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信頼性レポート 49 Q1 2010
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信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法...

Mar 24, 2020

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Page 1: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

信頼性レポート 49

Q1 2010

Copyright copy 2010 Altera Corporation All rights reserved Altera The Programmable Solutions Company the stylized Altera logo specific device designations and all other words and logos that are identified as trademarks andor service marks are unless noted otherwise the trademarks and service marks of Altera Corporation in the US and other countries All other product or service names are the property of their respective holders Altera products are protected under numerous US and foreign patents and pending applications maskwork rights and copyrights Altera warrants performance of its semiconductor products to current specifications in accordance with Alteras standard warranty but reserves the right to make changes to any products and services at any time without notice Altera assumes no responsibility or liability arising out of the application or use of any information product or service described herein except as expressly agreed to in writing by Altera Corporation Altera customers are advised to obtain the latest version of device specifications before relying on any published information and before placing orders for products or services

目 次

概要 1 アルテラの品質システム1 図 1 標準生産フローチャット2

信頼性試験の実施方法 3 表 1 信頼性認定試験4 表 2 信頼性モニタプログラム5 寿命試験実施方法と故障率の予測6 寿命試験の方法 6 故障率の予測 7

表 3 一般的な故障メカニズムと加速係数 8

寿命試験の結果 9 042 ミクロンプロセスのFLEX 製品 9 03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品10 022 ミクロンプロセスのFLEXACEX および APEX 製品11 018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品12 015 ミクロンプロセスの APEX および Mercury 製品13 013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCycloneおよび HardCopy 製品 14 90nm プロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GX および HardCopy II 製品15 6560nm プロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 16 40nm プロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 17 MAX 7000S および MAX 9000 ―第3世代品18 MAX 7000A および MAX 3000A ― 第4世代品 19 MAX 7000B ― 第5世代品 20 MAX II ― 018ミクロン FLASHプロセス品 21 コンフィグレーションデバイス ― EPROM 22 コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品 23

高温保存試験 24

耐湿特性(Moisture Resistance) 27 プレッシャークッカ試験(Autoclave)27 非バイアス HAST27

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング 32

高温高湿バイアス試験(THB) 33 超加速寿命試験(HAST) 36

温度サイクル試験 40

ハンダ付け部の信頼性 46

シリアルコンフィギュレーションデバイス 49

Altera Corporation 1

概 要

アルテラはプログラマブルロジックデバイス(PLD)の開発と製造を行っていますこれらのデバイスはユー

ザコンフィギュラブルな ICでカスタムディジタルロジックの機能を実現するときに使用されますアルテ

ラは幅広い PLDファミリとコンフィギュレーションデバイスファミリを供給しています各ファミリの詳細は

個別のデータシートで解説されています

また各デバイスファミリのアーキテクチャ詳細なパッケージ情報取り扱い方法表面実装に関するガイド

ライン製品の変更通知などの製品情報はアルテラの webサイトhttpwwwalteracomを通じて入手すること

もできますアルテラの webサイトには各資料が Adobe社のアクロバットとポストスクリプトのフォーマットで

提供されていますまた主要な資料は日本語でも提供されています各資料は日本アルテラまたは販売代理店か

らも入手可能です

アルテラの Support webサイトを通じた技術サポートも提供されていますこれらの技術サポートにはアルテラの

オンラインテクニカルサポートシステムlthttpswwwalteracommyalteramal-indexjspgtと「Altera

Knowledge Database」が含まれておりこれら双方を活用して技術的な質問に対する回答をみつけることができま

アルテラはISO 9001-Rev2000MIL-I-45208および JEDEC標準規格の要求に準拠したクローズドループの品質お

よび信頼性システムを確立していますアルテラとアルテラ製品の製造に関係したすべての主要ベンダはすでに

ISO 9000の認証を受けていますアルテラが実施している信頼性の認定プログラムおよびモニタプログラムは

その実施手順合格 不合格の基準不具合対策などを規定した厳格な社内規格によって統括されていますアル

テラは 1994年 10月以来ISO 9001の認証を得ておりアルテラの ISO 9001の認証を担当したのはアイルランドの

NSAI(National Standards Authority of Ireland)という認証機関です

アルテラの使命は 先端のプログラマブルロジックシリコンソリューションIP(Intellectual

Property)関連ソフトウェア開発ツール及びテクニカルサポートの優れたサプライヤとなることですアルテラ

はより大きなロジックICの市場シェアを得るためにこの利点を活用します顧客に選ばれるサプライヤとなり

その地位を維持するためにアルテラは効率的で 高級のソリューションをタイムリに顧客に提供し同時に常に顧

客の期待を満足しまたはそれらを凌ぐ品質と信頼性そしてサービスを提供することに努めています

アルテラの品質システム

アルテラの品質システムは ISO 9001のすべての要求に適合するように規定されておりその詳細はアルテラの品質

マニュアル11G-00000に記述されていますこのアルテラの品質システムは世界的な多国籍企業を含む主要顧客

による詳細にわたる評価と審査を受けていますアルテラは生産ラインをコントロールするための完全なオンライ

ンドキュメントとコンピュータをフルに活用した生産システムを維持しています 社内規格は JEDEC規格に準拠

していますアルテラのコンピュータを使用した生産システムによりウェハーとアッセンブルの各ロットは完全に

トレース可能になっていますまたアルテラは顧客の 終製品のデザインデバッグ製造出荷をサポートする

ため応用技術部門と品質保証部門の技術者間の緊密なネットワークを確保しています

アルテラのすべての製造パートナ(TSMCASEおよび AMKOR)は自動車業界の品質規格である ISOTS16949の認証

と登録を受けているため 高レベルの品質と信頼性で自動車業界のサプライチェインに対応することができま

アルテラはすべての製品に対して包括的なテストと生産コントロールを実施しています図1はアルテラ製品の

標準的な生産フローを示したものです

Altera Corporation 2

図 1 標準生産フローチャット

ウェハー検査 外観および電気的試験すべてのロットを100

チェック

ウェハーソート1試験 DC パラメータファンクションプログラマビ

リティ不揮発性デバイスのマージンテスト

またはSRAM のコンフィギュレーション

データ保持ベーク試験 EPROMEEPROMFLASH ベースのすべての製品に

対して24548 時間

ウェハーソート2試験 EPROMEEPROMFLASH ベースの製品に対するマ

ージンテスト

組立工程 2回目3回目4回目の光学的なサンプル検

査インラインマーク

QA による電気的試験 116 個抜き取り01 判定

マーキング 要求に応じたマーキング

外観検査 44 ピンを超えるすべてのプラスチックパッ

ケージに対する自動化された検査を含む

QA による工程審査 116 個抜き取り01 判定工程および書類の

レビュー

最終製品の容器への収納と移管規定に基くベーキングと耐湿バッグへの封入

出荷手続き梱包出荷

ウェハーファブリケーション すべての重要な工程はSPC コントロールによりチ

ェックされる

最終テスト AC およびDC パラメータファンクションプ

ログラマビリティまたはSRAM デバイスのコン

フィギュレーション

Altera Corporation 3

信頼性試験の実施方法

信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています各ファミリのすべての製品は同じデバイスアー

キテクチャとウェハー生産工程を採用しており同じパッケージタイプを使用していますアルテラの製品ファミ

リにはMAX reg

3000MAX 7000MAX 9000FLEXreg

6000FLEX 8000FLEX 10K APEXTM

Stratixreg

Stratix GX

Cyclonereg

Stratix IIStratix II GXCyclone IIStratix IIICyclone IIIStratix IVMAX IIHardCopyreg

があります各ファミリには複数の製品が含まれていますが各ファミリごとに同じロジックエレメントエンベ

デッドなストレージエレメントプログラマブルなインタコネクトテクノロジが使用されています各ファミリ

は集積度やパッケージオプションが異なる2種類から 10種類のデバイスで構成されています信頼性データや

不良率の予測などに関するデータはウェハーの生産に使用されるプロセステクノロジごとにレポートされていま

すここでいうプロセステクノロジとは使用されるストレージエレメントの種類(SRAMEEPROMEPROM)と

プロセスの 小加工寸法(013ミクロン65nm)に対応したものです

アルテラの製品ファミリは表1で規定された条件で認定されていますまた信頼性のモニタは表2で規定され

た条件と頻度で実施されています各製品ファミリの認定では各デバイスの集積度パッケージタイプパッ

ケージのピン数が考慮されます各製品ファミリにロジックエレメント数が大幅に増加した(50以上)デバイ

スが追加された場合はそのデバイスに対する認定試験が新たに実施されます

自動車市場向けに出荷されている製品はAutomotive Electronics Councilの標準規格でさらに大きなサンプル

サイズが要求されるAEC-Q100の認定も受けていますアルテラはAECおよび AEC-Q100のメンバとなっています

これらの詳細はhttpwwwaecouncilcom で確認することができます

軍用航空宇宙市場向けに出荷されている製品はAEQC (Aerospace Qualified Electronic Component)の標準規定

のGEIA-Std-0002-1に対する認定を受けていますアルテラはCycloneStratixそしてMAXII デバイスファミリ

によりこの標準規定に応じることを発表し半導体サプライヤの中から 初のものでしたこの標準規定はICサプ

ライヤと軍航空宇宙と防衛の請負業者の間のコミュニケーションを強調します

製品の変更はアルテラのプロダクト変更通知(PCN)システムを通じてユーザに通知されますこの通知は外観

外形寸法あるいは機能等に影響する変更が行われる場合に発行されますこの変更通知はアルテラの webサイ

トhttpwwwalteracom から入手することもできますまた

httpwwwalteracomliteratureupdatesregistrationupd-registrationjsp で PCNのメーリングリストに

登録することも可能です

アルテラでは通常の生産工程テスト工程およびプロセスコントロールから信頼性の高い製品が提供されるよう

にするため信頼性モニタプログラムを常時実施していますこの信頼性モニタプログラムは各製品ファミリご

とに実施されています各製品の信頼性のモニタには通常の生産工程で製造された複数の製品とパッケージタイ

プが使用され新製品を優先したLast-In-First-Out(LIFO)のタイムスケジュールで実施されていますこのレ

ポートに提示されているデータは過去 24ケ月に収集されたものです

Altera Corporation 4

表 1 信頼性認定試験

認定基準 テストの種類

MIL-STD-883または

JEDEC Std

方法条件 サンプル数 ロット数

許容不良数

ロット

寿命試験

JESD22-A108

1000時間Vcc標準値の11~12倍

Tj=+110以上+140以下

参考データの取得の場合は 2000時間

≦100ピン 77

101 - 240ピン 45

>240ピン 25

3

1

1

0

< 200

FIT at +55

データ保持ベーク試験

JESD22-A103

+150 1000時間以上

+245 168時間以上の条件で実施される

ウェハーレベルのテストで代替されること

がある

≦100ピン 45

>100ピン 25

3

1

0

温度サイクル試験

JESD22-A104

プリコンディショニング後

-55~ +125の 700サイクル

(条件 B)

≦100ピン 45

>100ピン 25

3

1

0

高温高湿バイアス試験または

超加速寿命試験 (HAST)

JESD22-A101または A110

プリコンディショニング後

+85 85 RH 1000時間以上

Vcc標準値1ピンおきにバイアス

または +130 85 RH

48時間または 96時間 Vcc標準値

≦100ピン 45

>100ピン 25

3 1

0

プレッシャークッカ試験

( Autoclave)

JESD22-A102

121 15 PSIG 96時間

参考データ取得の場合は 168時間

≦100ピン 45

>100ピン 25

3

1

0

人体モデル(HBM)

ESD耐量試験

JESD22-A114

MIL-STD-883 30157

100pF 1500 Ω

不良になったすべてのピンの分布を記録 3 1 1000V以上

チャージドデバイスモデル

ESD耐量試験

JESD22-C101

Field Induced Charge Device法 3 1

500V以上 高速

ピン( 400MHz以

上)は 200V以上

ラッチアップ耐量試験

JESD 78

(Icc標準値 +100mA)または

IOピン = Icc標準値 +50

電源ピン= Vcc+50

6 1 0

プログラム

イレーズサイクル試験

100サイクルのプログラムイレーズ

( EEPROMまたは FLASH) 25 1 0

プリント基板( PCB)

接続試験

JESD22-A104

0から +100単独の試験槽を使用 25

1

デージィ

チェイン

01の推定不良率

に達するまで

> 2000

サイクル

Altera Corporation 5

表 2信頼性モニタプログラム

テストの種類

MIL-STD-883または

JEDEC Std

方法条件 サンプル数 実施頻度

寿命試験 JESD22-A108

Vcc標準値の11~12倍

Tj = +110以上 +140以下で 1000時間

参考データ収集の場合は 2000時間

≦100ピン 77

>100 - 240ピン 45

>240ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

データ保持ベーク試験

(不揮発性デバイスのみ)

JESD22-A103

+150 500時間以上

参考データ収集の場合は 1000時間以上

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

温度サイクル試験

JESD22-A104

プリコンディショニング後

-55~ +125の 700サイクル

(工業用グレード品)

0~ +125の 700サイクル

(一般用グレード品)

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

高温高湿バイアス試験

または超加速寿命試験

(HAST)

JESD22-A101

または A110

プリコンディショニング後+ 85 85 RH

1000時間以上 Vcc標準値

1ピンおきにバイアスまたは +130

85 RH48時間または 96時間 Vcc標準値

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

プレッシャークッカ試験

(Autoclave)

JESD22-A102

+121 15PSIG 96時間以上

参考データ収集の場合は 168時間

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

プログラムイレーズ

サイクル試験

100サイクルのプログラムイレーズ

( EEPROMプロセス品のみ) 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

Altera Corporation 6

寿命試験実施方法と故障率の予測

寿命試験の方法

アルテラは製品に発生する可能性がある故障メカニズムが加速されるようにするため高温 高電圧の寿命試験

を実施していますデバイスの接合温度が125以上になるように寿命試験に使用される試験槽の周囲温度を上

昇させまたVccの電源電圧を標準値の+10~20まで上昇させることによって故障のメカニカニズムが加速さ

れます熱暴走のため接合温度を125に設定できなかった場合には 低の接合温度を 110に設定されま

す寿命試験に使用される基板にはリードの完全な接触が維持される特殊な高温用のソケットが実装されます

FLEXAPEX MercuryStratixStratix GXCycloneStratix IIStratix II GXおよび Cyclone IIの各

デバイスにはBIテストモードが使用されています 6560nm製品および40nm製品では実際にクロック動作

させる様にコンフィギュレーションを行ってダイナミックな寿命試験が実施されていますMAX 3000

MAX 7000MAX 9000(EEPROMデバイス)および MAX II(FLASHデバイス)の各デバイスには寿命試験前に 100

サイクルのプログラムイレーズが実施されます

試験されるデバイスにストレスを加える前に各デバイスがデータシートで保証された規格を満足しているか

どうかを生産工程用の機器を使用してテストしますまた同じテスト機器を使用してデータシート上の各

パラメータに対する測定値が記録されますこのときデータシートの規格を満足しないデバイスは不良品

と判定されます

MAX IIを除く不揮発性のコンフィギュレーションエレメントを持つデバイスについてはコンフィギュレー

ションエレメントとなるフローティングゲートに蓄積される電荷量が規定値に対してどのようなマージン

を持っているかをテストできる試験方法が開発されていますこれによって各コンフィギュレーションエ

レメントのマージンがテストされもっとも低いマージンが記録されますMAX IIはデバイスの機能がイレ

ーズされたビットの電荷量が増加したときにのみ影響を受けプログラムされたビットの電荷量が減少したと

きには影響を受けないようにした独特の設計となっていますMAX IIのテストにおいて機能を保証するた

めに必要なイレーズされたビットのテスト電流は 10 microAですがアルテラではこれを 25 microAでテストしていま

Altera Corporation 7

故障率の予測

アルテラでは故障率の予測に業界標準の手法を採用しています故障率は故障の時間に対する指数分布をベ

ースにして予測されます(一定の故障率を仮定)

前記のように寿命試験ではデバイスの故障を加速するために高い温度と電圧の条件が与えられ全体の加速係

数は単純に温度と電圧の加速係数の積になります

通常の使用条件での等価動作時間 = (寿命試験の時間)times(加速係数)

加速係数 = (温度の加速係数)times(電圧の加速係数)

温度と電圧の加速係数は標準的な計算式と公表されている加速係数を基準に算出されます加速係数はJEDEC発行

のドキュメントJEP122を基準にしたものとなっています加速係数の計算式は下記に示されており各故障モ

ードに対応した加速係数は表3の通りですアルテラではより薄い酸化膜(< 70Å)を使用したテクノロジ

への移行に伴って電圧による加速に対する「べき乗則」の依存性を観察してきました65nm以降のプロセス

テクノロジのゲート酸化膜への電圧加速には「べき乗則」モデルを採用しています

90nmまでのすべてのプロセスでは絶縁膜ブレークダウンの加速係数が 07eVになっています発表されている

論文では新しいプロセスにおける酸化膜ブレークダウンの熱活性化エレルギがこれまで言われていた03eVよ

りも高くなりその値が 03eVから 09eVの範囲になると報告されていますi ii

アルテラでは複数回の温度バ

ーイン試験のテスト結果から90nmまでのプロセスには 07eVが適用可能であることを確認しています65nm以

降のプロセスに対しては「べき乗則」に基づく異なる加速係数を採用しています

温度の加速係数を計算する場合は周囲温度ではなく接合温度が使用される必要があります接合温度はスト

レスを与えた条件での実際の消費電力およびターボビットをオンに設定した通常の使用条件での標準的な消

費電力を使用して算出されます(多くのアプリケーションではターボビットがオフに設定されるため実際の

消費電力はデータブックの Iccのカーブに示されているように大幅に低減され安全サイドになります)接合

温度は周囲温度またはケース温度の測定値と「Altera Device Package Information Data Sheet」に記載され

ている熱抵抗の値から算出されます熱抵抗の値は各製品のパッケージごとに規定されていますこの接合温

度の計算式は下記に示されている通りです

温度の加速係数の式を使用する場合は温度を次のように絶対温度に変換する必要があります

絶対温度=摂氏温度+ 273

Altera Corporation 8

表 3一般的な故障メカニズムと加速係数 iii

メカニズム 活性化エネルギ Ea( eV) 電圧指数係数

ゲート酸化膜のブレークダウン( ≧ 90nm) 07 γ =32中間絶縁膜層の欠陥 07 γ =20ビアのボイド (015 microm amp 013microm) 08 00 ビアのボイド (90nm amp 65nm) 10 00 シリコン接合部の欠陥 08 00 マスクの欠陥(ポリ拡散その他) 05 00 メタライゼーションの欠陥 05 00 Alのエレクトロマイグレーション 07 (Al-Si) 085 (Al-Cu) 電流密度依存性(1J2)Cuのエレクトロマイグレーション (013microm

FSG 絶縁膜)

08 電流密度依存性( 1J2)

Cuのエレクトロマイグレーション ( 90nm

および 65nm low-k絶縁膜)

09 電流密度依存性(1J)

汚染(表面およびバルク) 10 00 データ保持

チャージロス (EPROM) 06 00 チャージ放出 (FLASHと EEPROM

le 168時間)

11 00

SILC (FLASH と EEPROM gt 168 時間) 0 23 65nm以降のプロセスには異なる値を使用

故障率は次ページ以降のデータのように製品ファミリごとに計算されていますストレスが与えられた条件で

の累積動作時間は前述の加速係数を使用して通常の使用条件の動作時間に変換されますこの変換された動作

時間が強制空冷なしの55の周囲温度または70の接合温度Vccの標準値で動作した時間と等価となります

故障のメカニズムは不良解析によって判断されますストレスを与えた条件で観測された故障メカニズムに対

して前述の計算式と加速係数を使用して加速係数が計算されます2種類の故障メカニズムが確認された場合

はそれぞれの故障メカニズムごとに故障率を加算し全体の故障率を算出します故障が起こらなかった場合

は 低の加速係数を持つ故障メカニズムが故障レートの算出に使用されます

故障率はFIT(Failure In Time)数で表され1 FITは 10 9デバイス時間で1個が故障することを意味します

アルテラはJESD85(FIT数で表された故障率の計算方法)を使用して FIT数を計算しています

故障率はカイ2乗分布から算出され母集団から抜き取られた限定数の試験サンプルと不良が少数であることを

前提に 60の信頼度水準で予測されますカイ2乗値は要求される信頼度水準と自由度を使用してカイ2乗分

布表の逆数から算出されますiv また自由度はv = 2n+ 2として計算されここで nは確認された不良の数

になります故障率はカイ2乗の値を使用して下記の式から算出されます

ここで FIT数は 10 9times故障率となりMTTF(Mean Time to Failure)は指数分布に対して単純に故障率の逆数と

なります

Altera Corporation 9

寿命試験の結果

寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用

されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同

じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ

ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製

品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています

各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています

042ミクロンプロセスの FLEX製品

FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン

プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験

の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています

042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

パッケージ故障

等価時間

デート

コード

9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837

502E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182

Altera Corporation 10

03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの

電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ

クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ

らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています

03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801

295E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311

Altera Corporation 11

022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい

る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお

りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源

電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています

022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825

491E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186

Altera Corporation 12

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ

クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP

PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧

で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737

537E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171

Altera Corporation 13

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品

APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ

ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ

トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています

これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており

多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作

しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは

15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523

a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定

Altera Corporation 14

013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ

ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから

101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて

いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており

多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに

3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています

StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験

は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか

のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました

013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試

験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

ビアのボイド故障

等価時間

デート

コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713

7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743

7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743

8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831

7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701

8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831

9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925

9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919

9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907

9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925

9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901

9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907

7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707

7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719

7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719

8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807

8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841

9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942

7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701

8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817

8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843

9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911

9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913

7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701

7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748

8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826

8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832

8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825

8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827

8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838

8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825

958E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 15

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品

Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と

「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造

されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット

から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています

Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており

QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ

び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V

で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス

寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710

7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705

8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837

8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913

7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719

8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737

7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719

8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942

8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818

8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818

8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937

8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826

9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901

8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751

8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834

8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843

9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737

8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801

7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737

8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837

430E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 16

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ

リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス

は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお

りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと

414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい

ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で

動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803

540E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170

注 通常のアプリケーション Tj = 70

(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用

(ttf=toV^-nexp(EakT))

nおよび Eaの値は要求に応じて公表

Altera Corporation 17

40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで

製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ

リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています

Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット

番号 デバイス パッケージタイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デート

コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938

9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939

9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940

9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946

10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952

注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で

きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています

40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい

Altera Corporation 18

MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品

MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ

れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの

各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施

されています

第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613

810E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 810E+07 113

Altera Corporation 19

MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい

ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供

給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています

第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922

977E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 977E+07 94

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo

33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-

31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of

freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon

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pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic

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Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated

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Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152

Page 2: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Copyright copy 2010 Altera Corporation All rights reserved Altera The Programmable Solutions Company the stylized Altera logo specific device designations and all other words and logos that are identified as trademarks andor service marks are unless noted otherwise the trademarks and service marks of Altera Corporation in the US and other countries All other product or service names are the property of their respective holders Altera products are protected under numerous US and foreign patents and pending applications maskwork rights and copyrights Altera warrants performance of its semiconductor products to current specifications in accordance with Alteras standard warranty but reserves the right to make changes to any products and services at any time without notice Altera assumes no responsibility or liability arising out of the application or use of any information product or service described herein except as expressly agreed to in writing by Altera Corporation Altera customers are advised to obtain the latest version of device specifications before relying on any published information and before placing orders for products or services

目 次

概要 1 アルテラの品質システム1 図 1 標準生産フローチャット2

信頼性試験の実施方法 3 表 1 信頼性認定試験4 表 2 信頼性モニタプログラム5 寿命試験実施方法と故障率の予測6 寿命試験の方法 6 故障率の予測 7

表 3 一般的な故障メカニズムと加速係数 8

寿命試験の結果 9 042 ミクロンプロセスのFLEX 製品 9 03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品10 022 ミクロンプロセスのFLEXACEX および APEX 製品11 018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品12 015 ミクロンプロセスの APEX および Mercury 製品13 013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCycloneおよび HardCopy 製品 14 90nm プロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GX および HardCopy II 製品15 6560nm プロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 16 40nm プロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 17 MAX 7000S および MAX 9000 ―第3世代品18 MAX 7000A および MAX 3000A ― 第4世代品 19 MAX 7000B ― 第5世代品 20 MAX II ― 018ミクロン FLASHプロセス品 21 コンフィグレーションデバイス ― EPROM 22 コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品 23

高温保存試験 24

耐湿特性(Moisture Resistance) 27 プレッシャークッカ試験(Autoclave)27 非バイアス HAST27

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング 32

高温高湿バイアス試験(THB) 33 超加速寿命試験(HAST) 36

温度サイクル試験 40

ハンダ付け部の信頼性 46

シリアルコンフィギュレーションデバイス 49

Altera Corporation 1

概 要

アルテラはプログラマブルロジックデバイス(PLD)の開発と製造を行っていますこれらのデバイスはユー

ザコンフィギュラブルな ICでカスタムディジタルロジックの機能を実現するときに使用されますアルテ

ラは幅広い PLDファミリとコンフィギュレーションデバイスファミリを供給しています各ファミリの詳細は

個別のデータシートで解説されています

また各デバイスファミリのアーキテクチャ詳細なパッケージ情報取り扱い方法表面実装に関するガイド

ライン製品の変更通知などの製品情報はアルテラの webサイトhttpwwwalteracomを通じて入手すること

もできますアルテラの webサイトには各資料が Adobe社のアクロバットとポストスクリプトのフォーマットで

提供されていますまた主要な資料は日本語でも提供されています各資料は日本アルテラまたは販売代理店か

らも入手可能です

アルテラの Support webサイトを通じた技術サポートも提供されていますこれらの技術サポートにはアルテラの

オンラインテクニカルサポートシステムlthttpswwwalteracommyalteramal-indexjspgtと「Altera

Knowledge Database」が含まれておりこれら双方を活用して技術的な質問に対する回答をみつけることができま

アルテラはISO 9001-Rev2000MIL-I-45208および JEDEC標準規格の要求に準拠したクローズドループの品質お

よび信頼性システムを確立していますアルテラとアルテラ製品の製造に関係したすべての主要ベンダはすでに

ISO 9000の認証を受けていますアルテラが実施している信頼性の認定プログラムおよびモニタプログラムは

その実施手順合格 不合格の基準不具合対策などを規定した厳格な社内規格によって統括されていますアル

テラは 1994年 10月以来ISO 9001の認証を得ておりアルテラの ISO 9001の認証を担当したのはアイルランドの

NSAI(National Standards Authority of Ireland)という認証機関です

アルテラの使命は 先端のプログラマブルロジックシリコンソリューションIP(Intellectual

Property)関連ソフトウェア開発ツール及びテクニカルサポートの優れたサプライヤとなることですアルテラ

はより大きなロジックICの市場シェアを得るためにこの利点を活用します顧客に選ばれるサプライヤとなり

その地位を維持するためにアルテラは効率的で 高級のソリューションをタイムリに顧客に提供し同時に常に顧

客の期待を満足しまたはそれらを凌ぐ品質と信頼性そしてサービスを提供することに努めています

アルテラの品質システム

アルテラの品質システムは ISO 9001のすべての要求に適合するように規定されておりその詳細はアルテラの品質

マニュアル11G-00000に記述されていますこのアルテラの品質システムは世界的な多国籍企業を含む主要顧客

による詳細にわたる評価と審査を受けていますアルテラは生産ラインをコントロールするための完全なオンライ

ンドキュメントとコンピュータをフルに活用した生産システムを維持しています 社内規格は JEDEC規格に準拠

していますアルテラのコンピュータを使用した生産システムによりウェハーとアッセンブルの各ロットは完全に

トレース可能になっていますまたアルテラは顧客の 終製品のデザインデバッグ製造出荷をサポートする

ため応用技術部門と品質保証部門の技術者間の緊密なネットワークを確保しています

アルテラのすべての製造パートナ(TSMCASEおよび AMKOR)は自動車業界の品質規格である ISOTS16949の認証

と登録を受けているため 高レベルの品質と信頼性で自動車業界のサプライチェインに対応することができま

アルテラはすべての製品に対して包括的なテストと生産コントロールを実施しています図1はアルテラ製品の

標準的な生産フローを示したものです

Altera Corporation 2

図 1 標準生産フローチャット

ウェハー検査 外観および電気的試験すべてのロットを100

チェック

ウェハーソート1試験 DC パラメータファンクションプログラマビ

リティ不揮発性デバイスのマージンテスト

またはSRAM のコンフィギュレーション

データ保持ベーク試験 EPROMEEPROMFLASH ベースのすべての製品に

対して24548 時間

ウェハーソート2試験 EPROMEEPROMFLASH ベースの製品に対するマ

ージンテスト

組立工程 2回目3回目4回目の光学的なサンプル検

査インラインマーク

QA による電気的試験 116 個抜き取り01 判定

マーキング 要求に応じたマーキング

外観検査 44 ピンを超えるすべてのプラスチックパッ

ケージに対する自動化された検査を含む

QA による工程審査 116 個抜き取り01 判定工程および書類の

レビュー

最終製品の容器への収納と移管規定に基くベーキングと耐湿バッグへの封入

出荷手続き梱包出荷

ウェハーファブリケーション すべての重要な工程はSPC コントロールによりチ

ェックされる

最終テスト AC およびDC パラメータファンクションプ

ログラマビリティまたはSRAM デバイスのコン

フィギュレーション

Altera Corporation 3

信頼性試験の実施方法

信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています各ファミリのすべての製品は同じデバイスアー

キテクチャとウェハー生産工程を採用しており同じパッケージタイプを使用していますアルテラの製品ファミ

リにはMAX reg

3000MAX 7000MAX 9000FLEXreg

6000FLEX 8000FLEX 10K APEXTM

Stratixreg

Stratix GX

Cyclonereg

Stratix IIStratix II GXCyclone IIStratix IIICyclone IIIStratix IVMAX IIHardCopyreg

