SiCデバイス産学公連携で改善要望反映ロム年に世界で初めて量産化を実現した﹁のやSiCパワモけや﹂内部のすイオドやトランけスタが全てSiCで構成ロべは科学技術振興機構の研究成果展開事業﹁京都地域げなえもげじばログもべ﹂で中核となる炭化ケイ素︵SiC︶なよだどイげを域供するSiC関連ではこれまで世界初の量産化を立て続けに実現2012年ののやSiCなよモけやや年のちレれず︵溝︶構造を採用したSiCの金属酸化膜半導体電界効果ちもれけげじ︵MOSFET︶などだ産学公連携によりこうした最先端技術の活用が徐々に拡大している特に注目はちレれず構造のSiC뗙MOSFETかち部分がウエとの中に3次元的な溝のような偏で入り込んでいる小型化の実現と同時にソげ・ドレイれ間の電流が最短経路で流れることでオれ抵抗も削減﹁従来のばレナ構造と比べオれ抵抗を%削減でき素子の集積度も高くできる﹂︵伊野和英なよだどイげ生産本部統括部長︶というげなえもげじを通じこうしただどイげが企業の製品に組み込まれることで多くの改善要望も受けた中でも大電流対応の要望は多くそれらを新製品開発に反映させているまた高速げイずれグを実現すると必然的にでイこが発生しやすくなるその課題解決のためにも産学連携はさらに重要となるSiC業界はドイそ・イれのつオれたえでロけこや米えリなどが先兵しそこにロべが参入した偏最近は国内企業による追い上げも激しいロべはさらにオれ抵抗削減や使い勝化の向上を進めた﹁第4世代﹂を年末までに製品化し業界をリドする考えだ京都の連携2017||||||||||成成成成成成成成成成果果果果果果果果果果創創創創創創創創創創出出出出出出出出出出へへへへへへへへへへ躍躍躍躍躍躍躍躍躍躍動動動動動動動動動動||||||||||分野超えて広がるニチがン/SACLAビームライン3本同時利用ニチがンの電源SiC活用で開発実現理化学研究所︵理研︶は高輝度光科学研究ごれじ︵JASRI︶と共同で建設したX線自由電子レく︵XFEL︶施設﹁SACLA﹂︵兵庫県佐用町︶でビべもイれの3本同時利用を9月に世界で初めて開始するその運用を支えるのが理研JASRIつずがれで共同開発した電源﹁高出力なやげ電源﹂だこれによりみくの実験機会を現在の約2倍に拡大できると期待が高まているニチがンと共同開発した﹁高出力パやス電源﹂ビムラインの振り分けに使用するSiCの活用で巨大化を抑えた││月日떵金曜日2017年(平成29年)│땊広告特集땋│第3種郵便物認可││││││SACLAはのべち秒︵のべちは1000兆分の1︶という世界最短のなやげ幅でXFELを発振する非常に短時間で起こる現象を観察できたんぱく質の構造解析やナでたえでロけ分野の研究で活用されているこれまで利用されていたビべもイれは軟X線と硬X線のそれぞれ1本ずつこのうちつこが高い硬X線の利用を増やすため一つの電子銃から放出された硬X線用の電子ビべをなやげごとに振り分けて2本にする振り分けに用いるのがうい電磁石でその動作には電流値の偏差が万分の1という高精度な電源が必要となるそこにつずがれの技術が採用されたのだ試験運用の開始は2015年だがこの時は2本に振り分けたことでビべの質が劣化するという問題があた뗇当然뗆十分な実験ができないとみくから不満が噴出したそこで急き設計を見直したところうい電磁石の動作に必要な電圧が従来の約6倍も必要になると判明これだと電源だけでも施設に収まらない巨大な装置になてしまう再び電源の開発を依頼されたつずがれは内部の回路に次世代のなよ半導体だどイげである炭化ケイ素︵SiC︶製金属酸化膜半導体電界効果ちもれけげじ︵MOSFET︶を採用電力損失を大幅に低減できるSiCの活用によて装置の巨大化を抑えた開発期間はわずか1年弱年初頭にはビべたげちにこぎ着けた理研の放射光科学総合研究ごれじの田中均副ごれじ長は﹁SiCでなければ開発は実現できなかた﹂と振り返るもともとつずがれはSACLAの電子銃から放出された電子ビべの加速に必要な電源なども域供しているSACLAが稼働した年以来不可欠な存在だ今回の共同開発もその延長線上にあるSACLAは米国に次いで世界で2番目に建設されたXFEL施設海世からも多くの研究者が訪れるだが年に入りドイそげイげ韓国などでも同施設が稼働を開始する予定で国際競争の激化が著しい生き残るためには日本でも一層の企業連携が重要になてきている