセステクノロジとは使用されるストレージエレメントの種類(SRAMEEPROMEPROM)と
プロセスの 小加工寸法(013ミクロン65nm)に対応したものです
アルテラの製品ファミリは表1で規定された条件で認定されていますまた信頼性のモニタは表2で規定され
た条件と頻度で実施されています各製品ファミリの認定では各デバイスの集積度パッケージタイプパッ
ケージのピン数が考慮されます各製品ファミリにロジックエレメント数が大幅に増加した(50以上)デバイ
スが追加された場合はそのデバイスに対する認定試験が新たに実施されます
自動車市場向けに出荷されている製品はAutomotive Electronics Councilの標準規格でさらに大きなサンプル
サイズが要求されるAEC-Q100の認定も受けていますアルテラはAECおよび AEC-Q100のメンバとなっています
これらの詳細はhttpwwwaecouncilcom で確認することができます
軍用航空宇宙市場向けに出荷されている製品はAEQC (Aerospace Qualified Electronic Component)の標準規定
のGEIA-Std-0002-1に対する認定を受けていますアルテラはCycloneStratixそしてMAXII デバイスファミリ
によりこの標準規定に応じることを発表し半導体サプライヤの中から 初のものでしたこの標準規定はICサプ
ライヤと軍航空宇宙と防衛の請負業者の間のコミュニケーションを強調します
製品の変更はアルテラのプロダクト変更通知(PCN)システムを通じてユーザに通知されますこの通知は外観
外形寸法あるいは機能等に影響する変更が行われる場合に発行されますこの変更通知はアルテラの webサイ
トhttpwwwalteracom から入手することもできますまた
httpwwwalteracomliteratureupdatesregistrationupd-registrationjsp で PCNのメーリングリストに
登録することも可能です
アルテラでは通常の生産工程テスト工程およびプロセスコントロールから信頼性の高い製品が提供されるよう
にするため信頼性モニタプログラムを常時実施していますこの信頼性モニタプログラムは各製品ファミリご
とに実施されています各製品の信頼性のモニタには通常の生産工程で製造された複数の製品とパッケージタイ
プが使用され新製品を優先したLast-In-First-Out(LIFO)のタイムスケジュールで実施されていますこのレ
ポートに提示されているデータは過去 24ケ月に収集されたものです
Altera Corporation 4
表 1 信頼性認定試験
認定基準 テストの種類
MIL-STD-883または
JEDEC Std
方法条件 サンプル数 ロット数
許容不良数
ロット
寿命試験
JESD22-A108
1000時間Vcc標準値の11~12倍
Tj=+110以上+140以下
参考データの取得の場合は 2000時間
≦100ピン 77
101 - 240ピン 45
>240ピン 25
3
1
1
0
< 200
FIT at +55
データ保持ベーク試験
JESD22-A103
+150 1000時間以上
+245 168時間以上の条件で実施される
ウェハーレベルのテストで代替されること
がある
≦100ピン 45
>100ピン 25
3
1
0
温度サイクル試験
JESD22-A104
プリコンディショニング後
-55~ +125の 700サイクル
(条件 B)
≦100ピン 45
>100ピン 25
3
1
0
高温高湿バイアス試験または
超加速寿命試験 (HAST)
JESD22-A101または A110
プリコンディショニング後
+85 85 RH 1000時間以上
Vcc標準値1ピンおきにバイアス
または +130 85 RH
48時間または 96時間 Vcc標準値
≦100ピン 45
>100ピン 25
3 1
0
プレッシャークッカ試験
( Autoclave)
JESD22-A102
121 15 PSIG 96時間
参考データ取得の場合は 168時間
≦100ピン 45
>100ピン 25
3
1
0
人体モデル(HBM)
ESD耐量試験
JESD22-A114
MIL-STD-883 30157
100pF 1500 Ω
不良になったすべてのピンの分布を記録 3 1 1000V以上
チャージドデバイスモデル
ESD耐量試験
JESD22-C101
Field Induced Charge Device法 3 1
500V以上 高速
ピン( 400MHz以
上)は 200V以上
ラッチアップ耐量試験
JESD 78
(Icc標準値 +100mA)または
IOピン = Icc標準値 +50
電源ピン= Vcc+50
6 1 0
プログラム
イレーズサイクル試験
100サイクルのプログラムイレーズ
( EEPROMまたは FLASH) 25 1 0
プリント基板( PCB)
接続試験
JESD22-A104
0から +100単独の試験槽を使用 25
1
デージィ
チェイン
01の推定不良率
に達するまで
> 2000
サイクル
Altera Corporation 5
表 2信頼性モニタプログラム
テストの種類
MIL-STD-883または
JEDEC Std
方法条件 サンプル数 実施頻度
寿命試験 JESD22-A108
Vcc標準値の11~12倍
Tj = +110以上 +140以下で 1000時間
参考データ収集の場合は 2000時間
≦100ピン 77
>100 - 240ピン 45
>240ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
データ保持ベーク試験
(不揮発性デバイスのみ)
JESD22-A103
+150 500時間以上
参考データ収集の場合は 1000時間以上
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
温度サイクル試験
JESD22-A104
プリコンディショニング後
-55~ +125の 700サイクル
(工業用グレード品)
0~ +125の 700サイクル
(一般用グレード品)
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
高温高湿バイアス試験
または超加速寿命試験
(HAST)
JESD22-A101
または A110
プリコンディショニング後+ 85 85 RH
1000時間以上 Vcc標準値
1ピンおきにバイアスまたは +130
85 RH48時間または 96時間 Vcc標準値
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
プレッシャークッカ試験
(Autoclave)
JESD22-A102
+121 15PSIG 96時間以上
参考データ収集の場合は 168時間
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
プログラムイレーズ
サイクル試験
100サイクルのプログラムイレーズ
( EEPROMプロセス品のみ) 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
Altera Corporation 6
寿命試験実施方法と故障率の予測
寿命試験の方法
アルテラは製品に発生する可能性がある故障メカニズムが加速されるようにするため高温 高電圧の寿命試験
を実施していますデバイスの接合温度が125以上になるように寿命試験に使用される試験槽の周囲温度を上
昇させまたVccの電源電圧を標準値の+10~20まで上昇させることによって故障のメカニカニズムが加速さ
れます熱暴走のため接合温度を125に設定できなかった場合には 低の接合温度を 110に設定されま
す寿命試験に使用される基板にはリードの完全な接触が維持される特殊な高温用のソケットが実装されます
FLEXAPEX MercuryStratixStratix GXCycloneStratix IIStratix II GXおよび Cyclone IIの各
デバイスにはBIテストモードが使用されています 6560nm製品および40nm製品では実際にクロック動作
させる様にコンフィギュレーションを行ってダイナミックな寿命試験が実施されていますMAX 3000
MAX 7000MAX 9000(EEPROMデバイス)および MAX II(FLASHデバイス)の各デバイスには寿命試験前に 100
サイクルのプログラムイレーズが実施されます
試験されるデバイスにストレスを加える前に各デバイスがデータシートで保証された規格を満足しているか
どうかを生産工程用の機器を使用してテストしますまた同じテスト機器を使用してデータシート上の各
パラメータに対する測定値が記録されますこのときデータシートの規格を満足しないデバイスは不良品
と判定されます
MAX IIを除く不揮発性のコンフィギュレーションエレメントを持つデバイスについてはコンフィギュレー
ションエレメントとなるフローティングゲートに蓄積される電荷量が規定値に対してどのようなマージン
を持っているかをテストできる試験方法が開発されていますこれによって各コンフィギュレーションエ
レメントのマージンがテストされもっとも低いマージンが記録されますMAX IIはデバイスの機能がイレ
ーズされたビットの電荷量が増加したときにのみ影響を受けプログラムされたビットの電荷量が減少したと
きには影響を受けないようにした独特の設計となっていますMAX IIのテストにおいて機能を保証するた
めに必要なイレーズされたビットのテスト電流は 10 microAですがアルテラではこれを 25 microAでテストしていま
す
Altera Corporation 7
故障率の予測
アルテラでは故障率の予測に業界標準の手法を採用しています故障率は故障の時間に対する指数分布をベ
ースにして予測されます(一定の故障率を仮定)
前記のように寿命試験ではデバイスの故障を加速するために高い温度と電圧の条件が与えられ全体の加速係
数は単純に温度と電圧の加速係数の積になります
通常の使用条件での等価動作時間 = (寿命試験の時間)times(加速係数)
加速係数 = (温度の加速係数)times(電圧の加速係数)
温度と電圧の加速係数は標準的な計算式と公表されている加速係数を基準に算出されます加速係数はJEDEC発行
のドキュメントJEP122を基準にしたものとなっています加速係数の計算式は下記に示されており各故障モ
ードに対応した加速係数は表3の通りですアルテラではより薄い酸化膜(< 70Å)を使用したテクノロジ
への移行に伴って電圧による加速に対する「べき乗則」の依存性を観察してきました65nm以降のプロセス
テクノロジのゲート酸化膜への電圧加速には「べき乗則」モデルを採用しています
90nmまでのすべてのプロセスでは絶縁膜ブレークダウンの加速係数が 07eVになっています発表されている
論文では新しいプロセスにおける酸化膜ブレークダウンの熱活性化エレルギがこれまで言われていた03eVよ
りも高くなりその値が 03eVから 09eVの範囲になると報告されていますi ii
アルテラでは複数回の温度バ
ーイン試験のテスト結果から90nmまでのプロセスには 07eVが適用可能であることを確認しています65nm以
降のプロセスに対しては「べき乗則」に基づく異なる加速係数を採用しています
温度の加速係数を計算する場合は周囲温度ではなく接合温度が使用される必要があります接合温度はスト
レスを与えた条件での実際の消費電力およびターボビットをオンに設定した通常の使用条件での標準的な消
費電力を使用して算出されます(多くのアプリケーションではターボビットがオフに設定されるため実際の
消費電力はデータブックの Iccのカーブに示されているように大幅に低減され安全サイドになります)接合
温度は周囲温度またはケース温度の測定値と「Altera Device Package Information Data Sheet」に記載され
ている熱抵抗の値から算出されます熱抵抗の値は各製品のパッケージごとに規定されていますこの接合温
度の計算式は下記に示されている通りです
温度の加速係数の式を使用する場合は温度を次のように絶対温度に変換する必要があります
絶対温度=摂氏温度+ 273
Altera Corporation 8
表 3一般的な故障メカニズムと加速係数 iii
メカニズム 活性化エネルギ Ea( eV) 電圧指数係数
ゲート酸化膜のブレークダウン( ≧ 90nm) 07 γ =32中間絶縁膜層の欠陥 07 γ =20ビアのボイド (015 microm amp 013microm) 08 00 ビアのボイド (90nm amp 65nm) 10 00 シリコン接合部の欠陥 08 00 マスクの欠陥(ポリ拡散その他) 05 00 メタライゼーションの欠陥 05 00 Alのエレクトロマイグレーション 07 (Al-Si) 085 (Al-Cu) 電流密度依存性(1J2)Cuのエレクトロマイグレーション (013microm
FSG 絶縁膜)
08 電流密度依存性( 1J2)
Cuのエレクトロマイグレーション ( 90nm
および 65nm low-k絶縁膜)
09 電流密度依存性(1J)
汚染(表面およびバルク) 10 00 データ保持
チャージロス (EPROM) 06 00 チャージ放出 (FLASHと EEPROM
le 168時間)
11 00
SILC (FLASH と EEPROM gt 168 時間) 0 23 65nm以降のプロセスには異なる値を使用
故障率は次ページ以降のデータのように製品ファミリごとに計算されていますストレスが与えられた条件で
の累積動作時間は前述の加速係数を使用して通常の使用条件の動作時間に変換されますこの変換された動作
時間が強制空冷なしの55の周囲温度または70の接合温度Vccの標準値で動作した時間と等価となります
故障のメカニズムは不良解析によって判断されますストレスを与えた条件で観測された故障メカニズムに対
して前述の計算式と加速係数を使用して加速係数が計算されます2種類の故障メカニズムが確認された場合
はそれぞれの故障メカニズムごとに故障率を加算し全体の故障率を算出します故障が起こらなかった場合
は 低の加速係数を持つ故障メカニズムが故障レートの算出に使用されます
故障率はFIT(Failure In Time)数で表され1 FITは 10 9デバイス時間で1個が故障することを意味します
アルテラはJESD85(FIT数で表された故障率の計算方法)を使用して FIT数を計算しています
故障率はカイ2乗分布から算出され母集団から抜き取られた限定数の試験サンプルと不良が少数であることを
前提に 60の信頼度水準で予測されますカイ2乗値は要求される信頼度水準と自由度を使用してカイ2乗分
布表の逆数から算出されますiv また自由度はv = 2n+ 2として計算されここで nは確認された不良の数
になります故障率はカイ2乗の値を使用して下記の式から算出されます
ここで FIT数は 10 9times故障率となりMTTF(Mean Time to Failure)は指数分布に対して単純に故障率の逆数と
なります
Altera Corporation 9
寿命試験の結果
寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用
されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同
じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ
ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製
品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています
各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています
042ミクロンプロセスの FLEX製品
FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン
プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験
の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています
042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
パッケージ故障
等価時間
デート
コード
9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837
502E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182
Altera Corporation 10
03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの
電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ
クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ
らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています
03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801
295E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311
Altera Corporation 11
022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい
る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお
りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源
電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています
022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825
491E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186
Altera Corporation 12
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ
クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP
PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧
で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737
537E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171
Altera Corporation 13
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品
APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ
ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ
トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています
これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており
多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作
しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは
15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523
a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定
Altera Corporation 14
013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ
ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから
101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて
いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており
多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに
3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています
StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験
は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか
のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました
013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試
験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
ビアのボイド故障
等価時間
デート
コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713
7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743
7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743
8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831
7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701
8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831
9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925
9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919
9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907
9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925
9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901
9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907
7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707
7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719
7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719
8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807
8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841
9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942
7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701
8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817
8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843
9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911
9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913
7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701
7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748
8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826
8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832
8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825
8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827
8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838
8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825
958E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 15
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品
Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と
「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造
されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット
から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています
Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており
QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ
び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V
で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス
寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710
7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705
8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837
8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913
7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719
8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737
7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719
8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942
8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818
8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818
8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937
8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826
9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901
8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751
8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834
8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843
9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737
8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801
7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737
8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837
430E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 16
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ
リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス
は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお
りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと
414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい
ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で
動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803
540E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170
注 通常のアプリケーション Tj = 70
(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用
(ttf=toV^-nexp(EakT))
nおよび Eaの値は要求に応じて公表
Altera Corporation 17
40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで
製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ
リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています
Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット
番号 デバイス パッケージタイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デート
コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938
9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939
9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940
9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946
10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952
注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で
きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています
40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい
Altera Corporation 18
MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品
MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ
れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの
各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施
されています
第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613
810E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 810E+07 113
Altera Corporation 19
MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい
ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供
給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています
第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922
977E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 977E+07 94
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
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Altera Corporation 2
図 1 標準生産フローチャット
ウェハー検査 外観および電気的試験すべてのロットを100
チェック
ウェハーソート1試験 DC パラメータファンクションプログラマビ
リティ不揮発性デバイスのマージンテスト
またはSRAM のコンフィギュレーション
データ保持ベーク試験 EPROMEEPROMFLASH ベースのすべての製品に
対して24548 時間
ウェハーソート2試験 EPROMEEPROMFLASH ベースの製品に対するマ
ージンテスト
組立工程 2回目3回目4回目の光学的なサンプル検
査インラインマーク
QA による電気的試験 116 個抜き取り01 判定
マーキング 要求に応じたマーキング
外観検査 44 ピンを超えるすべてのプラスチックパッ
ケージに対する自動化された検査を含む
QA による工程審査 116 個抜き取り01 判定工程および書類の
レビュー
最終製品の容器への収納と移管規定に基くベーキングと耐湿バッグへの封入
出荷手続き梱包出荷
ウェハーファブリケーション すべての重要な工程はSPC コントロールによりチ
ェックされる
最終テスト AC およびDC パラメータファンクションプ
ログラマビリティまたはSRAM デバイスのコン
フィギュレーション
Altera Corporation 3
信頼性試験の実施方法
信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています各ファミリのすべての製品は同じデバイスアー
キテクチャとウェハー生産工程を採用しており同じパッケージタイプを使用していますアルテラの製品ファミ
リにはMAX reg
3000MAX 7000MAX 9000FLEXreg
6000FLEX 8000FLEX 10K APEXTM
Stratixreg
Stratix GX
Cyclonereg
Stratix IIStratix II GXCyclone IIStratix IIICyclone IIIStratix IVMAX IIHardCopyreg
があります各ファミリには複数の製品が含まれていますが各ファミリごとに同じロジックエレメントエンベ
デッドなストレージエレメントプログラマブルなインタコネクトテクノロジが使用されています各ファミリ
は集積度やパッケージオプションが異なる2種類から 10種類のデバイスで構成されています信頼性データや
不良率の予測などに関するデータはウェハーの生産に使用されるプロセステクノロジごとにレポートされていま
すここでいうプロセステクノロジとは使用されるストレージエレメントの種類(SRAMEEPROMEPROM)と
プロセスの 小加工寸法(013ミクロン65nm)に対応したものです
アルテラの製品ファミリは表1で規定された条件で認定されていますまた信頼性のモニタは表2で規定され
た条件と頻度で実施されています各製品ファミリの認定では各デバイスの集積度パッケージタイプパッ
ケージのピン数が考慮されます各製品ファミリにロジックエレメント数が大幅に増加した(50以上)デバイ
スが追加された場合はそのデバイスに対する認定試験が新たに実施されます
自動車市場向けに出荷されている製品はAutomotive Electronics Councilの標準規格でさらに大きなサンプル
サイズが要求されるAEC-Q100の認定も受けていますアルテラはAECおよび AEC-Q100のメンバとなっています
これらの詳細はhttpwwwaecouncilcom で確認することができます
軍用航空宇宙市場向けに出荷されている製品はAEQC (Aerospace Qualified Electronic Component)の標準規定
のGEIA-Std-0002-1に対する認定を受けていますアルテラはCycloneStratixそしてMAXII デバイスファミリ
によりこの標準規定に応じることを発表し半導体サプライヤの中から 初のものでしたこの標準規定はICサプ
ライヤと軍航空宇宙と防衛の請負業者の間のコミュニケーションを強調します
製品の変更はアルテラのプロダクト変更通知(PCN)システムを通じてユーザに通知されますこの通知は外観
外形寸法あるいは機能等に影響する変更が行われる場合に発行されますこの変更通知はアルテラの webサイ
トhttpwwwalteracom から入手することもできますまた
httpwwwalteracomliteratureupdatesregistrationupd-registrationjsp で PCNのメーリングリストに
登録することも可能です
アルテラでは通常の生産工程テスト工程およびプロセスコントロールから信頼性の高い製品が提供されるよう
にするため信頼性モニタプログラムを常時実施していますこの信頼性モニタプログラムは各製品ファミリご
とに実施されています各製品の信頼性のモニタには通常の生産工程で製造された複数の製品とパッケージタイ
プが使用され新製品を優先したLast-In-First-Out(LIFO)のタイムスケジュールで実施されていますこのレ
ポートに提示されているデータは過去 24ケ月に収集されたものです
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表 1 信頼性認定試験
認定基準 テストの種類
MIL-STD-883または
JEDEC Std
方法条件 サンプル数 ロット数
許容不良数
ロット
寿命試験
JESD22-A108
1000時間Vcc標準値の11~12倍
Tj=+110以上+140以下
参考データの取得の場合は 2000時間
≦100ピン 77
101 - 240ピン 45
>240ピン 25
3
1
1
0
< 200
FIT at +55
データ保持ベーク試験
JESD22-A103
+150 1000時間以上
+245 168時間以上の条件で実施される
ウェハーレベルのテストで代替されること
がある
≦100ピン 45
>100ピン 25
3
1
0
温度サイクル試験
JESD22-A104
プリコンディショニング後
-55~ +125の 700サイクル
(条件 B)
≦100ピン 45
>100ピン 25
3
1
0
高温高湿バイアス試験または
超加速寿命試験 (HAST)
JESD22-A101または A110
プリコンディショニング後
+85 85 RH 1000時間以上
Vcc標準値1ピンおきにバイアス
または +130 85 RH
48時間または 96時間 Vcc標準値
≦100ピン 45
>100ピン 25
3 1
0
プレッシャークッカ試験
( Autoclave)
JESD22-A102
121 15 PSIG 96時間
参考データ取得の場合は 168時間
≦100ピン 45
>100ピン 25
3
1
0
人体モデル(HBM)
ESD耐量試験
JESD22-A114
MIL-STD-883 30157
100pF 1500 Ω
不良になったすべてのピンの分布を記録 3 1 1000V以上
チャージドデバイスモデル
ESD耐量試験
JESD22-C101
Field Induced Charge Device法 3 1
500V以上 高速
ピン( 400MHz以
上)は 200V以上
ラッチアップ耐量試験
JESD 78
(Icc標準値 +100mA)または
IOピン = Icc標準値 +50
電源ピン= Vcc+50
6 1 0
プログラム
イレーズサイクル試験
100サイクルのプログラムイレーズ
( EEPROMまたは FLASH) 25 1 0
プリント基板( PCB)
接続試験
JESD22-A104
0から +100単独の試験槽を使用 25
1
デージィ
チェイン
01の推定不良率
に達するまで
> 2000
サイクル
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表 2信頼性モニタプログラム
テストの種類
MIL-STD-883または
JEDEC Std
方法条件 サンプル数 実施頻度
寿命試験 JESD22-A108
Vcc標準値の11~12倍
Tj = +110以上 +140以下で 1000時間
参考データ収集の場合は 2000時間
≦100ピン 77
>100 - 240ピン 45
>240ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
データ保持ベーク試験
(不揮発性デバイスのみ)
JESD22-A103
+150 500時間以上
参考データ収集の場合は 1000時間以上
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
温度サイクル試験
JESD22-A104
プリコンディショニング後
-55~ +125の 700サイクル
(工業用グレード品)
0~ +125の 700サイクル
(一般用グレード品)
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
高温高湿バイアス試験
または超加速寿命試験
(HAST)
JESD22-A101
または A110
プリコンディショニング後+ 85 85 RH
1000時間以上 Vcc標準値
1ピンおきにバイアスまたは +130
85 RH48時間または 96時間 Vcc標準値
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
プレッシャークッカ試験
(Autoclave)
JESD22-A102
+121 15PSIG 96時間以上
参考データ収集の場合は 168時間
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
プログラムイレーズ
サイクル試験
100サイクルのプログラムイレーズ
( EEPROMプロセス品のみ) 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
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寿命試験実施方法と故障率の予測
寿命試験の方法
アルテラは製品に発生する可能性がある故障メカニズムが加速されるようにするため高温 高電圧の寿命試験
を実施していますデバイスの接合温度が125以上になるように寿命試験に使用される試験槽の周囲温度を上
昇させまたVccの電源電圧を標準値の+10~20まで上昇させることによって故障のメカニカニズムが加速さ
れます熱暴走のため接合温度を125に設定できなかった場合には 低の接合温度を 110に設定されま
す寿命試験に使用される基板にはリードの完全な接触が維持される特殊な高温用のソケットが実装されます
FLEXAPEX MercuryStratixStratix GXCycloneStratix IIStratix II GXおよび Cyclone IIの各
デバイスにはBIテストモードが使用されています 6560nm製品および40nm製品では実際にクロック動作
させる様にコンフィギュレーションを行ってダイナミックな寿命試験が実施されていますMAX 3000
MAX 7000MAX 9000(EEPROMデバイス)および MAX II(FLASHデバイス)の各デバイスには寿命試験前に 100
サイクルのプログラムイレーズが実施されます
試験されるデバイスにストレスを加える前に各デバイスがデータシートで保証された規格を満足しているか
どうかを生産工程用の機器を使用してテストしますまた同じテスト機器を使用してデータシート上の各
パラメータに対する測定値が記録されますこのときデータシートの規格を満足しないデバイスは不良品
と判定されます
MAX IIを除く不揮発性のコンフィギュレーションエレメントを持つデバイスについてはコンフィギュレー
ションエレメントとなるフローティングゲートに蓄積される電荷量が規定値に対してどのようなマージン
を持っているかをテストできる試験方法が開発されていますこれによって各コンフィギュレーションエ
レメントのマージンがテストされもっとも低いマージンが記録されますMAX IIはデバイスの機能がイレ
ーズされたビットの電荷量が増加したときにのみ影響を受けプログラムされたビットの電荷量が減少したと
きには影響を受けないようにした独特の設計となっていますMAX IIのテストにおいて機能を保証するた
めに必要なイレーズされたビットのテスト電流は 10 microAですがアルテラではこれを 25 microAでテストしていま
す
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故障率の予測
アルテラでは故障率の予測に業界標準の手法を採用しています故障率は故障の時間に対する指数分布をベ
ースにして予測されます(一定の故障率を仮定)
前記のように寿命試験ではデバイスの故障を加速するために高い温度と電圧の条件が与えられ全体の加速係
数は単純に温度と電圧の加速係数の積になります
通常の使用条件での等価動作時間 = (寿命試験の時間)times(加速係数)
加速係数 = (温度の加速係数)times(電圧の加速係数)
温度と電圧の加速係数は標準的な計算式と公表されている加速係数を基準に算出されます加速係数はJEDEC発行
のドキュメントJEP122を基準にしたものとなっています加速係数の計算式は下記に示されており各故障モ
ードに対応した加速係数は表3の通りですアルテラではより薄い酸化膜(< 70Å)を使用したテクノロジ
への移行に伴って電圧による加速に対する「べき乗則」の依存性を観察してきました65nm以降のプロセス
テクノロジのゲート酸化膜への電圧加速には「べき乗則」モデルを採用しています
90nmまでのすべてのプロセスでは絶縁膜ブレークダウンの加速係数が 07eVになっています発表されている
論文では新しいプロセスにおける酸化膜ブレークダウンの熱活性化エレルギがこれまで言われていた03eVよ
りも高くなりその値が 03eVから 09eVの範囲になると報告されていますi ii
アルテラでは複数回の温度バ
ーイン試験のテスト結果から90nmまでのプロセスには 07eVが適用可能であることを確認しています65nm以
降のプロセスに対しては「べき乗則」に基づく異なる加速係数を採用しています
温度の加速係数を計算する場合は周囲温度ではなく接合温度が使用される必要があります接合温度はスト
レスを与えた条件での実際の消費電力およびターボビットをオンに設定した通常の使用条件での標準的な消
費電力を使用して算出されます(多くのアプリケーションではターボビットがオフに設定されるため実際の
消費電力はデータブックの Iccのカーブに示されているように大幅に低減され安全サイドになります)接合
温度は周囲温度またはケース温度の測定値と「Altera Device Package Information Data Sheet」に記載され
ている熱抵抗の値から算出されます熱抵抗の値は各製品のパッケージごとに規定されていますこの接合温
度の計算式は下記に示されている通りです
温度の加速係数の式を使用する場合は温度を次のように絶対温度に変換する必要があります
絶対温度=摂氏温度+ 273
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表 3一般的な故障メカニズムと加速係数 iii
メカニズム 活性化エネルギ Ea( eV) 電圧指数係数
ゲート酸化膜のブレークダウン( ≧ 90nm) 07 γ =32中間絶縁膜層の欠陥 07 γ =20ビアのボイド (015 microm amp 013microm) 08 00 ビアのボイド (90nm amp 65nm) 10 00 シリコン接合部の欠陥 08 00 マスクの欠陥(ポリ拡散その他) 05 00 メタライゼーションの欠陥 05 00 Alのエレクトロマイグレーション 07 (Al-Si) 085 (Al-Cu) 電流密度依存性(1J2)Cuのエレクトロマイグレーション (013microm
FSG 絶縁膜)
08 電流密度依存性( 1J2)
Cuのエレクトロマイグレーション ( 90nm
および 65nm low-k絶縁膜)
09 電流密度依存性(1J)
汚染(表面およびバルク) 10 00 データ保持
チャージロス (EPROM) 06 00 チャージ放出 (FLASHと EEPROM
le 168時間)
11 00
SILC (FLASH と EEPROM gt 168 時間) 0 23 65nm以降のプロセスには異なる値を使用
故障率は次ページ以降のデータのように製品ファミリごとに計算されていますストレスが与えられた条件で
の累積動作時間は前述の加速係数を使用して通常の使用条件の動作時間に変換されますこの変換された動作
時間が強制空冷なしの55の周囲温度または70の接合温度Vccの標準値で動作した時間と等価となります
故障のメカニズムは不良解析によって判断されますストレスを与えた条件で観測された故障メカニズムに対
して前述の計算式と加速係数を使用して加速係数が計算されます2種類の故障メカニズムが確認された場合
はそれぞれの故障メカニズムごとに故障率を加算し全体の故障率を算出します故障が起こらなかった場合
は 低の加速係数を持つ故障メカニズムが故障レートの算出に使用されます
故障率はFIT(Failure In Time)数で表され1 FITは 10 9デバイス時間で1個が故障することを意味します
アルテラはJESD85(FIT数で表された故障率の計算方法)を使用して FIT数を計算しています
故障率はカイ2乗分布から算出され母集団から抜き取られた限定数の試験サンプルと不良が少数であることを
前提に 60の信頼度水準で予測されますカイ2乗値は要求される信頼度水準と自由度を使用してカイ2乗分
布表の逆数から算出されますiv また自由度はv = 2n+ 2として計算されここで nは確認された不良の数
になります故障率はカイ2乗の値を使用して下記の式から算出されます
ここで FIT数は 10 9times故障率となりMTTF(Mean Time to Failure)は指数分布に対して単純に故障率の逆数と
なります
Altera Corporation 9
寿命試験の結果
寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用
されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同
じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ
ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製
品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています
各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています
042ミクロンプロセスの FLEX製品
FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン
プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験
の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています
042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
パッケージ故障
等価時間
デート
コード
9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837
502E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182
Altera Corporation 10
03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの
電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ
クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ
らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています
03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801
295E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311
Altera Corporation 11
022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい
る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお
りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源
電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています
022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825
491E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186
Altera Corporation 12
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ
クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP
PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧
で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737
537E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171
Altera Corporation 13
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品
APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ
ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ
トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています
これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており
多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作
しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは
15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523
a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定
Altera Corporation 14
013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ
ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから
101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて
いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており
多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに
3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています
StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験
は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか
のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました
013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試
験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
ビアのボイド故障
等価時間
デート
コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713
7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743
7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743
8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831
7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701
8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831
9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925
9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919
9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907
9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925
9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901
9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907
7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707
7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719
7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719
8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807
8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841
9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942
7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701
8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817
8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843
9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911
9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913
7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701
7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748
8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826
8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832
8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825
8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827
8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838
8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825
958E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 15
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品
Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と
「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造
されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット
から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています
Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており
QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ
び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V
で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス
寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710
7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705
8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837
8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913
7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719
8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737
7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719
8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942
8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818
8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818
8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937
8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826
9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901
8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751
8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834
8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843
9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737
8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801
7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737
8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837
430E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 16
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ
リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス
は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお
りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと
414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい
ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で
動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803
540E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170
注 通常のアプリケーション Tj = 70
(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用
(ttf=toV^-nexp(EakT))
nおよび Eaの値は要求に応じて公表
Altera Corporation 17
40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで
製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ
リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています
Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット
番号 デバイス パッケージタイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デート
コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938
9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939
9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940
9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946
10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952
注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で
きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています
40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい
Altera Corporation 18
MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品
MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ
れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの
各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施
されています
第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613
810E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 810E+07 113
Altera Corporation 19
MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい
ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供
給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています
第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922
977E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 977E+07 94
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
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Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 3
信頼性試験の実施方法
信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています各ファミリのすべての製品は同じデバイスアー
キテクチャとウェハー生産工程を採用しており同じパッケージタイプを使用していますアルテラの製品ファミ
リにはMAX reg
3000MAX 7000MAX 9000FLEXreg
6000FLEX 8000FLEX 10K APEXTM
Stratixreg
Stratix GX
Cyclonereg
Stratix IIStratix II GXCyclone IIStratix IIICyclone IIIStratix IVMAX IIHardCopyreg
があります各ファミリには複数の製品が含まれていますが各ファミリごとに同じロジックエレメントエンベ
デッドなストレージエレメントプログラマブルなインタコネクトテクノロジが使用されています各ファミリ
は集積度やパッケージオプションが異なる2種類から 10種類のデバイスで構成されています信頼性データや
不良率の予測などに関するデータはウェハーの生産に使用されるプロセステクノロジごとにレポートされていま
すここでいうプロセステクノロジとは使用されるストレージエレメントの種類(SRAMEEPROMEPROM)と
プロセスの 小加工寸法(013ミクロン65nm)に対応したものです
アルテラの製品ファミリは表1で規定された条件で認定されていますまた信頼性のモニタは表2で規定され
た条件と頻度で実施されています各製品ファミリの認定では各デバイスの集積度パッケージタイプパッ
ケージのピン数が考慮されます各製品ファミリにロジックエレメント数が大幅に増加した(50以上)デバイ
スが追加された場合はそのデバイスに対する認定試験が新たに実施されます
自動車市場向けに出荷されている製品はAutomotive Electronics Councilの標準規格でさらに大きなサンプル
サイズが要求されるAEC-Q100の認定も受けていますアルテラはAECおよび AEC-Q100のメンバとなっています
これらの詳細はhttpwwwaecouncilcom で確認することができます
軍用航空宇宙市場向けに出荷されている製品はAEQC (Aerospace Qualified Electronic Component)の標準規定
のGEIA-Std-0002-1に対する認定を受けていますアルテラはCycloneStratixそしてMAXII デバイスファミリ
によりこの標準規定に応じることを発表し半導体サプライヤの中から 初のものでしたこの標準規定はICサプ
ライヤと軍航空宇宙と防衛の請負業者の間のコミュニケーションを強調します
製品の変更はアルテラのプロダクト変更通知(PCN)システムを通じてユーザに通知されますこの通知は外観
外形寸法あるいは機能等に影響する変更が行われる場合に発行されますこの変更通知はアルテラの webサイ
トhttpwwwalteracom から入手することもできますまた
httpwwwalteracomliteratureupdatesregistrationupd-registrationjsp で PCNのメーリングリストに
登録することも可能です
アルテラでは通常の生産工程テスト工程およびプロセスコントロールから信頼性の高い製品が提供されるよう
にするため信頼性モニタプログラムを常時実施していますこの信頼性モニタプログラムは各製品ファミリご
とに実施されています各製品の信頼性のモニタには通常の生産工程で製造された複数の製品とパッケージタイ
プが使用され新製品を優先したLast-In-First-Out(LIFO)のタイムスケジュールで実施されていますこのレ
ポートに提示されているデータは過去 24ケ月に収集されたものです
Altera Corporation 4
表 1 信頼性認定試験
認定基準 テストの種類
MIL-STD-883または
JEDEC Std
方法条件 サンプル数 ロット数
許容不良数
ロット
寿命試験
JESD22-A108
1000時間Vcc標準値の11~12倍
Tj=+110以上+140以下
参考データの取得の場合は 2000時間
≦100ピン 77
101 - 240ピン 45
>240ピン 25
3
1
1
0
< 200
FIT at +55
データ保持ベーク試験
JESD22-A103
+150 1000時間以上
+245 168時間以上の条件で実施される
ウェハーレベルのテストで代替されること
がある
≦100ピン 45
>100ピン 25
3
1
0
温度サイクル試験
JESD22-A104
プリコンディショニング後
-55~ +125の 700サイクル
(条件 B)
≦100ピン 45
>100ピン 25
3
1
0
高温高湿バイアス試験または
超加速寿命試験 (HAST)
JESD22-A101または A110
プリコンディショニング後
+85 85 RH 1000時間以上
Vcc標準値1ピンおきにバイアス
または +130 85 RH
48時間または 96時間 Vcc標準値
≦100ピン 45
>100ピン 25
3 1
0
プレッシャークッカ試験
( Autoclave)
JESD22-A102
121 15 PSIG 96時間
参考データ取得の場合は 168時間
≦100ピン 45
>100ピン 25
3
1
0
人体モデル(HBM)
ESD耐量試験
JESD22-A114
MIL-STD-883 30157
100pF 1500 Ω
不良になったすべてのピンの分布を記録 3 1 1000V以上
チャージドデバイスモデル
ESD耐量試験
JESD22-C101
Field Induced Charge Device法 3 1
500V以上 高速
ピン( 400MHz以
上)は 200V以上
ラッチアップ耐量試験
JESD 78
(Icc標準値 +100mA)または
IOピン = Icc標準値 +50
電源ピン= Vcc+50
6 1 0
プログラム
イレーズサイクル試験
100サイクルのプログラムイレーズ
( EEPROMまたは FLASH) 25 1 0
プリント基板( PCB)
接続試験
JESD22-A104
0から +100単独の試験槽を使用 25
1
デージィ
チェイン
01の推定不良率
に達するまで
> 2000
サイクル
Altera Corporation 5
表 2信頼性モニタプログラム
テストの種類
MIL-STD-883または
JEDEC Std
方法条件 サンプル数 実施頻度
寿命試験 JESD22-A108
Vcc標準値の11~12倍
Tj = +110以上 +140以下で 1000時間
参考データ収集の場合は 2000時間
≦100ピン 77
>100 - 240ピン 45
>240ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
データ保持ベーク試験
(不揮発性デバイスのみ)
JESD22-A103
+150 500時間以上
参考データ収集の場合は 1000時間以上
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
温度サイクル試験
JESD22-A104
プリコンディショニング後
-55~ +125の 700サイクル
(工業用グレード品)
0~ +125の 700サイクル
(一般用グレード品)
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
高温高湿バイアス試験
または超加速寿命試験
(HAST)
JESD22-A101
または A110
プリコンディショニング後+ 85 85 RH
1000時間以上 Vcc標準値
1ピンおきにバイアスまたは +130
85 RH48時間または 96時間 Vcc標準値
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
プレッシャークッカ試験
(Autoclave)
JESD22-A102
+121 15PSIG 96時間以上
参考データ収集の場合は 168時間
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
プログラムイレーズ
サイクル試験
100サイクルのプログラムイレーズ
( EEPROMプロセス品のみ) 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
Altera Corporation 6
寿命試験実施方法と故障率の予測
寿命試験の方法
アルテラは製品に発生する可能性がある故障メカニズムが加速されるようにするため高温 高電圧の寿命試験
を実施していますデバイスの接合温度が125以上になるように寿命試験に使用される試験槽の周囲温度を上
昇させまたVccの電源電圧を標準値の+10~20まで上昇させることによって故障のメカニカニズムが加速さ
れます熱暴走のため接合温度を125に設定できなかった場合には 低の接合温度を 110に設定されま
す寿命試験に使用される基板にはリードの完全な接触が維持される特殊な高温用のソケットが実装されます
FLEXAPEX MercuryStratixStratix GXCycloneStratix IIStratix II GXおよび Cyclone IIの各
デバイスにはBIテストモードが使用されています 6560nm製品および40nm製品では実際にクロック動作
させる様にコンフィギュレーションを行ってダイナミックな寿命試験が実施されていますMAX 3000
MAX 7000MAX 9000(EEPROMデバイス)および MAX II(FLASHデバイス)の各デバイスには寿命試験前に 100
サイクルのプログラムイレーズが実施されます
試験されるデバイスにストレスを加える前に各デバイスがデータシートで保証された規格を満足しているか
どうかを生産工程用の機器を使用してテストしますまた同じテスト機器を使用してデータシート上の各
パラメータに対する測定値が記録されますこのときデータシートの規格を満足しないデバイスは不良品
と判定されます
MAX IIを除く不揮発性のコンフィギュレーションエレメントを持つデバイスについてはコンフィギュレー
ションエレメントとなるフローティングゲートに蓄積される電荷量が規定値に対してどのようなマージン
を持っているかをテストできる試験方法が開発されていますこれによって各コンフィギュレーションエ
レメントのマージンがテストされもっとも低いマージンが記録されますMAX IIはデバイスの機能がイレ
ーズされたビットの電荷量が増加したときにのみ影響を受けプログラムされたビットの電荷量が減少したと
きには影響を受けないようにした独特の設計となっていますMAX IIのテストにおいて機能を保証するた
めに必要なイレーズされたビットのテスト電流は 10 microAですがアルテラではこれを 25 microAでテストしていま
す
Altera Corporation 7
故障率の予測
アルテラでは故障率の予測に業界標準の手法を採用しています故障率は故障の時間に対する指数分布をベ
ースにして予測されます(一定の故障率を仮定)
前記のように寿命試験ではデバイスの故障を加速するために高い温度と電圧の条件が与えられ全体の加速係
数は単純に温度と電圧の加速係数の積になります
通常の使用条件での等価動作時間 = (寿命試験の時間)times(加速係数)
加速係数 = (温度の加速係数)times(電圧の加速係数)
温度と電圧の加速係数は標準的な計算式と公表されている加速係数を基準に算出されます加速係数はJEDEC発行
のドキュメントJEP122を基準にしたものとなっています加速係数の計算式は下記に示されており各故障モ
ードに対応した加速係数は表3の通りですアルテラではより薄い酸化膜(< 70Å)を使用したテクノロジ
への移行に伴って電圧による加速に対する「べき乗則」の依存性を観察してきました65nm以降のプロセス
テクノロジのゲート酸化膜への電圧加速には「べき乗則」モデルを採用しています
90nmまでのすべてのプロセスでは絶縁膜ブレークダウンの加速係数が 07eVになっています発表されている
論文では新しいプロセスにおける酸化膜ブレークダウンの熱活性化エレルギがこれまで言われていた03eVよ
りも高くなりその値が 03eVから 09eVの範囲になると報告されていますi ii
アルテラでは複数回の温度バ
ーイン試験のテスト結果から90nmまでのプロセスには 07eVが適用可能であることを確認しています65nm以
降のプロセスに対しては「べき乗則」に基づく異なる加速係数を採用しています
温度の加速係数を計算する場合は周囲温度ではなく接合温度が使用される必要があります接合温度はスト
レスを与えた条件での実際の消費電力およびターボビットをオンに設定した通常の使用条件での標準的な消
費電力を使用して算出されます(多くのアプリケーションではターボビットがオフに設定されるため実際の
消費電力はデータブックの Iccのカーブに示されているように大幅に低減され安全サイドになります)接合
温度は周囲温度またはケース温度の測定値と「Altera Device Package Information Data Sheet」に記載され
ている熱抵抗の値から算出されます熱抵抗の値は各製品のパッケージごとに規定されていますこの接合温
度の計算式は下記に示されている通りです
温度の加速係数の式を使用する場合は温度を次のように絶対温度に変換する必要があります
絶対温度=摂氏温度+ 273
Altera Corporation 8
表 3一般的な故障メカニズムと加速係数 iii
メカニズム 活性化エネルギ Ea( eV) 電圧指数係数
ゲート酸化膜のブレークダウン( ≧ 90nm) 07 γ =32中間絶縁膜層の欠陥 07 γ =20ビアのボイド (015 microm amp 013microm) 08 00 ビアのボイド (90nm amp 65nm) 10 00 シリコン接合部の欠陥 08 00 マスクの欠陥(ポリ拡散その他) 05 00 メタライゼーションの欠陥 05 00 Alのエレクトロマイグレーション 07 (Al-Si) 085 (Al-Cu) 電流密度依存性(1J2)Cuのエレクトロマイグレーション (013microm
FSG 絶縁膜)
08 電流密度依存性( 1J2)
Cuのエレクトロマイグレーション ( 90nm
および 65nm low-k絶縁膜)
09 電流密度依存性(1J)
汚染(表面およびバルク) 10 00 データ保持
チャージロス (EPROM) 06 00 チャージ放出 (FLASHと EEPROM
le 168時間)
11 00
SILC (FLASH と EEPROM gt 168 時間) 0 23 65nm以降のプロセスには異なる値を使用
故障率は次ページ以降のデータのように製品ファミリごとに計算されていますストレスが与えられた条件で
の累積動作時間は前述の加速係数を使用して通常の使用条件の動作時間に変換されますこの変換された動作
時間が強制空冷なしの55の周囲温度または70の接合温度Vccの標準値で動作した時間と等価となります
故障のメカニズムは不良解析によって判断されますストレスを与えた条件で観測された故障メカニズムに対
して前述の計算式と加速係数を使用して加速係数が計算されます2種類の故障メカニズムが確認された場合
はそれぞれの故障メカニズムごとに故障率を加算し全体の故障率を算出します故障が起こらなかった場合
は 低の加速係数を持つ故障メカニズムが故障レートの算出に使用されます
故障率はFIT(Failure In Time)数で表され1 FITは 10 9デバイス時間で1個が故障することを意味します
アルテラはJESD85(FIT数で表された故障率の計算方法)を使用して FIT数を計算しています
故障率はカイ2乗分布から算出され母集団から抜き取られた限定数の試験サンプルと不良が少数であることを
前提に 60の信頼度水準で予測されますカイ2乗値は要求される信頼度水準と自由度を使用してカイ2乗分
布表の逆数から算出されますiv また自由度はv = 2n+ 2として計算されここで nは確認された不良の数
になります故障率はカイ2乗の値を使用して下記の式から算出されます
ここで FIT数は 10 9times故障率となりMTTF(Mean Time to Failure)は指数分布に対して単純に故障率の逆数と
なります
Altera Corporation 9
寿命試験の結果
寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用
されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同
じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ
ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製
品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています
各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています
042ミクロンプロセスの FLEX製品
FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン
プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験
の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています
042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
パッケージ故障
等価時間
デート
コード
9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837
502E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182
Altera Corporation 10
03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの
電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ
クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ
らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています
03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801
295E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311
Altera Corporation 11
022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい
る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお
りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源
電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています
022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825
491E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186
Altera Corporation 12
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ
クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP
PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧
で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737
537E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171
Altera Corporation 13
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品
APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ
ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ
トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています
これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており
多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作
しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは
15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523
a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定
Altera Corporation 14
013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ
ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから
101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて
いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており
多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに
3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています
StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験
は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか
のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました
013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試
験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
ビアのボイド故障
等価時間
デート
コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713
7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743
7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743
8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831
7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701
8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831
9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925
9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919
9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907
9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925
9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901
9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907
7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707
7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719
7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719
8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807
8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841
9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942
7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701
8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817
8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843
9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911
9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913
7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701
7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748
8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826
8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832
8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825
8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827
8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838
8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825
958E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 15
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品
Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と
「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造
されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット
から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています
Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており
QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ
び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V
で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス
寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710
7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705
8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837
8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913
7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719
8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737
7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719
8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942
8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818
8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818
8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937
8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826
9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901
8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751
8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834
8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843
9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737
8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801
7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737
8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837
430E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 16
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ
リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス
は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお
りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと
414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい
ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で
動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803
540E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170
注 通常のアプリケーション Tj = 70
(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用
(ttf=toV^-nexp(EakT))
nおよび Eaの値は要求に応じて公表
Altera Corporation 17
40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで
製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ
リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています
Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット
番号 デバイス パッケージタイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デート
コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938
9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939
9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940
9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946
10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952
注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で
きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています
40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい
Altera Corporation 18
MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品
MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ
れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの
各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施
されています
第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613
810E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 810E+07 113
Altera Corporation 19
MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい
ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供
給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています
第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922
977E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 977E+07 94
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
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Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 4
表 1 信頼性認定試験
認定基準 テストの種類
MIL-STD-883または
JEDEC Std
方法条件 サンプル数 ロット数
許容不良数
ロット
寿命試験
JESD22-A108
1000時間Vcc標準値の11~12倍
Tj=+110以上+140以下
参考データの取得の場合は 2000時間
≦100ピン 77
101 - 240ピン 45
>240ピン 25
3
1
1
0
< 200
FIT at +55
データ保持ベーク試験
JESD22-A103
+150 1000時間以上
+245 168時間以上の条件で実施される
ウェハーレベルのテストで代替されること
がある
≦100ピン 45
>100ピン 25
3
1
0
温度サイクル試験
JESD22-A104
プリコンディショニング後
-55~ +125の 700サイクル
(条件 B)
≦100ピン 45
>100ピン 25
3
1
0
高温高湿バイアス試験または
超加速寿命試験 (HAST)
JESD22-A101または A110
プリコンディショニング後
+85 85 RH 1000時間以上
Vcc標準値1ピンおきにバイアス
または +130 85 RH
48時間または 96時間 Vcc標準値
≦100ピン 45
>100ピン 25
3 1
0
プレッシャークッカ試験
( Autoclave)
JESD22-A102
121 15 PSIG 96時間
参考データ取得の場合は 168時間
≦100ピン 45
>100ピン 25
3
1
0
人体モデル(HBM)
ESD耐量試験
JESD22-A114
MIL-STD-883 30157
100pF 1500 Ω
不良になったすべてのピンの分布を記録 3 1 1000V以上
チャージドデバイスモデル
ESD耐量試験
JESD22-C101
Field Induced Charge Device法 3 1
500V以上 高速
ピン( 400MHz以
上)は 200V以上
ラッチアップ耐量試験
JESD 78
(Icc標準値 +100mA)または
IOピン = Icc標準値 +50
電源ピン= Vcc+50
6 1 0
プログラム
イレーズサイクル試験
100サイクルのプログラムイレーズ
( EEPROMまたは FLASH) 25 1 0
プリント基板( PCB)
接続試験
JESD22-A104
0から +100単独の試験槽を使用 25
1
デージィ
チェイン
01の推定不良率
に達するまで
> 2000
サイクル
Altera Corporation 5
表 2信頼性モニタプログラム
テストの種類
MIL-STD-883または
JEDEC Std
方法条件 サンプル数 実施頻度
寿命試験 JESD22-A108
Vcc標準値の11~12倍
Tj = +110以上 +140以下で 1000時間
参考データ収集の場合は 2000時間
≦100ピン 77
>100 - 240ピン 45
>240ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
データ保持ベーク試験
(不揮発性デバイスのみ)
JESD22-A103
+150 500時間以上
参考データ収集の場合は 1000時間以上
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
温度サイクル試験
JESD22-A104
プリコンディショニング後
-55~ +125の 700サイクル
(工業用グレード品)
0~ +125の 700サイクル
(一般用グレード品)
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
高温高湿バイアス試験
または超加速寿命試験
(HAST)
JESD22-A101
または A110
プリコンディショニング後+ 85 85 RH
1000時間以上 Vcc標準値
1ピンおきにバイアスまたは +130
85 RH48時間または 96時間 Vcc標準値
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
プレッシャークッカ試験
(Autoclave)
JESD22-A102
+121 15PSIG 96時間以上
参考データ収集の場合は 168時間
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
プログラムイレーズ
サイクル試験
100サイクルのプログラムイレーズ
( EEPROMプロセス品のみ) 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
Altera Corporation 6
寿命試験実施方法と故障率の予測
寿命試験の方法
アルテラは製品に発生する可能性がある故障メカニズムが加速されるようにするため高温 高電圧の寿命試験
を実施していますデバイスの接合温度が125以上になるように寿命試験に使用される試験槽の周囲温度を上
昇させまたVccの電源電圧を標準値の+10~20まで上昇させることによって故障のメカニカニズムが加速さ
れます熱暴走のため接合温度を125に設定できなかった場合には 低の接合温度を 110に設定されま
す寿命試験に使用される基板にはリードの完全な接触が維持される特殊な高温用のソケットが実装されます