があります各ファミリには複数の製品が含まれていますが各ファミリごとに同じロジックエレメントエンベ

デッドなストレージエレメントプログラマブルなインタコネクトテクノロジが使用されています各ファミリ

は集積度やパッケージオプションが異なる2種類から 10種類のデバイスで構成されています信頼性データや

不良率の予測などに関するデータはウェハーの生産に使用されるプロセステクノロジごとにレポートされていま

すここでいうプロセステクノロジとは使用されるストレージエレメントの種類(SRAMEEPROMEPROM)と

プロセスの 小加工寸法(013ミクロン65nm)に対応したものです

アルテラの製品ファミリは表1で規定された条件で認定されていますまた信頼性のモニタは表2で規定され

た条件と頻度で実施されています各製品ファミリの認定では各デバイスの集積度パッケージタイプパッ

ケージのピン数が考慮されます各製品ファミリにロジックエレメント数が大幅に増加した(50以上)デバイ

スが追加された場合はそのデバイスに対する認定試験が新たに実施されます

自動車市場向けに出荷されている製品はAutomotive Electronics Councilの標準規格でさらに大きなサンプル

サイズが要求されるAEC-Q100の認定も受けていますアルテラはAECおよび AEC-Q100のメンバとなっています

これらの詳細はhttpwwwaecouncilcom で確認することができます

軍用航空宇宙市場向けに出荷されている製品はAEQC (Aerospace Qualified Electronic Component)の標準規定

のGEIA-Std-0002-1に対する認定を受けていますアルテラはCycloneStratixそしてMAXII デバイスファミリ

によりこの標準規定に応じることを発表し半導体サプライヤの中から 初のものでしたこの標準規定はICサプ

ライヤと軍航空宇宙と防衛の請負業者の間のコミュニケーションを強調します

製品の変更はアルテラのプロダクト変更通知(PCN)システムを通じてユーザに通知されますこの通知は外観

外形寸法あるいは機能等に影響する変更が行われる場合に発行されますこの変更通知はアルテラの webサイ

トhttpwwwalteracom から入手することもできますまた

httpwwwalteracomliteratureupdatesregistrationupd-registrationjsp で PCNのメーリングリストに

登録することも可能です

アルテラでは通常の生産工程テスト工程およびプロセスコントロールから信頼性の高い製品が提供されるよう

にするため信頼性モニタプログラムを常時実施していますこの信頼性モニタプログラムは各製品ファミリご

とに実施されています各製品の信頼性のモニタには通常の生産工程で製造された複数の製品とパッケージタイ

プが使用され新製品を優先したLast-In-First-Out(LIFO)のタイムスケジュールで実施されていますこのレ

ポートに提示されているデータは過去 24ケ月に収集されたものです

Altera Corporation 4

表 1 信頼性認定試験

認定基準 テストの種類

MIL-STD-883または

JEDEC Std

方法条件 サンプル数 ロット数

許容不良数

ロット

寿命試験

JESD22-A108

1000時間Vcc標準値の11~12倍

Tj=+110以上+140以下

参考データの取得の場合は 2000時間

≦100ピン 77

101 - 240ピン 45

>240ピン 25

3

1

1

0

< 200

FIT at +55

データ保持ベーク試験

JESD22-A103

+150 1000時間以上

+245 168時間以上の条件で実施される

ウェハーレベルのテストで代替されること

がある

≦100ピン 45

>100ピン 25

3

1

0

温度サイクル試験

JESD22-A104

プリコンディショニング後

-55~ +125の 700サイクル

(条件 B)

≦100ピン 45

>100ピン 25

3

1

0

高温高湿バイアス試験または

超加速寿命試験 (HAST)

JESD22-A101または A110

プリコンディショニング後

+85 85 RH 1000時間以上

Vcc標準値1ピンおきにバイアス

または +130 85 RH

48時間または 96時間 Vcc標準値

≦100ピン 45

>100ピン 25

3 1

0

プレッシャークッカ試験

( Autoclave)

JESD22-A102

121 15 PSIG 96時間

参考データ取得の場合は 168時間

≦100ピン 45

>100ピン 25

3

1

0

人体モデル(HBM)

ESD耐量試験

JESD22-A114

MIL-STD-883 30157

100pF 1500 Ω

不良になったすべてのピンの分布を記録 3 1 1000V以上

チャージドデバイスモデル

ESD耐量試験

JESD22-C101

Field Induced Charge Device法 3 1

500V以上 高速

ピン( 400MHz以

上)は 200V以上

ラッチアップ耐量試験

JESD 78

(Icc標準値 +100mA)または

IOピン = Icc標準値 +50

電源ピン= Vcc+50

6 1 0

プログラム

イレーズサイクル試験

100サイクルのプログラムイレーズ

( EEPROMまたは FLASH) 25 1 0

プリント基板( PCB)

接続試験

JESD22-A104

0から +100単独の試験槽を使用 25

1

デージィ

チェイン

01の推定不良率

に達するまで

> 2000

サイクル

Altera Corporation 5

表 2信頼性モニタプログラム

テストの種類

MIL-STD-883または

JEDEC Std

方法条件 サンプル数 実施頻度

寿命試験 JESD22-A108

Vcc標準値の11~12倍

Tj = +110以上 +140以下で 1000時間

参考データ収集の場合は 2000時間

≦100ピン 77

>100 - 240ピン 45

>240ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

データ保持ベーク試験

(不揮発性デバイスのみ)

JESD22-A103

+150 500時間以上

参考データ収集の場合は 1000時間以上

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

温度サイクル試験

JESD22-A104

プリコンディショニング後

-55~ +125の 700サイクル

(工業用グレード品)

0~ +125の 700サイクル

(一般用グレード品)

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

高温高湿バイアス試験

または超加速寿命試験

(HAST)

JESD22-A101

または A110

プリコンディショニング後+ 85 85 RH

1000時間以上 Vcc標準値

1ピンおきにバイアスまたは +130

85 RH48時間または 96時間 Vcc標準値

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

プレッシャークッカ試験

(Autoclave)

JESD22-A102

+121 15PSIG 96時間以上

参考データ収集の場合は 168時間

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

プログラムイレーズ

サイクル試験

100サイクルのプログラムイレーズ

( EEPROMプロセス品のみ) 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

Altera Corporation 6

寿命試験実施方法と故障率の予測

寿命試験の方法

アルテラは製品に発生する可能性がある故障メカニズムが加速されるようにするため高温 高電圧の寿命試験

を実施していますデバイスの接合温度が125以上になるように寿命試験に使用される試験槽の周囲温度を上

昇させまたVccの電源電圧を標準値の+10~20まで上昇させることによって故障のメカニカニズムが加速さ

れます熱暴走のため接合温度を125に設定できなかった場合には 低の接合温度を 110に設定されま

す寿命試験に使用される基板にはリードの完全な接触が維持される特殊な高温用のソケットが実装されます

FLEXAPEX MercuryStratixStratix GXCycloneStratix IIStratix II GXおよび Cyclone IIの各

デバイスにはBIテストモードが使用されています 6560nm製品および40nm製品では実際にクロック動作

させる様にコンフィギュレーションを行ってダイナミックな寿命試験が実施されていますMAX 3000

MAX 7000MAX 9000(EEPROMデバイス)および MAX II(FLASHデバイス)の各デバイスには寿命試験前に 100

サイクルのプログラムイレーズが実施されます

試験されるデバイスにストレスを加える前に各デバイスがデータシートで保証された規格を満足しているか

どうかを生産工程用の機器を使用してテストしますまた同じテスト機器を使用してデータシート上の各

パラメータに対する測定値が記録されますこのときデータシートの規格を満足しないデバイスは不良品

と判定されます

MAX IIを除く不揮発性のコンフィギュレーションエレメントを持つデバイスについてはコンフィギュレー

ションエレメントとなるフローティングゲートに蓄積される電荷量が規定値に対してどのようなマージン

を持っているかをテストできる試験方法が開発されていますこれによって各コンフィギュレーションエ

レメントのマージンがテストされもっとも低いマージンが記録されますMAX IIはデバイスの機能がイレ

ーズされたビットの電荷量が増加したときにのみ影響を受けプログラムされたビットの電荷量が減少したと

きには影響を受けないようにした独特の設計となっていますMAX IIのテストにおいて機能を保証するた

めに必要なイレーズされたビットのテスト電流は 10 microAですがアルテラではこれを 25 microAでテストしていま

Altera Corporation 7

故障率の予測

アルテラでは故障率の予測に業界標準の手法を採用しています故障率は故障の時間に対する指数分布をベ

ースにして予測されます(一定の故障率を仮定)

前記のように寿命試験ではデバイスの故障を加速するために高い温度と電圧の条件が与えられ全体の加速係

数は単純に温度と電圧の加速係数の積になります

通常の使用条件での等価動作時間 = (寿命試験の時間)times(加速係数)

加速係数 = (温度の加速係数)times(電圧の加速係数)

温度と電圧の加速係数は標準的な計算式と公表されている加速係数を基準に算出されます加速係数はJEDEC発行

のドキュメントJEP122を基準にしたものとなっています加速係数の計算式は下記に示されており各故障モ

ードに対応した加速係数は表3の通りですアルテラではより薄い酸化膜(< 70Å)を使用したテクノロジ

への移行に伴って電圧による加速に対する「べき乗則」の依存性を観察してきました65nm以降のプロセス

テクノロジのゲート酸化膜への電圧加速には「べき乗則」モデルを採用しています

90nmまでのすべてのプロセスでは絶縁膜ブレークダウンの加速係数が 07eVになっています発表されている

論文では新しいプロセスにおける酸化膜ブレークダウンの熱活性化エレルギがこれまで言われていた03eVよ

りも高くなりその値が 03eVから 09eVの範囲になると報告されていますi ii

アルテラでは複数回の温度バ

ーイン試験のテスト結果から90nmまでのプロセスには 07eVが適用可能であることを確認しています65nm以

降のプロセスに対しては「べき乗則」に基づく異なる加速係数を採用しています

温度の加速係数を計算する場合は周囲温度ではなく接合温度が使用される必要があります接合温度はスト

レスを与えた条件での実際の消費電力およびターボビットをオンに設定した通常の使用条件での標準的な消

費電力を使用して算出されます(多くのアプリケーションではターボビットがオフに設定されるため実際の

消費電力はデータブックの Iccのカーブに示されているように大幅に低減され安全サイドになります)接合

温度は周囲温度またはケース温度の測定値と「Altera Device Package Information Data Sheet」に記載され

ている熱抵抗の値から算出されます熱抵抗の値は各製品のパッケージごとに規定されていますこの接合温

度の計算式は下記に示されている通りです

温度の加速係数の式を使用する場合は温度を次のように絶対温度に変換する必要があります

絶対温度=摂氏温度+ 273

Altera Corporation 8

表 3一般的な故障メカニズムと加速係数 iii

メカニズム 活性化エネルギ Ea( eV) 電圧指数係数

ゲート酸化膜のブレークダウン( ≧ 90nm) 07 γ =32中間絶縁膜層の欠陥 07 γ =20ビアのボイド (015 microm amp 013microm) 08 00 ビアのボイド (90nm amp 65nm) 10 00 シリコン接合部の欠陥 08 00 マスクの欠陥(ポリ拡散その他) 05 00 メタライゼーションの欠陥 05 00 Alのエレクトロマイグレーション 07 (Al-Si) 085 (Al-Cu) 電流密度依存性(1J2)Cuのエレクトロマイグレーション (013microm

FSG 絶縁膜)

08 電流密度依存性( 1J2)

Cuのエレクトロマイグレーション ( 90nm

および 65nm low-k絶縁膜)

09 電流密度依存性(1J)

汚染(表面およびバルク) 10 00 データ保持

チャージロス (EPROM) 06 00 チャージ放出 (FLASHと EEPROM

le 168時間)

11 00

SILC (FLASH と EEPROM gt 168 時間) 0 23 65nm以降のプロセスには異なる値を使用

故障率は次ページ以降のデータのように製品ファミリごとに計算されていますストレスが与えられた条件で

の累積動作時間は前述の加速係数を使用して通常の使用条件の動作時間に変換されますこの変換された動作

時間が強制空冷なしの55の周囲温度または70の接合温度Vccの標準値で動作した時間と等価となります

故障のメカニズムは不良解析によって判断されますストレスを与えた条件で観測された故障メカニズムに対

して前述の計算式と加速係数を使用して加速係数が計算されます2種類の故障メカニズムが確認された場合

はそれぞれの故障メカニズムごとに故障率を加算し全体の故障率を算出します故障が起こらなかった場合

は 低の加速係数を持つ故障メカニズムが故障レートの算出に使用されます

故障率はFIT(Failure In Time)数で表され1 FITは 10 9デバイス時間で1個が故障することを意味します

アルテラはJESD85(FIT数で表された故障率の計算方法)を使用して FIT数を計算しています

故障率はカイ2乗分布から算出され母集団から抜き取られた限定数の試験サンプルと不良が少数であることを

前提に 60の信頼度水準で予測されますカイ2乗値は要求される信頼度水準と自由度を使用してカイ2乗分

布表の逆数から算出されますiv また自由度はv = 2n+ 2として計算されここで nは確認された不良の数

になります故障率はカイ2乗の値を使用して下記の式から算出されます

ここで FIT数は 10 9times故障率となりMTTF(Mean Time to Failure)は指数分布に対して単純に故障率の逆数と

なります

Altera Corporation 9

寿命試験の結果

寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用

されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同

じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ

ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製

品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています

各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています

042ミクロンプロセスの FLEX製品

FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン

プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験

の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています

042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

パッケージ故障

等価時間

デート

コード

9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837

502E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182

Altera Corporation 10

03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの

電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ

クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ

らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています

03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801

295E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311

Altera Corporation 11

022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい

る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお

りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源

電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています

022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825

491E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186

Altera Corporation 12

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ

クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP

PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧

で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737

537E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171

Altera Corporation 13

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品

APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ

ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ

トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています

これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており

多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作

しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは

15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523

a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定

Altera Corporation 14

013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ

ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから

101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて

いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており

多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに

3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています

StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験

は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか

のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました

013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試

験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

ビアのボイド故障

等価時間

デート

コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713

7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743

7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743

8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831

7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701

8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831

9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925

9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919

9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907

9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925

9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901

9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907

7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707

7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719

7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719

8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807

8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841

9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942

7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701

8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817

8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843

9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911

9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913

7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701

7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748

8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826

8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832

8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825

8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827

8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838

8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825

958E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 15

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品

Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と

「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造

されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット

から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています

Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており

QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ

び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V

で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス

寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710

7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705

8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837

8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913

7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719

8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737

7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719

8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942

8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818

8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818

8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937

8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826

9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901

8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751

8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834

8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843

9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737

8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801

7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737

8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837

430E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 16

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ

リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス

は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお

りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと

414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい

ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で

動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803

540E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170

注 通常のアプリケーション Tj = 70

(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用

(ttf=toV^-nexp(EakT))

nおよび Eaの値は要求に応じて公表

Altera Corporation 17

40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで

製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ

リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています

Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット

番号 デバイス パッケージタイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デート

コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938

9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939

9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940

9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946

10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952

注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で

きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています

40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい

Altera Corporation 18

MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品

MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ

れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの

各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施

されています

第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613

810E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 810E+07 113

Altera Corporation 19

MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい

ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供

給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています

第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922

977E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 977E+07 94

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo

33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-

31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of

freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon

E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS

pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic

Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd

Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated

Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50

1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature

Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1

2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics

Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152

Page 3: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

目 次

概要 1 アルテラの品質システム1 図 1 標準生産フローチャット2

信頼性試験の実施方法 3 表 1 信頼性認定試験4 表 2 信頼性モニタプログラム5 寿命試験実施方法と故障率の予測6 寿命試験の方法 6 故障率の予測 7

表 3 一般的な故障メカニズムと加速係数 8

寿命試験の結果 9 042 ミクロンプロセスのFLEX 製品 9 03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品10 022 ミクロンプロセスのFLEXACEX および APEX 製品11 018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品12 015 ミクロンプロセスの APEX および Mercury 製品13 013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCycloneおよび HardCopy 製品 14 90nm プロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GX および HardCopy II 製品15 6560nm プロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 16 40nm プロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 17 MAX 7000S および MAX 9000 ―第3世代品18 MAX 7000A および MAX 3000A ― 第4世代品 19 MAX 7000B ― 第5世代品 20 MAX II ― 018ミクロン FLASHプロセス品 21 コンフィグレーションデバイス ― EPROM 22 コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品 23

高温保存試験 24

耐湿特性(Moisture Resistance) 27 プレッシャークッカ試験(Autoclave)27 非バイアス HAST27

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング 32

高温高湿バイアス試験(THB) 33 超加速寿命試験(HAST) 36

温度サイクル試験 40

ハンダ付け部の信頼性 46

シリアルコンフィギュレーションデバイス 49

Altera Corporation 1

概 要

アルテラはプログラマブルロジックデバイス(PLD)の開発と製造を行っていますこれらのデバイスはユー

ザコンフィギュラブルな ICでカスタムディジタルロジックの機能を実現するときに使用されますアルテ

ラは幅広い PLDファミリとコンフィギュレーションデバイスファミリを供給しています各ファミリの詳細は

個別のデータシートで解説されています

また各デバイスファミリのアーキテクチャ詳細なパッケージ情報取り扱い方法表面実装に関するガイド

ライン製品の変更通知などの製品情報はアルテラの webサイトhttpwwwalteracomを通じて入手すること

もできますアルテラの webサイトには各資料が Adobe社のアクロバットとポストスクリプトのフォーマットで

提供されていますまた主要な資料は日本語でも提供されています各資料は日本アルテラまたは販売代理店か

らも入手可能です

アルテラの Support webサイトを通じた技術サポートも提供されていますこれらの技術サポートにはアルテラの

オンラインテクニカルサポートシステムlthttpswwwalteracommyalteramal-indexjspgtと「Altera

Knowledge Database」が含まれておりこれら双方を活用して技術的な質問に対する回答をみつけることができま

アルテラはISO 9001-Rev2000MIL-I-45208および JEDEC標準規格の要求に準拠したクローズドループの品質お

よび信頼性システムを確立していますアルテラとアルテラ製品の製造に関係したすべての主要ベンダはすでに

ISO 9000の認証を受けていますアルテラが実施している信頼性の認定プログラムおよびモニタプログラムは

その実施手順合格 不合格の基準不具合対策などを規定した厳格な社内規格によって統括されていますアル

テラは 1994年 10月以来ISO 9001の認証を得ておりアルテラの ISO 9001の認証を担当したのはアイルランドの

NSAI(National Standards Authority of Ireland)という認証機関です

アルテラの使命は 先端のプログラマブルロジックシリコンソリューションIP(Intellectual

Property)関連ソフトウェア開発ツール及びテクニカルサポートの優れたサプライヤとなることですアルテラ

はより大きなロジックICの市場シェアを得るためにこの利点を活用します顧客に選ばれるサプライヤとなり

その地位を維持するためにアルテラは効率的で 高級のソリューションをタイムリに顧客に提供し同時に常に顧

客の期待を満足しまたはそれらを凌ぐ品質と信頼性そしてサービスを提供することに努めています

アルテラの品質システム

アルテラの品質システムは ISO 9001のすべての要求に適合するように規定されておりその詳細はアルテラの品質

マニュアル11G-00000に記述されていますこのアルテラの品質システムは世界的な多国籍企業を含む主要顧客

による詳細にわたる評価と審査を受けていますアルテラは生産ラインをコントロールするための完全なオンライ

ンドキュメントとコンピュータをフルに活用した生産システムを維持しています 社内規格は JEDEC規格に準拠

していますアルテラのコンピュータを使用した生産システムによりウェハーとアッセンブルの各ロットは完全に

トレース可能になっていますまたアルテラは顧客の 終製品のデザインデバッグ製造出荷をサポートする

ため応用技術部門と品質保証部門の技術者間の緊密なネットワークを確保しています

アルテラのすべての製造パートナ(TSMCASEおよび AMKOR)は自動車業界の品質規格である ISOTS16949の認証

と登録を受けているため 高レベルの品質と信頼性で自動車業界のサプライチェインに対応することができま

アルテラはすべての製品に対して包括的なテストと生産コントロールを実施しています図1はアルテラ製品の

標準的な生産フローを示したものです

Altera Corporation 2

図 1 標準生産フローチャット

ウェハー検査 外観および電気的試験すべてのロットを100

チェック

ウェハーソート1試験 DC パラメータファンクションプログラマビ

リティ不揮発性デバイスのマージンテスト

またはSRAM のコンフィギュレーション

データ保持ベーク試験 EPROMEEPROMFLASH ベースのすべての製品に

対して24548 時間

ウェハーソート2試験 EPROMEEPROMFLASH ベースの製品に対するマ

ージンテスト

組立工程 2回目3回目4回目の光学的なサンプル検

査インラインマーク

QA による電気的試験 116 個抜き取り01 判定

マーキング 要求に応じたマーキング

外観検査 44 ピンを超えるすべてのプラスチックパッ

ケージに対する自動化された検査を含む

QA による工程審査 116 個抜き取り01 判定工程および書類の

レビュー

最終製品の容器への収納と移管規定に基くベーキングと耐湿バッグへの封入

出荷手続き梱包出荷

ウェハーファブリケーション すべての重要な工程はSPC コントロールによりチ

ェックされる

最終テスト AC およびDC パラメータファンクションプ

ログラマビリティまたはSRAM デバイスのコン

フィギュレーション

Altera Corporation 3

信頼性試験の実施方法

信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています各ファミリのすべての製品は同じデバイスアー

キテクチャとウェハー生産工程を採用しており同じパッケージタイプを使用していますアルテラの製品ファミ

リにはMAX reg

3000MAX 7000MAX 9000FLEXreg

6000FLEX 8000FLEX 10K APEXTM

Stratixreg

Stratix GX

Cyclonereg

Stratix IIStratix II GXCyclone IIStratix IIICyclone IIIStratix IVMAX IIHardCopyreg

があります各ファミリには複数の製品が含まれていますが各ファミリごとに同じロジックエレメントエンベ

デッドなストレージエレメントプログラマブルなインタコネクトテクノロジが使用されています各ファミリ

は集積度やパッケージオプションが異なる2種類から 10種類のデバイスで構成されています信頼性データや

不良率の予測などに関するデータはウェハーの生産に使用されるプロセステクノロジごとにレポートされていま

すここでいうプロセステクノロジとは使用されるストレージエレメントの種類(SRAMEEPROMEPROM)と

プロセスの 小加工寸法(013ミクロン65nm)に対応したものです

アルテラの製品ファミリは表1で規定された条件で認定されていますまた信頼性のモニタは表2で規定され

た条件と頻度で実施されています各製品ファミリの認定では各デバイスの集積度パッケージタイプパッ

ケージのピン数が考慮されます各製品ファミリにロジックエレメント数が大幅に増加した(50以上)デバイ

スが追加された場合はそのデバイスに対する認定試験が新たに実施されます

自動車市場向けに出荷されている製品はAutomotive Electronics Councilの標準規格でさらに大きなサンプル

サイズが要求されるAEC-Q100の認定も受けていますアルテラはAECおよび AEC-Q100のメンバとなっています

これらの詳細はhttpwwwaecouncilcom で確認することができます

軍用航空宇宙市場向けに出荷されている製品はAEQC (Aerospace Qualified Electronic Component)の標準規定

のGEIA-Std-0002-1に対する認定を受けていますアルテラはCycloneStratixそしてMAXII デバイスファミリ

によりこの標準規定に応じることを発表し半導体サプライヤの中から 初のものでしたこの標準規定はICサプ

ライヤと軍航空宇宙と防衛の請負業者の間のコミュニケーションを強調します

製品の変更はアルテラのプロダクト変更通知(PCN)システムを通じてユーザに通知されますこの通知は外観

外形寸法あるいは機能等に影響する変更が行われる場合に発行されますこの変更通知はアルテラの webサイ

トhttpwwwalteracom から入手することもできますまた

httpwwwalteracomliteratureupdatesregistrationupd-registrationjsp で PCNのメーリングリストに

登録することも可能です

アルテラでは通常の生産工程テスト工程およびプロセスコントロールから信頼性の高い製品が提供されるよう

にするため信頼性モニタプログラムを常時実施していますこの信頼性モニタプログラムは各製品ファミリご

とに実施されています各製品の信頼性のモニタには通常の生産工程で製造された複数の製品とパッケージタイ

プが使用され新製品を優先したLast-In-First-Out(LIFO)のタイムスケジュールで実施されていますこのレ

ポートに提示されているデータは過去 24ケ月に収集されたものです

Altera Corporation 4

表 1 信頼性認定試験

認定基準 テストの種類

MIL-STD-883または

JEDEC Std

方法条件 サンプル数 ロット数

許容不良数

ロット

寿命試験

JESD22-A108

1000時間Vcc標準値の11~12倍

Tj=+110以上+140以下

参考データの取得の場合は 2000時間

≦100ピン 77

101 - 240ピン 45

>240ピン 25

3

1

1

0

< 200

FIT at +55

データ保持ベーク試験

JESD22-A103

+150 1000時間以上

+245 168時間以上の条件で実施される

ウェハーレベルのテストで代替されること

がある

≦100ピン 45

>100ピン 25

3

1

0

温度サイクル試験

JESD22-A104

プリコンディショニング後

-55~ +125の 700サイクル

(条件 B)

≦100ピン 45

>100ピン 25

3

1

0

高温高湿バイアス試験または

超加速寿命試験 (HAST)

JESD22-A101または A110

プリコンディショニング後

+85 85 RH 1000時間以上

Vcc標準値1ピンおきにバイアス

または +130 85 RH

48時間または 96時間 Vcc標準値

≦100ピン 45

>100ピン 25

3 1

0

プレッシャークッカ試験

( Autoclave)

JESD22-A102

121 15 PSIG 96時間

参考データ取得の場合は 168時間

≦100ピン 45

>100ピン 25

3

1

0

人体モデル(HBM)

ESD耐量試験

JESD22-A114

MIL-STD-883 30157

100pF 1500 Ω

不良になったすべてのピンの分布を記録 3 1 1000V以上

チャージドデバイスモデル

ESD耐量試験

JESD22-C101

Field Induced Charge Device法 3 1

500V以上 高速

ピン( 400MHz以

上)は 200V以上

ラッチアップ耐量試験

JESD 78

(Icc標準値 +100mA)または

IOピン = Icc標準値 +50

電源ピン= Vcc+50

6 1 0

プログラム

イレーズサイクル試験

100サイクルのプログラムイレーズ

( EEPROMまたは FLASH) 25 1 0

プリント基板( PCB)

接続試験

JESD22-A104

0から +100単独の試験槽を使用 25

1

デージィ

チェイン

01の推定不良率

に達するまで

> 2000

サイクル

Altera Corporation 5

表 2信頼性モニタプログラム

テストの種類

MIL-STD-883または

JEDEC Std

方法条件 サンプル数 実施頻度

寿命試験 JESD22-A108

Vcc標準値の11~12倍

Tj = +110以上 +140以下で 1000時間

参考データ収集の場合は 2000時間

≦100ピン 77

>100 - 240ピン 45

>240ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

データ保持ベーク試験

(不揮発性デバイスのみ)

JESD22-A103

+150 500時間以上

参考データ収集の場合は 1000時間以上

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

温度サイクル試験

JESD22-A104

プリコンディショニング後

-55~ +125の 700サイクル

(工業用グレード品)

0~ +125の 700サイクル

(一般用グレード品)

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

高温高湿バイアス試験

または超加速寿命試験

(HAST)

JESD22-A101

または A110

プリコンディショニング後+ 85 85 RH

1000時間以上 Vcc標準値

1ピンおきにバイアスまたは +130

85 RH48時間または 96時間 Vcc標準値

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

プレッシャークッカ試験

(Autoclave)

JESD22-A102

+121 15PSIG 96時間以上

参考データ収集の場合は 168時間

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

プログラムイレーズ

サイクル試験

100サイクルのプログラムイレーズ

( EEPROMプロセス品のみ) 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

Altera Corporation 6

寿命試験実施方法と故障率の予測

寿命試験の方法

アルテラは製品に発生する可能性がある故障メカニズムが加速されるようにするため高温 高電圧の寿命試験

を実施していますデバイスの接合温度が125以上になるように寿命試験に使用される試験槽の周囲温度を上

昇させまたVccの電源電圧を標準値の+10~20まで上昇させることによって故障のメカニカニズムが加速さ

れます熱暴走のため接合温度を125に設定できなかった場合には 低の接合温度を 110に設定されま

す寿命試験に使用される基板にはリードの完全な接触が維持される特殊な高温用のソケットが実装されます

FLEXAPEX MercuryStratixStratix GXCycloneStratix IIStratix II GXおよび Cyclone IIの各

デバイスにはBIテストモードが使用されています 6560nm製品および40nm製品では実際にクロック動作

させる様にコンフィギュレーションを行ってダイナミックな寿命試験が実施されていますMAX 3000

MAX 7000MAX 9000(EEPROMデバイス)および MAX II(FLASHデバイス)の各デバイスには寿命試験前に 100

サイクルのプログラムイレーズが実施されます

試験されるデバイスにストレスを加える前に各デバイスがデータシートで保証された規格を満足しているか

どうかを生産工程用の機器を使用してテストしますまた同じテスト機器を使用してデータシート上の各

パラメータに対する測定値が記録されますこのときデータシートの規格を満足しないデバイスは不良品

と判定されます

MAX IIを除く不揮発性のコンフィギュレーションエレメントを持つデバイスについてはコンフィギュレー

ションエレメントとなるフローティングゲートに蓄積される電荷量が規定値に対してどのようなマージン

を持っているかをテストできる試験方法が開発されていますこれによって各コンフィギュレーションエ

レメントのマージンがテストされもっとも低いマージンが記録されますMAX IIはデバイスの機能がイレ

ーズされたビットの電荷量が増加したときにのみ影響を受けプログラムされたビットの電荷量が減少したと

きには影響を受けないようにした独特の設計となっていますMAX IIのテストにおいて機能を保証するた

めに必要なイレーズされたビットのテスト電流は 10 microAですがアルテラではこれを 25 microAでテストしていま

Altera Corporation 7

故障率の予測

アルテラでは故障率の予測に業界標準の手法を採用しています故障率は故障の時間に対する指数分布をベ

ースにして予測されます(一定の故障率を仮定)

前記のように寿命試験ではデバイスの故障を加速するために高い温度と電圧の条件が与えられ全体の加速係

数は単純に温度と電圧の加速係数の積になります

通常の使用条件での等価動作時間 = (寿命試験の時間)times(加速係数)

加速係数 = (温度の加速係数)times(電圧の加速係数)

温度と電圧の加速係数は標準的な計算式と公表されている加速係数を基準に算出されます加速係数はJEDEC発行

のドキュメントJEP122を基準にしたものとなっています加速係数の計算式は下記に示されており各故障モ

ードに対応した加速係数は表3の通りですアルテラではより薄い酸化膜(< 70Å)を使用したテクノロジ

への移行に伴って電圧による加速に対する「べき乗則」の依存性を観察してきました65nm以降のプロセス

テクノロジのゲート酸化膜への電圧加速には「べき乗則」モデルを採用しています

90nmまでのすべてのプロセスでは絶縁膜ブレークダウンの加速係数が 07eVになっています発表されている

論文では新しいプロセスにおける酸化膜ブレークダウンの熱活性化エレルギがこれまで言われていた03eVよ

りも高くなりその値が 03eVから 09eVの範囲になると報告されていますi ii

アルテラでは複数回の温度バ

ーイン試験のテスト結果から90nmまでのプロセスには 07eVが適用可能であることを確認しています65nm以

降のプロセスに対しては「べき乗則」に基づく異なる加速係数を採用しています

温度の加速係数を計算する場合は周囲温度ではなく接合温度が使用される必要があります接合温度はスト

レスを与えた条件での実際の消費電力およびターボビットをオンに設定した通常の使用条件での標準的な消

費電力を使用して算出されます(多くのアプリケーションではターボビットがオフに設定されるため実際の

消費電力はデータブックの Iccのカーブに示されているように大幅に低減され安全サイドになります)接合

温度は周囲温度またはケース温度の測定値と「Altera Device Package Information Data Sheet」に記載され

ている熱抵抗の値から算出されます熱抵抗の値は各製品のパッケージごとに規定されていますこの接合温

度の計算式は下記に示されている通りです

温度の加速係数の式を使用する場合は温度を次のように絶対温度に変換する必要があります

絶対温度=摂氏温度+ 273

Altera Corporation 8

表 3一般的な故障メカニズムと加速係数 iii

メカニズム 活性化エネルギ Ea( eV) 電圧指数係数

ゲート酸化膜のブレークダウン( ≧ 90nm) 07 γ =32中間絶縁膜層の欠陥 07 γ =20ビアのボイド (015 microm amp 013microm) 08 00 ビアのボイド (90nm amp 65nm) 10 00 シリコン接合部の欠陥 08 00 マスクの欠陥(ポリ拡散その他) 05 00 メタライゼーションの欠陥 05 00 Alのエレクトロマイグレーション 07 (Al-Si) 085 (Al-Cu) 電流密度依存性(1J2)Cuのエレクトロマイグレーション (013microm

