覹目 地點 - 國立臺灣大學sub.eng.ntu.edu.tw/eng/newsletter/2009/99.pdf · 2009-04-16 · Mr. Sascha Haselmayer ĂGeorgia Institute of Technology...

日期日期日期日期 演講者演講者演講者演講者 服務單位服務單位服務單位服務單位 題目題目題目題目 地點地點地點地點

2222月月月月16161616日日日日

（14：20-17：20） 傅盈西 教授

國立新加坡大學

機械系 Research Methodologies and

Publications

工綜

B03室

2222月月月月23232323日日日日

（10：00-12：00） 郭重松 先生

圓剛科技股份公

司董事長 科技管理：從企業看社會新鮮人之就業

態度 工綜

B03室

3333月月月月2222日日日日

（10：00-12：00） 周卓輝 教授 清大材料系 Trend of High-Efficiency OLED

Devices

工綜

B03室

3333月月月月9999日日日日

（10：00-12：00） 黃清安 教授 長庚大學機械 金屬電鍍之開發與研究心得分享

工綜

B03室

本院依學校統計2008年發表SCI期刊論文總數達923篇，平均每位教師發表3.6篇，較2007

年（701篇）大幅增加31.7％，展現全院師生在學術研究的豐碩成果。其中成長較 為顯著的系

所包括：土木系59.4%、高分子所50.0％、機械系44.3％、化工系40.0％、醫工所34.6％、材

料系22.9％。

由融程電訊股份有限公司捐贈本院11台電子看板目前正進行裝機及測試，裝設地點包括：

工學院2台、土木系1台、機械系1台、化工系1台、材料系1台、工科海洋系2台、展書樓1台、應

力所1台、慶齡工業中心1台。

工學院裝設之電子看板。

臺灣大學與西門子公司於2009年1月22日上午進行PLM產品生命週期管理軟體系統捐贈簽約

儀式。此次之『Siemens PLM Software GO PLM』軟體捐贈專案計畫，將用於協助臺灣大學成立

「醫療器材跨領域教學研發中心」，針對醫療器材的協同設計、快速製造、流程管理與文件管

理等軟硬體設備提供教學與訓練課程，並配合內建符合美國食品藥物管理局(FDA)聯邦法規

(21CFR part 11 and 21CFR part 820)之加速器模板「Teamcenter for Medical Devices」，對於國內在

高階醫療器材的創新研發與上市審查工作，在人才培育的落實與產業銜接的推動，提供了所亟

需的實務工具平台。

此次捐贈之軟體係西門子公司最新發表之產品生命週期管理軟體(NX6, Tecnomatix,

Teamcenter, Teamcenter Community, Teamcenter for Medical Devices)，已為各領域跨國企業如GMGMGMGM、、、、

GEGEGEGE、、、、BOEINGBOEINGBOEINGBOEING、、、、PHILIPSPHILIPSPHILIPSPHILIPS、、、、P&GP&GP&GP&G等業界領先公司所採用。在希望為台灣學術界與產業提升盡力的

想法下，Siemens PLM Software亞太區西門子整合業務總監 徐吉麟先生與Siemens PLM Software上

海研發中心主任 徐居仁先生的協助下，會同臺灣大學醫學工程學臺灣大學醫學工程學臺灣大學醫學工程學臺灣大學醫學工程學研研研研究所究所究所究所、、、、醫學電子與資訊醫學電子與資訊醫學電子與資訊醫學電子與資訊研研研研究究究究

所所所所、、、、電機工程學系電機工程學系電機工程學系電機工程學系、、、、應用力學應用力學應用力學應用力學研研研研究所究所究所究所、、、、機械工程學系與機械工程學系與機械工程學系與機械工程學系與研研研研究所究所究所究所、、、、經濟部學界科專計畫經濟部學界科專計畫經濟部學界科專計畫經濟部學界科專計畫「「「「無線生無線生無線生無線生