FLEXAPEX MercuryStratixStratix GXCycloneStratix IIStratix II GXおよび Cyclone IIの各
デバイスにはBIテストモードが使用されています 6560nm製品および40nm製品では実際にクロック動作
させる様にコンフィギュレーションを行ってダイナミックな寿命試験が実施されていますMAX 3000
MAX 7000MAX 9000(EEPROMデバイス)および MAX II(FLASHデバイス)の各デバイスには寿命試験前に 100
サイクルのプログラムイレーズが実施されます
試験されるデバイスにストレスを加える前に各デバイスがデータシートで保証された規格を満足しているか
どうかを生産工程用の機器を使用してテストしますまた同じテスト機器を使用してデータシート上の各
パラメータに対する測定値が記録されますこのときデータシートの規格を満足しないデバイスは不良品
と判定されます
MAX IIを除く不揮発性のコンフィギュレーションエレメントを持つデバイスについてはコンフィギュレー
ションエレメントとなるフローティングゲートに蓄積される電荷量が規定値に対してどのようなマージン
を持っているかをテストできる試験方法が開発されていますこれによって各コンフィギュレーションエ
レメントのマージンがテストされもっとも低いマージンが記録されますMAX IIはデバイスの機能がイレ
ーズされたビットの電荷量が増加したときにのみ影響を受けプログラムされたビットの電荷量が減少したと
きには影響を受けないようにした独特の設計となっていますMAX IIのテストにおいて機能を保証するた
めに必要なイレーズされたビットのテスト電流は 10 microAですがアルテラではこれを 25 microAでテストしていま
す
Altera Corporation 7
故障率の予測
アルテラでは故障率の予測に業界標準の手法を採用しています故障率は故障の時間に対する指数分布をベ
ースにして予測されます(一定の故障率を仮定)
前記のように寿命試験ではデバイスの故障を加速するために高い温度と電圧の条件が与えられ全体の加速係
数は単純に温度と電圧の加速係数の積になります
通常の使用条件での等価動作時間 = (寿命試験の時間)times(加速係数)
加速係数 = (温度の加速係数)times(電圧の加速係数)
温度と電圧の加速係数は標準的な計算式と公表されている加速係数を基準に算出されます加速係数はJEDEC発行
のドキュメントJEP122を基準にしたものとなっています加速係数の計算式は下記に示されており各故障モ
ードに対応した加速係数は表3の通りですアルテラではより薄い酸化膜(< 70Å)を使用したテクノロジ
への移行に伴って電圧による加速に対する「べき乗則」の依存性を観察してきました65nm以降のプロセス
テクノロジのゲート酸化膜への電圧加速には「べき乗則」モデルを採用しています
90nmまでのすべてのプロセスでは絶縁膜ブレークダウンの加速係数が 07eVになっています発表されている
論文では新しいプロセスにおける酸化膜ブレークダウンの熱活性化エレルギがこれまで言われていた03eVよ
りも高くなりその値が 03eVから 09eVの範囲になると報告されていますi ii
アルテラでは複数回の温度バ
ーイン試験のテスト結果から90nmまでのプロセスには 07eVが適用可能であることを確認しています65nm以
降のプロセスに対しては「べき乗則」に基づく異なる加速係数を採用しています
温度の加速係数を計算する場合は周囲温度ではなく接合温度が使用される必要があります接合温度はスト
レスを与えた条件での実際の消費電力およびターボビットをオンに設定した通常の使用条件での標準的な消
費電力を使用して算出されます(多くのアプリケーションではターボビットがオフに設定されるため実際の
消費電力はデータブックの Iccのカーブに示されているように大幅に低減され安全サイドになります)接合
温度は周囲温度またはケース温度の測定値と「Altera Device Package Information Data Sheet」に記載され
ている熱抵抗の値から算出されます熱抵抗の値は各製品のパッケージごとに規定されていますこの接合温
度の計算式は下記に示されている通りです
温度の加速係数の式を使用する場合は温度を次のように絶対温度に変換する必要があります
絶対温度=摂氏温度+ 273
Altera Corporation 8
表 3一般的な故障メカニズムと加速係数 iii
メカニズム 活性化エネルギ Ea( eV) 電圧指数係数
ゲート酸化膜のブレークダウン( ≧ 90nm) 07 γ =32中間絶縁膜層の欠陥 07 γ =20ビアのボイド (015 microm amp 013microm) 08 00 ビアのボイド (90nm amp 65nm) 10 00 シリコン接合部の欠陥 08 00 マスクの欠陥(ポリ拡散その他) 05 00 メタライゼーションの欠陥 05 00 Alのエレクトロマイグレーション 07 (Al-Si) 085 (Al-Cu) 電流密度依存性(1J2)Cuのエレクトロマイグレーション (013microm
FSG 絶縁膜)
08 電流密度依存性( 1J2)
Cuのエレクトロマイグレーション ( 90nm
および 65nm low-k絶縁膜)
09 電流密度依存性(1J)
汚染(表面およびバルク) 10 00 データ保持
チャージロス (EPROM) 06 00 チャージ放出 (FLASHと EEPROM
le 168時間)
11 00
SILC (FLASH と EEPROM gt 168 時間) 0 23 65nm以降のプロセスには異なる値を使用
故障率は次ページ以降のデータのように製品ファミリごとに計算されていますストレスが与えられた条件で
の累積動作時間は前述の加速係数を使用して通常の使用条件の動作時間に変換されますこの変換された動作
時間が強制空冷なしの55の周囲温度または70の接合温度Vccの標準値で動作した時間と等価となります
故障のメカニズムは不良解析によって判断されますストレスを与えた条件で観測された故障メカニズムに対
して前述の計算式と加速係数を使用して加速係数が計算されます2種類の故障メカニズムが確認された場合
はそれぞれの故障メカニズムごとに故障率を加算し全体の故障率を算出します故障が起こらなかった場合
は 低の加速係数を持つ故障メカニズムが故障レートの算出に使用されます
故障率はFIT(Failure In Time)数で表され1 FITは 10 9デバイス時間で1個が故障することを意味します
アルテラはJESD85(FIT数で表された故障率の計算方法)を使用して FIT数を計算しています
故障率はカイ2乗分布から算出され母集団から抜き取られた限定数の試験サンプルと不良が少数であることを
前提に 60の信頼度水準で予測されますカイ2乗値は要求される信頼度水準と自由度を使用してカイ2乗分
布表の逆数から算出されますiv また自由度はv = 2n+ 2として計算されここで nは確認された不良の数
になります故障率はカイ2乗の値を使用して下記の式から算出されます
ここで FIT数は 10 9times故障率となりMTTF(Mean Time to Failure)は指数分布に対して単純に故障率の逆数と
なります
Altera Corporation 9
寿命試験の結果
寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用
されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同
じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ
ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製
品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています
各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています
042ミクロンプロセスの FLEX製品
FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン
プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験
の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています
042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
パッケージ故障
等価時間
デート
コード
9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837
502E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182
Altera Corporation 10
03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの
電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ
クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ
らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています
03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801
295E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311
Altera Corporation 11
022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい
る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお
りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源
電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています
022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825
491E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186
Altera Corporation 12
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ
クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP
PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧
で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737
537E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171
Altera Corporation 13
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品
APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ
ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ
トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています
これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており
多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作
しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは
15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523
a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定
Altera Corporation 14
013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ
ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから
101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて
いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており
多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに
3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています
StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験
は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか
のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました
013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試
験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
ビアのボイド故障
等価時間
デート
コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713
7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743
7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743
8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831
7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701
8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831
9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925
9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919
9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907
9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925
9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901
9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907
7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707
7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719
7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719
8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807
8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841
9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942
7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701
8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817
8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843
9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911
9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913
7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701
7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748
8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826
8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832
8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825
8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827
8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838
8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825
958E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 15
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品
Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と
「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造
されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット
から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています
Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており
QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ
び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V
で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス
寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710
7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705
8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837
8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913
7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719
8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737
7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719
8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942
8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818
8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818
8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937
8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826
9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901
8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751
8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834
8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843
9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737
8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801
7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737
8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837
430E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 16
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ
リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス
は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお
りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと
414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい
ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で
動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803
540E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170
注 通常のアプリケーション Tj = 70
(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用
(ttf=toV^-nexp(EakT))
nおよび Eaの値は要求に応じて公表
Altera Corporation 17
40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで
製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ
リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています
Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット
番号 デバイス パッケージタイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デート
コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938
9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939
9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940
9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946
10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952
注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で
きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています
40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい
Altera Corporation 18
MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品
MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ
れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの
各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施
されています
第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613
810E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 810E+07 113
Altera Corporation 19
MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい
ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供
給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています
第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922
977E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 977E+07 94
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
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31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
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Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 5
表 2信頼性モニタプログラム
テストの種類
MIL-STD-883または
JEDEC Std
方法条件 サンプル数 実施頻度
寿命試験 JESD22-A108
Vcc標準値の11~12倍
Tj = +110以上 +140以下で 1000時間
参考データ収集の場合は 2000時間
≦100ピン 77
>100 - 240ピン 45
>240ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
データ保持ベーク試験
(不揮発性デバイスのみ)
JESD22-A103
+150 500時間以上
参考データ収集の場合は 1000時間以上
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
温度サイクル試験
JESD22-A104
プリコンディショニング後
-55~ +125の 700サイクル
(工業用グレード品)
0~ +125の 700サイクル
(一般用グレード品)
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
高温高湿バイアス試験
または超加速寿命試験
(HAST)
JESD22-A101
または A110
プリコンディショニング後+ 85 85 RH
1000時間以上 Vcc標準値
1ピンおきにバイアスまたは +130
85 RH48時間または 96時間 Vcc標準値
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
プレッシャークッカ試験
(Autoclave)
JESD22-A102
+121 15PSIG 96時間以上
参考データ収集の場合は 168時間
≦100ピン 45
>100ピン 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
プログラムイレーズ
サイクル試験
100サイクルのプログラムイレーズ
( EEPROMプロセス品のみ) 22
各プロセスに対して各四半期の
任意の月ごと
Altera Corporation 6
寿命試験実施方法と故障率の予測
寿命試験の方法
アルテラは製品に発生する可能性がある故障メカニズムが加速されるようにするため高温 高電圧の寿命試験
を実施していますデバイスの接合温度が125以上になるように寿命試験に使用される試験槽の周囲温度を上
昇させまたVccの電源電圧を標準値の+10~20まで上昇させることによって故障のメカニカニズムが加速さ
れます熱暴走のため接合温度を125に設定できなかった場合には 低の接合温度を 110に設定されま
す寿命試験に使用される基板にはリードの完全な接触が維持される特殊な高温用のソケットが実装されます
FLEXAPEX MercuryStratixStratix GXCycloneStratix IIStratix II GXおよび Cyclone IIの各
デバイスにはBIテストモードが使用されています 6560nm製品および40nm製品では実際にクロック動作
させる様にコンフィギュレーションを行ってダイナミックな寿命試験が実施されていますMAX 3000
MAX 7000MAX 9000(EEPROMデバイス)および MAX II(FLASHデバイス)の各デバイスには寿命試験前に 100
サイクルのプログラムイレーズが実施されます
試験されるデバイスにストレスを加える前に各デバイスがデータシートで保証された規格を満足しているか
どうかを生産工程用の機器を使用してテストしますまた同じテスト機器を使用してデータシート上の各
パラメータに対する測定値が記録されますこのときデータシートの規格を満足しないデバイスは不良品
と判定されます
MAX IIを除く不揮発性のコンフィギュレーションエレメントを持つデバイスについてはコンフィギュレー
ションエレメントとなるフローティングゲートに蓄積される電荷量が規定値に対してどのようなマージン
を持っているかをテストできる試験方法が開発されていますこれによって各コンフィギュレーションエ
レメントのマージンがテストされもっとも低いマージンが記録されますMAX IIはデバイスの機能がイレ
ーズされたビットの電荷量が増加したときにのみ影響を受けプログラムされたビットの電荷量が減少したと
きには影響を受けないようにした独特の設計となっていますMAX IIのテストにおいて機能を保証するた
めに必要なイレーズされたビットのテスト電流は 10 microAですがアルテラではこれを 25 microAでテストしていま
す
Altera Corporation 7
故障率の予測
アルテラでは故障率の予測に業界標準の手法を採用しています故障率は故障の時間に対する指数分布をベ
ースにして予測されます(一定の故障率を仮定)
前記のように寿命試験ではデバイスの故障を加速するために高い温度と電圧の条件が与えられ全体の加速係
数は単純に温度と電圧の加速係数の積になります
通常の使用条件での等価動作時間 = (寿命試験の時間)times(加速係数)
加速係数 = (温度の加速係数)times(電圧の加速係数)
温度と電圧の加速係数は標準的な計算式と公表されている加速係数を基準に算出されます加速係数はJEDEC発行
のドキュメントJEP122を基準にしたものとなっています加速係数の計算式は下記に示されており各故障モ
ードに対応した加速係数は表3の通りですアルテラではより薄い酸化膜(< 70Å)を使用したテクノロジ
への移行に伴って電圧による加速に対する「べき乗則」の依存性を観察してきました65nm以降のプロセス
テクノロジのゲート酸化膜への電圧加速には「べき乗則」モデルを採用しています
90nmまでのすべてのプロセスでは絶縁膜ブレークダウンの加速係数が 07eVになっています発表されている
論文では新しいプロセスにおける酸化膜ブレークダウンの熱活性化エレルギがこれまで言われていた03eVよ
りも高くなりその値が 03eVから 09eVの範囲になると報告されていますi ii
アルテラでは複数回の温度バ
ーイン試験のテスト結果から90nmまでのプロセスには 07eVが適用可能であることを確認しています65nm以
降のプロセスに対しては「べき乗則」に基づく異なる加速係数を採用しています
温度の加速係数を計算する場合は周囲温度ではなく接合温度が使用される必要があります接合温度はスト
レスを与えた条件での実際の消費電力およびターボビットをオンに設定した通常の使用条件での標準的な消
費電力を使用して算出されます(多くのアプリケーションではターボビットがオフに設定されるため実際の
消費電力はデータブックの Iccのカーブに示されているように大幅に低減され安全サイドになります)接合
温度は周囲温度またはケース温度の測定値と「Altera Device Package Information Data Sheet」に記載され
ている熱抵抗の値から算出されます熱抵抗の値は各製品のパッケージごとに規定されていますこの接合温
度の計算式は下記に示されている通りです
温度の加速係数の式を使用する場合は温度を次のように絶対温度に変換する必要があります
絶対温度=摂氏温度+ 273
Altera Corporation 8
表 3一般的な故障メカニズムと加速係数 iii
メカニズム 活性化エネルギ Ea( eV) 電圧指数係数
ゲート酸化膜のブレークダウン( ≧ 90nm) 07 γ =32中間絶縁膜層の欠陥 07 γ =20ビアのボイド (015 microm amp 013microm) 08 00 ビアのボイド (90nm amp 65nm) 10 00 シリコン接合部の欠陥 08 00 マスクの欠陥(ポリ拡散その他) 05 00 メタライゼーションの欠陥 05 00 Alのエレクトロマイグレーション 07 (Al-Si) 085 (Al-Cu) 電流密度依存性(1J2)Cuのエレクトロマイグレーション (013microm
FSG 絶縁膜)
08 電流密度依存性( 1J2)
Cuのエレクトロマイグレーション ( 90nm
および 65nm low-k絶縁膜)
09 電流密度依存性(1J)
汚染(表面およびバルク) 10 00 データ保持
チャージロス (EPROM) 06 00 チャージ放出 (FLASHと EEPROM
le 168時間)
11 00
SILC (FLASH と EEPROM gt 168 時間) 0 23 65nm以降のプロセスには異なる値を使用
故障率は次ページ以降のデータのように製品ファミリごとに計算されていますストレスが与えられた条件で
の累積動作時間は前述の加速係数を使用して通常の使用条件の動作時間に変換されますこの変換された動作
時間が強制空冷なしの55の周囲温度または70の接合温度Vccの標準値で動作した時間と等価となります
故障のメカニズムは不良解析によって判断されますストレスを与えた条件で観測された故障メカニズムに対
して前述の計算式と加速係数を使用して加速係数が計算されます2種類の故障メカニズムが確認された場合
はそれぞれの故障メカニズムごとに故障率を加算し全体の故障率を算出します故障が起こらなかった場合
は 低の加速係数を持つ故障メカニズムが故障レートの算出に使用されます
故障率はFIT(Failure In Time)数で表され1 FITは 10 9デバイス時間で1個が故障することを意味します
アルテラはJESD85(FIT数で表された故障率の計算方法)を使用して FIT数を計算しています
故障率はカイ2乗分布から算出され母集団から抜き取られた限定数の試験サンプルと不良が少数であることを
前提に 60の信頼度水準で予測されますカイ2乗値は要求される信頼度水準と自由度を使用してカイ2乗分
布表の逆数から算出されますiv また自由度はv = 2n+ 2として計算されここで nは確認された不良の数
になります故障率はカイ2乗の値を使用して下記の式から算出されます
ここで FIT数は 10 9times故障率となりMTTF(Mean Time to Failure)は指数分布に対して単純に故障率の逆数と
なります
Altera Corporation 9
寿命試験の結果
寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用
されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同
じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ
ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製
品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています
各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています
042ミクロンプロセスの FLEX製品
FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン
プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験
の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています
042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
パッケージ故障
等価時間
デート
コード
9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837
502E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182
Altera Corporation 10
03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの
電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ
クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ
らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています
03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801
295E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311
Altera Corporation 11
022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい
る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお
りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源
電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています
022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825
491E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186
Altera Corporation 12
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ
クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP
PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧
で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737
537E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171
Altera Corporation 13
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品
APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ
ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ
トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています
これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており
多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作
しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは
15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523
a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定
Altera Corporation 14
013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ
ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから
101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて
いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており
多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに
3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています
StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験
は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか
のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました
013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試
験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
ビアのボイド故障
等価時間
デート
コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713
7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743
7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743
8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831
7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701
8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831
9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925
9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919
9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907
9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925
9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901
9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907
7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707
7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719
7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719
8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807
8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841
9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942
7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701
8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817
8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843
9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911
9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913
7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701
7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748
8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826
8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832
8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825
8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827
8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838
8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825
958E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 15
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品
Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と
「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造
されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット
から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています
Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており
QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ
び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V
で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス
寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710
7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705
8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837
8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913
7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719
8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737
7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719
8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942
8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818
8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818
8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937
8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826
9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901
8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751
8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834
8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843
9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737
8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801
7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737
8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837
430E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 16
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ
リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス
は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお
りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと
414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい
ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で
動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803
540E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170
注 通常のアプリケーション Tj = 70
(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用
(ttf=toV^-nexp(EakT))
nおよび Eaの値は要求に応じて公表
Altera Corporation 17
40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで
製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ
リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています
Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット
番号 デバイス パッケージタイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デート
コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938
9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939
9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940
9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946
10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952
注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で
きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています
40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい
Altera Corporation 18
MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品
MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ
れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの
各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施
されています
第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613
810E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 810E+07 113
Altera Corporation 19
MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい
ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供
給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています
第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922
977E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 977E+07 94
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Altera Corporation 6
寿命試験実施方法と故障率の予測