FSG 絶縁膜)

08 電流密度依存性( 1J2)

Cuのエレクトロマイグレーション ( 90nm

および 65nm low-k絶縁膜)

09 電流密度依存性(1J)

汚染(表面およびバルク) 10 00 データ保持

チャージロス (EPROM) 06 00 チャージ放出 (FLASHと EEPROM

le 168時間)

11 00

SILC (FLASH と EEPROM gt 168 時間) 0 23 65nm以降のプロセスには異なる値を使用

故障率は次ページ以降のデータのように製品ファミリごとに計算されていますストレスが与えられた条件で

の累積動作時間は前述の加速係数を使用して通常の使用条件の動作時間に変換されますこの変換された動作

時間が強制空冷なしの55の周囲温度または70の接合温度Vccの標準値で動作した時間と等価となります

故障のメカニズムは不良解析によって判断されますストレスを与えた条件で観測された故障メカニズムに対

して前述の計算式と加速係数を使用して加速係数が計算されます2種類の故障メカニズムが確認された場合

はそれぞれの故障メカニズムごとに故障率を加算し全体の故障率を算出します故障が起こらなかった場合

は 低の加速係数を持つ故障メカニズムが故障レートの算出に使用されます

故障率はFIT(Failure In Time)数で表され1 FITは 10 9デバイス時間で1個が故障することを意味します

アルテラはJESD85(FIT数で表された故障率の計算方法)を使用して FIT数を計算しています

故障率はカイ2乗分布から算出され母集団から抜き取られた限定数の試験サンプルと不良が少数であることを

前提に 60の信頼度水準で予測されますカイ2乗値は要求される信頼度水準と自由度を使用してカイ2乗分

布表の逆数から算出されますiv また自由度はv = 2n+ 2として計算されここで nは確認された不良の数

になります故障率はカイ2乗の値を使用して下記の式から算出されます

ここで FIT数は 10 9times故障率となりMTTF(Mean Time to Failure)は指数分布に対して単純に故障率の逆数と

なります

Altera Corporation 9

寿命試験の結果

寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用

されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同

じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ

ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製

品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています

各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています

042ミクロンプロセスの FLEX製品

FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン

プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験

の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています

042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

パッケージ故障

等価時間

デート

コード

9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837

502E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182

Altera Corporation 10

03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの

電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ

クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ

らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています

03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801

295E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311

Altera Corporation 11

022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい

る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお

りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源

電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています

022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825

491E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186

Altera Corporation 12

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ

クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP

PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧

で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737

537E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171

Altera Corporation 13

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品

APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ

ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ

トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています

これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており

多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作

しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは

15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523

a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定

Altera Corporation 14

013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ

ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから

101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて

いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており

多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに

3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています

StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験

は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか

のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました

013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試

験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

ビアのボイド故障

等価時間

デート

コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713

7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743

7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743

8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831

7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701

8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831

9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925

9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919

9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907

9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925

9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901

9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907

7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707

7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719

7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719

8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807

8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841

9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942

7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701

8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817

8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843

9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911

9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913

7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701

7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748

8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826

8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832

8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825

8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827

8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838

8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825

958E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 15

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品

Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と

「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造

されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット

から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています

Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており

QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ

び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V

で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス

寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710

7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705

8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837

8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913

7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719

8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737

7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719

8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942

8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818

8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818

8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937

8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826

9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901

8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751

8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834

8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843

9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737

8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801

7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737

8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837

430E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 16

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ

リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス

は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお

りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと

414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい

ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で

動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803

540E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170

注 通常のアプリケーション Tj = 70

(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用

(ttf=toV^-nexp(EakT))

nおよび Eaの値は要求に応じて公表

Altera Corporation 17

40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで

製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ

リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています

Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット

番号 デバイス パッケージタイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デート

コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938

9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939

9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940

9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946

10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952

注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で

きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています

40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい

Altera Corporation 18

MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品

MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ

れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの

各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施

されています

第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613

810E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 810E+07 113

Altera Corporation 19

MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい

ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供

給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています

第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922

977E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 977E+07 94

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in

Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo

33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-

31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of

freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon

E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS

pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic

Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd

Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated

Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50

1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature

Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1

2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics

Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152

Page 4: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 1

概 要

アルテラはプログラマブルロジックデバイス(PLD)の開発と製造を行っていますこれらのデバイスはユー

ザコンフィギュラブルな ICでカスタムディジタルロジックの機能を実現するときに使用されますアルテ

ラは幅広い PLDファミリとコンフィギュレーションデバイスファミリを供給しています各ファミリの詳細は

個別のデータシートで解説されています

また各デバイスファミリのアーキテクチャ詳細なパッケージ情報取り扱い方法表面実装に関するガイド

ライン製品の変更通知などの製品情報はアルテラの webサイトhttpwwwalteracomを通じて入手すること

もできますアルテラの webサイトには各資料が Adobe社のアクロバットとポストスクリプトのフォーマットで

提供されていますまた主要な資料は日本語でも提供されています各資料は日本アルテラまたは販売代理店か

らも入手可能です

アルテラの Support webサイトを通じた技術サポートも提供されていますこれらの技術サポートにはアルテラの

オンラインテクニカルサポートシステムlthttpswwwalteracommyalteramal-indexjspgtと「Altera

Knowledge Database」が含まれておりこれら双方を活用して技術的な質問に対する回答をみつけることができま

アルテラはISO 9001-Rev2000MIL-I-45208および JEDEC標準規格の要求に準拠したクローズドループの品質お

よび信頼性システムを確立していますアルテラとアルテラ製品の製造に関係したすべての主要ベンダはすでに

ISO 9000の認証を受けていますアルテラが実施している信頼性の認定プログラムおよびモニタプログラムは

その実施手順合格 不合格の基準不具合対策などを規定した厳格な社内規格によって統括されていますアル

テラは 1994年 10月以来ISO 9001の認証を得ておりアルテラの ISO 9001の認証を担当したのはアイルランドの

NSAI(National Standards Authority of Ireland)という認証機関です

アルテラの使命は 先端のプログラマブルロジックシリコンソリューションIP(Intellectual

Property)関連ソフトウェア開発ツール及びテクニカルサポートの優れたサプライヤとなることですアルテラ

はより大きなロジックICの市場シェアを得るためにこの利点を活用します顧客に選ばれるサプライヤとなり

その地位を維持するためにアルテラは効率的で 高級のソリューションをタイムリに顧客に提供し同時に常に顧

客の期待を満足しまたはそれらを凌ぐ品質と信頼性そしてサービスを提供することに努めています

アルテラの品質システム

アルテラの品質システムは ISO 9001のすべての要求に適合するように規定されておりその詳細はアルテラの品質

マニュアル11G-00000に記述されていますこのアルテラの品質システムは世界的な多国籍企業を含む主要顧客

による詳細にわたる評価と審査を受けていますアルテラは生産ラインをコントロールするための完全なオンライ

ンドキュメントとコンピュータをフルに活用した生産システムを維持しています 社内規格は JEDEC規格に準拠

していますアルテラのコンピュータを使用した生産システムによりウェハーとアッセンブルの各ロットは完全に

トレース可能になっていますまたアルテラは顧客の 終製品のデザインデバッグ製造出荷をサポートする

ため応用技術部門と品質保証部門の技術者間の緊密なネットワークを確保しています

アルテラのすべての製造パートナ(TSMCASEおよび AMKOR)は自動車業界の品質規格である ISOTS16949の認証

と登録を受けているため 高レベルの品質と信頼性で自動車業界のサプライチェインに対応することができま

アルテラはすべての製品に対して包括的なテストと生産コントロールを実施しています図1はアルテラ製品の

標準的な生産フローを示したものです

Altera Corporation 2

図 1 標準生産フローチャット

ウェハー検査 外観および電気的試験すべてのロットを100

チェック

ウェハーソート1試験 DC パラメータファンクションプログラマビ

リティ不揮発性デバイスのマージンテスト

またはSRAM のコンフィギュレーション

データ保持ベーク試験 EPROMEEPROMFLASH ベースのすべての製品に

対して24548 時間

ウェハーソート2試験 EPROMEEPROMFLASH ベースの製品に対するマ

ージンテスト

組立工程 2回目3回目4回目の光学的なサンプル検

査インラインマーク

QA による電気的試験 116 個抜き取り01 判定

マーキング 要求に応じたマーキング

外観検査 44 ピンを超えるすべてのプラスチックパッ

ケージに対する自動化された検査を含む

QA による工程審査 116 個抜き取り01 判定工程および書類の

レビュー

最終製品の容器への収納と移管規定に基くベーキングと耐湿バッグへの封入

出荷手続き梱包出荷

ウェハーファブリケーション すべての重要な工程はSPC コントロールによりチ

ェックされる

最終テスト AC およびDC パラメータファンクションプ

ログラマビリティまたはSRAM デバイスのコン

フィギュレーション

Altera Corporation 3

信頼性試験の実施方法

信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています各ファミリのすべての製品は同じデバイスアー

キテクチャとウェハー生産工程を採用しており同じパッケージタイプを使用していますアルテラの製品ファミ

リにはMAX reg

3000MAX 7000MAX 9000FLEXreg

6000FLEX 8000FLEX 10K APEXTM

Stratixreg

Stratix GX

Cyclonereg

Stratix IIStratix II GXCyclone IIStratix IIICyclone IIIStratix IVMAX IIHardCopyreg

があります各ファミリには複数の製品が含まれていますが各ファミリごとに同じロジックエレメントエンベ

デッドなストレージエレメントプログラマブルなインタコネクトテクノロジが使用されています各ファミリ

は集積度やパッケージオプションが異なる2種類から 10種類のデバイスで構成されています信頼性データや

不良率の予測などに関するデータはウェハーの生産に使用されるプロセステクノロジごとにレポートされていま

すここでいうプロセステクノロジとは使用されるストレージエレメントの種類(SRAMEEPROMEPROM)と

プロセスの 小加工寸法(013ミクロン65nm)に対応したものです

アルテラの製品ファミリは表1で規定された条件で認定されていますまた信頼性のモニタは表2で規定され

た条件と頻度で実施されています各製品ファミリの認定では各デバイスの集積度パッケージタイプパッ

ケージのピン数が考慮されます各製品ファミリにロジックエレメント数が大幅に増加した(50以上)デバイ

スが追加された場合はそのデバイスに対する認定試験が新たに実施されます

自動車市場向けに出荷されている製品はAutomotive Electronics Councilの標準規格でさらに大きなサンプル

サイズが要求されるAEC-Q100の認定も受けていますアルテラはAECおよび AEC-Q100のメンバとなっています

これらの詳細はhttpwwwaecouncilcom で確認することができます

軍用航空宇宙市場向けに出荷されている製品はAEQC (Aerospace Qualified Electronic Component)の標準規定

のGEIA-Std-0002-1に対する認定を受けていますアルテラはCycloneStratixそしてMAXII デバイスファミリ

によりこの標準規定に応じることを発表し半導体サプライヤの中から 初のものでしたこの標準規定はICサプ

ライヤと軍航空宇宙と防衛の請負業者の間のコミュニケーションを強調します

製品の変更はアルテラのプロダクト変更通知(PCN)システムを通じてユーザに通知されますこの通知は外観

外形寸法あるいは機能等に影響する変更が行われる場合に発行されますこの変更通知はアルテラの webサイ

トhttpwwwalteracom から入手することもできますまた

httpwwwalteracomliteratureupdatesregistrationupd-registrationjsp で PCNのメーリングリストに

登録することも可能です

アルテラでは通常の生産工程テスト工程およびプロセスコントロールから信頼性の高い製品が提供されるよう

にするため信頼性モニタプログラムを常時実施していますこの信頼性モニタプログラムは各製品ファミリご

とに実施されています各製品の信頼性のモニタには通常の生産工程で製造された複数の製品とパッケージタイ

プが使用され新製品を優先したLast-In-First-Out(LIFO)のタイムスケジュールで実施されていますこのレ

ポートに提示されているデータは過去 24ケ月に収集されたものです

Altera Corporation 4

表 1 信頼性認定試験

認定基準 テストの種類

MIL-STD-883または

JEDEC Std

方法条件 サンプル数 ロット数

許容不良数

ロット

寿命試験

JESD22-A108

1000時間Vcc標準値の11~12倍

Tj=+110以上+140以下

参考データの取得の場合は 2000時間

≦100ピン 77

101 - 240ピン 45

>240ピン 25

3

1

1

0

< 200

FIT at +55

データ保持ベーク試験

JESD22-A103

+150 1000時間以上

+245 168時間以上の条件で実施される

ウェハーレベルのテストで代替されること

がある

≦100ピン 45

>100ピン 25

3

1

0

温度サイクル試験

JESD22-A104

プリコンディショニング後

-55~ +125の 700サイクル

(条件 B)

≦100ピン 45

>100ピン 25

3

1

0

高温高湿バイアス試験または

超加速寿命試験 (HAST)

JESD22-A101または A110

プリコンディショニング後

+85 85 RH 1000時間以上

Vcc標準値1ピンおきにバイアス

または +130 85 RH

48時間または 96時間 Vcc標準値

≦100ピン 45

>100ピン 25

3 1

0

プレッシャークッカ試験

( Autoclave)

JESD22-A102

121 15 PSIG 96時間

参考データ取得の場合は 168時間

≦100ピン 45

>100ピン 25

3

1

0

人体モデル(HBM)

ESD耐量試験

JESD22-A114

MIL-STD-883 30157

100pF 1500 Ω

不良になったすべてのピンの分布を記録 3 1 1000V以上

チャージドデバイスモデル

ESD耐量試験

JESD22-C101

Field Induced Charge Device法 3 1

500V以上 高速

ピン( 400MHz以

上)は 200V以上

ラッチアップ耐量試験

JESD 78

(Icc標準値 +100mA)または

IOピン = Icc標準値 +50

電源ピン= Vcc+50

6 1 0

プログラム

イレーズサイクル試験

100サイクルのプログラムイレーズ

( EEPROMまたは FLASH) 25 1 0

プリント基板( PCB)

接続試験

JESD22-A104

0から +100単独の試験槽を使用 25

1

デージィ

チェイン

01の推定不良率

に達するまで

> 2000

サイクル

Altera Corporation 5

表 2信頼性モニタプログラム

テストの種類

MIL-STD-883または

JEDEC Std

方法条件 サンプル数 実施頻度

寿命試験 JESD22-A108

Vcc標準値の11~12倍

Tj = +110以上 +140以下で 1000時間

参考データ収集の場合は 2000時間

≦100ピン 77

>100 - 240ピン 45

>240ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

データ保持ベーク試験

(不揮発性デバイスのみ)

JESD22-A103

+150 500時間以上

参考データ収集の場合は 1000時間以上

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

温度サイクル試験

JESD22-A104

プリコンディショニング後

-55~ +125の 700サイクル

(工業用グレード品)

0~ +125の 700サイクル

(一般用グレード品)

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

高温高湿バイアス試験

または超加速寿命試験

(HAST)

JESD22-A101

または A110

プリコンディショニング後+ 85 85 RH

1000時間以上 Vcc標準値

1ピンおきにバイアスまたは +130

85 RH48時間または 96時間 Vcc標準値

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

プレッシャークッカ試験

(Autoclave)

JESD22-A102

+121 15PSIG 96時間以上

参考データ収集の場合は 168時間

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

プログラムイレーズ

サイクル試験

100サイクルのプログラムイレーズ

( EEPROMプロセス品のみ) 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

Altera Corporation 6

寿命試験実施方法と故障率の予測

寿命試験の方法

アルテラは製品に発生する可能性がある故障メカニズムが加速されるようにするため高温 高電圧の寿命試験

を実施していますデバイスの接合温度が125以上になるように寿命試験に使用される試験槽の周囲温度を上

昇させまたVccの電源電圧を標準値の+10~20まで上昇させることによって故障のメカニカニズムが加速さ

れます熱暴走のため接合温度を125に設定できなかった場合には 低の接合温度を 110に設定されま

す寿命試験に使用される基板にはリードの完全な接触が維持される特殊な高温用のソケットが実装されます

FLEXAPEX MercuryStratixStratix GXCycloneStratix IIStratix II GXおよび Cyclone IIの各

デバイスにはBIテストモードが使用されています 6560nm製品および40nm製品では実際にクロック動作

させる様にコンフィギュレーションを行ってダイナミックな寿命試験が実施されていますMAX 3000

MAX 7000MAX 9000(EEPROMデバイス)および MAX II(FLASHデバイス)の各デバイスには寿命試験前に 100

サイクルのプログラムイレーズが実施されます

試験されるデバイスにストレスを加える前に各デバイスがデータシートで保証された規格を満足しているか

どうかを生産工程用の機器を使用してテストしますまた同じテスト機器を使用してデータシート上の各

パラメータに対する測定値が記録されますこのときデータシートの規格を満足しないデバイスは不良品

と判定されます

MAX IIを除く不揮発性のコンフィギュレーションエレメントを持つデバイスについてはコンフィギュレー

ションエレメントとなるフローティングゲートに蓄積される電荷量が規定値に対してどのようなマージン

を持っているかをテストできる試験方法が開発されていますこれによって各コンフィギュレーションエ

レメントのマージンがテストされもっとも低いマージンが記録されますMAX IIはデバイスの機能がイレ

ーズされたビットの電荷量が増加したときにのみ影響を受けプログラムされたビットの電荷量が減少したと

きには影響を受けないようにした独特の設計となっていますMAX IIのテストにおいて機能を保証するた

めに必要なイレーズされたビットのテスト電流は 10 microAですがアルテラではこれを 25 microAでテストしていま

Altera Corporation 7

故障率の予測

アルテラでは故障率の予測に業界標準の手法を採用しています故障率は故障の時間に対する指数分布をベ

ースにして予測されます(一定の故障率を仮定)

前記のように寿命試験ではデバイスの故障を加速するために高い温度と電圧の条件が与えられ全体の加速係

数は単純に温度と電圧の加速係数の積になります

通常の使用条件での等価動作時間 = (寿命試験の時間)times(加速係数)

加速係数 = (温度の加速係数)times(電圧の加速係数)

温度と電圧の加速係数は標準的な計算式と公表されている加速係数を基準に算出されます加速係数はJEDEC発行

のドキュメントJEP122を基準にしたものとなっています加速係数の計算式は下記に示されており各故障モ

ードに対応した加速係数は表3の通りですアルテラではより薄い酸化膜(< 70Å)を使用したテクノロジ

への移行に伴って電圧による加速に対する「べき乗則」の依存性を観察してきました65nm以降のプロセス

テクノロジのゲート酸化膜への電圧加速には「べき乗則」モデルを採用しています

90nmまでのすべてのプロセスでは絶縁膜ブレークダウンの加速係数が 07eVになっています発表されている

論文では新しいプロセスにおける酸化膜ブレークダウンの熱活性化エレルギがこれまで言われていた03eVよ

りも高くなりその値が 03eVから 09eVの範囲になると報告されていますi ii

アルテラでは複数回の温度バ

ーイン試験のテスト結果から90nmまでのプロセスには 07eVが適用可能であることを確認しています65nm以

降のプロセスに対しては「べき乗則」に基づく異なる加速係数を採用しています

温度の加速係数を計算する場合は周囲温度ではなく接合温度が使用される必要があります接合温度はスト

レスを与えた条件での実際の消費電力およびターボビットをオンに設定した通常の使用条件での標準的な消

費電力を使用して算出されます(多くのアプリケーションではターボビットがオフに設定されるため実際の

消費電力はデータブックの Iccのカーブに示されているように大幅に低減され安全サイドになります)接合

温度は周囲温度またはケース温度の測定値と「Altera Device Package Information Data Sheet」に記載され

ている熱抵抗の値から算出されます熱抵抗の値は各製品のパッケージごとに規定されていますこの接合温

度の計算式は下記に示されている通りです

温度の加速係数の式を使用する場合は温度を次のように絶対温度に変換する必要があります

絶対温度=摂氏温度+ 273

Altera Corporation 8

表 3一般的な故障メカニズムと加速係数 iii

メカニズム 活性化エネルギ Ea( eV) 電圧指数係数

ゲート酸化膜のブレークダウン( ≧ 90nm) 07 γ =32中間絶縁膜層の欠陥 07 γ =20ビアのボイド (015 microm amp 013microm) 08 00 ビアのボイド (90nm amp 65nm) 10 00 シリコン接合部の欠陥 08 00 マスクの欠陥(ポリ拡散その他) 05 00 メタライゼーションの欠陥 05 00 Alのエレクトロマイグレーション 07 (Al-Si) 085 (Al-Cu) 電流密度依存性(1J2)Cuのエレクトロマイグレーション (013microm

FSG 絶縁膜)

08 電流密度依存性( 1J2)

Cuのエレクトロマイグレーション ( 90nm

および 65nm low-k絶縁膜)

09 電流密度依存性(1J)

汚染(表面およびバルク) 10 00 データ保持

チャージロス (EPROM) 06 00 チャージ放出 (FLASHと EEPROM

le 168時間)

11 00

SILC (FLASH と EEPROM gt 168 時間) 0 23 65nm以降のプロセスには異なる値を使用

故障率は次ページ以降のデータのように製品ファミリごとに計算されていますストレスが与えられた条件で

の累積動作時間は前述の加速係数を使用して通常の使用条件の動作時間に変換されますこの変換された動作

時間が強制空冷なしの55の周囲温度または70の接合温度Vccの標準値で動作した時間と等価となります

故障のメカニズムは不良解析によって判断されますストレスを与えた条件で観測された故障メカニズムに対

して前述の計算式と加速係数を使用して加速係数が計算されます2種類の故障メカニズムが確認された場合

はそれぞれの故障メカニズムごとに故障率を加算し全体の故障率を算出します故障が起こらなかった場合

は 低の加速係数を持つ故障メカニズムが故障レートの算出に使用されます

故障率はFIT(Failure In Time)数で表され1 FITは 10 9デバイス時間で1個が故障することを意味します

アルテラはJESD85(FIT数で表された故障率の計算方法)を使用して FIT数を計算しています

故障率はカイ2乗分布から算出され母集団から抜き取られた限定数の試験サンプルと不良が少数であることを

前提に 60の信頼度水準で予測されますカイ2乗値は要求される信頼度水準と自由度を使用してカイ2乗分

布表の逆数から算出されますiv また自由度はv = 2n+ 2として計算されここで nは確認された不良の数

になります故障率はカイ2乗の値を使用して下記の式から算出されます

ここで FIT数は 10 9times故障率となりMTTF(Mean Time to Failure)は指数分布に対して単純に故障率の逆数と

なります

Altera Corporation 9

寿命試験の結果

寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用

されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同

じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ

ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製

品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています

各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています

042ミクロンプロセスの FLEX製品

FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン

プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験

の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています

042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

パッケージ故障

等価時間

デート

コード

9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837

502E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182

Altera Corporation 10

03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの

電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ

クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ

らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています

03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801

295E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311

Altera Corporation 11

022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい

る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお

りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源

電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています

022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825

491E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186

Altera Corporation 12

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ

クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP

PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧

で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737

537E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171

Altera Corporation 13

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品

APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ

ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ

トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています

これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており

多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作

しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは

15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523

a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定

Altera Corporation 14

013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ

ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから

101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて

いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており

多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに

3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています

StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験

は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか

のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました

013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試

験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

ビアのボイド故障

等価時間

デート

コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713

7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743

7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743

8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831

7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701

8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831

9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925

9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919

9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907

9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925

9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901

9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907

7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707

7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719

7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719

8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807

8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841

9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942

7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701

8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817

8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843

9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911

9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913

7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701

7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748

8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826

8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832

8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825

8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827

8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838

8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825

958E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 15

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品

Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と

「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造

されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット

から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています

Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており

QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ

び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V

で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス

寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710

7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705

8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837

8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913

7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719

8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737

7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719

8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942

8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818

8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818

8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937

8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826

9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901

8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751

8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834

8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843

9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737

8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801

7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737

8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837

430E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 16

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ

リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス

は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお

りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと

414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい

ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で

動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803

540E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170

注 通常のアプリケーション Tj = 70

(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用

(ttf=toV^-nexp(EakT))

nおよび Eaの値は要求に応じて公表

Altera Corporation 17

40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで

製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ

リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています

Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット

番号 デバイス パッケージタイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デート

コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938

9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939

9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940

9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946

10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952

注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で

きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています

40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい

Altera Corporation 18

MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品

MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ

れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの

各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施

されています

第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613

810E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 810E+07 113

Altera Corporation 19

MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい

ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供

給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています

第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922

977E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 977E+07 94

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo

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Page 5: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 2

図 1 標準生産フローチャット

ウェハー検査 外観および電気的試験すべてのロットを100

チェック

ウェハーソート1試験 DC パラメータファンクションプログラマビ

リティ不揮発性デバイスのマージンテスト

またはSRAM のコンフィギュレーション

データ保持ベーク試験 EPROMEEPROMFLASH ベースのすべての製品に

対して24548 時間

ウェハーソート2試験 EPROMEEPROMFLASH ベースの製品に対するマ

ージンテスト

組立工程 2回目3回目4回目の光学的なサンプル検

査インラインマーク

QA による電気的試験 116 個抜き取り01 判定

マーキング 要求に応じたマーキング

外観検査 44 ピンを超えるすべてのプラスチックパッ

ケージに対する自動化された検査を含む

QA による工程審査 116 個抜き取り01 判定工程および書類の

レビュー

最終製品の容器への収納と移管規定に基くベーキングと耐湿バッグへの封入

出荷手続き梱包出荷

ウェハーファブリケーション すべての重要な工程はSPC コントロールによりチ

ェックされる

最終テスト AC およびDC パラメータファンクションプ

ログラマビリティまたはSRAM デバイスのコン

フィギュレーション

Altera Corporation 3

信頼性試験の実施方法

信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています各ファミリのすべての製品は同じデバイスアー

キテクチャとウェハー生産工程を採用しており同じパッケージタイプを使用していますアルテラの製品ファミ

リにはMAX reg

3000MAX 7000MAX 9000FLEXreg

6000FLEX 8000FLEX 10K APEXTM

Stratixreg

Stratix GX

Cyclonereg

Stratix IIStratix II GXCyclone IIStratix IIICyclone IIIStratix IVMAX IIHardCopyreg

があります各ファミリには複数の製品が含まれていますが各ファミリごとに同じロジックエレメントエンベ

デッドなストレージエレメントプログラマブルなインタコネクトテクノロジが使用されています各ファミリ

は集積度やパッケージオプションが異なる2種類から 10種類のデバイスで構成されています信頼性データや

不良率の予測などに関するデータはウェハーの生産に使用されるプロセステクノロジごとにレポートされていま

すここでいうプロセステクノロジとは使用されるストレージエレメントの種類(SRAMEEPROMEPROM)と

プロセスの 小加工寸法(013ミクロン65nm)に対応したものです

アルテラの製品ファミリは表1で規定された条件で認定されていますまた信頼性のモニタは表2で規定され

た条件と頻度で実施されています各製品ファミリの認定では各デバイスの集積度パッケージタイプパッ

ケージのピン数が考慮されます各製品ファミリにロジックエレメント数が大幅に増加した(50以上)デバイ

スが追加された場合はそのデバイスに対する認定試験が新たに実施されます

自動車市場向けに出荷されている製品はAutomotive Electronics Councilの標準規格でさらに大きなサンプル

サイズが要求されるAEC-Q100の認定も受けていますアルテラはAECおよび AEC-Q100のメンバとなっています

これらの詳細はhttpwwwaecouncilcom で確認することができます

軍用航空宇宙市場向けに出荷されている製品はAEQC (Aerospace Qualified Electronic Component)の標準規定

のGEIA-Std-0002-1に対する認定を受けていますアルテラはCycloneStratixそしてMAXII デバイスファミリ

によりこの標準規定に応じることを発表し半導体サプライヤの中から 初のものでしたこの標準規定はICサプ

ライヤと軍航空宇宙と防衛の請負業者の間のコミュニケーションを強調します

製品の変更はアルテラのプロダクト変更通知(PCN)システムを通じてユーザに通知されますこの通知は外観

外形寸法あるいは機能等に影響する変更が行われる場合に発行されますこの変更通知はアルテラの webサイ

トhttpwwwalteracom から入手することもできますまた

httpwwwalteracomliteratureupdatesregistrationupd-registrationjsp で PCNのメーリングリストに

登録することも可能です

アルテラでは通常の生産工程テスト工程およびプロセスコントロールから信頼性の高い製品が提供されるよう

にするため信頼性モニタプログラムを常時実施していますこの信頼性モニタプログラムは各製品ファミリご

とに実施されています各製品の信頼性のモニタには通常の生産工程で製造された複数の製品とパッケージタイ

プが使用され新製品を優先したLast-In-First-Out(LIFO)のタイムスケジュールで実施されていますこのレ

ポートに提示されているデータは過去 24ケ月に収集されたものです

Altera Corporation 4

表 1 信頼性認定試験

認定基準 テストの種類

MIL-STD-883または

JEDEC Std

方法条件 サンプル数 ロット数

許容不良数

ロット

寿命試験

JESD22-A108

1000時間Vcc標準値の11~12倍

Tj=+110以上+140以下

参考データの取得の場合は 2000時間

≦100ピン 77

101 - 240ピン 45

>240ピン 25

3

1

1

0

< 200

FIT at +55

データ保持ベーク試験

JESD22-A103

+150 1000時間以上

+245 168時間以上の条件で実施される

ウェハーレベルのテストで代替されること

がある

≦100ピン 45

>100ピン 25

3

1

0

温度サイクル試験

JESD22-A104

プリコンディショニング後

-55~ +125の 700サイクル

(条件 B)

≦100ピン 45

>100ピン 25

3

1

0

高温高湿バイアス試験または

超加速寿命試験 (HAST)

JESD22-A101または A110

プリコンディショニング後

+85 85 RH 1000時間以上

Vcc標準値1ピンおきにバイアス

または +130 85 RH

48時間または 96時間 Vcc標準値

≦100ピン 45

>100ピン 25

3 1

0

プレッシャークッカ試験

( Autoclave)

JESD22-A102

121 15 PSIG 96時間

参考データ取得の場合は 168時間

≦100ピン 45

>100ピン 25

3

1

0

人体モデル(HBM)

