86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores Clase 7-1 Clase 7 1 - Electrost´ atica de la estructura Metal- ´ Oxido-Semiconductor (I) Abril de 2018 Contenido: 1.Introducci´on a la estructura MOS 2.Electrost´atica de la estructura MOS sin polarizaci´on 3.Electrost´atica de la estructura MOS con polarizaci´ on Lectura recomendada: P. Julian, Introducci´on a la Microelectr´ onica, Cap. 4 1 Esta clase es una traducci´ on, realizada por los docentes del curso ”Dispositivos Semiconductores - FI- UBA”, de la correspondiente hecha por el prof. Jes´ us A. de Alamo para el curso ”6.012 - Microelectronic Devices and Circuits” del MIT. Cualquier error debe adjudicarse a la traducci´ on.
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Clase 7 1 - Electrostatica de la estructuraMetal-Oxido-Semiconductor (I)
Abril de 2018
Contenido:
1. Introduccion a la estructura MOS
2. Electrostatica de la estructura MOS sin polarizacion
3. Electrostatica de la estructura MOS con polarizacion
Lectura recomendada:
P. Julian, Introduccion a la Microelectronica, Cap. 4
1Esta clase es una traduccion, realizada por los docentes del curso ”Dispositivos Semiconductores - FI-UBA”, de la correspondiente hecha por el prof. Jesus A. de Alamo para el curso ”6.012 - MicroelectronicDevices and Circuits” del MIT. Cualquier error debe adjudicarse a la traduccion.
La estructura MOS esta en el corazon de la revolucion dela electronica
• Aplicaciones analogicas y digitales: El transistorMOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Tran-sistor) es el elemento fundamental de la tecnologıaCMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)
• Memorias: DRAM (Dynamic Random Access Mem-ory), E2PROM (Electrically Erasable ProgrammableRead-Only Memory) y Flash
• La condicion de equilibrio no puede establecerse atraves del oxido; se requiere de un cable para permitirel movimiento de carga entre el metal y el semicon-ductor.
• La estructura MOS es un sandwich de 3 materiales conpotenciales diferentes ⇒ campo electrico ⇒ reaco-modamiento de carga⇒ aparece una region de cargaespacial.
• La mayorıa de los metales al ser colocados sobre p-Si,alcanzan el equilibrio termico a partir de la difusionde electrones desde el metal hacia el semiconductor yhuecos desde el semiconductor hacia el metal.