寿命試験の方法
アルテラは製品に発生する可能性がある故障メカニズムが加速されるようにするため高温 高電圧の寿命試験
を実施していますデバイスの接合温度が125以上になるように寿命試験に使用される試験槽の周囲温度を上
昇させまたVccの電源電圧を標準値の+10~20まで上昇させることによって故障のメカニカニズムが加速さ
れます熱暴走のため接合温度を125に設定できなかった場合には 低の接合温度を 110に設定されま
す寿命試験に使用される基板にはリードの完全な接触が維持される特殊な高温用のソケットが実装されます
FLEXAPEX MercuryStratixStratix GXCycloneStratix IIStratix II GXおよび Cyclone IIの各
デバイスにはBIテストモードが使用されています 6560nm製品および40nm製品では実際にクロック動作
させる様にコンフィギュレーションを行ってダイナミックな寿命試験が実施されていますMAX 3000
MAX 7000MAX 9000(EEPROMデバイス)および MAX II(FLASHデバイス)の各デバイスには寿命試験前に 100
サイクルのプログラムイレーズが実施されます
試験されるデバイスにストレスを加える前に各デバイスがデータシートで保証された規格を満足しているか
どうかを生産工程用の機器を使用してテストしますまた同じテスト機器を使用してデータシート上の各
パラメータに対する測定値が記録されますこのときデータシートの規格を満足しないデバイスは不良品
と判定されます
MAX IIを除く不揮発性のコンフィギュレーションエレメントを持つデバイスについてはコンフィギュレー
ションエレメントとなるフローティングゲートに蓄積される電荷量が規定値に対してどのようなマージン
を持っているかをテストできる試験方法が開発されていますこれによって各コンフィギュレーションエ
レメントのマージンがテストされもっとも低いマージンが記録されますMAX IIはデバイスの機能がイレ
ーズされたビットの電荷量が増加したときにのみ影響を受けプログラムされたビットの電荷量が減少したと
きには影響を受けないようにした独特の設計となっていますMAX IIのテストにおいて機能を保証するた
めに必要なイレーズされたビットのテスト電流は 10 microAですがアルテラではこれを 25 microAでテストしていま
す
Altera Corporation 7
故障率の予測
アルテラでは故障率の予測に業界標準の手法を採用しています故障率は故障の時間に対する指数分布をベ
ースにして予測されます(一定の故障率を仮定)
前記のように寿命試験ではデバイスの故障を加速するために高い温度と電圧の条件が与えられ全体の加速係
数は単純に温度と電圧の加速係数の積になります
通常の使用条件での等価動作時間 = (寿命試験の時間)times(加速係数)
加速係数 = (温度の加速係数)times(電圧の加速係数)
温度と電圧の加速係数は標準的な計算式と公表されている加速係数を基準に算出されます加速係数はJEDEC発行
のドキュメントJEP122を基準にしたものとなっています加速係数の計算式は下記に示されており各故障モ
ードに対応した加速係数は表3の通りですアルテラではより薄い酸化膜(< 70Å)を使用したテクノロジ
への移行に伴って電圧による加速に対する「べき乗則」の依存性を観察してきました65nm以降のプロセス
テクノロジのゲート酸化膜への電圧加速には「べき乗則」モデルを採用しています
90nmまでのすべてのプロセスでは絶縁膜ブレークダウンの加速係数が 07eVになっています発表されている
論文では新しいプロセスにおける酸化膜ブレークダウンの熱活性化エレルギがこれまで言われていた03eVよ
りも高くなりその値が 03eVから 09eVの範囲になると報告されていますi ii
アルテラでは複数回の温度バ
ーイン試験のテスト結果から90nmまでのプロセスには 07eVが適用可能であることを確認しています65nm以
降のプロセスに対しては「べき乗則」に基づく異なる加速係数を採用しています
温度の加速係数を計算する場合は周囲温度ではなく接合温度が使用される必要があります接合温度はスト
レスを与えた条件での実際の消費電力およびターボビットをオンに設定した通常の使用条件での標準的な消
費電力を使用して算出されます(多くのアプリケーションではターボビットがオフに設定されるため実際の
消費電力はデータブックの Iccのカーブに示されているように大幅に低減され安全サイドになります)接合
温度は周囲温度またはケース温度の測定値と「Altera Device Package Information Data Sheet」に記載され
ている熱抵抗の値から算出されます熱抵抗の値は各製品のパッケージごとに規定されていますこの接合温
度の計算式は下記に示されている通りです
温度の加速係数の式を使用する場合は温度を次のように絶対温度に変換する必要があります
絶対温度=摂氏温度+ 273
Altera Corporation 8
表 3一般的な故障メカニズムと加速係数 iii
メカニズム 活性化エネルギ Ea( eV) 電圧指数係数
ゲート酸化膜のブレークダウン( ≧ 90nm) 07 γ =32中間絶縁膜層の欠陥 07 γ =20ビアのボイド (015 microm amp 013microm) 08 00 ビアのボイド (90nm amp 65nm) 10 00 シリコン接合部の欠陥 08 00 マスクの欠陥(ポリ拡散その他) 05 00 メタライゼーションの欠陥 05 00 Alのエレクトロマイグレーション 07 (Al-Si) 085 (Al-Cu) 電流密度依存性(1J2)Cuのエレクトロマイグレーション (013microm
FSG 絶縁膜)
08 電流密度依存性( 1J2)
Cuのエレクトロマイグレーション ( 90nm
および 65nm low-k絶縁膜)
09 電流密度依存性(1J)
汚染(表面およびバルク) 10 00 データ保持
チャージロス (EPROM) 06 00 チャージ放出 (FLASHと EEPROM
le 168時間)
11 00
SILC (FLASH と EEPROM gt 168 時間) 0 23 65nm以降のプロセスには異なる値を使用
故障率は次ページ以降のデータのように製品ファミリごとに計算されていますストレスが与えられた条件で
の累積動作時間は前述の加速係数を使用して通常の使用条件の動作時間に変換されますこの変換された動作
時間が強制空冷なしの55の周囲温度または70の接合温度Vccの標準値で動作した時間と等価となります
故障のメカニズムは不良解析によって判断されますストレスを与えた条件で観測された故障メカニズムに対
して前述の計算式と加速係数を使用して加速係数が計算されます2種類の故障メカニズムが確認された場合
はそれぞれの故障メカニズムごとに故障率を加算し全体の故障率を算出します故障が起こらなかった場合
は 低の加速係数を持つ故障メカニズムが故障レートの算出に使用されます
故障率はFIT(Failure In Time)数で表され1 FITは 10 9デバイス時間で1個が故障することを意味します
アルテラはJESD85(FIT数で表された故障率の計算方法)を使用して FIT数を計算しています
故障率はカイ2乗分布から算出され母集団から抜き取られた限定数の試験サンプルと不良が少数であることを
前提に 60の信頼度水準で予測されますカイ2乗値は要求される信頼度水準と自由度を使用してカイ2乗分
布表の逆数から算出されますiv また自由度はv = 2n+ 2として計算されここで nは確認された不良の数
になります故障率はカイ2乗の値を使用して下記の式から算出されます
ここで FIT数は 10 9times故障率となりMTTF(Mean Time to Failure)は指数分布に対して単純に故障率の逆数と
なります
Altera Corporation 9
寿命試験の結果
寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用
されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同
じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ
ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製
品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています
各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています
042ミクロンプロセスの FLEX製品
FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン
プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験
の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています
042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
パッケージ故障
等価時間
デート
コード
9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837
502E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182
Altera Corporation 10
03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの
電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ
クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ
らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています
03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801
295E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311
Altera Corporation 11
022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい
る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお
りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源
電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています
022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825
491E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186
Altera Corporation 12
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ
クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP
PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧
で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737
537E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171
Altera Corporation 13
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品
APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ
ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ
トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています
これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており
多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作
しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは
15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523
a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定
Altera Corporation 14
013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ
ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから
101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて
いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており
多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに
3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています
StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験
は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか
のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました
013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試
験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
ビアのボイド故障
等価時間
デート
コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713
7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743
7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743
8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831
7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701
8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831
9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925
9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919
9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907
9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925
9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901
9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907
7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707
7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719
7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719
8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807
8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841
9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942
7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701
8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817
8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843
9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911
9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913
7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701
7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748
8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826
8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832
8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825
8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827
8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838
8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825
958E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 15
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品
Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と
「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造
されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット
から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています
Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており
QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ
び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V
で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス
寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710
7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705
8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837
8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913
7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719
8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737
7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719
8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942
8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818
8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818
8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937
8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826
9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901
8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751
8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834
8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843
9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737
8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801
7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737
8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837
430E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 16
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ
リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス
は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお
りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと
414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい
ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で
動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803
540E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170
注 通常のアプリケーション Tj = 70
(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用
(ttf=toV^-nexp(EakT))
nおよび Eaの値は要求に応じて公表
Altera Corporation 17
40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで
製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ
リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています
Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット
番号 デバイス パッケージタイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デート
コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938
9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939
9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940
9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946
10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952
注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で
きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています
40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい
Altera Corporation 18
MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品
MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ
れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの
各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施
されています
第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613
810E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 810E+07 113
Altera Corporation 19
MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい
ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供
給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています
第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922
977E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 977E+07 94
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 7
故障率の予測
アルテラでは故障率の予測に業界標準の手法を採用しています故障率は故障の時間に対する指数分布をベ
ースにして予測されます(一定の故障率を仮定)
前記のように寿命試験ではデバイスの故障を加速するために高い温度と電圧の条件が与えられ全体の加速係
数は単純に温度と電圧の加速係数の積になります
通常の使用条件での等価動作時間 = (寿命試験の時間)times(加速係数)
加速係数 = (温度の加速係数)times(電圧の加速係数)
温度と電圧の加速係数は標準的な計算式と公表されている加速係数を基準に算出されます加速係数はJEDEC発行
のドキュメントJEP122を基準にしたものとなっています加速係数の計算式は下記に示されており各故障モ
ードに対応した加速係数は表3の通りですアルテラではより薄い酸化膜(< 70Å)を使用したテクノロジ
への移行に伴って電圧による加速に対する「べき乗則」の依存性を観察してきました65nm以降のプロセス
テクノロジのゲート酸化膜への電圧加速には「べき乗則」モデルを採用しています
90nmまでのすべてのプロセスでは絶縁膜ブレークダウンの加速係数が 07eVになっています発表されている
論文では新しいプロセスにおける酸化膜ブレークダウンの熱活性化エレルギがこれまで言われていた03eVよ
りも高くなりその値が 03eVから 09eVの範囲になると報告されていますi ii
アルテラでは複数回の温度バ
ーイン試験のテスト結果から90nmまでのプロセスには 07eVが適用可能であることを確認しています65nm以
降のプロセスに対しては「べき乗則」に基づく異なる加速係数を採用しています
温度の加速係数を計算する場合は周囲温度ではなく接合温度が使用される必要があります接合温度はスト
レスを与えた条件での実際の消費電力およびターボビットをオンに設定した通常の使用条件での標準的な消
費電力を使用して算出されます(多くのアプリケーションではターボビットがオフに設定されるため実際の
消費電力はデータブックの Iccのカーブに示されているように大幅に低減され安全サイドになります)接合
温度は周囲温度またはケース温度の測定値と「Altera Device Package Information Data Sheet」に記載され
ている熱抵抗の値から算出されます熱抵抗の値は各製品のパッケージごとに規定されていますこの接合温
度の計算式は下記に示されている通りです
温度の加速係数の式を使用する場合は温度を次のように絶対温度に変換する必要があります
絶対温度=摂氏温度+ 273
Altera Corporation 8
表 3一般的な故障メカニズムと加速係数 iii
メカニズム 活性化エネルギ Ea( eV) 電圧指数係数
ゲート酸化膜のブレークダウン( ≧ 90nm) 07 γ =32中間絶縁膜層の欠陥 07 γ =20ビアのボイド (015 microm amp 013microm) 08 00 ビアのボイド (90nm amp 65nm) 10 00 シリコン接合部の欠陥 08 00 マスクの欠陥(ポリ拡散その他) 05 00 メタライゼーションの欠陥 05 00 Alのエレクトロマイグレーション 07 (Al-Si) 085 (Al-Cu) 電流密度依存性(1J2)Cuのエレクトロマイグレーション (013microm
FSG 絶縁膜)
08 電流密度依存性( 1J2)
Cuのエレクトロマイグレーション ( 90nm
および 65nm low-k絶縁膜)
09 電流密度依存性(1J)
汚染(表面およびバルク) 10 00 データ保持
チャージロス (EPROM) 06 00 チャージ放出 (FLASHと EEPROM
le 168時間)
11 00
SILC (FLASH と EEPROM gt 168 時間) 0 23 65nm以降のプロセスには異なる値を使用
故障率は次ページ以降のデータのように製品ファミリごとに計算されていますストレスが与えられた条件で
の累積動作時間は前述の加速係数を使用して通常の使用条件の動作時間に変換されますこの変換された動作
時間が強制空冷なしの55の周囲温度または70の接合温度Vccの標準値で動作した時間と等価となります
故障のメカニズムは不良解析によって判断されますストレスを与えた条件で観測された故障メカニズムに対
して前述の計算式と加速係数を使用して加速係数が計算されます2種類の故障メカニズムが確認された場合
はそれぞれの故障メカニズムごとに故障率を加算し全体の故障率を算出します故障が起こらなかった場合
は 低の加速係数を持つ故障メカニズムが故障レートの算出に使用されます
故障率はFIT(Failure In Time)数で表され1 FITは 10 9デバイス時間で1個が故障することを意味します
アルテラはJESD85(FIT数で表された故障率の計算方法)を使用して FIT数を計算しています
故障率はカイ2乗分布から算出され母集団から抜き取られた限定数の試験サンプルと不良が少数であることを
前提に 60の信頼度水準で予測されますカイ2乗値は要求される信頼度水準と自由度を使用してカイ2乗分
布表の逆数から算出されますiv また自由度はv = 2n+ 2として計算されここで nは確認された不良の数
になります故障率はカイ2乗の値を使用して下記の式から算出されます
ここで FIT数は 10 9times故障率となりMTTF(Mean Time to Failure)は指数分布に対して単純に故障率の逆数と
なります
Altera Corporation 9
寿命試験の結果
寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用
されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同
じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ
ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製
品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています
各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています
042ミクロンプロセスの FLEX製品
FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン
プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験
の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています
042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
パッケージ故障
等価時間
デート
コード
9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837
502E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182
Altera Corporation 10
03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの
電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ
クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ
らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています
03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801
295E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311
Altera Corporation 11
022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい
る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお
りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源
電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています
022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825
491E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186
Altera Corporation 12
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ
クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP
PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧
で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737
537E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171
Altera Corporation 13
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品
APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ
ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ
トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています
これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており
多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作
しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは
15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523
a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定
Altera Corporation 14
013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ
ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから
101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて
いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており
多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに
3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています
StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験
は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか
のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました
013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試
験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
ビアのボイド故障
等価時間
デート
コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713
7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743
7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743
8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831
7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701
8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831
9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925
9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919
9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907
9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925
9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901
9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907
7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707
7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719
7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719
8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807
8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841
9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942
7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701
8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817
8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843
9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911
9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913
7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701
7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748
8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826
8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832
8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825
8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827
8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838
8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825
958E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 15
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品
Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と
「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造
されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット
から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています
Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており
QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ
び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V
で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス
寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710
7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705
8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837
8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913
7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719
8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737
7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719
8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942
8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818
8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818
8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937
8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826
9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901
8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751
8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834
8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843
9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737
8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801
7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737
8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837
430E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 16
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ
リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス
は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお
りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと
414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい
ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で
動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803
540E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170
注 通常のアプリケーション Tj = 70
(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用
(ttf=toV^-nexp(EakT))
nおよび Eaの値は要求に応じて公表
Altera Corporation 17
40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで
製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ
リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています
Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット
番号 デバイス パッケージタイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デート
コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938
9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939
9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940
9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946
10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952
注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で
きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています
40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい
Altera Corporation 18
MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品
MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ
れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの
各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施
されています
第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613
810E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 810E+07 113
Altera Corporation 19
MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい
ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供
給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています
第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922
977E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 977E+07 94
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
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1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 8
表 3一般的な故障メカニズムと加速係数 iii
メカニズム 活性化エネルギ Ea( eV) 電圧指数係数
ゲート酸化膜のブレークダウン( ≧ 90nm) 07 γ =32中間絶縁膜層の欠陥 07 γ =20ビアのボイド (015 microm amp 013microm) 08 00 ビアのボイド (90nm amp 65nm) 10 00 シリコン接合部の欠陥 08 00 マスクの欠陥(ポリ拡散その他) 05 00 メタライゼーションの欠陥 05 00 Alのエレクトロマイグレーション 07 (Al-Si) 085 (Al-Cu) 電流密度依存性(1J2)Cuのエレクトロマイグレーション (013microm
FSG 絶縁膜)
08 電流密度依存性( 1J2)
Cuのエレクトロマイグレーション ( 90nm
および 65nm low-k絶縁膜)
09 電流密度依存性(1J)
汚染(表面およびバルク) 10 00 データ保持
チャージロス (EPROM) 06 00 チャージ放出 (FLASHと EEPROM
le 168時間)
11 00
SILC (FLASH と EEPROM gt 168 時間) 0 23 65nm以降のプロセスには異なる値を使用
故障率は次ページ以降のデータのように製品ファミリごとに計算されていますストレスが与えられた条件で
の累積動作時間は前述の加速係数を使用して通常の使用条件の動作時間に変換されますこの変換された動作
時間が強制空冷なしの55の周囲温度または70の接合温度Vccの標準値で動作した時間と等価となります
故障のメカニズムは不良解析によって判断されますストレスを与えた条件で観測された故障メカニズムに対
して前述の計算式と加速係数を使用して加速係数が計算されます2種類の故障メカニズムが確認された場合
はそれぞれの故障メカニズムごとに故障率を加算し全体の故障率を算出します故障が起こらなかった場合
は 低の加速係数を持つ故障メカニズムが故障レートの算出に使用されます
故障率はFIT(Failure In Time)数で表され1 FITは 10 9デバイス時間で1個が故障することを意味します
アルテラはJESD85(FIT数で表された故障率の計算方法)を使用して FIT数を計算しています
故障率はカイ2乗分布から算出され母集団から抜き取られた限定数の試験サンプルと不良が少数であることを
前提に 60の信頼度水準で予測されますカイ2乗値は要求される信頼度水準と自由度を使用してカイ2乗分
布表の逆数から算出されますiv また自由度はv = 2n+ 2として計算されここで nは確認された不良の数
になります故障率はカイ2乗の値を使用して下記の式から算出されます
ここで FIT数は 10 9times故障率となりMTTF(Mean Time to Failure)は指数分布に対して単純に故障率の逆数と
なります
Altera Corporation 9
寿命試験の結果
寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用
されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同
じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ
ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製
品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています
各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています
042ミクロンプロセスの FLEX製品
FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン
プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験
の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています
042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
パッケージ故障
等価時間
デート