ESD耐量試験

JESD22-A114

MIL-STD-883 30157

100pF 1500 Ω

不良になったすべてのピンの分布を記録 3 1 1000V以上

チャージドデバイスモデル

ESD耐量試験

JESD22-C101

Field Induced Charge Device法 3 1

500V以上 高速

ピン( 400MHz以

上)は 200V以上

ラッチアップ耐量試験

JESD 78

(Icc標準値 +100mA)または

IOピン = Icc標準値 +50

電源ピン= Vcc+50

6 1 0

プログラム

イレーズサイクル試験

100サイクルのプログラムイレーズ

( EEPROMまたは FLASH) 25 1 0

プリント基板( PCB)

接続試験

JESD22-A104

0から +100単独の試験槽を使用 25

1

デージィ

チェイン

01の推定不良率

に達するまで

> 2000

サイクル

Altera Corporation 5

表 2信頼性モニタプログラム

テストの種類

MIL-STD-883または

JEDEC Std

方法条件 サンプル数 実施頻度

寿命試験 JESD22-A108

Vcc標準値の11~12倍

Tj = +110以上 +140以下で 1000時間

参考データ収集の場合は 2000時間

≦100ピン 77

>100 - 240ピン 45

>240ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

データ保持ベーク試験

(不揮発性デバイスのみ)

JESD22-A103

+150 500時間以上

参考データ収集の場合は 1000時間以上

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

温度サイクル試験

JESD22-A104

プリコンディショニング後

-55~ +125の 700サイクル

(工業用グレード品)

0~ +125の 700サイクル

(一般用グレード品)

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

高温高湿バイアス試験

または超加速寿命試験

(HAST)

JESD22-A101

または A110

プリコンディショニング後+ 85 85 RH

1000時間以上 Vcc標準値

1ピンおきにバイアスまたは +130

85 RH48時間または 96時間 Vcc標準値

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

プレッシャークッカ試験

(Autoclave)

JESD22-A102

+121 15PSIG 96時間以上

参考データ収集の場合は 168時間

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

プログラムイレーズ

サイクル試験

100サイクルのプログラムイレーズ

( EEPROMプロセス品のみ) 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

Altera Corporation 6

寿命試験実施方法と故障率の予測

寿命試験の方法

アルテラは製品に発生する可能性がある故障メカニズムが加速されるようにするため高温 高電圧の寿命試験

を実施していますデバイスの接合温度が125以上になるように寿命試験に使用される試験槽の周囲温度を上

昇させまたVccの電源電圧を標準値の+10~20まで上昇させることによって故障のメカニカニズムが加速さ

れます熱暴走のため接合温度を125に設定できなかった場合には 低の接合温度を 110に設定されま

す寿命試験に使用される基板にはリードの完全な接触が維持される特殊な高温用のソケットが実装されます

FLEXAPEX MercuryStratixStratix GXCycloneStratix IIStratix II GXおよび Cyclone IIの各

デバイスにはBIテストモードが使用されています 6560nm製品および40nm製品では実際にクロック動作

させる様にコンフィギュレーションを行ってダイナミックな寿命試験が実施されていますMAX 3000

MAX 7000MAX 9000(EEPROMデバイス)および MAX II(FLASHデバイス)の各デバイスには寿命試験前に 100

サイクルのプログラムイレーズが実施されます

試験されるデバイスにストレスを加える前に各デバイスがデータシートで保証された規格を満足しているか

どうかを生産工程用の機器を使用してテストしますまた同じテスト機器を使用してデータシート上の各

パラメータに対する測定値が記録されますこのときデータシートの規格を満足しないデバイスは不良品

と判定されます

MAX IIを除く不揮発性のコンフィギュレーションエレメントを持つデバイスについてはコンフィギュレー

ションエレメントとなるフローティングゲートに蓄積される電荷量が規定値に対してどのようなマージン

を持っているかをテストできる試験方法が開発されていますこれによって各コンフィギュレーションエ

レメントのマージンがテストされもっとも低いマージンが記録されますMAX IIはデバイスの機能がイレ

ーズされたビットの電荷量が増加したときにのみ影響を受けプログラムされたビットの電荷量が減少したと

きには影響を受けないようにした独特の設計となっていますMAX IIのテストにおいて機能を保証するた

めに必要なイレーズされたビットのテスト電流は 10 microAですがアルテラではこれを 25 microAでテストしていま

Altera Corporation 7

故障率の予測

アルテラでは故障率の予測に業界標準の手法を採用しています故障率は故障の時間に対する指数分布をベ

ースにして予測されます(一定の故障率を仮定)

前記のように寿命試験ではデバイスの故障を加速するために高い温度と電圧の条件が与えられ全体の加速係

数は単純に温度と電圧の加速係数の積になります

通常の使用条件での等価動作時間 = (寿命試験の時間)times(加速係数)

加速係数 = (温度の加速係数)times(電圧の加速係数)

温度と電圧の加速係数は標準的な計算式と公表されている加速係数を基準に算出されます加速係数はJEDEC発行

のドキュメントJEP122を基準にしたものとなっています加速係数の計算式は下記に示されており各故障モ

ードに対応した加速係数は表3の通りですアルテラではより薄い酸化膜(< 70Å)を使用したテクノロジ

への移行に伴って電圧による加速に対する「べき乗則」の依存性を観察してきました65nm以降のプロセス

テクノロジのゲート酸化膜への電圧加速には「べき乗則」モデルを採用しています

90nmまでのすべてのプロセスでは絶縁膜ブレークダウンの加速係数が 07eVになっています発表されている

論文では新しいプロセスにおける酸化膜ブレークダウンの熱活性化エレルギがこれまで言われていた03eVよ

りも高くなりその値が 03eVから 09eVの範囲になると報告されていますi ii

アルテラでは複数回の温度バ

ーイン試験のテスト結果から90nmまでのプロセスには 07eVが適用可能であることを確認しています65nm以

降のプロセスに対しては「べき乗則」に基づく異なる加速係数を採用しています

温度の加速係数を計算する場合は周囲温度ではなく接合温度が使用される必要があります接合温度はスト

レスを与えた条件での実際の消費電力およびターボビットをオンに設定した通常の使用条件での標準的な消

費電力を使用して算出されます(多くのアプリケーションではターボビットがオフに設定されるため実際の

消費電力はデータブックの Iccのカーブに示されているように大幅に低減され安全サイドになります)接合

温度は周囲温度またはケース温度の測定値と「Altera Device Package Information Data Sheet」に記載され

ている熱抵抗の値から算出されます熱抵抗の値は各製品のパッケージごとに規定されていますこの接合温

度の計算式は下記に示されている通りです

温度の加速係数の式を使用する場合は温度を次のように絶対温度に変換する必要があります

絶対温度=摂氏温度+ 273

Altera Corporation 8

表 3一般的な故障メカニズムと加速係数 iii

メカニズム 活性化エネルギ Ea( eV) 電圧指数係数

ゲート酸化膜のブレークダウン( ≧ 90nm) 07 γ =32中間絶縁膜層の欠陥 07 γ =20ビアのボイド (015 microm amp 013microm) 08 00 ビアのボイド (90nm amp 65nm) 10 00 シリコン接合部の欠陥 08 00 マスクの欠陥(ポリ拡散その他) 05 00 メタライゼーションの欠陥 05 00 Alのエレクトロマイグレーション 07 (Al-Si) 085 (Al-Cu) 電流密度依存性(1J2)Cuのエレクトロマイグレーション (013microm

FSG 絶縁膜)

08 電流密度依存性( 1J2)

Cuのエレクトロマイグレーション ( 90nm

および 65nm low-k絶縁膜)

09 電流密度依存性(1J)

汚染(表面およびバルク) 10 00 データ保持

チャージロス (EPROM) 06 00 チャージ放出 (FLASHと EEPROM

le 168時間)

11 00

SILC (FLASH と EEPROM gt 168 時間) 0 23 65nm以降のプロセスには異なる値を使用

故障率は次ページ以降のデータのように製品ファミリごとに計算されていますストレスが与えられた条件で

の累積動作時間は前述の加速係数を使用して通常の使用条件の動作時間に変換されますこの変換された動作

時間が強制空冷なしの55の周囲温度または70の接合温度Vccの標準値で動作した時間と等価となります

故障のメカニズムは不良解析によって判断されますストレスを与えた条件で観測された故障メカニズムに対

して前述の計算式と加速係数を使用して加速係数が計算されます2種類の故障メカニズムが確認された場合

はそれぞれの故障メカニズムごとに故障率を加算し全体の故障率を算出します故障が起こらなかった場合

は 低の加速係数を持つ故障メカニズムが故障レートの算出に使用されます

故障率はFIT(Failure In Time)数で表され1 FITは 10 9デバイス時間で1個が故障することを意味します

アルテラはJESD85(FIT数で表された故障率の計算方法)を使用して FIT数を計算しています

故障率はカイ2乗分布から算出され母集団から抜き取られた限定数の試験サンプルと不良が少数であることを

前提に 60の信頼度水準で予測されますカイ2乗値は要求される信頼度水準と自由度を使用してカイ2乗分

布表の逆数から算出されますiv また自由度はv = 2n+ 2として計算されここで nは確認された不良の数

になります故障率はカイ2乗の値を使用して下記の式から算出されます

ここで FIT数は 10 9times故障率となりMTTF(Mean Time to Failure)は指数分布に対して単純に故障率の逆数と

なります

Altera Corporation 9

寿命試験の結果

寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用

されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同

じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ

ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製

品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています

各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています

042ミクロンプロセスの FLEX製品

FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン

プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験

の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています

042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

パッケージ故障

等価時間

デート

コード

9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837

502E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182

Altera Corporation 10

03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの

電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ

クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ

らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています

03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801

295E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311

Altera Corporation 11

022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい

る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお

りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源

電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています

022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825

491E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186

Altera Corporation 12

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ

クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP

PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧

で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737

537E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171

Altera Corporation 13

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品

APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ

ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ

トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています

これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており

多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作

しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは

15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523

a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定

Altera Corporation 14

013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ

ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから

101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて

いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており

多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに

3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています

StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験

は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか

のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました

013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試

験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

ビアのボイド故障

等価時間

デート

コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713

7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743

7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743

8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831

7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701

8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831

9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925

9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919

9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907

9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925

9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901

9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907

7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707

7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719

7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719

8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807

8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841

9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942

7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701

8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817

8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843

9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911

9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913

7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701

7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748

8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826

8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832

8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825

8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827

8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838

8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825

958E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 15

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品

Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と

「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造

されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット

から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています

Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており

QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ

び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V

で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス

寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710

7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705

8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837

8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913

7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719

8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737

7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719

8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942

8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818

8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818

8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937

8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826

9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901

8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751

8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834

8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843

9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737

8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801

7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737

8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837

430E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 16

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ

リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス

は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお

りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと

414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい

ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で

動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803

540E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170

注 通常のアプリケーション Tj = 70

(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用

(ttf=toV^-nexp(EakT))

nおよび Eaの値は要求に応じて公表

Altera Corporation 17

40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで

製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ

リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています

Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット

番号 デバイス パッケージタイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デート

コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938

9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939

9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940

9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946

10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952

注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で

きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています

40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい

Altera Corporation 18

MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品

MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ

れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの

各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施

されています

第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613

810E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 810E+07 113

Altera Corporation 19

MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい

ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供

給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています

第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922

977E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 977E+07 94

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 6: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 3

信頼性試験の実施方法

信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています各ファミリのすべての製品は同じデバイスアー

キテクチャとウェハー生産工程を採用しており同じパッケージタイプを使用していますアルテラの製品ファミ

リにはMAX reg

3000MAX 7000MAX 9000FLEXreg

6000FLEX 8000FLEX 10K APEXTM

Stratixreg

Stratix GX

Cyclonereg

Stratix IIStratix II GXCyclone IIStratix IIICyclone IIIStratix IVMAX IIHardCopyreg

があります各ファミリには複数の製品が含まれていますが各ファミリごとに同じロジックエレメントエンベ

デッドなストレージエレメントプログラマブルなインタコネクトテクノロジが使用されています各ファミリ

は集積度やパッケージオプションが異なる2種類から 10種類のデバイスで構成されています信頼性データや

不良率の予測などに関するデータはウェハーの生産に使用されるプロセステクノロジごとにレポートされていま

すここでいうプロセステクノロジとは使用されるストレージエレメントの種類(SRAMEEPROMEPROM)と

プロセスの 小加工寸法(013ミクロン65nm)に対応したものです

アルテラの製品ファミリは表1で規定された条件で認定されていますまた信頼性のモニタは表2で規定され

た条件と頻度で実施されています各製品ファミリの認定では各デバイスの集積度パッケージタイプパッ

ケージのピン数が考慮されます各製品ファミリにロジックエレメント数が大幅に増加した(50以上)デバイ

スが追加された場合はそのデバイスに対する認定試験が新たに実施されます

自動車市場向けに出荷されている製品はAutomotive Electronics Councilの標準規格でさらに大きなサンプル

サイズが要求されるAEC-Q100の認定も受けていますアルテラはAECおよび AEC-Q100のメンバとなっています

これらの詳細はhttpwwwaecouncilcom で確認することができます

軍用航空宇宙市場向けに出荷されている製品はAEQC (Aerospace Qualified Electronic Component)の標準規定

のGEIA-Std-0002-1に対する認定を受けていますアルテラはCycloneStratixそしてMAXII デバイスファミリ

によりこの標準規定に応じることを発表し半導体サプライヤの中から 初のものでしたこの標準規定はICサプ

ライヤと軍航空宇宙と防衛の請負業者の間のコミュニケーションを強調します

製品の変更はアルテラのプロダクト変更通知(PCN)システムを通じてユーザに通知されますこの通知は外観

外形寸法あるいは機能等に影響する変更が行われる場合に発行されますこの変更通知はアルテラの webサイ

トhttpwwwalteracom から入手することもできますまた

httpwwwalteracomliteratureupdatesregistrationupd-registrationjsp で PCNのメーリングリストに

登録することも可能です

アルテラでは通常の生産工程テスト工程およびプロセスコントロールから信頼性の高い製品が提供されるよう

にするため信頼性モニタプログラムを常時実施していますこの信頼性モニタプログラムは各製品ファミリご

とに実施されています各製品の信頼性のモニタには通常の生産工程で製造された複数の製品とパッケージタイ

プが使用され新製品を優先したLast-In-First-Out(LIFO)のタイムスケジュールで実施されていますこのレ

ポートに提示されているデータは過去 24ケ月に収集されたものです

Altera Corporation 4

表 1 信頼性認定試験

認定基準 テストの種類

MIL-STD-883または

JEDEC Std

方法条件 サンプル数 ロット数

許容不良数

ロット

寿命試験

JESD22-A108

1000時間Vcc標準値の11~12倍

Tj=+110以上+140以下

参考データの取得の場合は 2000時間

≦100ピン 77

101 - 240ピン 45

>240ピン 25

3

1

1

0

< 200

FIT at +55

データ保持ベーク試験

JESD22-A103

+150 1000時間以上

+245 168時間以上の条件で実施される

ウェハーレベルのテストで代替されること

がある

≦100ピン 45

>100ピン 25

3

1

0

温度サイクル試験

JESD22-A104

プリコンディショニング後

-55~ +125の 700サイクル

(条件 B)

≦100ピン 45

>100ピン 25

3

1

0

高温高湿バイアス試験または

超加速寿命試験 (HAST)

JESD22-A101または A110

プリコンディショニング後

+85 85 RH 1000時間以上

Vcc標準値1ピンおきにバイアス

または +130 85 RH

48時間または 96時間 Vcc標準値

≦100ピン 45

>100ピン 25

3 1

0

プレッシャークッカ試験

( Autoclave)

JESD22-A102

121 15 PSIG 96時間

参考データ取得の場合は 168時間

≦100ピン 45

>100ピン 25

3

1

0

人体モデル(HBM)

ESD耐量試験

JESD22-A114

MIL-STD-883 30157

100pF 1500 Ω

不良になったすべてのピンの分布を記録 3 1 1000V以上

チャージドデバイスモデル

ESD耐量試験

JESD22-C101

Field Induced Charge Device法 3 1

500V以上 高速

ピン( 400MHz以

上)は 200V以上

ラッチアップ耐量試験

JESD 78

(Icc標準値 +100mA)または

IOピン = Icc標準値 +50

電源ピン= Vcc+50

6 1 0

プログラム

イレーズサイクル試験

100サイクルのプログラムイレーズ

( EEPROMまたは FLASH) 25 1 0

プリント基板( PCB)

接続試験

JESD22-A104

0から +100単独の試験槽を使用 25

1

デージィ

チェイン

01の推定不良率

に達するまで

> 2000

サイクル

Altera Corporation 5

表 2信頼性モニタプログラム

テストの種類

MIL-STD-883または

JEDEC Std

方法条件 サンプル数 実施頻度

寿命試験 JESD22-A108

Vcc標準値の11~12倍

Tj = +110以上 +140以下で 1000時間

参考データ収集の場合は 2000時間

≦100ピン 77

>100 - 240ピン 45

>240ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

データ保持ベーク試験

(不揮発性デバイスのみ)

JESD22-A103

+150 500時間以上

参考データ収集の場合は 1000時間以上

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

温度サイクル試験

JESD22-A104

プリコンディショニング後

-55~ +125の 700サイクル

(工業用グレード品)

0~ +125の 700サイクル

(一般用グレード品)

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

高温高湿バイアス試験

または超加速寿命試験

(HAST)

JESD22-A101

または A110

プリコンディショニング後+ 85 85 RH

1000時間以上 Vcc標準値

1ピンおきにバイアスまたは +130

85 RH48時間または 96時間 Vcc標準値

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

プレッシャークッカ試験

(Autoclave)

JESD22-A102

+121 15PSIG 96時間以上

参考データ収集の場合は 168時間

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

プログラムイレーズ

サイクル試験

100サイクルのプログラムイレーズ

( EEPROMプロセス品のみ) 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

Altera Corporation 6

寿命試験実施方法と故障率の予測

寿命試験の方法

アルテラは製品に発生する可能性がある故障メカニズムが加速されるようにするため高温 高電圧の寿命試験

を実施していますデバイスの接合温度が125以上になるように寿命試験に使用される試験槽の周囲温度を上

昇させまたVccの電源電圧を標準値の+10~20まで上昇させることによって故障のメカニカニズムが加速さ

れます熱暴走のため接合温度を125に設定できなかった場合には 低の接合温度を 110に設定されま

す寿命試験に使用される基板にはリードの完全な接触が維持される特殊な高温用のソケットが実装されます

FLEXAPEX MercuryStratixStratix GXCycloneStratix IIStratix II GXおよび Cyclone IIの各

デバイスにはBIテストモードが使用されています 6560nm製品および40nm製品では実際にクロック動作

させる様にコンフィギュレーションを行ってダイナミックな寿命試験が実施されていますMAX 3000

MAX 7000MAX 9000(EEPROMデバイス)および MAX II(FLASHデバイス)の各デバイスには寿命試験前に 100

サイクルのプログラムイレーズが実施されます

試験されるデバイスにストレスを加える前に各デバイスがデータシートで保証された規格を満足しているか

どうかを生産工程用の機器を使用してテストしますまた同じテスト機器を使用してデータシート上の各

パラメータに対する測定値が記録されますこのときデータシートの規格を満足しないデバイスは不良品

と判定されます

MAX IIを除く不揮発性のコンフィギュレーションエレメントを持つデバイスについてはコンフィギュレー

ションエレメントとなるフローティングゲートに蓄積される電荷量が規定値に対してどのようなマージン

を持っているかをテストできる試験方法が開発されていますこれによって各コンフィギュレーションエ

レメントのマージンがテストされもっとも低いマージンが記録されますMAX IIはデバイスの機能がイレ

ーズされたビットの電荷量が増加したときにのみ影響を受けプログラムされたビットの電荷量が減少したと

きには影響を受けないようにした独特の設計となっていますMAX IIのテストにおいて機能を保証するた

めに必要なイレーズされたビットのテスト電流は 10 microAですがアルテラではこれを 25 microAでテストしていま

Altera Corporation 7

故障率の予測

アルテラでは故障率の予測に業界標準の手法を採用しています故障率は故障の時間に対する指数分布をベ

ースにして予測されます(一定の故障率を仮定)

前記のように寿命試験ではデバイスの故障を加速するために高い温度と電圧の条件が与えられ全体の加速係

数は単純に温度と電圧の加速係数の積になります

通常の使用条件での等価動作時間 = (寿命試験の時間)times(加速係数)

加速係数 = (温度の加速係数)times(電圧の加速係数)

温度と電圧の加速係数は標準的な計算式と公表されている加速係数を基準に算出されます加速係数はJEDEC発行

のドキュメントJEP122を基準にしたものとなっています加速係数の計算式は下記に示されており各故障モ

ードに対応した加速係数は表3の通りですアルテラではより薄い酸化膜(< 70Å)を使用したテクノロジ

への移行に伴って電圧による加速に対する「べき乗則」の依存性を観察してきました65nm以降のプロセス

テクノロジのゲート酸化膜への電圧加速には「べき乗則」モデルを採用しています

90nmまでのすべてのプロセスでは絶縁膜ブレークダウンの加速係数が 07eVになっています発表されている

論文では新しいプロセスにおける酸化膜ブレークダウンの熱活性化エレルギがこれまで言われていた03eVよ

りも高くなりその値が 03eVから 09eVの範囲になると報告されていますi ii

アルテラでは複数回の温度バ

ーイン試験のテスト結果から90nmまでのプロセスには 07eVが適用可能であることを確認しています65nm以

降のプロセスに対しては「べき乗則」に基づく異なる加速係数を採用しています

温度の加速係数を計算する場合は周囲温度ではなく接合温度が使用される必要があります接合温度はスト

レスを与えた条件での実際の消費電力およびターボビットをオンに設定した通常の使用条件での標準的な消

費電力を使用して算出されます(多くのアプリケーションではターボビットがオフに設定されるため実際の

消費電力はデータブックの Iccのカーブに示されているように大幅に低減され安全サイドになります)接合

温度は周囲温度またはケース温度の測定値と「Altera Device Package Information Data Sheet」に記載され

ている熱抵抗の値から算出されます熱抵抗の値は各製品のパッケージごとに規定されていますこの接合温

度の計算式は下記に示されている通りです

温度の加速係数の式を使用する場合は温度を次のように絶対温度に変換する必要があります

絶対温度=摂氏温度+ 273

Altera Corporation 8

表 3一般的な故障メカニズムと加速係数 iii

メカニズム 活性化エネルギ Ea( eV) 電圧指数係数

ゲート酸化膜のブレークダウン( ≧ 90nm) 07 γ =32中間絶縁膜層の欠陥 07 γ =20ビアのボイド (015 microm amp 013microm) 08 00 ビアのボイド (90nm amp 65nm) 10 00 シリコン接合部の欠陥 08 00 マスクの欠陥(ポリ拡散その他) 05 00 メタライゼーションの欠陥 05 00 Alのエレクトロマイグレーション 07 (Al-Si) 085 (Al-Cu) 電流密度依存性(1J2)Cuのエレクトロマイグレーション (013microm

FSG 絶縁膜)

08 電流密度依存性( 1J2)

Cuのエレクトロマイグレーション ( 90nm

および 65nm low-k絶縁膜)

09 電流密度依存性(1J)

汚染(表面およびバルク) 10 00 データ保持

チャージロス (EPROM) 06 00 チャージ放出 (FLASHと EEPROM

le 168時間)

11 00

SILC (FLASH と EEPROM gt 168 時間) 0 23 65nm以降のプロセスには異なる値を使用

故障率は次ページ以降のデータのように製品ファミリごとに計算されていますストレスが与えられた条件で

の累積動作時間は前述の加速係数を使用して通常の使用条件の動作時間に変換されますこの変換された動作

時間が強制空冷なしの55の周囲温度または70の接合温度Vccの標準値で動作した時間と等価となります

故障のメカニズムは不良解析によって判断されますストレスを与えた条件で観測された故障メカニズムに対

して前述の計算式と加速係数を使用して加速係数が計算されます2種類の故障メカニズムが確認された場合

はそれぞれの故障メカニズムごとに故障率を加算し全体の故障率を算出します故障が起こらなかった場合

は 低の加速係数を持つ故障メカニズムが故障レートの算出に使用されます

故障率はFIT(Failure In Time)数で表され1 FITは 10 9デバイス時間で1個が故障することを意味します

アルテラはJESD85(FIT数で表された故障率の計算方法)を使用して FIT数を計算しています

故障率はカイ2乗分布から算出され母集団から抜き取られた限定数の試験サンプルと不良が少数であることを

前提に 60の信頼度水準で予測されますカイ2乗値は要求される信頼度水準と自由度を使用してカイ2乗分

布表の逆数から算出されますiv また自由度はv = 2n+ 2として計算されここで nは確認された不良の数

になります故障率はカイ2乗の値を使用して下記の式から算出されます

ここで FIT数は 10 9times故障率となりMTTF(Mean Time to Failure)は指数分布に対して単純に故障率の逆数と

なります

Altera Corporation 9

寿命試験の結果

寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用

されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同

じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ

ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製

品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています

各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています

042ミクロンプロセスの FLEX製品

FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン

プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験

の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています

042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

パッケージ故障

等価時間

デート

コード

9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837

502E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182

Altera Corporation 10

03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの

電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ

クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ

らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています

03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801

295E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311

Altera Corporation 11

022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい

る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお

りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源

電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています

022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825

491E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186

Altera Corporation 12

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ

クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP

PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧

で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737

537E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171

Altera Corporation 13

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品

APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ

ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ

トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています

これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており

多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作

しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは

15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523

a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定

Altera Corporation 14

013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ

ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから

101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて

いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており

多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに

3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています

StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験

は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか

のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました

013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試

験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

ビアのボイド故障

等価時間

デート

コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713

7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743

7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743

8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831

7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701

8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831

9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925

9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919

9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907

9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925

9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901

9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907

7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707

7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719

7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719

8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807

8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841

9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942

7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701

8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817

8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843

9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911

9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913

7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701

7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748

8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826

8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832

8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825

8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827

8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838

8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825

958E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 15

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品

Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と

「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造

されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット

から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています

Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており

QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ

び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V

で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス

寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710

7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705

8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837

8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913

7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719

8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737

7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719

8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942

8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818

8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818

8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937

8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826

9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901

8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751

8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834

8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843

9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737

8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801

7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737

8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837

430E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 16

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ

リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス

は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお

りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと

414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい

ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で

動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803

540E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170

注 通常のアプリケーション Tj = 70

(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用

(ttf=toV^-nexp(EakT))

nおよび Eaの値は要求に応じて公表

Altera Corporation 17

40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで

製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ

リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています

Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット

番号 デバイス パッケージタイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デート

コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938

9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939

9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940

9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946

10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952

注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で

きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています

40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい

Altera Corporation 18

MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品

MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ

れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの

各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施

されています

第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613

810E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 810E+07 113

Altera Corporation 19

MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい

ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供

給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています

第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922

977E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 977E+07 94

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo

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Page 7: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 4

表 1 信頼性認定試験

認定基準 テストの種類

MIL-STD-883または

JEDEC Std

方法条件 サンプル数 ロット数

許容不良数

ロット

寿命試験

JESD22-A108

1000時間Vcc標準値の11~12倍

Tj=+110以上+140以下

参考データの取得の場合は 2000時間

≦100ピン 77

101 - 240ピン 45

>240ピン 25

3

1

1

0

< 200

FIT at +55

データ保持ベーク試験

JESD22-A103

+150 1000時間以上

+245 168時間以上の条件で実施される

ウェハーレベルのテストで代替されること

がある

≦100ピン 45

>100ピン 25

3

1

0

温度サイクル試験

JESD22-A104

プリコンディショニング後

-55~ +125の 700サイクル

(条件 B)

≦100ピン 45

>100ピン 25

3

1

0

高温高湿バイアス試験または

超加速寿命試験 (HAST)

JESD22-A101または A110

プリコンディショニング後

+85 85 RH 1000時間以上

Vcc標準値1ピンおきにバイアス

または +130 85 RH

48時間または 96時間 Vcc標準値

≦100ピン 45

>100ピン 25

3 1

0

プレッシャークッカ試験

( Autoclave)

JESD22-A102

121 15 PSIG 96時間

参考データ取得の場合は 168時間

≦100ピン 45

>100ピン 25

3

1

0

人体モデル(HBM)

ESD耐量試験

JESD22-A114

MIL-STD-883 30157

100pF 1500 Ω

不良になったすべてのピンの分布を記録 3 1 1000V以上

チャージドデバイスモデル

ESD耐量試験

JESD22-C101

Field Induced Charge Device法 3 1

500V以上 高速

ピン( 400MHz以

上)は 200V以上

ラッチアップ耐量試験

JESD 78

(Icc標準値 +100mA)または

IOピン = Icc標準値 +50

電源ピン= Vcc+50

6 1 0

プログラム

イレーズサイクル試験

100サイクルのプログラムイレーズ

( EEPROMまたは FLASH) 25 1 0

プリント基板( PCB)

接続試験

JESD22-A104

0から +100単独の試験槽を使用 25

1

デージィ

チェイン

01の推定不良率

に達するまで

> 2000

サイクル

Altera Corporation 5

表 2信頼性モニタプログラム

テストの種類

MIL-STD-883または

JEDEC Std

方法条件 サンプル数 実施頻度

寿命試験 JESD22-A108

Vcc標準値の11~12倍

Tj = +110以上 +140以下で 1000時間

参考データ収集の場合は 2000時間

≦100ピン 77

>100 - 240ピン 45

>240ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

データ保持ベーク試験

(不揮発性デバイスのみ)

JESD22-A103

+150 500時間以上

参考データ収集の場合は 1000時間以上

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

温度サイクル試験

JESD22-A104

プリコンディショニング後

-55~ +125の 700サイクル

(工業用グレード品)

0~ +125の 700サイクル

(一般用グレード品)

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

高温高湿バイアス試験

または超加速寿命試験

(HAST)

JESD22-A101

または A110

プリコンディショニング後+ 85 85 RH

1000時間以上 Vcc標準値

1ピンおきにバイアスまたは +130

85 RH48時間または 96時間 Vcc標準値

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

プレッシャークッカ試験

(Autoclave)