醫奈米醫奈米醫奈米醫奈米研研研研發團隊發團隊發團隊發團隊」、」、」、」、國科會國科會國科會國科會「「「「區域整合中心計畫區域整合中心計畫區域整合中心計畫區域整合中心計畫」、」、」、」、國科會國科會國科會國科會「「「「製藥與生物技術國家型計畫製藥與生物技術國家型計畫製藥與生物技術國家型計畫製藥與生物技術國家型計畫----成功成功成功成功

案例案例案例案例」」」」與與與與教教教教育部育部育部育部「「「「跨領域人才培育計畫跨領域人才培育計畫跨領域人才培育計畫跨領域人才培育計畫」」」」共同推動。更多內容

「智慧生活科技區域整合中心」計畫推動至今將屆一年，國科會工程處1月19、20日二天

於臺灣大學應用力學研究所舉辦「智慧生活科技區域整合中心計畫」暨「前瞻優質生活環境計

畫」聯合成果發表會。此次發表會有國科會主委李羅權致詞，由歐盟Living Labs Global執行長

Mr. Sascha Haselmayer、Georgia Institute of Technology杜教授及台灣創意設計中心執行長張

光民，分別於19、20日上午主講「Your market for mobility」、「Unlocking Human Potential

through Technological Innovation-Interdisciplinary Research」及「台創跨領域經驗」。

另外，集結有「智慧生活科技區域整合中心」計畫的北中南三個區域中心團隊、「前瞻優

質生活環境專案」計畫中的16個團隊、工研院及資策會等推動智慧生活科技重要的學研界提供

近60組論文，藉由此次活動，希望能更明確的架構出一個學術交流平台，再經由適當的推廣及

資源整合，帶動學術界與產業界在良性互動下，引介有興趣的廠商瞭解學術研究成果，尋找技

術移轉的機會及管道，同時向各界展示卓越的研發成果，開創業界合作廠商加入聯盟，以創造

未來產學共榮、互利互惠的契機，同時促進各界於此議題上引發更開創的想法與交流。

本校工學院及電資學院自2006年起成為「亞洲大洋洲頂尖大學工學院聯盟」（Asia- Oceania

Top University League on Engineering, AOTULE）十二所大學工學院聯盟核心會員之一，積極參與

聯盟學術會議及活動。日前獲知東京工業大學（Tokyo Institute of Technology）將再度於2009年暑

期（6月~8月）提出AOTULE之暑期交換生計畫，邀請本院及電資學院推薦學生參加。去年由工

學院推薦兩名大學部同學至東工大參加此計劃，參與者回來後都表示受益良多，除了學科上的

專業知識收穫豐碩外，和亞洲各校學生共同學習的經驗，更是令人難忘。

請有意申請的工學院及電資學院大學部及研究所同學於2009年2月23日前，填寫申請書，及

上學年英文成績單正本一份，至工學院辦公室郭思妤小姐報名。（電話：3366-3275，E-mail：

[email protected]）詳細訊息

請錄取同學於98年2月20日（五）前填妥交換學生確認單（重複上榜同學擇一錄

取），交至工學院辦公室郭思妤小姐，若於當天沒收到確認單，視同放棄，將會有候補

名額。 錄取名單請上工學院網頁查詢。

工學院葛院長（左起）、環工所張慶源所長、高分子所童世煌教授、土木系周中哲教

授與材料系林新智教授。

98年1～2月教師生日餐會已於2月12日舉行，由葛煥彰院長及周家蓓副院長接待，參加生日

餐會的壽星有土木系謝尚賢教授、周中哲教授，機械系陳達仁教授，化工系吳紀聖教授、吳嘉

文教授，材料系段維新教授、林新智教授，環工所張慶源所長，應力所沈弘俊教授、舒貽忠教

授，醫工所趙本秀教授與高分子所童世煌教授。

機械系陳達仁教授（左起）、工學院周副院長、醫工所趙本秀教授與應力所舒貽忠教

授。

1化工系何國川教授之研究成果「用於染料敏化太陽能電池的有機染料」獲頒美國與中

華民國發明專利證書。