コード
9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837
502E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182
Altera Corporation 10
03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの
電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ
クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ
らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています
03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801
295E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311
Altera Corporation 11
022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい
る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお
りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源
電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています
022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825
491E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186
Altera Corporation 12
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ
クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP
PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧
で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737
537E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171
Altera Corporation 13
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品
APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ
ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ
トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています
これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており
多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作
しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは
15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523
a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定
Altera Corporation 14
013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ
ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから
101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて
いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており
多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに
3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています
StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験
は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか
のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました
013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試
験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
ビアのボイド故障
等価時間
デート
コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713
7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743
7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743
8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831
7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701
8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831
9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925
9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919
9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907
9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925
9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901
9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907
7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707
7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719
7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719
8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807
8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841
9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942
7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701
8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817
8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843
9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911
9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913
7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701
7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748
8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826
8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832
8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825
8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827
8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838
8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825
958E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 15
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品
Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と
「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造
されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット
から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています
Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており
QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ
び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V
で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス
寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710
7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705
8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837
8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913
7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719
8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737
7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719
8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942
8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818
8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818
8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937
8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826
9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901
8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751
8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834
8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843
9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737
8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801
7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737
8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837
430E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 16
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ
リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス
は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお
りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと
414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい
ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で
動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803
540E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170
注 通常のアプリケーション Tj = 70
(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用
(ttf=toV^-nexp(EakT))
nおよび Eaの値は要求に応じて公表
Altera Corporation 17
40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで
製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ
リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています
Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット
番号 デバイス パッケージタイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デート
コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938
9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939
9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940
9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946
10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952
注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で
きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています
40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい
Altera Corporation 18
MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品
MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ
れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの
各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施
されています
第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613
810E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 810E+07 113
Altera Corporation 19
MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい
ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供
給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています
第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922
977E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 977E+07 94
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Altera Corporation 9
寿命試験の結果
寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用
されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同
じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ
ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製
品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています
各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています
042ミクロンプロセスの FLEX製品
FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン
プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験
の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています
042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
パッケージ故障
等価時間
デート
コード
9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837
502E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182
Altera Corporation 10
03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの
電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ
クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ
らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています
03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801
295E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311
Altera Corporation 11
022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい
る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお
りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源
電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています
022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825
491E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186
Altera Corporation 12
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ
クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP
PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧
で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737
537E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171
Altera Corporation 13
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品
APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ
ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ
トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています
これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており
多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作
しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは
15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523
a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定
Altera Corporation 14
013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ
ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから
101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて
いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており
多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに
3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています
StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験
は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか
のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました
013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試
験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
ビアのボイド故障
等価時間
デート
コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713
7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743
7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743
8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831
7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701
8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831
9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925
9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919
9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907
9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925
9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901
9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907
7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707
7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719
7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719
8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807
8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841
9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942
7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701
8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817
8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843
9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911
9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913
7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701
7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748
8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826
8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832
8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825
8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827
8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838
8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825
958E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 15
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品
Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と
「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造
されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット
から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています
Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており
QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ
び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V
で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス
寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710
7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705
8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837
8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913
7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719
8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737
7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719
8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942
8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818
8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818
8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937
8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826
9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901
8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751
8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834
8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843
9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737
8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801
7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737
8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837
430E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 16
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ
リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス
は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお
りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと
414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい
ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で
動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803
540E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170
注 通常のアプリケーション Tj = 70
(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用
(ttf=toV^-nexp(EakT))
nおよび Eaの値は要求に応じて公表
Altera Corporation 17
40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで
製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ
リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています
Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット
番号 デバイス パッケージタイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デート
コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938
9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939
9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940
9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946
10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952
注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で
きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています
40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい
Altera Corporation 18
MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品
MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ
れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの
各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施
されています
第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613
810E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 810E+07 113
Altera Corporation 19
MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい
ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供
給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています
第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922
977E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 977E+07 94
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
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Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 10
03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの
電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ
クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ
らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています
03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801
295E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311
Altera Corporation 11
022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい
る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお
りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源
電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています
022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825
491E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186
Altera Corporation 12
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ
クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP
PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧
で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737
537E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171
Altera Corporation 13
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品
APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ
ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ
トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています
これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており
多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作
しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは
15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523
a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定
Altera Corporation 14
013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ
ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから
101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて
いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており
多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに
3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています
StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験
は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか
のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました
013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試
験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
ビアのボイド故障
等価時間
デート
コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713
7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743
7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743
8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831
7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701
8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831
9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925
9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919
9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907
9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925
9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901
9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907
7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707
7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719
7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719
8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807
8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841
9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942
7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701
8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817
8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843
9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911
9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913
7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701
7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748
8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826
8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832
8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825
8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827
8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838
8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825
958E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 15
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品
Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と
「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造
されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット
から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています
Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており
QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ
び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V
で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス
寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710
7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705
8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837
8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913
7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719
8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737
7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719
8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942
8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818
8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818
8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937
8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826
9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901
8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751
8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834
8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843
9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737
8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801
7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737
8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837
430E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 16
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ
リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス
は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお
りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと
414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい
ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で
動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803
540E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170
注 通常のアプリケーション Tj = 70
(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用
(ttf=toV^-nexp(EakT))
nおよび Eaの値は要求に応じて公表
Altera Corporation 17
40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで
製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ
リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています
Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット
番号 デバイス パッケージタイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デート
コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938
9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939
9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940
9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946
10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952
注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で
きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています
40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい
Altera Corporation 18
MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品
MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ
れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの
各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施
されています
第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613
810E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 810E+07 113
Altera Corporation 19
MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい
ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供
給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています
第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922
977E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 977E+07 94
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
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freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
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Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
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Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 11
022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい
る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお
りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源
電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています
022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825
491E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186
Altera Corporation 12
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ
クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP
PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧
で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737
537E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171
Altera Corporation 13
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品
APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ
ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ
トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています
これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており
多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作
しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは
15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523
a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定
Altera Corporation 14
013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ
ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから
101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて
いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており
多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに
3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています
StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験
は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか
のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました
013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試
験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
ビアのボイド故障
等価時間
デート
コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713
7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743
7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743
8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831
7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701
8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831
9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925
9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919
9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907
9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925
9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901
9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907
7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707
7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719
7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719
8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807
8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841
9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942
7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701
8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817
8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843
9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911
9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913
7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701
7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748
8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826
8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832
8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825
8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827
8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838
8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825
958E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 15
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品
Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と
「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造
されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット
から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています
Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており
QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ
び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V
で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス
寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710
7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705
8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837
8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913
7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719
8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737
7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719
8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942
8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818
8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818
8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937
8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826
9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901
8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751
8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834
8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843
9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737
8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801
7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737
8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837
430E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 16
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ
リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス
は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお
りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと
414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい
ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で
動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803
540E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170
注 通常のアプリケーション Tj = 70
(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用
(ttf=toV^-nexp(EakT))
nおよび Eaの値は要求に応じて公表
Altera Corporation 17
40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで
製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ
リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています
Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット
番号 デバイス パッケージタイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デート
コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938
9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939
9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940
9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946
10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952
注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で
きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています
40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい
Altera Corporation 18
MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品
MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ
れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの
各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施
されています
第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613
810E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 810E+07 113
Altera Corporation 19
MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい
ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供
給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています
第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922
977E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 977E+07 94
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 12
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ
クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP
PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧
で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています
018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737
537E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171
Altera Corporation 13
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品
APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ
ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ
トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています
これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており
多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作
しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは
15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523
a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定
Altera Corporation 14
013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ
ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから
101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて
いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており
多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに
3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています
StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験
は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか
のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました
013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試
験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
ビアのボイド故障
等価時間
デート
コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713
7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743
7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743
8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831
7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701
8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831
9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925
9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919
9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907
9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925
9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901
9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907
7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707
7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719
7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719
8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807
8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841
9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942
7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701
8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817
8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843
9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911
9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913
7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701
7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748
8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826
8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832
8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825
8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827
8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838
8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825
958E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 15
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品
Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と
「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造
されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット
から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています
Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており
QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ
び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V
で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス
寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710
7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705
8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837
8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913
7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719
8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737
7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719
8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942
8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818
8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818
8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937
8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826
9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901
8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751
8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834
8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843
9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737
8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801
7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737
8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837
430E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 16
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ
リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス
は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお
りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと
414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい
ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で
動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803
540E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170
注 通常のアプリケーション Tj = 70
(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用
(ttf=toV^-nexp(EakT))
nおよび Eaの値は要求に応じて公表
Altera Corporation 17
40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで
製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ
リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています
Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット
番号 デバイス パッケージタイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デート
コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938
9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939
9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940
9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946
10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952
注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で
きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています
40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい
Altera Corporation 18
MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品
MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ
れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの
各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施
されています
第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613
810E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 810E+07 113
Altera Corporation 19
MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい
ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供
給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています
第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922
977E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 977E+07 94
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
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1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 13
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品
APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ
ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ
トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています
これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており
多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作
しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは
15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています
015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523
a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定
Altera Corporation 14
013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ
ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから
101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて
いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており
多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに
3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています
StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験
は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか
のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました
013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試
験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
ビアのボイド故障
等価時間
デート
コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713
7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743
7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743
8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831
7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701
8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831
9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925
9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919
9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907
9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925
9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901
9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907
7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707
7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719
7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719
8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807
8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841
9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942
7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701
8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817
8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843
9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911
9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913
7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701
7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748
8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826
8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832
8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825
8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827
8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838
8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825
958E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 15
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品
Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と
「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造
されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット
から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています
Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており
QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ
び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V
で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス
寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710
7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705
8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837
8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913
7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719
8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737
7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719
8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942
8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818
8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818
8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937
8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826
9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901
8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751
8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834
8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843
9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737
8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801
7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737
8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837
430E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 16
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ
リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス
は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお
りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと
414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい
ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で
動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803
540E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170
注 通常のアプリケーション Tj = 70
(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用
(ttf=toV^-nexp(EakT))
nおよび Eaの値は要求に応じて公表
Altera Corporation 17
40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで
製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ
リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています
Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット
番号 デバイス パッケージタイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デート
コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938
9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939
9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940
9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946
10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952
注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で
きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています
40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい
Altera Corporation 18
MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品
MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ
れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの
各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施
されています
第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613
810E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 810E+07 113
Altera Corporation 19
MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい
ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供
給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています
第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922
977E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 977E+07 94
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
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Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
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Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 14
013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ
ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから
101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて
いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており
多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに
3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています
StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験
は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか
のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました
013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試
験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
ビアのボイド故障
等価時間
デート
コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713
7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743
7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743
8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831
7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701
8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831
9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925
9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919
9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907
9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925
9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901
9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907
7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707
7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719
7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719
8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807
8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841
9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942
7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701
8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817
8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843
9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911
9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913
7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701
7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748
8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826
8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832
8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825
8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827
8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838
8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825
958E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 15
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品
Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と
「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造
されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット
から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています
Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており
QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ
び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V
で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス
寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710
7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705
8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837