JESD22-A102

+121 15PSIG 96時間以上

参考データ収集の場合は 168時間

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

プログラムイレーズ

サイクル試験

100サイクルのプログラムイレーズ

( EEPROMプロセス品のみ) 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

Altera Corporation 6

寿命試験実施方法と故障率の予測

寿命試験の方法

アルテラは製品に発生する可能性がある故障メカニズムが加速されるようにするため高温 高電圧の寿命試験

を実施していますデバイスの接合温度が125以上になるように寿命試験に使用される試験槽の周囲温度を上

昇させまたVccの電源電圧を標準値の+10~20まで上昇させることによって故障のメカニカニズムが加速さ

れます熱暴走のため接合温度を125に設定できなかった場合には 低の接合温度を 110に設定されま

す寿命試験に使用される基板にはリードの完全な接触が維持される特殊な高温用のソケットが実装されます

FLEXAPEX MercuryStratixStratix GXCycloneStratix IIStratix II GXおよび Cyclone IIの各

デバイスにはBIテストモードが使用されています 6560nm製品および40nm製品では実際にクロック動作

させる様にコンフィギュレーションを行ってダイナミックな寿命試験が実施されていますMAX 3000

MAX 7000MAX 9000(EEPROMデバイス)および MAX II(FLASHデバイス)の各デバイスには寿命試験前に 100

サイクルのプログラムイレーズが実施されます

試験されるデバイスにストレスを加える前に各デバイスがデータシートで保証された規格を満足しているか

どうかを生産工程用の機器を使用してテストしますまた同じテスト機器を使用してデータシート上の各

パラメータに対する測定値が記録されますこのときデータシートの規格を満足しないデバイスは不良品

と判定されます

MAX IIを除く不揮発性のコンフィギュレーションエレメントを持つデバイスについてはコンフィギュレー

ションエレメントとなるフローティングゲートに蓄積される電荷量が規定値に対してどのようなマージン

を持っているかをテストできる試験方法が開発されていますこれによって各コンフィギュレーションエ

レメントのマージンがテストされもっとも低いマージンが記録されますMAX IIはデバイスの機能がイレ

ーズされたビットの電荷量が増加したときにのみ影響を受けプログラムされたビットの電荷量が減少したと

きには影響を受けないようにした独特の設計となっていますMAX IIのテストにおいて機能を保証するた

めに必要なイレーズされたビットのテスト電流は 10 microAですがアルテラではこれを 25 microAでテストしていま

Altera Corporation 7

故障率の予測

アルテラでは故障率の予測に業界標準の手法を採用しています故障率は故障の時間に対する指数分布をベ

ースにして予測されます(一定の故障率を仮定)

前記のように寿命試験ではデバイスの故障を加速するために高い温度と電圧の条件が与えられ全体の加速係

数は単純に温度と電圧の加速係数の積になります

通常の使用条件での等価動作時間 = (寿命試験の時間)times(加速係数)

加速係数 = (温度の加速係数)times(電圧の加速係数)

温度と電圧の加速係数は標準的な計算式と公表されている加速係数を基準に算出されます加速係数はJEDEC発行

のドキュメントJEP122を基準にしたものとなっています加速係数の計算式は下記に示されており各故障モ

ードに対応した加速係数は表3の通りですアルテラではより薄い酸化膜(< 70Å)を使用したテクノロジ

への移行に伴って電圧による加速に対する「べき乗則」の依存性を観察してきました65nm以降のプロセス

テクノロジのゲート酸化膜への電圧加速には「べき乗則」モデルを採用しています

90nmまでのすべてのプロセスでは絶縁膜ブレークダウンの加速係数が 07eVになっています発表されている

論文では新しいプロセスにおける酸化膜ブレークダウンの熱活性化エレルギがこれまで言われていた03eVよ

りも高くなりその値が 03eVから 09eVの範囲になると報告されていますi ii

アルテラでは複数回の温度バ

ーイン試験のテスト結果から90nmまでのプロセスには 07eVが適用可能であることを確認しています65nm以

降のプロセスに対しては「べき乗則」に基づく異なる加速係数を採用しています

温度の加速係数を計算する場合は周囲温度ではなく接合温度が使用される必要があります接合温度はスト

レスを与えた条件での実際の消費電力およびターボビットをオンに設定した通常の使用条件での標準的な消

費電力を使用して算出されます(多くのアプリケーションではターボビットがオフに設定されるため実際の

消費電力はデータブックの Iccのカーブに示されているように大幅に低減され安全サイドになります)接合

温度は周囲温度またはケース温度の測定値と「Altera Device Package Information Data Sheet」に記載され

ている熱抵抗の値から算出されます熱抵抗の値は各製品のパッケージごとに規定されていますこの接合温

度の計算式は下記に示されている通りです

温度の加速係数の式を使用する場合は温度を次のように絶対温度に変換する必要があります

絶対温度=摂氏温度+ 273

Altera Corporation 8

表 3一般的な故障メカニズムと加速係数 iii

メカニズム 活性化エネルギ Ea( eV) 電圧指数係数

ゲート酸化膜のブレークダウン( ≧ 90nm) 07 γ =32中間絶縁膜層の欠陥 07 γ =20ビアのボイド (015 microm amp 013microm) 08 00 ビアのボイド (90nm amp 65nm) 10 00 シリコン接合部の欠陥 08 00 マスクの欠陥(ポリ拡散その他) 05 00 メタライゼーションの欠陥 05 00 Alのエレクトロマイグレーション 07 (Al-Si) 085 (Al-Cu) 電流密度依存性(1J2)Cuのエレクトロマイグレーション (013microm

FSG 絶縁膜)

08 電流密度依存性( 1J2)

Cuのエレクトロマイグレーション ( 90nm

および 65nm low-k絶縁膜)

09 電流密度依存性(1J)

汚染(表面およびバルク) 10 00 データ保持

チャージロス (EPROM) 06 00 チャージ放出 (FLASHと EEPROM

le 168時間)

11 00

SILC (FLASH と EEPROM gt 168 時間) 0 23 65nm以降のプロセスには異なる値を使用

故障率は次ページ以降のデータのように製品ファミリごとに計算されていますストレスが与えられた条件で

の累積動作時間は前述の加速係数を使用して通常の使用条件の動作時間に変換されますこの変換された動作

時間が強制空冷なしの55の周囲温度または70の接合温度Vccの標準値で動作した時間と等価となります

故障のメカニズムは不良解析によって判断されますストレスを与えた条件で観測された故障メカニズムに対

して前述の計算式と加速係数を使用して加速係数が計算されます2種類の故障メカニズムが確認された場合

はそれぞれの故障メカニズムごとに故障率を加算し全体の故障率を算出します故障が起こらなかった場合

は 低の加速係数を持つ故障メカニズムが故障レートの算出に使用されます

故障率はFIT(Failure In Time)数で表され1 FITは 10 9デバイス時間で1個が故障することを意味します

アルテラはJESD85(FIT数で表された故障率の計算方法)を使用して FIT数を計算しています

故障率はカイ2乗分布から算出され母集団から抜き取られた限定数の試験サンプルと不良が少数であることを

前提に 60の信頼度水準で予測されますカイ2乗値は要求される信頼度水準と自由度を使用してカイ2乗分

布表の逆数から算出されますiv また自由度はv = 2n+ 2として計算されここで nは確認された不良の数

になります故障率はカイ2乗の値を使用して下記の式から算出されます

ここで FIT数は 10 9times故障率となりMTTF(Mean Time to Failure)は指数分布に対して単純に故障率の逆数と

なります

Altera Corporation 9

寿命試験の結果

寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用

されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同

じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ

ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製

品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています

各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています

042ミクロンプロセスの FLEX製品

FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン

プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験

の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています

042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

パッケージ故障

等価時間

デート

コード

9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837

502E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182

Altera Corporation 10

03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの

電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ

クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ

らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています

03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801

295E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311

Altera Corporation 11

022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい

る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお

りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源

電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています

022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825

491E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186

Altera Corporation 12

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ

クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP

PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧

で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737

537E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171

Altera Corporation 13

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品

APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ

ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ

トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています

これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており

多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作

しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは

15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523

a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定

Altera Corporation 14

013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ

ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから

101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて

いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており

多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに

3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています

StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験

は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか

のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました

013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試

験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

ビアのボイド故障

等価時間

デート

コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713

7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743

7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743

8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831

7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701

8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831

9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925

9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919

9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907

9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925

9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901

9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907

7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707

7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719

7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719

8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807

8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841

9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942

7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701

8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817

8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843

9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911

9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913

7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701

7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748

8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826

8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832

8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825

8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827

8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838

8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825

958E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 15

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品

Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と

「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造

されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット

から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています

Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており

QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ

び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V

で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス

寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710

7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705

8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837

8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913

7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719

8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737

7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719

8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942

8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818

8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818

8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937

8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826

9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901

8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751

8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834

8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843

9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737

8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801

7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737

8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837

430E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 16

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ

リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス

は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお

りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと

414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい

ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で

動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803

540E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170

注 通常のアプリケーション Tj = 70

(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用

(ttf=toV^-nexp(EakT))

nおよび Eaの値は要求に応じて公表

Altera Corporation 17

40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで

製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ

リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています

Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット

番号 デバイス パッケージタイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デート

コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938

9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939

9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940

9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946

10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952

注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で

きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています

40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい

Altera Corporation 18

MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品

MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ

れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの

各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施

されています

第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613

810E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 810E+07 113

Altera Corporation 19

MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい

ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供

給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています

第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922

977E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 977E+07 94

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 8: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 5

表 2信頼性モニタプログラム

テストの種類

MIL-STD-883または

JEDEC Std

方法条件 サンプル数 実施頻度

寿命試験 JESD22-A108

Vcc標準値の11~12倍

Tj = +110以上 +140以下で 1000時間

参考データ収集の場合は 2000時間

≦100ピン 77

>100 - 240ピン 45

>240ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

データ保持ベーク試験

(不揮発性デバイスのみ)

JESD22-A103

+150 500時間以上

参考データ収集の場合は 1000時間以上

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

温度サイクル試験

JESD22-A104

プリコンディショニング後

-55~ +125の 700サイクル

(工業用グレード品)

0~ +125の 700サイクル

(一般用グレード品)

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

高温高湿バイアス試験

または超加速寿命試験

(HAST)

JESD22-A101

または A110

プリコンディショニング後+ 85 85 RH

1000時間以上 Vcc標準値

1ピンおきにバイアスまたは +130

85 RH48時間または 96時間 Vcc標準値

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

プレッシャークッカ試験

(Autoclave)

JESD22-A102

+121 15PSIG 96時間以上

参考データ収集の場合は 168時間

≦100ピン 45

>100ピン 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

プログラムイレーズ

サイクル試験

100サイクルのプログラムイレーズ

( EEPROMプロセス品のみ) 22

各プロセスに対して各四半期の

任意の月ごと

Altera Corporation 6

寿命試験実施方法と故障率の予測

寿命試験の方法

アルテラは製品に発生する可能性がある故障メカニズムが加速されるようにするため高温 高電圧の寿命試験

を実施していますデバイスの接合温度が125以上になるように寿命試験に使用される試験槽の周囲温度を上

昇させまたVccの電源電圧を標準値の+10~20まで上昇させることによって故障のメカニカニズムが加速さ

れます熱暴走のため接合温度を125に設定できなかった場合には 低の接合温度を 110に設定されま

す寿命試験に使用される基板にはリードの完全な接触が維持される特殊な高温用のソケットが実装されます

FLEXAPEX MercuryStratixStratix GXCycloneStratix IIStratix II GXおよび Cyclone IIの各

デバイスにはBIテストモードが使用されています 6560nm製品および40nm製品では実際にクロック動作

させる様にコンフィギュレーションを行ってダイナミックな寿命試験が実施されていますMAX 3000

MAX 7000MAX 9000(EEPROMデバイス)および MAX II(FLASHデバイス)の各デバイスには寿命試験前に 100

サイクルのプログラムイレーズが実施されます

試験されるデバイスにストレスを加える前に各デバイスがデータシートで保証された規格を満足しているか

どうかを生産工程用の機器を使用してテストしますまた同じテスト機器を使用してデータシート上の各

パラメータに対する測定値が記録されますこのときデータシートの規格を満足しないデバイスは不良品

と判定されます

MAX IIを除く不揮発性のコンフィギュレーションエレメントを持つデバイスについてはコンフィギュレー

ションエレメントとなるフローティングゲートに蓄積される電荷量が規定値に対してどのようなマージン

を持っているかをテストできる試験方法が開発されていますこれによって各コンフィギュレーションエ

レメントのマージンがテストされもっとも低いマージンが記録されますMAX IIはデバイスの機能がイレ

ーズされたビットの電荷量が増加したときにのみ影響を受けプログラムされたビットの電荷量が減少したと

きには影響を受けないようにした独特の設計となっていますMAX IIのテストにおいて機能を保証するた

めに必要なイレーズされたビットのテスト電流は 10 microAですがアルテラではこれを 25 microAでテストしていま

Altera Corporation 7

故障率の予測

アルテラでは故障率の予測に業界標準の手法を採用しています故障率は故障の時間に対する指数分布をベ

ースにして予測されます(一定の故障率を仮定)

前記のように寿命試験ではデバイスの故障を加速するために高い温度と電圧の条件が与えられ全体の加速係

数は単純に温度と電圧の加速係数の積になります

通常の使用条件での等価動作時間 = (寿命試験の時間)times(加速係数)

加速係数 = (温度の加速係数)times(電圧の加速係数)

温度と電圧の加速係数は標準的な計算式と公表されている加速係数を基準に算出されます加速係数はJEDEC発行

のドキュメントJEP122を基準にしたものとなっています加速係数の計算式は下記に示されており各故障モ

ードに対応した加速係数は表3の通りですアルテラではより薄い酸化膜(< 70Å)を使用したテクノロジ

への移行に伴って電圧による加速に対する「べき乗則」の依存性を観察してきました65nm以降のプロセス

テクノロジのゲート酸化膜への電圧加速には「べき乗則」モデルを採用しています

90nmまでのすべてのプロセスでは絶縁膜ブレークダウンの加速係数が 07eVになっています発表されている

論文では新しいプロセスにおける酸化膜ブレークダウンの熱活性化エレルギがこれまで言われていた03eVよ

りも高くなりその値が 03eVから 09eVの範囲になると報告されていますi ii

アルテラでは複数回の温度バ

ーイン試験のテスト結果から90nmまでのプロセスには 07eVが適用可能であることを確認しています65nm以

降のプロセスに対しては「べき乗則」に基づく異なる加速係数を採用しています

温度の加速係数を計算する場合は周囲温度ではなく接合温度が使用される必要があります接合温度はスト

レスを与えた条件での実際の消費電力およびターボビットをオンに設定した通常の使用条件での標準的な消

費電力を使用して算出されます(多くのアプリケーションではターボビットがオフに設定されるため実際の

消費電力はデータブックの Iccのカーブに示されているように大幅に低減され安全サイドになります)接合

温度は周囲温度またはケース温度の測定値と「Altera Device Package Information Data Sheet」に記載され

ている熱抵抗の値から算出されます熱抵抗の値は各製品のパッケージごとに規定されていますこの接合温

度の計算式は下記に示されている通りです

温度の加速係数の式を使用する場合は温度を次のように絶対温度に変換する必要があります

絶対温度=摂氏温度+ 273

Altera Corporation 8

表 3一般的な故障メカニズムと加速係数 iii

メカニズム 活性化エネルギ Ea( eV) 電圧指数係数

ゲート酸化膜のブレークダウン( ≧ 90nm) 07 γ =32中間絶縁膜層の欠陥 07 γ =20ビアのボイド (015 microm amp 013microm) 08 00 ビアのボイド (90nm amp 65nm) 10 00 シリコン接合部の欠陥 08 00 マスクの欠陥(ポリ拡散その他) 05 00 メタライゼーションの欠陥 05 00 Alのエレクトロマイグレーション 07 (Al-Si) 085 (Al-Cu) 電流密度依存性(1J2)Cuのエレクトロマイグレーション (013microm

FSG 絶縁膜)

08 電流密度依存性( 1J2)

Cuのエレクトロマイグレーション ( 90nm

および 65nm low-k絶縁膜)

09 電流密度依存性(1J)

汚染(表面およびバルク) 10 00 データ保持

チャージロス (EPROM) 06 00 チャージ放出 (FLASHと EEPROM

le 168時間)

11 00

SILC (FLASH と EEPROM gt 168 時間) 0 23 65nm以降のプロセスには異なる値を使用

故障率は次ページ以降のデータのように製品ファミリごとに計算されていますストレスが与えられた条件で

の累積動作時間は前述の加速係数を使用して通常の使用条件の動作時間に変換されますこの変換された動作

時間が強制空冷なしの55の周囲温度または70の接合温度Vccの標準値で動作した時間と等価となります

故障のメカニズムは不良解析によって判断されますストレスを与えた条件で観測された故障メカニズムに対

して前述の計算式と加速係数を使用して加速係数が計算されます2種類の故障メカニズムが確認された場合

はそれぞれの故障メカニズムごとに故障率を加算し全体の故障率を算出します故障が起こらなかった場合

は 低の加速係数を持つ故障メカニズムが故障レートの算出に使用されます

故障率はFIT(Failure In Time)数で表され1 FITは 10 9デバイス時間で1個が故障することを意味します

アルテラはJESD85(FIT数で表された故障率の計算方法)を使用して FIT数を計算しています

故障率はカイ2乗分布から算出され母集団から抜き取られた限定数の試験サンプルと不良が少数であることを

前提に 60の信頼度水準で予測されますカイ2乗値は要求される信頼度水準と自由度を使用してカイ2乗分

布表の逆数から算出されますiv また自由度はv = 2n+ 2として計算されここで nは確認された不良の数

になります故障率はカイ2乗の値を使用して下記の式から算出されます

ここで FIT数は 10 9times故障率となりMTTF(Mean Time to Failure)は指数分布に対して単純に故障率の逆数と

なります

Altera Corporation 9

寿命試験の結果

寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用

されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同

じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ

ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製

品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています

各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています

042ミクロンプロセスの FLEX製品

FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン

プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験

の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています

042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

パッケージ故障

等価時間

デート

コード

9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837

502E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182

Altera Corporation 10

03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの

電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ

クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ

らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています

03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801

295E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311

Altera Corporation 11

022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい

る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお

りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源

電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています

022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825

491E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186

Altera Corporation 12

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ

クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP

PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧

で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737

537E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171

Altera Corporation 13

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品

APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ

ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ

トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています

これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており

多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作

しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは

15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523

a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定

Altera Corporation 14

013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ

ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから

101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて

いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており

多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに

3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています

StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験

は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか

のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました

013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試

験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

ビアのボイド故障

等価時間

デート

コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713

7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743

7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743

8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831

7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701

8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831

9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925

9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919

9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907

9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925

9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901

9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907

7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707

7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719

7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719

8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807

8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841

9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942

7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701

8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817

8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843

9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911

9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913

7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701

7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748

8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826

8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832

8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825

8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827

8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838

8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825

958E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 15

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品

Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と

「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造

されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット

から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています

Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており

QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ

び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V

で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス

寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710

7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705

8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837

8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913

7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719

8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737

7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719

8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942

8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818

8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818

8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937

8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826

9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901

8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751

8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834

8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843

9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737

8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801

7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737

8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837

430E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 16

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ

リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス

は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお

りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと

414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい

ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で

動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803

540E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170

注 通常のアプリケーション Tj = 70

(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用

(ttf=toV^-nexp(EakT))

nおよび Eaの値は要求に応じて公表

Altera Corporation 17

40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで

製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ

リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています

Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット

番号 デバイス パッケージタイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デート

コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938

9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939

9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940

9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946

10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952

注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で

きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています

40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい

Altera Corporation 18

MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品

MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ

れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの

各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施

されています

第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613

810E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 810E+07 113

Altera Corporation 19

MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい

ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供

給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています

第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922

977E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 977E+07 94

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo

33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-

31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of

freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon

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Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50

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Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1

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Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152

Page 9: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 6

寿命試験実施方法と故障率の予測

寿命試験の方法

アルテラは製品に発生する可能性がある故障メカニズムが加速されるようにするため高温 高電圧の寿命試験

を実施していますデバイスの接合温度が125以上になるように寿命試験に使用される試験槽の周囲温度を上

昇させまたVccの電源電圧を標準値の+10~20まで上昇させることによって故障のメカニカニズムが加速さ

れます熱暴走のため接合温度を125に設定できなかった場合には 低の接合温度を 110に設定されま

す寿命試験に使用される基板にはリードの完全な接触が維持される特殊な高温用のソケットが実装されます

FLEXAPEX MercuryStratixStratix GXCycloneStratix IIStratix II GXおよび Cyclone IIの各

デバイスにはBIテストモードが使用されています 6560nm製品および40nm製品では実際にクロック動作

させる様にコンフィギュレーションを行ってダイナミックな寿命試験が実施されていますMAX 3000

MAX 7000MAX 9000(EEPROMデバイス)および MAX II(FLASHデバイス)の各デバイスには寿命試験前に 100

サイクルのプログラムイレーズが実施されます

試験されるデバイスにストレスを加える前に各デバイスがデータシートで保証された規格を満足しているか

どうかを生産工程用の機器を使用してテストしますまた同じテスト機器を使用してデータシート上の各

パラメータに対する測定値が記録されますこのときデータシートの規格を満足しないデバイスは不良品

と判定されます

MAX IIを除く不揮発性のコンフィギュレーションエレメントを持つデバイスについてはコンフィギュレー

ションエレメントとなるフローティングゲートに蓄積される電荷量が規定値に対してどのようなマージン

を持っているかをテストできる試験方法が開発されていますこれによって各コンフィギュレーションエ

レメントのマージンがテストされもっとも低いマージンが記録されますMAX IIはデバイスの機能がイレ

ーズされたビットの電荷量が増加したときにのみ影響を受けプログラムされたビットの電荷量が減少したと

きには影響を受けないようにした独特の設計となっていますMAX IIのテストにおいて機能を保証するた

めに必要なイレーズされたビットのテスト電流は 10 microAですがアルテラではこれを 25 microAでテストしていま

Altera Corporation 7

故障率の予測

アルテラでは故障率の予測に業界標準の手法を採用しています故障率は故障の時間に対する指数分布をベ

ースにして予測されます(一定の故障率を仮定)

前記のように寿命試験ではデバイスの故障を加速するために高い温度と電圧の条件が与えられ全体の加速係

数は単純に温度と電圧の加速係数の積になります

通常の使用条件での等価動作時間 = (寿命試験の時間)times(加速係数)

加速係数 = (温度の加速係数)times(電圧の加速係数)

温度と電圧の加速係数は標準的な計算式と公表されている加速係数を基準に算出されます加速係数はJEDEC発行

のドキュメントJEP122を基準にしたものとなっています加速係数の計算式は下記に示されており各故障モ

ードに対応した加速係数は表3の通りですアルテラではより薄い酸化膜(< 70Å)を使用したテクノロジ

への移行に伴って電圧による加速に対する「べき乗則」の依存性を観察してきました65nm以降のプロセス

テクノロジのゲート酸化膜への電圧加速には「べき乗則」モデルを採用しています

90nmまでのすべてのプロセスでは絶縁膜ブレークダウンの加速係数が 07eVになっています発表されている

論文では新しいプロセスにおける酸化膜ブレークダウンの熱活性化エレルギがこれまで言われていた03eVよ

りも高くなりその値が 03eVから 09eVの範囲になると報告されていますi ii

アルテラでは複数回の温度バ

ーイン試験のテスト結果から90nmまでのプロセスには 07eVが適用可能であることを確認しています65nm以

降のプロセスに対しては「べき乗則」に基づく異なる加速係数を採用しています

温度の加速係数を計算する場合は周囲温度ではなく接合温度が使用される必要があります接合温度はスト

レスを与えた条件での実際の消費電力およびターボビットをオンに設定した通常の使用条件での標準的な消

費電力を使用して算出されます(多くのアプリケーションではターボビットがオフに設定されるため実際の

消費電力はデータブックの Iccのカーブに示されているように大幅に低減され安全サイドになります)接合

温度は周囲温度またはケース温度の測定値と「Altera Device Package Information Data Sheet」に記載され

ている熱抵抗の値から算出されます熱抵抗の値は各製品のパッケージごとに規定されていますこの接合温

度の計算式は下記に示されている通りです

温度の加速係数の式を使用する場合は温度を次のように絶対温度に変換する必要があります

絶対温度=摂氏温度+ 273

Altera Corporation 8

表 3一般的な故障メカニズムと加速係数 iii

メカニズム 活性化エネルギ Ea( eV) 電圧指数係数

ゲート酸化膜のブレークダウン( ≧ 90nm) 07 γ =32中間絶縁膜層の欠陥 07 γ =20ビアのボイド (015 microm amp 013microm) 08 00 ビアのボイド (90nm amp 65nm) 10 00 シリコン接合部の欠陥 08 00 マスクの欠陥(ポリ拡散その他) 05 00 メタライゼーションの欠陥 05 00 Alのエレクトロマイグレーション 07 (Al-Si) 085 (Al-Cu) 電流密度依存性(1J2)Cuのエレクトロマイグレーション (013microm

FSG 絶縁膜)

08 電流密度依存性( 1J2)

Cuのエレクトロマイグレーション ( 90nm

および 65nm low-k絶縁膜)

09 電流密度依存性(1J)

汚染(表面およびバルク) 10 00 データ保持

チャージロス (EPROM) 06 00 チャージ放出 (FLASHと EEPROM

le 168時間)

11 00

SILC (FLASH と EEPROM gt 168 時間) 0 23 65nm以降のプロセスには異なる値を使用

故障率は次ページ以降のデータのように製品ファミリごとに計算されていますストレスが与えられた条件で

の累積動作時間は前述の加速係数を使用して通常の使用条件の動作時間に変換されますこの変換された動作

時間が強制空冷なしの55の周囲温度または70の接合温度Vccの標準値で動作した時間と等価となります

故障のメカニズムは不良解析によって判断されますストレスを与えた条件で観測された故障メカニズムに対

して前述の計算式と加速係数を使用して加速係数が計算されます2種類の故障メカニズムが確認された場合

はそれぞれの故障メカニズムごとに故障率を加算し全体の故障率を算出します故障が起こらなかった場合

は 低の加速係数を持つ故障メカニズムが故障レートの算出に使用されます

故障率はFIT(Failure In Time)数で表され1 FITは 10 9デバイス時間で1個が故障することを意味します

アルテラはJESD85(FIT数で表された故障率の計算方法)を使用して FIT数を計算しています

故障率はカイ2乗分布から算出され母集団から抜き取られた限定数の試験サンプルと不良が少数であることを

前提に 60の信頼度水準で予測されますカイ2乗値は要求される信頼度水準と自由度を使用してカイ2乗分

布表の逆数から算出されますiv また自由度はv = 2n+ 2として計算されここで nは確認された不良の数

になります故障率はカイ2乗の値を使用して下記の式から算出されます

ここで FIT数は 10 9times故障率となりMTTF(Mean Time to Failure)は指数分布に対して単純に故障率の逆数と

なります

Altera Corporation 9

寿命試験の結果

寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用

されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同

じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ

ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製

品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています

各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています

042ミクロンプロセスの FLEX製品

FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン

プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験

の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています

042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

パッケージ故障

等価時間

デート

コード

9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837

502E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182

Altera Corporation 10

03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの

電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ

クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ

らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています

03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801

295E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311

Altera Corporation 11

022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい

る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお

りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源

電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています

022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825

491E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186

Altera Corporation 12

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ

クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP

PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧

で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737

537E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171

Altera Corporation 13

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品

APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ

ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ

トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています

これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており

多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作

しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは

15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523

a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定

Altera Corporation 14

013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ

ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから

101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて

いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており

多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに

3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています

StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験

は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか

のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました

013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試

験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

ビアのボイド故障

等価時間

デート

コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713

7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743

7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743

8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831

7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701

8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831

9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925

9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919

9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907

9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925

9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901

9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907

7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707

7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719

7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719

8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807

8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841

9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942

7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701

8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817

8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843

9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911

9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913

7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701

7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748

8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826

8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832

8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825

8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827

8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838

8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825

958E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 15

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品

Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と

「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造

されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット

から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています

Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており

QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ

び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V

で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス

寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710

7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705

8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837

8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913

7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719

8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737

7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719

8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942

8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818

8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818

8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937

8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826

9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901

8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751

8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834

8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843

9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737

8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801

7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737

8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837

430E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 16

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ

リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス

は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお

りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと

414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい

ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で

動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803

540E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170

注 通常のアプリケーション Tj = 70

(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用

(ttf=toV^-nexp(EakT))

nおよび Eaの値は要求に応じて公表

Altera Corporation 17

40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで

製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ

リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています

Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット

番号 デバイス パッケージタイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デート

コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938

9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939

9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940

9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946

10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952

注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で

きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています

40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい

Altera Corporation 18

MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品

MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ

れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの

各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施

されています

第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613

810E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 810E+07 113

Altera Corporation 19

MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい

ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供

給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています

第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922

977E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 977E+07 94

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152

Page 10: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 7

故障率の予測

アルテラでは故障率の予測に業界標準の手法を採用しています故障率は故障の時間に対する指数分布をベ

ースにして予測されます(一定の故障率を仮定)

前記のように寿命試験ではデバイスの故障を加速するために高い温度と電圧の条件が与えられ全体の加速係

数は単純に温度と電圧の加速係数の積になります

通常の使用条件での等価動作時間 = (寿命試験の時間)times(加速係数)

加速係数 = (温度の加速係数)times(電圧の加速係数)

温度と電圧の加速係数は標準的な計算式と公表されている加速係数を基準に算出されます加速係数はJEDEC発行

のドキュメントJEP122を基準にしたものとなっています加速係数の計算式は下記に示されており各故障モ

ードに対応した加速係数は表3の通りですアルテラではより薄い酸化膜(< 70Å)を使用したテクノロジ

への移行に伴って電圧による加速に対する「べき乗則」の依存性を観察してきました65nm以降のプロセス

テクノロジのゲート酸化膜への電圧加速には「べき乗則」モデルを採用しています

90nmまでのすべてのプロセスでは絶縁膜ブレークダウンの加速係数が 07eVになっています発表されている

論文では新しいプロセスにおける酸化膜ブレークダウンの熱活性化エレルギがこれまで言われていた03eVよ

りも高くなりその値が 03eVから 09eVの範囲になると報告されていますi ii

アルテラでは複数回の温度バ

ーイン試験のテスト結果から90nmまでのプロセスには 07eVが適用可能であることを確認しています65nm以

降のプロセスに対しては「べき乗則」に基づく異なる加速係数を採用しています

温度の加速係数を計算する場合は周囲温度ではなく接合温度が使用される必要があります接合温度はスト

レスを与えた条件での実際の消費電力およびターボビットをオンに設定した通常の使用条件での標準的な消

費電力を使用して算出されます(多くのアプリケーションではターボビットがオフに設定されるため実際の

消費電力はデータブックの Iccのカーブに示されているように大幅に低減され安全サイドになります)接合

温度は周囲温度またはケース温度の測定値と「Altera Device Package Information Data Sheet」に記載され

ている熱抵抗の値から算出されます熱抵抗の値は各製品のパッケージごとに規定されていますこの接合温

度の計算式は下記に示されている通りです

温度の加速係数の式を使用する場合は温度を次のように絶対温度に変換する必要があります

絶対温度=摂氏温度+ 273

Altera Corporation 8

表 3一般的な故障メカニズムと加速係数 iii

メカニズム 活性化エネルギ Ea( eV) 電圧指数係数

ゲート酸化膜のブレークダウン( ≧ 90nm) 07 γ =32中間絶縁膜層の欠陥 07 γ =20ビアのボイド (015 microm amp 013microm) 08 00 ビアのボイド (90nm amp 65nm) 10 00 シリコン接合部の欠陥 08 00 マスクの欠陥(ポリ拡散その他) 05 00 メタライゼーションの欠陥 05 00 Alのエレクトロマイグレーション 07 (Al-Si) 085 (Al-Cu) 電流密度依存性(1J2)Cuのエレクトロマイグレーション (013microm

FSG 絶縁膜)