2化工系何國川教授之研究成果「Electrochromic Device Using Poly(3,4-

Ethylenedioxythiophene) and Derivatives Thereof」獲頒美國發明專利證書。

3醫工所林啟萬教授指導之學生邱南福、陳儒誠參加2008年生物醫學工程科技研討會學

生壁報論文競賽，經審查獲選為特優。

4醫工所林啟萬教授指導之學生林威佐參加2008年生物醫學工程科技研討會學生壁報論

文競賽，經審查獲選為佳作。

5高分子所林唯芳教授、戴子安教授指導之學生何俊智、李宜桓參加2009年高分子聯合

會議，榮獲壁報論文第一名。

6高分子所謝國煌教授指導之學生黃智楷、曹靜婷參加2009年高分子聯合會議，榮獲壁

報論文競賽佳作。

雷射測徑儀（Optical Micrometer）的測量原理，是用穩頻雷射做為光源，配合馬達機構及透

鏡組將光束由下而上地掃描，沒被擋下的光經過透鏡組射到同一個光感測器，掃到物體上的光

則會被擋下，無法射至光感測器。每次掃描，光感測器訊號的改變會有一段時間差，經由電路

加以處理，即能計算出物體的寬度。

精密量測實驗室所擁有的LaserMike 183雷射測徑儀（圖一）使用的氦氖氣體雷射波長

632.8nm，最大功率0.25mW，掃描頻率100次/秒，量測範圍0.0760mm-～15.2400mm，準確度±

0.0005mm或±0.005％。

LaserMike 183雷射測徑儀主要功用為直徑量測，利用雷射光進行非接觸量測，所以在量測

時不會影響物件移動，除了靜止狀態，穩定移動之物件亦能進行測量。在生產線狀物時，可以

直接在輸送時進行檢查、維持品質、節省時間。

本儀器由范光照教授負責管理，操作人員劉一正先生（Tel：2362-0032）。

圖一 LaserMike 183雷射測徑儀

圖二 圓柱各段直徑量測

（為了促進院內老師對相互研究領域的了解，增加未來合作機會，工學院簡訊每期邀請大約3～5位相近領域

教授提供最近發表論文摘要刊登。如果您有研究成果願意與大家分享，亦隨時竭誠歡迎來稿。）

鎂合金的陽極處理種類繁多，大致上可分為酸性及鹼性陽極處理系統。DOW17為酸性陽極

處理的代表系統，並使用了有毒化學藥品重鉻酸鉀，其中的六價鉻已在前年被歐盟的RoHS指令

列入毒化物禁用名單。在鹼性陽極處理系統方面，較具代表性的傳統處理系統為HAE，它則使

用了高錳酸鉀重金屬有害物。因此工業界陸續發展出相當多不同的處理系統以避免毒化物與重

金屬的使用。在陽極處理的電解液發展中會使用到毒化物與重金屬是由於鎂金屬在已知的特定

溶液中有低溶解度的腐蝕阻障化合物的生成，而其中又為重鉻酸根與氟離子最為熟知。當六價

鉻被禁用的同時，氟離子的使用對鎂合金的陽極表面處理便顯得相當重要。著名的商業系統如

Mag-oxid Coat、Tagnite、或HAE皆在陽極處理時或前、後處理時有使用到氟離子。雖然氟的使用

遠不及六價鉻的毒性，若大量的廢液排放到環境中卻仍然有已知可造成對環境以及最終對於人

體的危害。近期的鎂合金陽極處理研究多重於較為環保的鹼性處理系統，多包含氫氧化強鹼、

氟化物、矽酸根、鋁酸根或磷酸根等。本研究中對於Tagnite系，鹼性矽酸根含氟化物系統的成

膜機構進行了不同成長階段的微結構分析。發現陽極膜在放電前後由單層的多孔薄膜轉變成為

多層的非晶陶瓷氧化物，經化學分析此多層氧化結構中有一層富含有氟離子的致密阻障層。

（林招松教授 提供 [email protected]）

圖一：多層陽極氧化膜之橫截面TEM

圖

圖二：多層陽極氧化膜之橫截面EDS

成分分析圖

我們成功製作了n型ZnO/SiO2-ZnO奈米複合物/p型GaN紫外光發光二極體。藉由旋轉塗佈的

方式將SiO2奈米粒子覆蓋於p型GaN基材上，並利用原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)技

