Diego Rubi Diego Rubi Grupo de Materia Condensada, Centro Grupo de Materia Condensada, Centro Atómico Constituyentes, Comisión Atómico Constituyentes, Comisión Nacional de Energía Atómica Nacional de Energía Atómica Conmutación resistiva en óxidos funcionales: hacia nuevas memorias RRAM
Conmutación resistiva en óxidos funcionales: hacia nuevas memorias RRAM. Diego Rubi Grupo de Materia Condensada, Centro Atómico Constituyentes, Comisión Nacional de Energía Atómica. - PowerPoint PPT Presentation
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Diego RubiDiego Rubi
Grupo de Materia Condensada, Centro Grupo de Materia Condensada, Centro Atómico Constituyentes, Comisión Atómico Constituyentes, Comisión
Nacional de Energía AtómicaNacional de Energía Atómica
Conmutación resistiva en óxidos funcionales: hacia nuevas memorias
RRAM
Conmutación resistiva o resistive switching: cambio reversible y no volátil de la resistencia de una estructura Metal-Aislante-Metal ante la aplicación de un campo eléctrico
Interés tecnológico: desarrollo de memorias RRAM (Resistive Random Access Memories)
• Velocidades de conmutación del orden de los nanosegundos (>>velocidad que memorias flash)• Alta constante dieléctrica miniaturización y bajo consumo
El resistive switching aparece como un fenómeno ubicuo
Localización geométrica de la zona “activa” clasificación a primer orden del RS: • Creación/ruptura de filamentos conductores confinados localmente• Efecto de interfase distribuido homogéneamente sobre toda la superficie del electrodo metálico en la estructura metal/aislante/metal.
Las vacantes de oxígeno juegan un papel fundamental
Material de interés: BiFeO3
• Multiferroico (ferroeléctrico y antiferromagnético) a temperatura ambiente multifuncionalidad• Resultados preliminares en muestras cerámicas de Bi0.9Ca0.1FeO3 y Bi0.9Ba0.1FeO3 indican la existencia de RS
45 50 55 60 65 70 75 80
4,00E+008
5,00E+008
6,00E+008
7,00E+008
8,00E+008
9,00E+008
Res
iste
nci
a (O
hm
s)
Tiempo (seg)
-800
-600
-400
-200
0
200
Estím
ulo
(V)
Proyecto a corto plazo: crecimiento de películas delgadas
• Esta es la forma elegida para aplicaciones
• Posibilidad de crecer fases metaestables (estabilización epitaxial), difíciles o imposibles de obtener en bulk y monocristales
• Posibilidad de “sintonizar” las propiedades de los materiales (efectos de tensiones, efectos de tamaño finito)
• Combinar diferentes materiales en multicapas o composites, con funcionalidades mejoradas
Substrate
Filmfilm
substratelattice mismatch strain
Crecimiento de películas delgadas: Pulsed Laser Deposition (PLD)
• Sistema en etapa de compra en CAC-CNEA• Sistema funcionando en FI-UBA
Metodología: Crecimiento de films
• Determinación de parámetros óptimos de crecimiento (temperatura del substrato, presión parcial de oxígeno, frecuencia del láser, distancia blanco-substrato…)• Caracterización por XRD. Fases parásitas?. Crecimiento epitaxial?• Determinación del modo de crecimiento (capa por capa, islas…) microscopía de fuerza atómica (AFM)
20 40 60 80100
101
102
103
104
105
106
107
Co
un
ts
(º)
AL2787B
Metodología: Caracterización estructural de los films
• Depósito electrodos metálicos (sputtering, evaporación, litografía)• Keithley 2400• Keithley 4200• Micro Probe-Station• Osciloscopios, fuentes de tensión/voltaje, etc.• PCs para control remoto (GPIB)
• Determinación del proceso óptimo de forming• Mediciones de RS en diferentes escalas de tiempos, analizando transitorios durante la aplicación del pulso.• Estudio de la influencia de diferentes parámetros eléctricos: duración, amplitud, polaridad y secuencia de los pulsos.• Dependencia del RS con el tipo de electrodo metálico •Estudio de la dependencia del RS con el área de los contactos (filamentos o interfase)
Metodología: Caracterización eléctrica
Resultados preliminares en cerámicos de Bi0.9Ca0.1FeO3
30 60
1,40x108
1,60x108
1,80x108
2,00x108
Res
iste
ncia
(O
hms)
Tiempo (seg)
Pulsos +/- 200V, bias 3V, cont. 1-4, lat. 0.1
-800
-600
-400
-200
0
200
Estím
ulo (V)
100 200 300 400
1,40x108
1,60x108
1,80x108
2,00x108
Res
iste
ncia
(O
hms)
Tiempo (seg)
Tren 25pulsos +/- 200V, bias 3V, cont. 1-4, lat. 0.1-800
-600
-400
-200
0
200
Estím
ulo (V)
Efectos de acumulación de pulsos
Metodología: Caracterización eléctrica
Resultados preliminares en cerámicos de Bi0.9Ca0.1FeO3
Efectos de relajación del RS
100 200 300 400
1,40x108
1,60x108
1,80x108
2,00x108
Res
iste
ncia
(O
hms)
Tiempo (seg)
Tren 25pulsos +/- 200V, bias 3V, cont. 1-4, lat. 0.1-800
Tren 25pulsos +/- 200V, bias 3V, cont. 1-4, lat. 50-800
-600
-400
-200
0
200
Estím
ulo (V)
• Relacionado con el bajo campo eléctrico alcanzable en cerámicos• En capas delgadas, se espera un RS mucho más robusto
Resumen
Proyecto propuesto:
• Crecimiento de capas delgadas por PLD de BiFeO3 y óxidos relacionados• Caracterización morfológica (AFM) y estructural (XRD)• Medición de propiedades magnéticas• Medición de propiedades eléctricas: efectos de conmutación resistiva. Estudio del mecanismo de RS para distintos óxidos, electrodos y geometrías. Determinación del efecto de diferentes protocolos eléctricos de medición
Otro proyecto en la temática: RS en TiO2 y manganitas desde un approach más tecnológico (Pablo Stoliar)