08 電流密度依存性( 1J2)

Cuのエレクトロマイグレーション ( 90nm

および 65nm low-k絶縁膜)

09 電流密度依存性(1J)

汚染(表面およびバルク) 10 00 データ保持

チャージロス (EPROM) 06 00 チャージ放出 (FLASHと EEPROM

le 168時間)

11 00

SILC (FLASH と EEPROM gt 168 時間) 0 23 65nm以降のプロセスには異なる値を使用

故障率は次ページ以降のデータのように製品ファミリごとに計算されていますストレスが与えられた条件で

の累積動作時間は前述の加速係数を使用して通常の使用条件の動作時間に変換されますこの変換された動作

時間が強制空冷なしの55の周囲温度または70の接合温度Vccの標準値で動作した時間と等価となります

故障のメカニズムは不良解析によって判断されますストレスを与えた条件で観測された故障メカニズムに対

して前述の計算式と加速係数を使用して加速係数が計算されます2種類の故障メカニズムが確認された場合

はそれぞれの故障メカニズムごとに故障率を加算し全体の故障率を算出します故障が起こらなかった場合

は 低の加速係数を持つ故障メカニズムが故障レートの算出に使用されます

故障率はFIT(Failure In Time)数で表され1 FITは 10 9デバイス時間で1個が故障することを意味します

アルテラはJESD85(FIT数で表された故障率の計算方法)を使用して FIT数を計算しています

故障率はカイ2乗分布から算出され母集団から抜き取られた限定数の試験サンプルと不良が少数であることを

前提に 60の信頼度水準で予測されますカイ2乗値は要求される信頼度水準と自由度を使用してカイ2乗分

布表の逆数から算出されますiv また自由度はv = 2n+ 2として計算されここで nは確認された不良の数

になります故障率はカイ2乗の値を使用して下記の式から算出されます

ここで FIT数は 10 9times故障率となりMTTF(Mean Time to Failure)は指数分布に対して単純に故障率の逆数と

なります

Altera Corporation 9

寿命試験の結果

寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用

されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同

じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ

ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製

品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています

各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています

042ミクロンプロセスの FLEX製品

FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン

プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験

の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています

042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

パッケージ故障

等価時間

デート

コード

9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837

502E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182

Altera Corporation 10

03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの

電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ

クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ

らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています

03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801

295E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311

Altera Corporation 11

022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい

る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお

りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源

電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています

022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825

491E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186

Altera Corporation 12

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ

クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP

PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧

で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737

537E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171

Altera Corporation 13

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品

APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ

ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ

トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています

これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており

多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作

しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは

15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523

a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定

Altera Corporation 14

013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ

ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから

101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて

いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており

多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに

3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています

StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験

は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか

のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました

013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試

験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

ビアのボイド故障

等価時間

デート

コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713

7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743

7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743

8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831

7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701

8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831

9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925

9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919

9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907

9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925

9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901

9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907

7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707

7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719

7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719

8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807

8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841

9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942

7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701

8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817

8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843

9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911

9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913

7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701

7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748

8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826

8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832

8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825

8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827

8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838

8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825

958E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 15

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品

Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と

「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造

されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット

から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています

Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており

QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ

び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V

で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス

寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710

7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705

8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837

8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913

7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719

8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737

7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719

8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942

8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818

8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818

8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937

8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826

9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901

8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751

8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834

8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843

9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737

8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801

7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737

8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837

430E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 16

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ

リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス

は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお

りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと

414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい

ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で

動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803

540E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170

注 通常のアプリケーション Tj = 70

(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用

(ttf=toV^-nexp(EakT))

nおよび Eaの値は要求に応じて公表

Altera Corporation 17

40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで

製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ

リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています

Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット

番号 デバイス パッケージタイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デート

コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938

9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939

9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940

9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946

10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952

注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で

きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています

40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい

Altera Corporation 18

MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品

MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ

れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの

各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施

されています

第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613

810E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 810E+07 113

Altera Corporation 19

MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい

ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供

給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています

第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922

977E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 977E+07 94

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 11: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 8

表 3一般的な故障メカニズムと加速係数 iii

メカニズム 活性化エネルギ Ea( eV) 電圧指数係数

ゲート酸化膜のブレークダウン( ≧ 90nm) 07 γ =32中間絶縁膜層の欠陥 07 γ =20ビアのボイド (015 microm amp 013microm) 08 00 ビアのボイド (90nm amp 65nm) 10 00 シリコン接合部の欠陥 08 00 マスクの欠陥(ポリ拡散その他) 05 00 メタライゼーションの欠陥 05 00 Alのエレクトロマイグレーション 07 (Al-Si) 085 (Al-Cu) 電流密度依存性(1J2)Cuのエレクトロマイグレーション (013microm

FSG 絶縁膜)

08 電流密度依存性( 1J2)

Cuのエレクトロマイグレーション ( 90nm

および 65nm low-k絶縁膜)

09 電流密度依存性(1J)

汚染(表面およびバルク) 10 00 データ保持

チャージロス (EPROM) 06 00 チャージ放出 (FLASHと EEPROM

le 168時間)

11 00

SILC (FLASH と EEPROM gt 168 時間) 0 23 65nm以降のプロセスには異なる値を使用

故障率は次ページ以降のデータのように製品ファミリごとに計算されていますストレスが与えられた条件で

の累積動作時間は前述の加速係数を使用して通常の使用条件の動作時間に変換されますこの変換された動作

時間が強制空冷なしの55の周囲温度または70の接合温度Vccの標準値で動作した時間と等価となります

故障のメカニズムは不良解析によって判断されますストレスを与えた条件で観測された故障メカニズムに対

して前述の計算式と加速係数を使用して加速係数が計算されます2種類の故障メカニズムが確認された場合

はそれぞれの故障メカニズムごとに故障率を加算し全体の故障率を算出します故障が起こらなかった場合

は 低の加速係数を持つ故障メカニズムが故障レートの算出に使用されます

故障率はFIT(Failure In Time)数で表され1 FITは 10 9デバイス時間で1個が故障することを意味します

アルテラはJESD85(FIT数で表された故障率の計算方法)を使用して FIT数を計算しています

故障率はカイ2乗分布から算出され母集団から抜き取られた限定数の試験サンプルと不良が少数であることを

前提に 60の信頼度水準で予測されますカイ2乗値は要求される信頼度水準と自由度を使用してカイ2乗分

布表の逆数から算出されますiv また自由度はv = 2n+ 2として計算されここで nは確認された不良の数

になります故障率はカイ2乗の値を使用して下記の式から算出されます

ここで FIT数は 10 9times故障率となりMTTF(Mean Time to Failure)は指数分布に対して単純に故障率の逆数と

なります

Altera Corporation 9

寿命試験の結果

寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用

されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同

じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ

ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製

品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています

各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています

042ミクロンプロセスの FLEX製品

FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン

プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験

の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています

042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

パッケージ故障

等価時間

デート

コード

9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837

502E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182

Altera Corporation 10

03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの

電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ

クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ

らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています

03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801

295E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311

Altera Corporation 11

022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい

る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお

りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源

電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています

022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825

491E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186

Altera Corporation 12

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ

クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP

PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧

で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737

537E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171

Altera Corporation 13

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品

APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ

ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ

トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています

これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており

多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作

しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは

15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523

a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定

Altera Corporation 14

013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ

ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから

101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて

いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており

多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに

3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています

StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験

は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか

のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました

013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試

験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

ビアのボイド故障

等価時間

デート

コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713

7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743

7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743

8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831

7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701

8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831

9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925

9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919

9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907

9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925

9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901

9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907

7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707

7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719

7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719

8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807

8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841

9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942

7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701

8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817

8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843

9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911

9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913

7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701

7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748

8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826

8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832

8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825

8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827

8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838

8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825

958E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 15

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品

Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と

「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造

されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット

から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています

Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており

QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ

び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V

で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス

寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710

7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705

8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837

8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913

7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719

8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737

7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719

8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942

8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818

8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818

8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937

8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826

9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901

8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751

8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834

8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843

9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737

8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801

7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737

8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837

430E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 16

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ

リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス

は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお

りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと

414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい

ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で

動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803

540E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170

注 通常のアプリケーション Tj = 70

(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用

(ttf=toV^-nexp(EakT))

nおよび Eaの値は要求に応じて公表

Altera Corporation 17

40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで

製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ

リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています

Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット

番号 デバイス パッケージタイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デート

コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938

9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939

9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940

9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946

10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952

注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で

きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています

40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい

Altera Corporation 18

MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品

MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ

れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの

各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施

されています

第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613

810E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 810E+07 113

Altera Corporation 19

MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい

ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供

給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています

第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922

977E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 977E+07 94

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 12: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 9

寿命試験の結果

寿命試験の結果は製品ファミリごとにレポートされています異なるテクノロジで生産されたウェハーが使用

されている製品ファミリに対しては使用されるテクノロジごとに寿命試験の結果がレポートされています同

じ製品ファミリであれば使用されるコンフィギュレーションエレメントマクロセルプログラマブルイ

ンタコネクト部は同一です同じ製品ファミリ内のデバイス間で異なるのはそのサイズ(集積度)のみで各製

品ファミリはマクロセルまたはロジックエレメントの数が異なる3から 10種類のデバイスで構成されています

各製品ファミリの概要と使用されているプロセステクノロジが以下のセクションごとに記述されています

042ミクロンプロセスの FLEX製品

FLEX 8000FLEX 10Kおよび FLEX 6000ファミリの製品は同じプロセステクノロジを使用して042ミクロン

プロセスで製造されていますこのプロセステクノロジは3層のメタル配線を使用していますこの寿命試験

の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 60Vで実施されています

042ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

パッケージ故障

等価時間

デート

コード

9020001 EPF10K10 208 PQFP 125 44 1015 0 44660 613E+06 0901 6060008 EPF6016 144 TQFP 125 45 2000 0 90000 103E+07 0619 9070001 EPF8282A 84 PLCC 125 77 1000 0 77000 869E+06 0919 6040021 EPF8452A 100 TQFP 125 77 2000 0 154000 170E+07 0613 8040016 EPF81188A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 520E+06 0807 8090015 EPF81188A 208 PQFP 125 25 1000 0 25000 295E+06 0837

502E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

パッケージ不良(Ea=10C=0) 0 183 502E+07 182

Altera Corporation 10

03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの

電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ

クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ

らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています

03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801

295E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311

Altera Corporation 11

022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい

る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお

りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源

電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています

022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825

491E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186

Altera Corporation 12

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ

クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP

PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧

で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737

537E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171

Altera Corporation 13

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品

APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ

ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ

トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています

これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており

多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作

しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは

15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523

a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定

Altera Corporation 14

013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ

ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから

101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて

いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており

多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに

3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています

StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験

は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか

のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました

013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試

験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

ビアのボイド故障

等価時間

デート

コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713

7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743

7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743

8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831

7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701

8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831

9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925

9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919

9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907

9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925

9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901

9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907

7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707

7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719

7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719

8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807

8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841

9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942

7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701

8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817

8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843

9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911

9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913

7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701

7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748

8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826

8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832

8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825

8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827

8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838

8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825

958E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 15

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品

Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と

「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造

されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット

から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています

Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており

QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ

び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V

で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス

寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710

7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705

8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837

8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913

7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719

8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737

7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719

8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942

8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818

8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818

8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937

8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826

9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901

8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751

8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834

8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843

9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737

8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801

7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737

8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837

430E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 16

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ

リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス

は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお

りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと

414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい

ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で

動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803

540E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170

注 通常のアプリケーション Tj = 70

(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用

(ttf=toV^-nexp(EakT))

nおよび Eaの値は要求に応じて公表

Altera Corporation 17

40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで

製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ

リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています

Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット

番号 デバイス パッケージタイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デート

コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938

9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939

9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940

9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946

10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952

注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で

きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています

40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい

Altera Corporation 18

MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品

MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ

れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの

各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施

されています

第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613

810E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 810E+07 113

Altera Corporation 19

MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい

ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供

給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています

第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922

977E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 977E+07 94

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

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Page 13: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 10

03035 ミクロンプロセスの FLEX 製品 FLEX 10KAファミリと FLEX 6000Aファミリのデバイスは4層までのメタル配線をサポートしている03 035ミクロンプロセステクノロジで製造されていますこのプロセステクノロジで製造されるデバイスは 33Vの

電源電圧で動作しIOは 25Vと 50Vにも対応していますこれらのデバイスは 576個から 12160個のロジッ

クエレメント(LE)を内蔵しておりTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこれ

らのデバイスに対する寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも20高い 40Vで実施されています

03035 ミクロンプロセスの FLEXデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 8030008 EPF10K30A 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 169E+06 0801 6070016 EPF10K50A 356 BGA 125 25 2024 0 50600 367E+06 0625 9050005 EPF10K50V 356 BGA 125 25 1000 0 25000 152E+06 0913 7030015 EPF10K100A 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 263E+06 0707 7020016 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0701 8110008 EPF10K100A 356 BGA 125 25 1000 0 25000 151E+06 0837 9080008 EPF6016A 144 TQFP 125 45 1000 0 45000 311E+06 0932 7090007 EPF6016A 208 PQFP 125 45 1037 0 46665 364E+06 0731 6020038 EPF6024A 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 705E+06 0601 8020003 EPF6024A 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 314E+06 0801

295E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 295E+07 311

Altera Corporation 11

022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい

る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお

りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源

電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています

022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825

491E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186

Altera Corporation 12

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ

クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP

PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧

で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737

537E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171

Altera Corporation 13

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品

APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ

ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ

トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています

これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており

多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作

しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは

15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523

a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定

Altera Corporation 14

013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ

ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから

101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて

いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており

多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに

3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています

StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験

は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか

のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました

013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試

験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

ビアのボイド故障

等価時間

デート

コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713

7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743

7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743

8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831

7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701

8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831

9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925

9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919

9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907

9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925

9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901

9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907

7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707

7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719

7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719

8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807

8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841

9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942

7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701

8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817

8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843

9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911

9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913

7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701

7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748

8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826

8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832

8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825

8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827

8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838

8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825

958E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 15

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品

Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と

「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造

されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット

から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています

Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており

QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ

び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V

で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス

寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710

7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705

8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837

8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913

7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719

8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737

7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719

8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942

8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818

8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818

8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937

8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826

9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901

8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751

8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834

8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843

9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737

8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801

7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737

8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837

430E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 16

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ

リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス

は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお

りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと

414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい

ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で

動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803

540E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170

注 通常のアプリケーション Tj = 70

(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用

(ttf=toV^-nexp(EakT))

nおよび Eaの値は要求に応じて公表

Altera Corporation 17

40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで

製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ

リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています

Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット

番号 デバイス パッケージタイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デート

コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938

9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939

9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940

9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946

10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952

注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で

きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています

40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい

Altera Corporation 18

MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品

MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ

れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの

各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施

されています

第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613

810E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 810E+07 113

Altera Corporation 19

MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい

ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供

給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています

第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922

977E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 977E+07 94

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 14: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 11

022ミクロンプロセスの FLEXACEXおよび APEX製品 FLEX 10KEFLEX 10KSACEXおよび APEX 20Kファミリの各デバイスは5層までのメタル配線をサポートしてい

る 022ミクロンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 1728個から 16640個の LEを内蔵してお

りTQFPPQFPRQFPFBGABGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは25Vの電源

電圧で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 20高い 30Vで実施されています

022ミクロンプロセスのFLEXACEXおよび APEXデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9100008 EP20K100 356 BGA 125 25 1000 0 25000 457E+06 0931 7050043 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0713 9040003 EPF10K100E 208 PQFP 125 45 1000 0 45000 334E+06 0913 7030013 EPF10K100E 356 BGA 125 25 2124 0 53100 838E+06 0701 7070016 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1000 0 25000 395E+06 0719 7080004 EPF10K100E 356 BGA 125 25 1030 0 25750 407E+06 0725 6040019 EPF10K50S 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 127E+07 0601 7100004 EPF10K50S 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 345E+06 0737 8070010 EPF10K200S 240 RQFP 125 45 1000 0 45000 537E+06 0825

491E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

シリコンの欠陥(Ea=09) 0 183 491E+07 186

Altera Corporation 12

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ

クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP

PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧

で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737

537E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171

Altera Corporation 13

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品

APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ

ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ

トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています

これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており

多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作

しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは

15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523

a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定

Altera Corporation 14

013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ

ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから

101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて

いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており

多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに

3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています

StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験

は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか

のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました

013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試

験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

ビアのボイド故障

等価時間

デート

コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713

7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743

7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743

8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831

7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701

8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831

9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925

9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919

9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907

9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925

9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901

9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907

7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707

7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719

7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719

8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807

8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841

9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942

7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701

8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817

8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843

9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911

9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913

7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701

7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748

8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826

8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832

8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825

8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827

8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838

8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825

958E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 15

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品

Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と

「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造

されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット

から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています

Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており

QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ

び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V

で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス

寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710

7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705

8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837

8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913

7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719

8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737

7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719

8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942

8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818

8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818

8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937

8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826

9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901

8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751

8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834

8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843

9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737

8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801

7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737

8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837

430E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 16

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ

リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス

は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお

りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと

414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい

ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で

動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803

540E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170

注 通常のアプリケーション Tj = 70

(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用

(ttf=toV^-nexp(EakT))

nおよび Eaの値は要求に応じて公表

Altera Corporation 17

40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで

製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ

リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています

Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット

番号 デバイス パッケージタイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デート

コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938

9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939

9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940

9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946

10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952

注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で

きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています

40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい

Altera Corporation 18

MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品

MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ

れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの

各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施

されています

第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613

810E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 810E+07 113

Altera Corporation 19

MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい

ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供

給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています

第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922

977E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 977E+07 94

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 15: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 12

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury 製品 APEX 20KEExcaliburおよび Mercuryファミリのデバイスは8層までのメタル配線をサポートしている 018ミ

クロンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 4160個から 42240個の LEを内蔵しておりTQFP

PQFPRQFPFBGABGAPGAの各パッケージで供給されていますこのプロセステクノロジは 18Vの電源電圧

で動作しますこれらの製品の寿命試験の電源電圧は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されています

018 ミクロンプロセスのAPEXExcalibur および Mercury デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9030002 EP20K160E 240 PQFP 125 45 1000 0 45000 220E+06 0907 6020042 EP20K200E 240 PQFP 125 45 2000 0 90000 465E+06 0601 6010036 EP20K200E 356 BGA 125 25 1508 0 37700 292E+06 0601 7030014 EP20K200E 356 BGA 125 25 2085 0 52125 404E+06 0701 7080015 EP20K200E 356 BGA 125 25 1032 0 25800 200E+06 0731 8090005 EP20K200E 356 BGA 125 25 1016 0 25400 207E+06 0825 6110044 EP20K200E 484 FBGA 125 25 2000 0 50000 243E+06 0637 7060007 EP20K300E 652 BGA 125 25 1029 0 25725 217E+06 0719 7090003 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1015 0 25375 208E+06 0731 8080013 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1027 0 25675 298E+06 0825 9090020 EP20K300E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 290E+06 0925 7040002 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 7040003 EP20K400E 652 BGA 125 25 2000 0 50000 314E+06 0709 6080045 EP20K400E 672 FBGA 125 25 2017 0 50425 226E+06 0625 9060011 EP20K400E 672 FBGA 125 25 1063 0 26575 119E+06 0919 7030028 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1005 0 25125 235E+06 0707 8070030 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1043 0 26075 229E+06 0829 8100014 EP20K600E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 235E+06 0837 7120025 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1000 0 25000 228E+06 0748 8080026 EP20K600E 1020 FBGA 125 25 1020 0 25500 215E+06 0832 8110026 EP20K1000E 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 784E+05 0843 7100001 EP20K1000E 1020 FBGA 125 25 2003 0 50075 133E+06 0737

537E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜の欠陥 0 183 537E+07 171

Altera Corporation 13

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品

APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ

ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ

トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています

これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており

多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作

しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは

15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523

a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定

Altera Corporation 14

013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ

ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから

101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて

いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており

多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに

3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています

StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験

は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか

のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました

013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試

験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

ビアのボイド故障

等価時間

デート

コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713

7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743

7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743

8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831

7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701

8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831

9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925

9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919

9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907

9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925

9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901

9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907

7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707

7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719

7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719

8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807

8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841

9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942

7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701

8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817

8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843

9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911

9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913

7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701

7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748

8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826

8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832

8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825

8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827

8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838

8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825

958E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 15

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品

Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と

「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造

されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット

から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています

Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており

QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ

び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V

で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス

寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710

7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705

8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837

8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913

7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719

8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737

7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719

8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942

8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818

8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818

8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937

8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826

9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901

8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751

8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834

8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843

9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737

8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801

7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737

8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837

430E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 16

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ

リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス

は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお

りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと

414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい

ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で

動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803

540E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170

注 通常のアプリケーション Tj = 70

(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用

(ttf=toV^-nexp(EakT))

nおよび Eaの値は要求に応じて公表

Altera Corporation 17

40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで

製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ

リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています

Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット

番号 デバイス パッケージタイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デート

コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938

9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939

9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940

9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946

10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952

注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で

きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています

40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい

Altera Corporation 18

MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品

MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ

れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの

各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施

されています

第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613

810E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 810E+07 113

Altera Corporation 19

MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい

ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供

給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています

第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922

977E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 977E+07 94

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

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Page 16: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 13

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercury製品

APEX 20KCAPEX IIおよび Mercuryファミリの各デバイスは8層までの銅配線をサポートしている 015ミクロ

ンのプロセスで製造されていますこれらのデバイスは8320個から67200個までのLEと106Kビットから11Mビッ

トまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されています

これらのデバイスは 1 Gbpsの LVDS IOやクロック -データシンクロナイゼーション機能などを提供しており

多様な高速メモリとのインタフェースもサポートしていますAPEX 20KC製品ファミリは 18Vの電源電圧で動作

しこれらの寿命試験は標準電圧よりも 25高い 23Vで実施されていますまたAPEX II製品ファミリは

15Vで動作し寿命試験はこれより20高い 18Vで実施されています

015ミクロンプロセスの APEXおよび Mercuryデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 4050009 EP20K400C 652 BGA 125 25 2003 0 50075 823E+07 0407 5100028 EP20K400C 652 BGA 125 25 2012 0 50300 827E+07 0513 7040004 EP20K400C 652 BGA 125 25 1000 0 25000 411E+07 0707 7050045 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 1 a 25000 437E+07 0713 9020002 EP20K400C 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 513E+07 0901 4090025 EP2A15 672 FBGA 125 25 2002 0 50050 856E+07 0425 387E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

絶縁膜のブレークダウン 1 404 387E+08 523

a - localline_speed の不良 168 時間後 不良解析で欠陥の特定に至らず 酸化膜の欠陥と推定

Altera Corporation 14

013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ

ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから

101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて

いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており

多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに

3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています

StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験

は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか

のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました

013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試

験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

ビアのボイド故障

等価時間

デート

コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713

7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743

7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743

8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831

7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701

8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831

9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925

9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919

9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907

9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925

9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901

9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907

7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707

7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719

7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719

8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807

8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841

9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942

7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701

8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817

8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843

9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911

9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913

7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701

7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748

8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826

8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832

8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825

8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827

8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838

8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825

958E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 15

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品

Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と

「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造

されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット

から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています

Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており

QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ

び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V

で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス

寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710

7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705

8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837

8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913

7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719

8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737

7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719

8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942

8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818

8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818

8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937

8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826

9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901

8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751

8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834

8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843

9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737

8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801

7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737

8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837

430E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 16

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ

リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス

は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお

りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと

414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい

ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で

動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803

540E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170

注 通常のアプリケーション Tj = 70

(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用

(ttf=toV^-nexp(EakT))

nおよび Eaの値は要求に応じて公表

Altera Corporation 17

40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで

製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ

リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています

Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット

番号 デバイス パッケージタイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デート

コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938

9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939

9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940

9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946

10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952

注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で

きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています

40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい

Altera Corporation 18

MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品

MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ

れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの

各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施

されています

第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613

810E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 810E+07 113

Altera Corporation 19

MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい

ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供

給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています

第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922

977E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 977E+07 94

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

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Page 17: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 14

013 ミクロンプロセスの StratixStratix GXCyclone および HardCopy 製品 StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは9層までの銅配線をサポートしている 013ミクロ

ンプロセスで製造されていますこれらのデバイスは 2910個から 79040個のLEおよび 59Kビットから

101Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しておりFBGAQFPBGAFlipChip FBGAの各パッケージで供給されて

いますStratixデバイスはDSPブロックやクロック -データシンクロナイゼーション機能を提供しており

多様な高速メモリインタフェースもサポートしていますStratix GXデバイスにはStratixデバイスに

3125Gbpsの IOが追加されていますCycloneデバイスは低コストのロジックエレメントに 適化されています

StratixStratix GXCycloneおよび HardCopyデバイスは 15Vの電源電圧で動作しこれらの製品の寿命試験

は標準電圧よりも 20高い 18Vで実施されています絶対 大定格以下の接合温度を維持するためいくつか

のデバイスではこの寿命試験を100で実施しました

013 ミクロンプロセスのStratixStratix GXCyclone およびHardCopy デバイス寿命試

験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

ビアのボイド故障

等価時間

デート

コード 7040008 EP1C3 144 TQFP 125 77 1009 0 77693 385E+06 0713

7110021 EP1C4 324 FBGA 125 97 2055 0 199335 100E+07 0743

7110025 EP1C4 324 FBGA 125 98 2055 0 201390 101E+07 0743

8110001 EP1C4 324 FBGA 125 77 1016 0 78232 443E+06 0831

7020023 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 403E+06 0701

8090002 EP1C6 144 TQFP 125 77 1024 0 78848 450E+06 0831

9050010 EP1C6 144 TQFP 125 24 1000 0 24000 137E+06 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 440E+06 0925

9060004 EP1C12 324 FBGA 125 75 1000 0 75000 412E+06 0919

9070024 EP1C12 324 FBGA 125 25 1000 0 25000 137E+06 0907

9080002 EP1C12 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 423E+06 0925

9020006 EP1C20 324 FBGA 125 77 1000 0 77000 568E+06 0901

9030006 EP1S10 672 FBGA 100 25 1033 0 25825 279E+05 0907

7040001 EP1S25 672 FBGA 125 25 2001 0 50025 459E+06 0707

7060002 EP1S25 672 FBGA 125 25 1001 0 25025 319E+06 0719

7060015 EP1S25 672 FBGA 125 25 1009 0 25225 222E+06 0719

8030020 EP1S25 672 FBGA 125 25 1000 0 25000 176E+06 0807

8100015 EP1S25 672 FBGA 100 25 1001 0 25025 368E+05 0841

9100030 EP1S25 672 FBGA 100 25 1000 0 25000 367E+05 0942

7010036 EP1S25 780 FBGA 125 24 1000 0 24000 199E+06 0701

8060015 EP1S25 1020 FBGA 125 57 1011 0 57627 372E+06 0817

8110021 EP1S30 780 FBGA 100 24 1000 0 24000 301E+05 0843

9030008 EP1S40 1020 FBGA 125 29 1058 0 30682 244E+06 0911

9030007 EP1S40 1508 FBGA 125 29 2027 0 58783 447E+06 0913

7030003 EP1S60 1020 FBGA 125 25 1011 0 25275 252E+06 0701

7120024 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1006 0 23138 259E+06 0748

8070017 EP1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 220E+06 0826

8080021 EP1S60 1020 FBGA 125 23 1002 0 23046 160E+06 0832

8070008 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1000 0 25000 575E+05 0825

8070027 EP1S80 1508 FBGA 100 25 1004 0 25100 610E+05 0827

8090026 EP1S80 1508 FBGA 100 24 1045 0 25080 465E+05 0838

8080002 HC1S60 1020 FBGA 125 24 1000 0 24000 144E+06 0825

958E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

ビアボイド故障(Ea=08) 0 183 958E+07 96

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 15

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品

Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と

「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造

されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット

から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています

Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており

QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ

び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V

で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス

寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710

7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705

8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837

8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913

7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719

8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737

7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719

8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942

8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818

8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818

8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937

8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826

9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901

8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751

8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834

8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843

9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737

8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801

7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737

8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837

430E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 16

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ

リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス

は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお

りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと

414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい

ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で

動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803

540E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170

注 通常のアプリケーション Tj = 70

(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用

(ttf=toV^-nexp(EakT))

nおよび Eaの値は要求に応じて公表

Altera Corporation 17

40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで

製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ

リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています

Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット

番号 デバイス パッケージタイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デート

コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938

9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939

9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940

9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946

10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952

注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で

きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています

40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい

Altera Corporation 18

MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品

MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ

れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの

各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施

されています

第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613

810E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 810E+07 113

Altera Corporation 19

MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい

ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供

給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています

第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922

977E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 977E+07 94

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in

Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo

33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-

31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of

freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon

E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS

pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic

Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd

Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated

Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50

1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature

Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1

2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics

Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152

Page 18: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 15

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II製品

Stratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX および HardCopy IIの各製品は9層までの銅配線と

「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシリコンをサポートしている 90nmプロセステクノロジで製造

されていますStratixIIおよび Statix II GXファミリデバイスは6240個から 71760 個のALM419Kビット

から 94Mビットまでのエンベデッド RAMを内蔵しておりFlipChip FBGAパッケージで供給されています

Cyclone IIは4608個から68416 個の LE119Kビットから 11Mビットのエンベデッド RAMを内蔵しており

QFPFBGAUBGAの各パッケージで供給されていますStratix IIStratix II GXCyclone II Arria GX およ

び HardCopy II ファミリの製品は 12Vの電源電圧で動作しこれらの寿命試験は標準電圧より 20高い 144V

で実施されています寿命試験は絶対 大定格以内の条件を維持するため125の接合温度で実施されています

90nmプロセスの Stratix IIStratix II GXCyclone IIArria GXおよび HardCopy II デバイス

寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 125 25 2035 0 217E+06 0710

7050022 EP2C8 256 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0705

8100002 EP2C8 256 FBGA 125 25 1071 0 114E+06 0837

8040022 EP2C35 672 FBGA 125 24 1013 0 104E+06 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA 125 77 1006 0 330E+06 0913

7060018 EP2C50 672 FBGA 125 23 2006 0 197E+06 0719

8020002 EP2C50 672 FBGA 125 24 1001 0 102E+06 0737

7060016 EP2C70 672 FBGA 125 24 2012 0 206E+06 0719

8080029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1021 0 109E+06 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA 125 25 1037 0 110E+06 0942

8050014 EP2S30 672 FBGA 125 31 1004 0 133E+06 0818

8050015 EP2S30 672 FBGA 125 62 1004 0 265E+06 0818

8060016 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1008 0 107E+06 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA 125 25 2000 0 213E+06 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA 125 25 1086 0 116E+06 0937

8070018 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1004 0 107E+06 0826

9010010 EP2S130 1020 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0901

8010015 EP2S130 1508 FBGA 125 22 1000 0 937E+05 0751

8080017 EP2S130 1508 FBGA 125 25 1001 0 107E+06 0834

8110022 EP2S130 1508 FBGA 125 23 2047 0 201E+06 0843

9040029 EP2S130 1508 FBGA 125 24 1004 0 103E+06 0913

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA 125 25 1074 0 114E+06 0931

