EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 6 Seçme Sorular ve Çözümleri Aşağıdaki problemlerde aksi belirtilmedikçe NMOS cihazlar için μnCox = 200 μA/V 2 , VTH = 0.4 V ve PMOS cihazlar için μpCox = 100 μA/V 2 , VTH = - 0.4 V kabul ediniz. 1. Bir NMOS VGS-VTH = 0.6 V iken 1 mA ve VGS-VTH = 0.8 V iken 1.6 mA taşır. Eğer MOSFET triode bölgesinde çalışıyor ise VDS and W/L hesaplayınız. 2. Küçük bir drain-sorce gerilimi ile çalışan NMOS cihaz direnç olarak çalışmaktadır. Besleme gerilimi 1.8V ise W/L = 20 ile elde edilebilecek minimum iletim direnci (on-resistance) nedir? 3. Direnç olarak çalışan bir MOSFET için bir iç zaman sabitesi (intrinsic time constant) tanımlamak mümkündür. τ = RonCGS bu denklemde CGS = WLCox’dur. τ için bir ifade türetiniz ve devre tasarımcılarının bu zaman sabitesini minimize etmeleri için ne yapmaları gerektiğini açıklayınız. 4. Alttaki devrede M1 elektronik anahtar olarak görev yapmaktadır. Vin ≈ 0 ise sinyal yalnızca %5 zayıflamaya uğrayacak şekilde W/L oranını belirleyiniz. VG = 1.8 V ve RL = 100Ω alınız. 5. Alttaki devrede giriş sinyali bir dc seviyesinin üzerine bindirilmiş bir sinüsoidaldir: Vin = V0 cosωt + V1 burada V0 bir kaç mV mertebesindedir. (a) V1 = 0 V için, Vout = 0.95Vin olacak şekilde W/L’yi RL ve diğer parametreler cinsisnden elde ediniz. (b) V1 = 0.5 V için (a)’yı tekrar yapınız. Sonuçları kıyaslayınız.
6
Embed
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü …web.karabuk.edu.tr/mgokdag/dosyalar/ch6_ornek_sorular.pdfEEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals
This document is posted to help you gain knowledge. Please leave a comment to let me know what you think about it! Share it to your friends and learn new things together.
Transcript
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions.
Bölüm 6 Seçme Sorular ve Çözümleri
Aşağıdaki problemlerde aksi belirtilmedikçe NMOS cihazlar için μnCox
= 200 μA/V2, VTH = 0.4 V ve PMOS cihazlar için μpCox = 100 μA/V2,
VTH = - 0.4 V kabul ediniz.
1. Bir NMOS VGS-VTH = 0.6 V iken 1 mA ve VGS-VTH = 0.8 V iken 1.6
mA taşır. Eğer MOSFET triode bölgesinde çalışıyor ise VDS and
W/L hesaplayınız.
2. Küçük bir drain-sorce gerilimi ile çalışan NMOS cihaz direnç
olarak çalışmaktadır. Besleme gerilimi 1.8V ise W/L = 20 ile elde