8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913
7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719
8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737
7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719
8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942
8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818
8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818
8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937
8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826
9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901
8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751
8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834
8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843
9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737
8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801
7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737
8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837
430E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 16
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ
リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス
は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお
りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと
414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい
ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で
動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803
540E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170
注 通常のアプリケーション Tj = 70
(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用
(ttf=toV^-nexp(EakT))
nおよび Eaの値は要求に応じて公表
Altera Corporation 17
40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで
製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ
リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています
Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット
番号 デバイス パッケージタイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デート
コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938
9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939
9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940
9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946
10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952
注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で
きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています
40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい
Altera Corporation 18
MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品
MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ
れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの
各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施
されています
第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613
810E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 810E+07 113
Altera Corporation 19
MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい
ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供
給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています
第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922
977E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 977E+07 94
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 15
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品
Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と
「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造
されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット
から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています
Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており
QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ
び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V
で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています
90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス
寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710
7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705
8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837
8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913
7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719
8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737
7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719
8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942
8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818
8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818
8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937
8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826
9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901
8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751
8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834
8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843
9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737
8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801
7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737
8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837
430E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213
注通常のアプリケーション Tj = 70
Altera Corporation 16
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ
リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス
は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお
りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと
414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい
ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で
動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803
540E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170
注 通常のアプリケーション Tj = 70
(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用
(ttf=toV^-nexp(EakT))
nおよび Eaの値は要求に応じて公表
Altera Corporation 17
40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで
製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ
リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています
Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット
番号 デバイス パッケージタイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デート
コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938
9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939
9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940
9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946
10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952
注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で
きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています
40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい
Altera Corporation 18
MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品
MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ
れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの
各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施
されています
第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613
810E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 810E+07 113
Altera Corporation 19
MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい
ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供
給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています
第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922
977E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 977E+07 94
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 16
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ
リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス
は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお
りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと
414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい
ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で
動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
中間絶縁膜故障
等価時間
デート
コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803
540E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170
注 通常のアプリケーション Tj = 70
(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用
(ttf=toV^-nexp(EakT))
nおよび Eaの値は要求に応じて公表
Altera Corporation 17
40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで
製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ
リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています
Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット
番号 デバイス パッケージタイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デート
コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938
9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939
9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940
9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946
10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952
注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で
きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています
40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい
Altera Corporation 18
MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品
MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ
れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの
各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施
されています
第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613
810E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 810E+07 113
Altera Corporation 19
MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい
ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供
給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています
第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922
977E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 977E+07 94
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 17
40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで
製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ
リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています
Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています
これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験
が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています
40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット
番号 デバイス パッケージタイプ
接合温度
Tj () 試験数 試験時間 不良数
デート
コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938
9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939
9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940
9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946
10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952
注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で
きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています
40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい
Altera Corporation 18
MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品
MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ
れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの
各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施
されています
第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613
810E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 810E+07 113
Altera Corporation 19
MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい
ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供
給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています
第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922
977E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 977E+07 94
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 18
MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品
MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ
れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの
各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施
されています
第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613
810E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 810E+07 113
Altera Corporation 19
MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい
ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供
給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています
第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922
977E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 977E+07 94
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 19
MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい
ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供
給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています
第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922
977E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 977E+07 94
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
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2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 20
MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら
のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー
ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい
ます
第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731
262E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 262E+07 349
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 21
MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて
いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の
LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動
作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は
216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています
MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846
587E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 587E+07 156
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
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freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
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Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
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Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 22
コンフィグレーションデバイス ― EPROM
これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され
ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV
イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ
れています
第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901
276E+07
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 276E+07 332
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
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Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
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Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 23
コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品
EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され
ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお
りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク
ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能
です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては
40Vに設定されています
Flashメモリデバイス寿命試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数
デバイス
時間
データ保持故障
等価時間
デート
コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831
108E+08
活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数
データ保持不良 0 183 108E+07 849
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 24
高温保存試験
高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品
ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ
ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上
で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ
ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます
EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか
りやすく解説されていますv vi
高温保存試験の結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710
7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815
8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918
8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749
9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901
9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931
9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907
8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807
9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912
8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826
8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825
8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838
7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701
7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737
8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901
9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709
8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832
9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929
9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933
9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937
8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837
8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 25
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837
8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831
8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825
9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901
8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825
8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843
8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829
8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831
9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903
9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937
9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925
9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925
8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809
8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812
9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912
8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801
8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806
8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805
8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907
8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803
9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904
9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923
9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922
9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919
9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910
8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819
8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831
9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913
8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813
8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837
9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825
8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837
9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901
8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807
Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
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Altera Corporation 26
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ
ベーク
温度 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802
8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813
8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837
8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842
8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843
8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825
8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837
8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931
8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819
8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846
9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907
9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851
8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801
8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749
8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841
8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817
9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851
8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919
8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
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Altera Corporation 27
耐湿特性(Moisture Resistance)
集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ
シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス
HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ
イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた
THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐
食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ
ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています
プレッシャークッカ試験(Autoclave)
プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます
121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に
使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力
で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ
ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され
たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング
ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま
すvii
非バイアス HAST
このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ
スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません
プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649
7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746
7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907
7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737
9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931
7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743
8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831
7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
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freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 28
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819
7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807
7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX
7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
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Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 29
鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918
9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918
7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942
9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919
7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701
7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748
7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941
9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848
9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942
8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819
8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725
8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
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freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
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Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
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Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
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Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 30
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829
8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941
9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903
9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937
9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943
9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925
8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922
9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 31
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916
7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813
9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937
7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907
7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801
7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 32
リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング
表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって
不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン
グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ
フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法
にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛
パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ
に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を
行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定
されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています
アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間
でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし
350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします
また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間
にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま
すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245
から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ
のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ
クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ
ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ
ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
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31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 33
高温高湿バイアス試験(THB)
THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます
デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去
されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は
1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト
には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と
脱イオン水(DI)が使用されます
試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから
規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ
イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの
バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス
トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます
表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ
ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表
に記載されています
高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701
7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725
7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649
8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825
7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843
7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
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Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 34
鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907
8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912
7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908
9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908
8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813
8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901
7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707
8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821
8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848
8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913
8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801
8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925
9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
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E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
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Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
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Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
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Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
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Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 35
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度(oC) 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815
9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748
7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748
8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後
c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後
d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後
e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
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Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 36
超加速寿命試験(HAST)
HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試
験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使
用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして
試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は
130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ
れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ
ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に
埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています
HASTの試験結果(Sn-Pb)
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801
7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825
7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807
7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719
8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 37
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数
試験
時間 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743
f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後
Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Altera Corporation 38
鉛フリーパッケージの HAST試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837
8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925
8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725
8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749
9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819
8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926
9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901
8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709
8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839
7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825
7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701
8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919
8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836
6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX
6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922
8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813
7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 39
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)試験数
試験
時間不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913
9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947
7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916
8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922
8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915
9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804
8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937
9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920
8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801
8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
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freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 40
温度サイクル試験
温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多
様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ
とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの
17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク
ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi
この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります
アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下
部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの
試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから
5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは
MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは
500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で
は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス
チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい
ます
温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713
8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807
9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901
7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731
7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725
7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746
8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816
9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907
8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801
8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816
8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825
8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825
9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919
9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935
8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837
8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843
7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707
6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601
6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610
6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625
6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540
9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907
6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642
Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
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Altera Corporation 41
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数
プロセス
テクノロジ
デート
コード
6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631
9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931
8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837
7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707
8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831
8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807
7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725
8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819
6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637
8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801
8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801
6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601
7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737
7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701
6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619
8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807
8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837
7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719
8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819
7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731
7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713
9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901
8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837
7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707
7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637
9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851
8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749
7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719
9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851
7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643
7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737
6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619
8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819
9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919
7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743
7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX
8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
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Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 42
鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710
8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815
8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837
9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918
9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925
9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918
9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918
7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725
9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931
8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819
9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907
9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912
9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942
8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843
8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832
9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936
8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838
9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849
9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943
9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926
9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931
8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831
8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820
9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925
7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701
8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901
9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925
9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901
7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709
8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846
8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832
9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849
9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941
8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837
9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940
9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
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Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
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Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 43
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825
8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848
8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801
9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913
8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815
8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831
9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942
7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713
8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901
9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937
8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819
9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852
8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834
8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834
9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913
8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725
7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737
9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941
9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931
9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906
9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913
7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719
9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937
9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903
9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945
9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937
9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945
9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916
9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925
8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925
8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832
8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801
8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815
9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912
9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912
9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942
9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 44
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907
8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752
9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901
9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915
9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915
9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924
9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938
9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921
9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924
9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922
9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944
9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929
9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907
9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901
9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919
9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910
9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935
8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831
9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901
9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922
8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813
9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913
8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837
9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935
9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916
9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922
9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913
9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915
8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825
9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932
8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801
9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919
8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807
8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843
8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813
9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931
9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919
8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819
8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 45
評価ロット
番号 デバイス
パッケージ
タイプ 適用試験条件
リフロー
温度 (oC)
試
験
数
サイクル数 不良数 プロセス
テクノロジ
デート
コード
8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801
9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913
8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825
8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804
8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837
8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825
9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907
8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801
9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937
9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920
8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817
9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918
8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801
8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 46
ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル
実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原
因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより
厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは
厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは
2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール
にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不
良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され
ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト
を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル
の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます
錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して積層
したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル
F256 045mm 10mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル
F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル
F256 thin outline 045 mm 10 mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル
B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル
U484 04mm 08mm
low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT
None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ
Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし
B724 055 mm 127 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし
F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし
F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 47
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となるまでの
サイクル数(推定値)
F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+
4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F672 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル
F780 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル
F1020 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル
F1020 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル
F1020 055mm 10mm
フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル
F1508 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル
F1508 055mm 10mm
low-kダイ + フリップチップ
+
8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
4497サイクル 3564サイクル
F1517 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT SPL
256 x 265 (40nm ELK die)
4733サイクル 4100サイクル
F1760 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
200 x 200 (40nm ELK die)
3541サイクル 2572サイクル
F1932 055 mm 10 mm
フリップチップ
+
14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu
256 x 265 (40nm ELK die)
3552サイクル 2932サイクル
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 48
鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験
パッケージ サブストレート
パッドサイズ ピッチ テクノロジ
ヒート
シンク
ダイサイズ
(mm) MTFF
01の不良率となる
までのサイクル数
(推定値)
PCB の厚さ
(mm)
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT
None 32 x 32
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 16
M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 39 x 39
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U88 04 mm 08 mm
ワイヤボンディングを使用して
積層したダイ +2層の FR4 substrate
None 69 x 46
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで
不良なし
5500サイクルまで
不良なし 236
E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド
None 512 x 521
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F256 thin outline
045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 768 x 681
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +
4層 BT None 580 x 622
6000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
Q240 NA 05 mm リードフレーム
NA 80 x 79
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +
4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +
4層 BT None 84 x 803
3500サイクルまで
不良なし
3500サイクルまで
不良なし 236
F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 108 x 88
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT
SAC ソルダボール None 886 x 996
4000サイクルまで
不良なし
4000サイクルまで
不良なし 236
F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135
5000サイクルまで
不良なし
5000サイクルまで
不良なし 236
F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT
None 1119 x 1112
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199
5887サイクルまで
不良なし
5887サイクルまで
不良なし 236
F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド
アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233
6000サイクルまで
不良なし
6000サイクルまで
不良なし 236
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 49
シリアルコンフィギュレーションデバイス
EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ
ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され
ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC
(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ
で供給されています
アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書
(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの
新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web
サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください
015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験
140degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
080
080
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080
高温保存試験
200degC 504 時間
1008 時間
080
080
077
077
0626
1
--
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass
注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 50
011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015
高温保存試験 250degC 168 時間
500 時間
077
077
077
077
077
077
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル
100000 EW サイクル
+ 250degC 168 時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt200 V
gt2000V
gt 200 V
gt2000V
gt200 V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass
013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
079
低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
高温保存試験 200degC 504 時間
1008 時間
080
080
080
080
080
080
イレーズライトサイクル+
ベーキング試験
10000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
100000 EW サイクル + 200
48時間のベーキング
077
077
077
077
077
077
静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF
機械モデル 0 Ω 200pF
gt2000V
gt 200V
ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 51
パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308
150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験
150degC 500 時間 077 077 077
‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験
‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077
121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077
85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077
パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC
試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3
プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345
ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験
ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080
‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験
‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080
85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験
85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080
121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験
121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080
150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験
150degC 1008 時間 080 080 080
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152
Altera Corporation 52
参考文献
i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in
Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo
33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-
31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of
freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon
E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS
pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic
Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd
Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated
Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50
1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature
Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1
2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics
Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152