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA 125 24 2001 0 205E+06 0737

8020004 HC210 484 FBGA 125 80 1000 0 341E+06 0801

7100039 HC230 1020 FBGA 125 22 2001 0 188E+06 0737

8110011 HC230 1020 FBGA 125 24 2004 0 205E+06 0837

430E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 213

注通常のアプリケーション Tj = 70

Altera Corporation 16

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ

リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス

は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお

りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと

414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい

ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で

動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803

540E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170

注 通常のアプリケーション Tj = 70

(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用

(ttf=toV^-nexp(EakT))

nおよび Eaの値は要求に応じて公表

Altera Corporation 17

40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで

製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ

リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています

Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット

番号 デバイス パッケージタイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デート

コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938

9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939

9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940

9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946

10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952

注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で

きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています

40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい

Altera Corporation 18

MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品

MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ

れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの

各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施

されています

第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613

810E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 810E+07 113

Altera Corporation 19

MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい

ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供

給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています

第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922

977E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 977E+07 94

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 19: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 16

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III 製品 Stratix IIIと Cyclone IIIの各製品は9層までの銅配線と「Low-k」材料および1層のサリサイドポリシ

リコンをサポートしている 6560nmプロセステクノロジで製造されていますStratix IIIファミリのデバイス

は475K個から 3375K個までの LEとトータルで 2430Kビットから 20491Kビットまでのメモリを内蔵してお

りFlipChipFBGAパッケージで供給されていますCyclone IIIデバイスは5136個から 119088個までの LEと

414Kビットから 3888Kビットまでのメモリを内蔵しておりQFPFBGAおよび UBGAパッケージで供給されてい

ますStratixIIIファミリの製品は 11Vの電源電圧で動作しCyclone IIIファミリの製品は 12Vの電源電圧で

動作しますこれらの寿命試験は標準電圧より20高い132Vおよび144Vの電圧でそれぞれ実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

6560nmプロセスの Stratix III および Cyclone III デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

中間絶縁膜故障

等価時間

デート

コード 9090042 EP3C25 144 EQFP 125 77 1019 0 78463 334E+06 0741 8010008 EP3C25 256 FBGA 125 12 1000 0 12000 511E+05 0802 7050022 EP3C25 256 FBGA 125 10 1000 0 10000 426E+05 0741 7090020 EP3C25 256 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0739 7050011 EP3C25 256 FBGA 125 20 1000 0 20000 852E+05 0713 7100025 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0741 7110044 EP3C25 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 319E+06 0748 8080014 EP3C25 256 FBGA 125 25 1002 0 25050 107E+06 0831 9050016 EP3C25 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 328E+06 0913 7080024 EP3C120 780 FBGA 125 24 2000 0 48000 204E+06 0732 7110017 EP3C120 780 FBGA 125 77 2000 0 154000 656E+06 0740 9010016 EP3C120 780 FBGA 125 25 1061 0 26525 113E+06 0903 9090022 EP3C120 780 FBGA 125 43 1001 0 43043 183E+06 0937 9090023 EP3C120 780 FBGA 125 44 1001 0 44044 188E+06 0937 9070009 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0916 9070010 EP3CLS200 780 FBGA 125 35 3004 0 105140 448E+06 0925 8040010 EP3SE260 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0812 9040010 EP3SL110 1152 FBGA 125 25 1000 0 25000 102E+06 0912 7100030 EP3SL150 1152 FBGA 125 22 1000 0 22000 900E+05 0736 8040005 EP3SL150 1152 FBGA 125 39 2000 0 78000 319E+06 0802 8020010 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 1000 0 40000 164E+06 0806 8030004 EP3SL150 1152 FBGA 125 40 2000 0 80000 327E+06 0805 8050004 EP3SL150 1152 FBGA 125 37 1000 0 37000 151E+06 0805 8110029 EP3SL150 1152 FBGA 125 24 1010 0 24240 992E+05 0842 9040015 EP3SL200 1152 FBGA 125 25 1001 0 25025 102E+06 0907 8030014 EP3SL340 1517 FBGA 125 23 2000 0 46000 188E+06 0803

540E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

中間絶縁膜のブレークダウン(Ea=07) 0 183 540E+07 170

注 通常のアプリケーション Tj = 70

(1)酸化膜の薄いデバイスには「べき乗則」TDDBモデルを使用

(ttf=toV^-nexp(EakT))

nおよび Eaの値は要求に応じて公表

Altera Corporation 17

40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで

製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ

リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています

Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット

番号 デバイス パッケージタイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デート

コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938

9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939

9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940

9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946

10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952

注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で

きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています

40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい

Altera Corporation 18

MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品

MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ

れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの

各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施

されています

第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613

810E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 810E+07 113

Altera Corporation 19

MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい

ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供

給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています

第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922

977E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 977E+07 94

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 20: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 17

40 nmプロセスの Stratix IV および Arria II GX 製品 Stratix IV ファミリの製品は11層までの銅配線および 1層の Al再配置層をサポートしている 40nm プロセスで

製造されていますStratix IV ファミリデバイスは 大 820K までの LE231M ビットのエンベデッドメモ

リおよび 大 1288個の 18 x 18乗算器を内蔵しておりFlipChip パッケージで供給されています

Stratix IV GX ファミリの製品は 09Vの電源電圧で動作します寿命試験は Vcc の 11倍で実施されています

これらの寿命試験では実際にクロック動作させる様にコンフィギュレーションを行ったダイナミックな寿命試験

が採用され絶対 大定格以内の条件を維持するために125の接合温度で実施されています

40 nm プロセスの Stratix IV GX寿命試験の暫定結果 評価ロット

番号 デバイス パッケージタイプ

接合温度

Tj () 試験数 試験時間 不良数

デート

コード 9090041 EP4SGX230 1517 FBGA 125 29 1284 0 0938

9100001 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 1004 0 0939

9100005 EP4SGX230 1517 FBGA 125 30 2066 0 0940

9120003 EP4SGX290 1517 FBGA 125 27 1092 0 0946

10010020 EP4SGX530 1517 FBGA 125 29 1078 0 0952

注テスト済みのロット数が限られているため今回の信頼性レポートでは統計的に有意な FITレートが提供で

きません信頼性試験を継続していますアルテラは 25以下の FITレートを目標としています

40nm 製品の 新データについては販売代理店または日本アルテラ株式会社にお問い合わせ下さい

Altera Corporation 18

MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品

MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ

れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの

各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施

されています

第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613

810E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 810E+07 113

Altera Corporation 19

MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい

ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供

給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています

第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922

977E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 977E+07 94

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo

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Page 21: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 18

MAX 7000Sおよび MAX 9000 ― 第3世代品

MAX 7000Sファミリと MAX 9000ファミリのデバイスは05ミクロンの3層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造さ

れていますこれらのデバイスは32個から560個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPRQFPBGAの

各パッケージで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い60Vで実施

されています

第3世代の MAX 7000S および MAX 9000デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6110045 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1126 0 86702 445E+06 0643 7010011 EPM7032S 44 PLCC 125 76 2000 0 152000 505E+06 0637 9040002 EPM7032S 44 PLCC 125 77 1055 0 81235 434E+06 0907 7050030 EPM7032 44 PQFP 125 77 1053 0 81081 535E+06 0707 6050029 EPM7064S 44 TQFP 125 77 2020 0 155540 133E+07 0619 7070003 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1023 0 78771 126E+07 0719 8010013 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 711E+06 0749 9100028 EPM7064S 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 660E+06 0937 6050032 EPM7064S 100 TQFP 125 76 2020 0 153520 106E+07 0613 6040022 EPM7160S 84 PLCC 125 67 2000 0 134000 116E+07 0613

810E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 810E+07 113

Altera Corporation 19

MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい

ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供

給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています

第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922

977E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 977E+07 94

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 22: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 19

MAX 7000AおよびMAX 3000A ― 第4世代品 MAX 7000Aおよび MAX 3000Aファミリのデバイスは03 035ミクロンの CMOS EEPROMプロセスで製造されてい

ますこのプロセスは 大4層までのメタル配線をサポートしており33Vの電源電圧で動作しますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPPQFPBGAFBGAの各パッケージで供

給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 40Vで実施されています

第4世代の MAX 7000Aおよび MAX 3000Aデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 8080004 EPM3128A 100 TQFP 125 76 1000 0 76000 625E+06 0825 8110004 EPM3512A 208 PQFP 125 44 1000 0 44000 109E+06 0837 6020041 EPM7032AE 44 TQFP 125 76 2071 0 157396 103E+07 0601 8030009 EPM7064AE 44 TQFP 125 77 1000 0 77000 749E+06 0801 7010024 EPM7064AE 100 TQFP 125 77 1000 0 77000 764E+06 0701 9010009 EPM7064AE 100 TQFP 125 232 2000 0 464000 296E+07 0851 7050049 EPM7128AE 100 TQFP 125 75 1044 0 78300 492E+06 0719 8010017 EPM7256AE 144 TQFP 125 25 1000 0 25000 168E+06 0801 9010008 EPM7256AE 144 TQFP 125 274 1000 0 274000 184E+07 0851 6040013 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0607 6060028 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2000 0 90000 226E+06 0613 7010006 EPM7256AE 208 PQFP 125 45 2012 0 90540 226E+06 0643 7030027 EPM7256AE 208 PQFP 125 43 1012 0 43516 173E+06 0701 7120028 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1024 0 25600 894E+05 0743 9050031 EPM7512AE 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 888E+05 0922

977E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 977E+07 94

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 23: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 20

MAX 7000B ― 第5世代品 MAX 7000Bファミリのデバイスは022ミクロンの 4層メタル CMOS EEPROMプロセスで製造されていますこれら

のデバイスは 32個から 512個のマクロセルを内蔵しておりPLCCTQFPUBGAPQFPFBGABGAの各パッケー

ジで供給されていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高い 30Vで実施されてい

ます

第5世代の MAX 7000デバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 7100002 EPM7256B 144 TQFP 125 44 1016 0 44704 342E+06 0737 6070028 EPM7256B 169 UBGA 125 45 2000 0 90000 455E+06 0619 8070001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0819 9080001 EPM7256B 256 FBGA 125 25 1000 0 25000 390E+06 0919 6100022 EPM7512B 256 FBGA 125 22 2000 0 44000 358E+06 0613 7090012 EPM7512B 256 FBGA 125 45 1049 0 47205 690E+06 0731

262E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 262E+07 349

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152

Page 24: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 21

MAX II ― 018 ミクロン FLASHプロセス品 これらの MAX IIデバイスは8インチの 018ミクロン CMOS FLASHメモリプロセステクノロジで製造されて

いますMAX IIファミリには6層までメタル配線が使用されていますこれらの製品には 240個から 2210個の

LEが内蔵されておりTQFPおよび FBGAパッケージで供給されていますMAX IIデバイスは 33Vの電源電圧で動

作し寿命試験は396Vで実施されていますMAXIIGとMAXIIZデバイスは18Vの電源電圧で動作し寿命試験は

216Vで実施されています両デバイスとも寿命試験の電源電圧は標準電圧より20高く設定されています

MAX II デバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 9100012 EPM570 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 555E+06 0937 9090007 EPM570 256 FBGA 125 75 1000 0 75000 336E+06 0931 7090018 EPM1270 144 TQFP 125 77 1005 0 77385 335E+06 0731 9050008 EPM1270 144 TQFP 125 77 1000 0 77000 334E+06 0913 7010033 EPM1270 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 334E+06 0701 8090003 EPM1270 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 369E+06 0825 7100020 EPM2210 256 FBGA 125 77 1045 0 80465 336E+06 0731 8100001 EPM2210 256 FBGA 125 77 1000 0 77000 387E+06 0837 9020008 EPM2210 256 FBGA 125 76 1000 0 76000 382E+06 0901 8010019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0802 8040011 EPM240Z 100 MBGA 125 75 3026 0 226950 429E+06 0813 8100004 EPM240Z 100 MBGA 125 77 2012 0 154924 363E+06 0837 8100019 EPM240Z 100 MBGA 125 76 2000 0 152000 357E+06 0842 9100011 EPM240Z 100 MBGA 125 77 1000 0 77000 285E+06 0925 8050010 EPM570Z 100 MBGA 125 76 2080 0 158080 363E+06 0819 8110025 EPM570Z 100 MBGA 125 75 2001 0 150075 352E+06 0846

587E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 587E+07 156

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in

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31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of

freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon

E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS

pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic

Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd

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Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50

1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature

Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1

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Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152

Page 25: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 22

コンフィグレーションデバイス ― EPROM

これらの EPROM コンフィグレーションデバイスは05 ミクロンの 2層メタル CMOS EPROMプロセスで製造され

ていますこれらのデバイスのうち試作用の窓つきのハーメティックパッケージで出荷されている製品は UV

イレーサブルとなっていますこれらのデバイスの寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い 60Vで実施さ

れています

第3世代のクラシック及びコンフィグレーションデバイス寿命試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6050016 EPC1 20 PLCC 125 77 2190 0 168630 703E+06 0613 7110015 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0743 8100011 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 334E+06 0831 9040001 EPC1 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 370E+06 0907 7020019 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 321E+06 0701 8010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 363E+06 0749 9010014 EPC1441 20 PLCC 125 77 1000 0 77000 348E+06 0901

276E+07

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 276E+07 332

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo

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31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of

freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon

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Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152

Page 26: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 23

コンフィギュレーションデバイス ― Flashメモリ品

EPC2コンフィギュレーションデバイスは04ミクロンの2層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造され

ていますまたEPC4EPC8EPC16はスタックダイ構造にしたコンフィギュレーションデバイスとなってお

りコントローラ部のダイは 035ミクロンの2層メタル CMOSロジックプロセスメモリ部のダイは 013ミク

ロンの3層メタル CMOS Flashメモリプロセスで製造されていますこれらのデバイスは電気的な消去が可能

です寿命試験の電源電圧は標準電圧より 20高い値で実施されておりEPC2に対しては60VEPC16に対しては

40Vに設定されています

Flashメモリデバイス寿命試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 周囲温度 試験数 試験時間 不良数

デバイス

時間

データ保持故障

等価時間

デート

コード 6060009 EPC2 20 PLCC 125 77 2024 0 155848 135E+07 0619 6090017 EPC2 20 PLCC 125 77 2054 0 158158 136E+07 0625 7040006 EPC2 20 PLCC 125 74 1053 0 77922 123E+07 0707 8040003 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 163E+07 0807 9070002 EPC2 20 PLCC 125 76 1000 0 76000 130E+07 0919 7070030 EPC16 88 UBGA 125 77 1034 0 79618 128E+07 0725 8070005 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0819 8080016 EPC16 88 UBGA 125 77 1000 0 77000 133E+07 0831

108E+08

活性化エネルギー故障メカニズム 不良数 カイ 2 乗値 等価時間 FIT 数

データ保持不良 0 183 108E+07 849

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo

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Page 27: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 24

高温保存試験

高温保存試験は150またはそれ以上の高温で実施されますこの試験で与えられるストレスはすべての製品

ファミリにおいて金属間生成物が形成されることが原因で発生するボンディング不良や不揮発性メモリエレメ

ントのデータ保持不良を検出します不揮発性メモリエレメントの電荷保持能力は高い信頼性を確保する上

で非常に重要です不揮発性のコンフィギュレーションエレメントであるフローティングゲートからのチャ

ージのリークはアルテラの各デバイス内部に組み込まれているマージンテストモードで測定されます

EPROMやEEPROMセルにおけるチャージロスのメカニズムについては 終ページに示されている論文でわか

りやすく解説されていますv vi

高温保存試験の結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0710

7040008 EP1C3 144 TQFP 150 77 2023 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0815

8110001 EP1C4 324 FBGA 150 77 2017 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP 150 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP 150 25 2000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP 150 52 2000 0 013micro SRAM 0918

8010010 EP1C12 240 PQFP 150 24 1507 0 013micro SRAM 0749

9070024 EP1C12 324 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9020006 EP1C20 324 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0901

9080009 EP1C20 400 FBGA 150 77 2000 0 013micro SRAM 0931

9030006 EP1S10 672 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0907

8030020 EP1S25 672 FBGA 150 25 2008 0 013micro SRAM 0807

9030017 EP1S25 672 FBGA 150 24 2000 0 013micro SRAM 0912

8110021 EP1S30 780 FBGA 150 25 2005 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA 150 25 2000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA 150 24 2010 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA 150 25 2007 0 013micro SRAM 0826

8070008 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2004 0 013micro SRAM 0825

8090026 EP1S80 1508 FBGA 150 25 2021 0 013micro SRAM 0838

7030022 EP1SGX25 1020 FBGA 150 25 1000 0 013micro SRAM 0701

7100012 EP20K100 144 TQFP 150 77 2076 0 022micro SRAM 0737

8120009 EP20K160E 144 TQFP 150 25 2000 0 018micro SRAM 0901

9020002 EP20K400C 672 FBGA 150 25 2000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA 150 25 2013 0 018micro SRAM 0709

8070030 EP20K600E 672 FBGA 150 24 2000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA 150 25 2000 0 018micro SRAM 0832

9070013 EP2AGX125 780 FBGA 150 22 2011 0 40 nm SRAM 0929

9080006 EP2AGX125 780 FBGA 150 24 2024 0 40 nm SRAM 0933

9090013 EP2AGX125 780 FBGA 150 21 2073 0 40 nm SRAM 0937

8090029 EP2C5 144 TQFP 150 77 2097 0 009micro SRAM 0837

8070028 EP2C8 208 PQFP 150 77 2000 0 009micro SRAM 0825

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 28: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 25

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8100002 EP2C8 256 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0837

8030010 EP2C20 256 FBGA 150 77 2061 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA 150 77 2000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA 150 25 2005 0 009micro SRAM 0831

8080001 EP2S30 484 FBGA 150 25 2044 0 009micro SRAM 0825

9020005 EP2S90 1020 FBGA 150 25 2003 0 009micro SRAM 0901

8070018 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA 150 25 2000 0 009micro SRAM 0825

8080017 EP2S130 1508 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA 150 23 2002 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA 150 25 2035 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA 150 22 2001 0 009micro SRAM 0843

8070019 EP3C10 164 MBGA 150 23 2004 0 65 nm SRAM 0829

8080003 EP3C25 144 EQFP 150 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

8080014 EP3C25 256 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0831

9050016 EP3C25 256 FBGA 150 77 2002 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0903

9090022 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA 150 45 2004 0 60 nm SRAM 0937

9070009 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3007 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA 150 45 3003 0 60 nm SRAM 0925

9080011 EP3SE50 780 FBGA 150 25 2001 0 65 nm SRAM 0925

8050006 EP3SE110 1152 FBGA 150 40 2500 0 65 nm SRAM 0809

8040013 EP3SE260 1152 FBGA 150 26 3052 0 65 nm SRAM 0812

9040010 EP3SL110 1152 FBGA 150 25 2002 0 65 nm SRAM 0912

8010022 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3012 0 65 nm SRAM 0801

8020010 EP3SL150 1152 FBGA 150 31 3017 0 65 nm SRAM 0806

8030011 EP3SL150 1152 FBGA 150 27 3008 0 65 nm SRAM 0805

8110029 EP3SL150 1152 FBGA 150 25 2000 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA 150 25 2004 0 65 nm SRAM 0907

8030002 EP3SL340 1517 FBGA 150 25 3060 0 65 nm SRAM 0803

9030010 EP4SGX230 1152 FBGA 150 28 3024 0 40 nm SRAM 0904

9060033 EP4SGX230 1517 FBGA 150 50 1158 0 40 nm SRAM 0923

9060035 EP4SGX530 1517 HBGA 150 50 3094 0 40 nm SRAM 0922

9040001 EPC1 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC 150 45 2000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC 150 45 2000 0 04micro FLASH 0919

9050009 EPC4 100 PQFP 150 45 2000 0 035μ FLASH 0910

8070005 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0819

8080016 EPC16 88 UBGA 150 45 2000 0 035μ FLASH 0831

9050030 EPF10K100E 256 FBGA 150 25 2017 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP 150 25 1000 0 022micro SRAM 0913

8040021 EPF10K50A 240 PQFP 150 25 1004 0 03micro SRAM 0813

8090015 EPF81188A 208 PQFP 150 25 2000 0 042micro SRAM 0837

9050008 EPM1270 144 TQFP 150 77 2000 0 018micro FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA 150 44 2000 0 018micro FLASH 0825

8100001 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0837

9020008 EPM2210 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0901

8030027 EPM240 100 TQFP 150 76 2000 0 018micro FLASH 0807

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 29: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 26

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ

ベーク

温度 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8010019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 5000 0 018micro FLASH 0802

8040011 EPM240Z 100 MBGA 150 45 3060 0 018micro FLASH 0813

8100004 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2003 0 018micro FLASH 0837

8100019 EPM240Z 100 MBGA 150 45 2005 0 018micro FLASH 0842

8110027 EPM240Z 100 MBGA 150 77 2000 0 018micro FLASH 0843

8080004 EPM3128A 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0825

8110004 EPM3512A 208 PQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0837

8040009 EPM570 100 TQFP 150 55 2006 0 018micro FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA 150 45 2000 0 018micro FLASH 0931

8050010 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2008 0 018micro FLASH 0819

8110025 EPM570Z 100 MBGA 150 45 2012 0 018micro FLASH 0846

9040002 EPM7032S 44 PLCC 150 45 2007 0 05micro EEPROM 0907

9010009 EPM7064AE 100 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0851

8030009 EPM7064AE 44 TQFP 150 45 2000 0 03micro EEPROM 0801

8010013 EPM7064S 44 TQFP 150 45 2035 0 05micro EEPROM 0749

8100007 EPM7064S 44 TQFP 150 647 2026 0 05micro EEPROM 0841

8010017 EPM7256AE 144 TQFP 150 79 2000 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP 150 77 2000 0 03micro EEPROM 0817

9010008 EPM7256AE 144 TQFP 150 25 2000 0 03micro EEPROM 0851

8070001 EPM7256B 256 FBGA 150 25 2000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA 150 50 2000 0 022micro EEPROM 0919

8020005 HC210 484 FBGA 150 50 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA 150 25 2024 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in

Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo

33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-

31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of

freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon

E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS

pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic

Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd

Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated

Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50

1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature

Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1

2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics

Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152

Page 30: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 27

耐湿特性(Moisture Resistance)

集積回路の耐湿特性のテストには8585 RH の高温高湿バイアス試験(THB)121100 RHでのプレッ

シャークッカ試験13085 RHの超加速寿命試験(バイアス付き HAST)および 130 85 RHでの非バイアス

HAST試験の4種類の方法が一般的に採用されていますこれら4種類のテストで与えられるストレスはメタラ

イゼーションの腐食や不揮発性デバイスにおける湿気によるチャージロスを検出することができますまた

THBやバイアス付き HASTではこれらのテストで加えられるバイアス電圧により電気化学的なストレスによる腐

食(galvanic corrosion)を検出することもできますJESD47Fの推奨にしたがいBGAパッケージにはプレッシ

ャークッカ試験を実施していませんその代替として非バイアスの HASTを実施しています

プレッシャークッカ試験(Autoclave)

プレッシャークッカ試験では半導体デバイスが121の脱イオン水(DI water)の飽和水蒸気環境に置かれます

121の密封された容器内は15 PSIGまたは2気圧の状態に設定されますアルテラがプレッシャークッカ試験に

使用している試験槽では圧力の制御が温度で行われるようになっていますこの試験槽内の環境の制御を圧力

で行った場合には水蒸気が試験槽の外部に排出されるため温度が大幅に変動する結果となりますこのプレ

ッシャークッカストレス試験は集積回路のメタライゼーション部に発生する腐食を検出するために開発され

たものですまたこのテストは不揮発性のメモリエレメントにおいて電荷を蓄積するフローティング

ゲートに湿気が到達することによってリーク電流が増加して発生するチャージロスも検出することができま

すvii

非バイアス HAST

このテストではデバイスが 130 85 RHの条件になった HAST試験槽に入れられますこのテストではデバイ

スが飽和水蒸気の環境の悪影響を受けることがなく水分がデバイス上で結露することはありません

プレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP 121oC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0713

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0649

7110033 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 23 96 0 013micro SRAM 0746

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0746

7110020 EP20K100E 144 TQFP 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0743

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0907

7040005 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 07XX

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100001 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 26 192 0 018micro SRAM 0737

9090021 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0931

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0931

7120034 EP3C40 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 33 192 0 65 nm SRAM 0743

8100011 EPC1 20 PLCC 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0831

7030031 EPC1 8 PDIP 121oC100 RH 45 168 0 05micro EPROM 0707

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 31: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 28

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 試験時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7020019 EPC1441 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0701

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0807

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 035micro FLASH 0819

7070030 EPC16 88 UBGA 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0725

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

7080028 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 77 168 0 042micro SRAM 07XX

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0807

7070018 EPM570 256 FBGA 130oC85 RH 25 192 0 018micro FLASH 07XX

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0825

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1- 121oC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0901

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0836

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0643

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 03micro EEPROM 0851

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 96 0 022micro EEPROM 0737

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3- 121oC100 RH 25 168 0 05micro EEPROM 07XX

7040012 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 32: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 29

鉛フリーパッケージのプレッシャークッカ試験と非バイアス HAST試験結果 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 52 96 0 013micro SRAM 0918

9060032 EP1C6 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 013micro SRAM 0918

7080030 EP1C20 400 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0731

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 022micro SRAM 0819

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0942

9040022 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 17 96 0 013micro SRAM 0908

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0936

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0919

7100027 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 40 168 0 018micro SRAM 0737

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 018micro SRAM 0701

7120025 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro SRAM 0748

7120043 EP2A40 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 015micro SRAM 0751

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 96 0 40 nm SRAM 0941

9100021 EP2AGX65 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0942

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0940

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 76 96 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 50 192 0 009micro SRAM 0848

9110027 EP2C8 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0937

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 77 96 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0942

8080001 EP2S30 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0825

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 23 96 0 009micro SRAM 0819

8070018 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0826

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 15 96 0 009micro SRAM 0725

8110022 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0843

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in

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Page 33: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 30

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 20 96 0 65 nm SRAM 0829

8110031 EP3C10 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0848

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 65 nm SRAM 0941

9110030 EP3C16 144 EQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 96 0 65 nm SRAM 0947

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3- 130oC85 RH 75 96 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 55 192 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 48 96 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 76 96 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0903

9090017 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0937

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 60 nm SRAM 0937

9100031 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100032 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 24 96 0 65 nm SRAM 0943

9100033 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9100034 EP3C120 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0943

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 28 192 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 32 192 0 60 nm SRAM 0925

8090010 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 65 nm SRAM 0832

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0912

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 65 nm SRAM 0842

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 22 96 0 65 nm SRAM 0907

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 40 192 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 29 192 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 HBGA PRECON 3- 130oC85 RH 87 192 0 40 nm SRAM 0924

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 035micro FLASH 0836

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 035micro FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 042micro SRAM 0922

9120008 EPF10K50E 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0943

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0707

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 34: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 31

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0916

7080004 EPF10K100E 356 BGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 192 0 022micro SRAM 0725

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 042micro SRAM 0919

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 018micro FLASH 0813

9110021 EPM570 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 77 96 0 018micro FLASH 0937

7010033 EPM1270 256 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 45 96 0 018micro FLASH 0701

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0907

7010024 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0701

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9020009 EPM7128S 100 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 45 168 0 05micro EEPROM 0848

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 80 168 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 55 168 0 03micro EEPROM 0817

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3- 121degC100 RH 42 168 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3- 121degC100 RH 25 168 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 80 96 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 78 96 0 009micro SRAM 0801

7020037 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0707

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3- 130oC85 RH 25 96 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 35: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 32

リフローのシミュレーションとモイスチャプリコンディショニング

表面実装用デバイスに湿気が浸透するとその湿気がハンダリフローの工程で急激に膨張することによって

不良になる危険性がありますviii ix デュアルインラインパッケージのデバイスではウェーブソルダリン

グ時の急激な熱膨張がプリント基板によってシールドされるのに対して表面実装用パッケージではハンダリ

フローの工程でデバイスに温度ショックが直接与えられることになりますこのリフローによるハンダ付け方法

にはベイパーフェーズリフロー 赤外線リフロー温風リフローがありますアルテラの推奨する錫鉛

パッケージに対するハンダリフローの方法はアプリケーションノート AN-81にまた鉛フリーパッケージ

に推奨するリフロー方法は AN-353に記載されていますリフローによるハンダ付けでは通常まず予備加熱を

行いその後にハンダリフローを行う温度までデバイスを急速に加熱しますアルテラではJ-STD020Dで規定

されている条件にしたがって湿気を吸収させ温風リフローを3回行ったと同じ条件のストレスを与えています

アルテラが一般的な錫鉛パッケージのリフローに採用している予備加熱サイクルの条件は 150以上2分間

でその後毎秒1~3の割合で温度を上昇させて1分間以上の時間で 183以上の温度になるようにし

350mm 3以下のサイズのパッケージの場合は235それ以上のパッケージの場合は220のピーク温度にします

また鉛フリーのパッケージのリフローに対してアルテラでは150から200の間の温度で予備加熱を90秒間

にわたって行い毎秒2~25の割合で温度を上昇させて115秒間で217以上の温度になるようにしていま

すそしてJ-STD-020Dの標準規格にしたがって対応するパッケージサイズに応じてピーク温度が 245

から 260になるようにしていますそしてこのプリコンディショニングとハンダリフロー後にパッケージ

のクラックと電気的特性がテストされますその後にデバイスを MIL-STD-883の方法 1010の条件Bでの温度サイ

クルまたはバイアス付きの高温高湿試験を実施し信頼性が確認されますこのモイスチャプリコンディ

ショニングのストレスレベルは温度サイクルおよび高温高湿バイアス試験の表に示されていますアルテ

ラデバイスの耐湿特性の区分はデバイスが収納されている防湿バックの表面に示されています

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 36: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 33

高温高湿バイアス試験(THB)

THBのテストは試験されるデバイスに結露が発生しないようにしながら85 85 RHの条件で実施されます

デバイスに対してバイアス電圧がストレスとして与えられますがデバイス内部の消費電力の上昇で湿気が除去

されないように電力消費を抑えるかまたはバイアス電圧を繰り返しオンオフさせます一般的な試験時間は

1000時間から2000時間となっておりデバイスの認定時には1000時間の条件が採用されていますこのテスト

には試験槽内の汚染が試験結果に影響を与えないようにするため全ステンレス製の試験槽と

脱イオン水(DI)が使用されます

試験槽にデバイスを投入してからデバイスに結露が発生しないようにするため 初に温度を上昇させてから

規定の湿度を与えるようにします試験槽内の温度と湿度が平衡状態に達したら試験するデバイスに対してバ

イアスを与えますデバイスに結露が発生しないようにするため試験槽の電源をオフにするときはデバイスの

バイアス湿度そして 後に温度の順番でオフにします試験デバイスに500100015002000時間のス

トレスを与えた後データシートの各パラメータが満足されているかがテストされます

表面実装用デバイスではTHBのストレステスト前にモイスチャプリコンディショニングと3回の温風リフ

ローシミュレーションを実施しますJEDECのモイスチャプリコンディショニングのレベルが試験結果の表

に記載されています

高温高湿バイアス試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010021 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