術成長ZnO於SiO2奈米粒子間之空隙，並於其上沉積摻雜Al之n型ZnO。在高溫退火後，SiO

2奈米

粒子間之ZnO會形成量子點。由於SiO2-ZnO奈米複合層具有較低的折射率，可以有效增加n型

ZnO層之光取出效率。在順偏電流1.8mA下可以觀察到ZnO非常顯著之紫外光。另外，在逆偏電

壓下，因於電離碰撞(impact ionization)的現象亦可觀察到顯著之紫外光。（陳敏璋教授 提供

[email protected]）

圖一: n型ZnO/SiO2-ZnO奈米複合物/p型GaN發光二極體之結構圖及電流-電壓特性

圖二: ZnO及GaN之激發螢光(Photoluminescence)頻譜

圖三: n型ZnO/SiO2-ZnO奈米複合物/p型GaN發光二極體在順偏下之發光頻譜，附圖

為n-ZnO/p-GaN發光二極體之發光頻譜

圖四: n型ZnO/SiO2-ZnO奈米複合物/p型GaN發光二極體在逆偏下之發光頻譜

In responding to the need of profiling multi-layered organic thin-film electronics with high depth-

resolution, high-energy buckminsterfullerene (C60

) ion guns were constructed recently and used to remove

the surface layer in a controlled manner. Recently, we applied this sputtering technique to XPS depth-

profiling and confirmed that the damage to the freshly exposed surface is much less than that using the

traditional Ar+ sputtering. We also found that the decreasing of sputtering yield can be attributed to the

build-up of carbon layer. As the result, the sputtering rate decreased significantly with the sputtering time.

This behavior prevent us from converting the sputtering time to the sputtering depth, hence the result is less

straight-forward.

To overcome the limitation of cluster-ion sputtering, we introduced a carefully tuned low-energy single-

atomic ion beam in conjunction with the high-energy cluster beam. Using this innovative mixed-ion-

sputtering, a steady sputtering rate is achieved while the damage to the surface is limited. For the first time,

multi-layered thick organic electronics (and inorganic-organic hybrid devices) can be profiled with high (nm)

depth-resolution for the first time. Using this technique, OLED devices with the structure of

Al/LiF/TPBi/CBP:FIrpic/PEDOT:PSS/ITO is profiled successfully (Figure 1Figure 1Figure 1Figure 1). In addition, the structure of

inverted polymeric solar cells (Al/V2O

5/P3HT:PCBM/TiO

2-nanotube/ITO) is also profiled (Figure 2Figure 2Figure 2Figure 2). These

structural profiles provide invaluable information on the degradation process of organic electronics.

The damage to the solid by the ion beams was evaluated by AR-XPS, HREM and AFM. In Si (00l)

surfaces, the depth distribution of Ar and C was determined using ARXPS. It was found that the thickness of

primary ion implant region in the Si is about 2.34, 1.68, and 1.63 nm for Ar+, C60+, and mixed Ar+-C60+

sputtering, respectively. Similarly, 5~8, 4~6, and 3~5 nm thick rearranged layers were observed directly with

HRTEM. The results indicate that cluster ion beams cause shallower damage to the solid. On the other hand,

AFM revealed 0.44, 2.58, and 2.63 nm surface roughness indicating that cluster ion beams induce

significantly rougher interfaces. This interfacial roughening will ultimately determine the depth resolution of

the depth profile.（薛景中教授 提供 [email protected]）

Figure 1. Depth profile of an organic LED with a structure of

Al/LiF/TPBi/CBP:FIrpic/PEDOT:PSS/ITO

Figure 2. Depth profile of a polymeric solar cell with a structure of

Al/V2O5/P3HT:PCBM/TiO2-nanotube/ITO