7010036 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 013micro SRAM 0701

7080021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0725

7050001 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1031 0 013micro SRAM 0649

8100008 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0825

7050045 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 015micro SRAM 0713

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0919

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8060001 EP20K1000C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 013micro SRAM 0819

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-8585THB 24 1000 0 018micro SRAM 0843

7030031 EPC1 8 PDIP 8585 - THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 42 1000 0 035micro FLASH 0725

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 25 1000 0 018micro FLASH 0901

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-8585THB 45 1000 0 05micro EPROM 0637

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo

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Page 37: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 34

鉛フリーパッケージの高温高湿バイアス試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0710

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 0 013micro SRAM 0907

8100015 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 013micro SRAM 0841

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 19 1000 0 013micro SRAM 0912

7120003 EP1S25 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 b 013micro SRAM 07XX

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

9030005 EP1S40 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0908

9030004 EP1S40 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 013micro SRAM 0908

8050005 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0813

8070017 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0826

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 015micro SRAM 0901

7030028 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0707

8070030 EP20K600E 672 FBGA PRECON 4-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0829

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

8050030 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8050031 EP20K1000E 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 13 1000 0 018micro SRAM 0821

8100002 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0837

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 009micro SRAM 0848

8040022 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0813

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0913

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

8060016 EP2S60 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 1 c 009micro SRAM 0901

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010010 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 009micro SRAM 0901

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-8585THB 245 23 1000 0 009micro SRAM 0913

8020021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 009micro SRAM 0801

8080003 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0731

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 77 1020 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 54 1000 0 65 nm SRAM 0913

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 60 nm SRAM 0937

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 42 1000 3 d 60 nm SRAM 0925

9090010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0936

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-8585THB 260 24 1000 1 e 65 nm SRAM 0832

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature

Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1

2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics

Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152

Page 38: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 35

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度(oC) 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-8585THB 245 24 991 0 65 nm SRAM 0815

9040016 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1020 0 65 nm SRAM 0901

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

7120015 EP3SL150 780 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0748

7120029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 24 1000 0 65 nm SRAM 0748

8110029 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0842

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9050018 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0920

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 260 30 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-8585THB 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-8585THB 260 45 1000 0 05micro EPROM 0929

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-8585THB 260 45 1000 0 035micro FLASH 0831

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0931

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1991 0 018micro FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-8585THB 260 25 1000 0 018micro FLASH 0837

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-8585THB 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-8585THB 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

b -異物の腐食によるサブストレート上のピンショート不良 500 時間後

c -サブストレート上の配線ショート不良 500 時間後

d -サブストレート上の配線ショート不良 1000 時間後

e - サブストレート配線パターンのオープン不良層内の配線オープン

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 39: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 36

超加速寿命試験(HAST)

HASTは Highly Accelerated Stress Testingの略でTHB試験の条件をさらに加速させた試験方法ですHASTは試

験デバイスに温度湿度バイアスを一定の圧力下で与えることができる密封されたステンレス製の試験槽を使

用して行われますこの試験に適用される周囲条件はデバイスのリードに結露が生じないような状態にして

試験デバイスに一定の圧力が与えられるように設定する必要がありますアルテラが採用しているHASTの条件は

130 85 RH でこの条件は通常の 85 85 RHの高温高湿試験の時間を 10倍以上も加速することが確認さ

れていますx 試験されるデバイスには THBの場合と同じように1ピンおきにバイアスが与えられますアルテ

ラではHASTの試験環境で使用されるプリント基板に腐食が発生しないようにするため配線パターンが内部に

埋め込まれた形となっているポリイミド製の基板を採用しています

HASTの試験結果(Sn-Pb)

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-HAST 65 96 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 77 96 0 013micro SRAM 0731

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0801

7100011 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 25 264 0 018micro SRAM 0731

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0825

7040002 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0709

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro SRAM 0935

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-HAST 45 96 0 04micro FLASH 0807

7110001 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0631

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 035micro FLASH 0819

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 1 f 03micro SRAM 0801

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro SRAM 0701

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 018micro FLASH 0719

8090004 EPM570 100 TQFP PRECON 3-HAST 39 192 0 018micro FLASH 0836

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 018micro FLASH 0731

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-HAST 16 96 0 03micro EEPROM 0837

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 45 96 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0851

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 40: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 37

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数

試験

時間 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 25 192 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0737

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-HAST 25 96 0 03micro EEPROM 0743

f - ボンディングパッドの腐食 96 時間後

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 41: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 38

鉛フリーパッケージの HAST試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7040008 EP1C3 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0713

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0837

8030019 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0807

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 013micro SRAM 0925

8090001 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 77 96 0 013micro SRAM 0825

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 26 96 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 013micro SRAM 0725

8010010 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

8010011 EP1C12 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 013micro SRAM 0749

9100026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-HAST 260 20 96 0 013micro SRAM 0907

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-HAST 260 76 96 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 80 192 0 022micro SRAM 0819

8030020 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 013micro SRAM 0807

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0926

9050006 EP20K100 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0919

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 022micro SRAM 0931

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0701

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0925

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 018micro SRAM 0901

8010007 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 30 96 0 018micro SRAM 0731

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro SRAM 0925

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro SRAM 0709

8090031 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-HAST 245 20 96 0 018micro SRAM 0839

7090001 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 73 96 0 009micro SRAM 0725

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 009micro SRAM 0825

7020025 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 009micro SRAM 0701

8070019 EP3C10 164 MBGA PRECON 3-HAST 260 24 96 0 65 nm SRAM 0829

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 04micro FLASH 0919

8090020 EPC4 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 0836

6020004 EPC16 100 PQFP PRECON 3-HAST 245 45 192 0 035micro FLASH 06XX

6080011 EPC16 88 UBGA PRECON 3-HAST 260 45 192 0 035μ FLASH 0625

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 042micro SRAM 0922

8040020 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0813

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro SRAM 0813

7010029 EPF10K50S 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0701

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo

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Page 42: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 39

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)試験数

試験

時間不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0913

9110029 EPF10K70 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 042micro SRAM 0947

7030015 EPF10K100A 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0707

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 24 96 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0916

8090024 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 022micro SRAM 08xx

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 022micro SRAM 0922

8030024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0811

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0915

9060024 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 022micro SRAM 0925

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 96 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-HAST 245 45 96 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0807

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 45 96 0 018micro FLASH 0818

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0913

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-HAST 260 25 96 0 018micro FLASH 0804

8080015 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080020 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-HAST 260 25 192 0 018micro FLASH 0834

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0825

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-HAST 260 45 96 0 05micro EEPROM 0937

9030016 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-HAST 260 25 192 0 03micro EEPROM 0920

8010017 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 79 192 0 03micro EEPROM 0801

8040025 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-HAST 260 77 96 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-HAST 245 25 192 0 03micro EEPROM 0918

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 43: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 40

温度サイクル試験

温度サイクル試験は集積回路における温度変化の影響を加速する効果があります集積回路を構成している多

様な物質はそれぞれ異なる熱膨張係数を持っているため温度変化に応じてそれぞれ異なる膨張と収縮を行うこ

とになりますこれらの熱膨張係数は多くのモールディングコンパウンドおよびAlCu製のリードフレームの

17times10-6 mmmmからシリコンおよび Alloy 42リードフレームの 42までと大きく異なります温度サイク

ル試験における温度変化は熱膨張係数の違いから生じる機械的なストレスを増加させる効果がありますxi

この機械的なストレスは大きなダイサイズとパッケージに対して も大きくなります

アルテラはこのテストに2槽式の温度サイクル試験装置を使用しています上部の試験槽は高温に保たれ下

部の試験槽は低温に保たれます試験されるデバイスはエレベータ式のプラットフォームの中に置かれ2つの

試験槽間を移動します2つの試験槽間での移動は数秒間で行われデバイスが一方の試験槽に移動してから

5分以内に指定の温度に達しその後5分間以上にわたって指定の温度が維持されますアルテラは

MIL-STD-883で規定されている条件 B(-55~+ 125)で温度サイクル試験を実施していますデバイスは

500サイクル700サイクルおよび 1000サイクル後にテストされます改訂されたJESD47Fの規格に基く認定で

は要求されるのが 700サイクル後の結果で1000サイクル後の試験結果は参照データとなっていますモイス

チャプリコンディショニングを行ったデバイスについてはJEDECの吸湿レベルが試験結果の表に記入されてい

ます

温度サイクル試験の結果(Sn-Pb) 評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

7050047 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0713

8030026 EP1C12 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0807

9020006 EP1C20 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0901

7100005 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 77 1000 0 013micro SRAM 0731

7080016 EP1K100 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0725

7110034 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0746

8040024 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0816

9030002 EP20K160E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0907

8020018 EP20K200 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0801

8040015 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 50 1000 0 018micro SRAM 0816

8090005 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0825

8080013 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro SRAM 0825

9060011 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0919

9080012 EP20K600E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0935

8100014 EP20K600E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0837

8110026 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro SRAM 0843

7110026 EP2A40 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 29 700 0 015micro SRAM 0707

6040008 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 009micro SRAM 0601

6030019 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0610

6090015 EP2C50 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 32 1000 0 009micro SRAM 0625

6020010 EP2S15 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 192 1000 0 009micro SRAM 0540

9070028 EP2S30 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 23 1000 0 009micro SRAM 0907

6110021 EP2S180 1020 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0642

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 44: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 41

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件 試験数 サイクル数 不良数

プロセス

テクノロジ

デート

コード

6080021 EP2S180 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0631

9090024 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 009micro SRAM 0931

8100016 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

8100017 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 44 1000 0 009micro SRAM 0837

7030031 EPC1 8 PDIP TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0707

8100011 EPC1 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EPROM 0831

8040003 EPC2 20 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 04micro FLASH 0807

7070030 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0725

8070006 EPC16 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 035micro FLASH 0819

6110051 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 042micro SRAM 0637

8030008 EPF10K30A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 03micro SRAM 0801

8020019 EPF10K30A 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0801

6040019 EPF10K50E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0601

7100004 EPF10K50S 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro SRAM 0737

7020016 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro SRAM 0701

6060008 EPF6016 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0619

8040016 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0807

8090015 EPF81188A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 042micro SRAM 0837

7070002 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 018micro FLASH 0719

8060002 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0819

7090018 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 24 1000 0 018micro FLASH 0731

7040023 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0713

9020008 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 018micro FLASH 0901

8110004 EPM3512A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0837

7050030 EPM7032 44 PQFP PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0707

7010011 EPM7032S 44 PLCC PRECON 1-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0637

9010009 EPM7064AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0851

8010013 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 05micro EEPROM 0749

7050049 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 45 1000 0 03micro EEPROM 0719

9010008 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0851

7010006 EPM7256AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0643

7100002 EPM7256B 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0737

6070028 EPM7256B 169 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0619

8070001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0819

9080001 EPM7256B 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 022micro EEPROM 0919

7120028 EPM7512AE 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 03micro EEPROM 0743

7080014 EPM9560A 304 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 05micro EEPROM 07XX

8080002 HC1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 25 1000 0 013micro SRAM 0825

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 45: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 42

鉛フリーパッケージの温度サイクル試験結果

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

7030054 EP1AGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 009micro SRAM 0710

8040004 EP1C4 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0815

8110002 EP1C4 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0837

9050010 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 013micro SRAM 0918

9060034 EP1C6 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 013micro SRAM 0925

9050011 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050012 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0918

9050026 EP1C6 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 27 1000 0 013micro SRAM 0918

7070001 EP1C6 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0725

9080009 EP1C20 400 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 76 1000 0 013micro SRAM 0931

8050002 EP1K10 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 022micro SRAM 0819

9030006 EP1S10 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0907

9030017 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0912

9100030 EP1S25 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0942

8110021 EP1S30 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0843

8090018 EP1S60 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 013micro SRAM 0832

9090008 EP1S80 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0936

8090026 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0838

9010001 EP1S80 1508 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 29 1000 0 013micro SRAM 0849

9110032 EP1SGX25 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 013micro SRAM 0943

9060036 EP20K30E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0926

9100008 EP20K100 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0931

8070032 EP20K100E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0831

8120009 EP20K160E 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

8050012 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 23 1000 0 018micro SRAM 0820

9060022 EP20K200E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0925

7030014 EP20K200E 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0701

8120008 EP20K300E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0901

9090020 EP20K300E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0925

9020002 EP20K400C 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 015micro SRAM 0901

7040003 EP20K400E 652 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018micro SRAM 0709

8110019 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8110020 EP20K400E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 018micro SRAM 0846

8080026 EP20K600E 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0832

9010012 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9010013 EP20K1000E 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 018micro SRAM 0849

9100004 EP2AGX65 358 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 29 700 0 40 nm SRAM 0941

8090029 EP2C5 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0837

9100006 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0940

9100007 EP2C8 148 QFN PRECON 3-TEMP CYC B 260 23 1000 0 009micro SRAM 0940

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 46: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 43

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8070028 EP2C8 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0825

8120003 EP2C8 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 50 1000 0 009micro SRAM 0848

8030010 EP2C20 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 009micro SRAM 0801

9040021 EP2C35 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0913

8040023 EP2C50 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0815

8080029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0831

9100029 EP2C70 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0942

7070023 EP2C70 896 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 009micro SRAM 0713

8060018 EP2S60 672 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9020005 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0901

9100003 EP2S90 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0937

8060006 EP2S90 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0819

9010011 EP2S130 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0852

8080017 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0834

8080018 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 009micro SRAM 0834

9040029 EP2S130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 009micro SRAM 0913

8030016 EP2SGX90 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0725

7100040 EP2SGX130 1508 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0737

9100009 EP3C16 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 65 nm SRAM 0941

9090042 EP3C25 144 EQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0931

9060023 EP3C25 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

9020007 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 65 nm SRAM 0906

9050016 EP3C25 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0913

7080017 EP3C25 324 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 65 nm SRAM 0719

9100010 EP3C80 484 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 77 1000 0 65 nm SRAM 0937

9010016 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0903

9110039 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 27 1000 0 60 nm SRAM 0945

9090022 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9090023 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 60 nm SRAM 0937

9110040 EP3C120 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 26 1000 0 60 nm SRAM 0945

9070009 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 28 1000 0 60 nm SRAM 0916

9070010 EP3CLS200 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 60 nm SRAM 0925

8090011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

9080011 EP3SE50 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0925

8090023 EP3SE110 780 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0832

8020015 EP3SE110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0801

8040006 EP3SE260 1152 FBGA PRECON 4-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0815

9040010 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0912

9040011 EP3SL110 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 34 1000 0 65 nm SRAM 0912

9100013 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100015 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100016 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 65 nm SRAM 0942

9100035 EP3SL150 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 700 0 65 nm SRAM 0944

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

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Page 47: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 44

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

9040015 EP3SL200 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 20 1000 0 65 nm SRAM 0907

8010018 EP3SL340 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 65 nm SRAM 0752

9010018 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 12 1000 0 40 nm SRAM 0901

9040019 EP4SGX230 1152 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 11 1000 0 40 nm SRAM 0915

9040020 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 18 1000 0 40 nm SRAM 0915

9050021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 22 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060021 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 43 1000 0 40 nm SRAM 0924

9090031 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9090032 EP4SGX230 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0938

9050020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 30 1000 0 40 nm SRAM 0921

9060020 EP4SGX530 1517 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 87 1000 0 40 nm SRAM 0924

9050033 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 40 nm SRAM 0922

9100036 EP4SGX530 1932 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 40 nm SRAM 0944

9070011 EPC1 8 PDIP PRECON 1-TEMP CYC B NA 45 1000 0 05micro EPROM 0929

9040001 EPC1 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0907

9010014 EPC1441 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EPROM 0901

9070002 EPC2 20 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 04 FLASH 0919

9010017 EPC4 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 035 FLASH 0910

9090001 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

9090043 EPC8 100 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 035 FLASH 0935

8080016 EPC16 88 UBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 035 FLASH 0831

9020001 EPF10K10 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 24 1000 0 042micro SRAM 0901

9050032 EPF10K20 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 042micro SRAM 0922

8040021 EPF10K50A 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0813

9050005 EPF10K50V 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0913

8110008 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0837

9080013 EPF10K100A 356 BGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0935

9040003 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9050001 EPF10K100E 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0916

9050030 EPF10K100E 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 022micro SRAM 0922

9030019 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0913

9040018 EPF10K130E 240 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0915

8070010 EPF10K200S 240 RQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 022micro SRAM 0825

9080008 EPF6016A 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro SRAM 0932

8020003 EPF6024A 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro SRAM 0801

9070001 EPF8282A 84 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 042micro SRAM 0919

8030027 EPM240 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0807

8110027 EPM240Z 100 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0843

8040009 EPM570 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0813

9090007 EPM570 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0931

9070020 EPM570 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 24 1000 0 018μ FLASH 0919

8050009 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 55 1000 0 018μ FLASH 0819

8070026 EPM570Z 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0818

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in

Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo

33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-

31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of

freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon

E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS

pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic

Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd

Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated

Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50

1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature

Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1

2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics

Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152

Page 48: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 45

評価ロット

番号 デバイス

パッケージ

タイプ 適用試験条件

リフロー

温度 (oC)

サイクル数 不良数 プロセス

テクノロジ

デート

コード

8020007 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0801

9050008 EPM1270 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0913

8090003 EPM1270 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0825

8020011 EPM1270 256 MBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 018μ FLASH 0804

8100001 EPM2210 256 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 018μ FLASH 0837

8080004 EPM3128A 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 03micro EEPROM 0825

9040002 EPM7032S 44 PLCC PRECON 3-TEMP CYC B 245 45 1000 0 05micro EEPROM 0907

8030009 EPM7064AE 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 44 1000 0 03micro EEPROM 0801

9100028 EPM7064S 44 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 45 1000 0 05micro EEPROM 0937

9050022 EPM7128AE 100 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 25 1000 0 03micro EEPROM 0920

8050007 EPM7256AE 144 TQFP PRECON 3-TEMP CYC B 260 30 1000 0 03micro EEPROM 0817

9030015 EPM7512AE 208 PQFP PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 03micro EEPROM 0918

8020004 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020005 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8020006 HC210 484 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 260 80 1000 0 009micro SRAM 0801

8110011 HC230 1020 FBGA PRECON 3-TEMP CYC B 245 25 1000 0 009micro SRAM 0837

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in

Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo

33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-

31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of

freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon

E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS

pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic

Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd

Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated

Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50

1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature

Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1

2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics

Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152

Page 49: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 46

ハンダ付け部の信頼性 ハンダ付け部の信頼性は基板上にデバイスを実装し0~+100の温度サイクルを1時間あたり1-2サイクル

実施することによってテストされますこのテストはデバイスとプリント基板との間の熱膨張係数の違いが原

因となって発生する不良を検出することを意図したものですこのテストではデバイスが温風リフローにより

厚さ236mm長さ40cm幅 10cmの FR4プリント基板にハンダ付けされますMBGA(05mmピッチ)パッケージは

厚さ 236mmの基板に加えて厚さ 16mmの FR4プリント基板にもハンダ付けされますテストされるデバイスは

2次レベルの接続不良が発生しないかが継続的にモニタされますストレスが 大になる位置のハンダボール

にクリープ不良が発生することがあります実際の疲労寿命は対数正規分布またはワイブル分布を使用し不

良データから01の不良率となるサイクル数を予測することによって得られます多くの場合不良が発見され

ず5000サイクルでテストが終了しています多様なデバイスパッケージとプリント基板のパラメータでテスト

を実施することによって有限要素モデリングにより寿命を予測することができますxii xiii この有限要素モデル

の結果はデバイスのパッケージの信頼性を 適化する目的に使用されます

錫鉛(Sn-Pb)のハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して積層

したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46 4068サイクル 3162サイクル

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521 6000サイクルまで不良なし 6000サイクルまで不良なし

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4798サイクル 3775サイクル

F256 045mm 10mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 580 x 622 4194サイクル 2161サイクル

F256 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 88 x 79 4437サイクル 3687サイクル

F256 thin outline 045 mm 10 mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 768 x 681 3574サイクル 2888サイクル

B356 058 mm 127 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 9 x 98 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ+

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10 2777サイクル 2740サイクル

U484 04mm 08mm

low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT

None 84 x 803 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B652 058 mm 127 mm ワイヤボンド +1層テープ

Cu 1701 x 1538 5000サイクルまで不良なし 5000サイクルまで不良なし

B724 055 mm 127 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 181 x 134 2800サイクルまで不良なし 2800サイクルまで不良なし

F484 045 mm 10 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 115 x 115 6534サイクル 3408サイクル

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5200サイクルまで不良なし 5200サイクルまで不良なし

F672 045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 16 x 118 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in

Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo

33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-

31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of

freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon

E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS

pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic

Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd

Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated

Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50

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Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1

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Page 50: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 47

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となるまでの

サイクル数(推定値)

F672 045mm 10mm low-kダイ +ワイヤボンド+

4層 BT None 84 x 803 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F672 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 165 x 131 5400サイクルまで不良なし 5400サイクルまで不良なし

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 5890サイクル 4614サイクル

F780 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 163 x 135 4500サイクルまで不良なし 4500サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 886 x 996 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112 5148サイクル 3080サイクル

F1020 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 221 x 194 5781サイクル 5174サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 5432サイクル 4510サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 1533 x 1424 4333サイクル 3705サイクル

F1020 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 2256 x 2554 5579サイクル 4603サイクル

F1020 055mm 10mm

フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 226 x 199 4000サイクルまで不良なし 4000サイクルまで不良なし

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 4233サイクル 2694サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu 239 x 233 3074サイクル 2040サイクル

F1508 055 mm 10 mm

フリップチップ

6 層 ビルドアップ BT SPL 239 x 233 4797サイクル 3182サイクル

F1508 055mm 10mm

low-kダイ + フリップチップ

8 層 ビルドアップ BT SPL 2217 x 1924 6506サイクル 3651サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

4497サイクル 3564サイクル

F1517 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT SPL

256 x 265 (40nm ELK die)

4733サイクル 4100サイクル

F1760 055 mm 10 mm

フリップチップ

12 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

200 x 200 (40nm ELK die)

3541サイクル 2572サイクル

F1932 055 mm 10 mm

フリップチップ

14 層 ビルドアップ BT 2 pc Cu

256 x 265 (40nm ELK die)

3552サイクル 2932サイクル

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in

Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo

33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-

31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of

freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon

E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS

pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic

Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd

Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated

Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50

1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature

Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1

2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics

Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152

Page 51: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 48

鉛フリーのハンダ付け部信頼性試験

パッケージ サブストレート

パッドサイズ ピッチ テクノロジ

ヒート

シンク

ダイサイズ

(mm) MTFF

01の不良率となる

までのサイクル数

(推定値)

PCB の厚さ

(mm)

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M100 03 mm 05 mm ワイヤボンド +2層 BT

None 32 x 32

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 16

M256 03 mm 05 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 39 x 39

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U88 04 mm 08 mm

ワイヤボンディングを使用して

積層したダイ +2層の FR4 substrate

None 69 x 46

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

T144 NA 05 mm リードフレーム NA 49x60 5500サイクルまで

不良なし

5500サイクルまで

不良なし 236

E144 NA 05mm リードフレーム +グランドパッド

None 512 x 521

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F256 thin outline

045 mm 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 768 x 681

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F256 045mm 10mm low-kダイ + ワイヤボンド +

4層 BT None 580 x 622

6000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

Q240 NA 05 mm リードフレーム

NA 80 x 79

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U358 04mm 08mm リードレスフリップチップ +

4 層 ビルドアップ BT None 1011 x 10

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

U484 04mm 08mm low-kダイ+ ワイヤボンド +

4層 BT None 84 x 803

3500サイクルまで

不良なし

3500サイクルまで

不良なし 236

F484 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 108 x 88

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド + 4 層 BT

SAC ソルダボール None 886 x 996

4000サイクルまで

不良なし

4000サイクルまで

不良なし 236

F780 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 163 x 135

5000サイクルまで

不良なし

5000サイクルまで

不良なし 236

F896 045 10 mm ワイヤボンド +4層 BT

None 1119 x 1112

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

F1020 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 226 x 199

5887サイクルまで

不良なし

5887サイクルまで

不良なし 236

F1508 055 mm 10 mm フリップチップ+ 6 層 ビルド

アップ BT SAC ソルダボール 2 pc Cu 239 x 233

6000サイクルまで

不良なし

6000サイクルまで

不良なし 236

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in

Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo

33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-

31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of

freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon

E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS

pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic

Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd

Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated

Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50

1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature

Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1

2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics

Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152

Page 52: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 49

シリアルコンフィギュレーションデバイス

EPCS4EPCS16およびEPCS64のコンフィギュレーションデバイスはSTMicroelectronics社の011ミクロンCMOSプ

ロセステクノロジで製造されておりEPCS1は 015ミクロンEPCS128は 013ミクロンのプロセスが適用され

ていますこれらの製品は33Vの標準電源電圧で動作しますEPCS1EPCS4およびEPCS16は8ピンのSOIC

(smalloutline integrated circuit )パッケージで供給されEPCS64と EPCS128は 16ピンの SOICパッケージ

で供給されています

アルテラは 近すべてのシリアルコンフィギュレーションデバイスに関係したプロセス変更通知書

(PCN0805)を発行していますここに示された信頼性データは2010年6月に移行予定のEPCS128を除いてこの

新しいプロセスに対応したものとなっていますプロセス変更通知書(PCN)の詳細についてはアルテラの web

サイトhttpwwwalteracomliteraturelit-pcnjsppcn をご覧ください

015 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験

140degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

080

080

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間 080 077 080

高温保存試験

200degC 504 時間

1008 時間

080

080

077

077

0626

1

--

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF gt2000V gt2000V gt2000V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass Pass Pass

注1ウェハーレベルで 150でのトライアル試験を実施

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in

Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo

33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-

31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of

freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon

E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS

pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic

Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd

Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated

Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50

1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature

Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1

2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics

Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152

Page 53: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 50

011 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 140degC 42V 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 168 時間 015 015 015

高温保存試験 250degC 168 時間

500 時間

077

077

077

077

077

077

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル

100000 EW サイクル

+ 250degC 168 時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt200 V

gt2000V

gt 200 V

gt2000V

gt200 V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度150) Pass Pass Pass

013 ミクロンプロセスのダイ関連信頼性試験結果

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

高温動作寿命試験 150degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

079

低温動作寿命試験 ‒ 40degC 42V 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

高温保存試験 200degC 504 時間

1008 時間

080

080

080

080

080

080

イレーズライトサイクル+

ベーキング試験

10000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

100000 EW サイクル + 200

48時間のベーキング

077

077

077

077

077

077

静電破壊 人体モデル 15k Ω 100pF

機械モデル 0 Ω 200pF

gt2000V

gt 200V

ラッチアップ耐量試験 Class II-Level A(試験温度85) Pass

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in

Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo

33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-

31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of

freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon

E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS

pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic

Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd

Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated

Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50

1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature

Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1

2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics

Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152

Page 54: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 51

パッケージ認定試験結果ー 8-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0308 0308 0308

150degC 168 時間 077 077 077 高温保存試験

150degC 500 時間 077 077 077

‒ 65~150degC 100 サイクル 077 077 077 温度サイクル試験

‒ 65~50degC 500 サイクル 077 077 077

121degC 2Atm 100RH 96 時間 077 077 077 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 077 077 077

85degC 85RH 36V 168 時間 077 077 077 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 500 時間 077 077 077

パッケージ認定試験結果ー 16-pin SOIC

試験項目 試験条件 Lot 1 Lot 2 Lot 3

プリコンディショニング Level 3 0345 0345 0345

ndash55 ~ 125degC 100 shocks 080 080 080 熱衝撃試験

ndash55 ~ 125degC 500 shocks 080 080 080

‒ 65 ~ 150degC 500 サイクル 080 080 080 温度サイクル試験

‒ 65 ~ 150degC 1000 サイクル 080 080 080

85degC 85RH 36V 504 時間 080 080 080 高温高湿バイアス試験

85degC 85RH 36V 1008 時間 080 080 080

121degC 2Atm 100RH 96 時間 080 080 080 プレッシャーポット試験

121degC 2Atm 100RH 168 時間 080 080 080

150degC 504 時間 080 080 080 高温保存試験

150degC 1008 時間 080 080 080

Altera Corporation 52

参考文献

i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in

Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo

33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-

31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of

freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon

E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS

pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic

Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd

Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated

Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50

1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature

Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1

2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics

Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152

Page 55: 信頼性レポート 49 Q1 2010 - Intel3 Altera Corporation 信頼性試験の実施方法 信頼性の認定とモニタは各製品ファミリごとに実施されています。各ファミリのすべての製品は同じデバイス・アー

Altera Corporation 52

参考文献

i J Suehle et al ldquoField and Temperature Acceleration of Time-Dependent Dielectric Breakdown in

Intrinsic Thin SiO2rdquo 32nd Proc IRPS pp 120-125 1994 ii J Prendergast et al ldquoTDDB Characterization of Thin SiO2 Films with Bimodal Failure Populationsrdquo

33rd Proc IRPS pp 125-130 1995 iii JEDEC publication JEP122-E ldquoFailure Mechanisms and Models for Semiconductor Devicesrdquo pp29-

31 Table 1 httpwwwjedecorgdownloadsearchjep122apdf iv Microsoft Excel 50 statistical functions Inverse Chi-Squared Distribution variables are degrees of

freedom and Confidence Level v N Mielke ldquoNew EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS pp106-113 1983 vi N Mielke A Fazio H-C Liou ldquoReliability Comparison of FLOTOX ans Textured-Polysilicon

E2PROMsrdquo 25th Proc IRPS pp85-92 1987w EPROM Data-Loss Mechanismsrdquo 21st Proc IRPS

pp106-113 1983 vii K Alexander J Hicks T Soukup ldquoA Moisture Resistive UV Transmissive Passivation for Plastic

Encapsulated EPROM Devicesrdquo 22nd Proc IRPS pp 218-222 1984 viii I Fukuzawa S Ishiguro S Nanbu ldquoMoisture Resistance of Plastic LSIs by Reflow Solderingrdquo 23rd

Proc IRPS pp192-197 1987 ix E Lin E Blackshear P Serisky ldquoMoisture Induced Package Cracking in Plastic Encapsulated

Surface Mount Components During Solder Refolw Processrdquo 26th Proc IRPS pp83-89 1988 x D S Peck ldquoComprehensive Model for Humidity Testing Correlationrdquo 24th Proc IRPS pp 44-50

1986 xi C Shirley r Blish ldquoThin-Film Cracking and Wire Ball Shear in Plastic DIPs Due to Temperature

Cycle and Thermal Shockrdquo 25th Proc IRPS pp238-249 1987 xii Yuan Li et al ldquoReliability Study of High-Pin-Count Flip-Chip BGArdquo 51st ECTC May 28 ndash June 1

2001 pp 276-280 xiii Yuan Li et al ldquoImprove Reliability of A Full Array Fine Pitch BGA Packagerdquo 26th Intl Electronics

Manufacturing Technology Symposium Oct 2-3 2000 pp 146-152