Bab 8 Field Effect Transistor (FET) By : M. Ramdhani
Welcome message from author
This document is posted to help you gain knowledge. Please leave a comment to let me know what you think about it! Share it to your friends and learn new things together.
Transcript
Bab 8 Field Effect Transistor(FET)
By : M. Ramdhani
Perbedaan FET dan BJT
CI
BI
DI
GSV
BJT Bipolar device (dua carrier : elektron dan hole)FET Unipolar device (satu carrier : elektron / n-channel atau hole / p-channel)
Struktur FET
FET
JFET(Junction FET)
JFET kanal n JFET kanal P
MOSFET(Metal Oxide
Semiconduktor FET)
Depletion Mode Enhancement Mode
Perbedaan JFET dan MOSFET• Struktur dan karakteristiknya• Lapisan oksidasi pada MOSFET• MOSFET bisa tegangan GS positif
JFET kanal n
G
S
D
DI
GSV
DSV
• Jika G-S tidak diberikan bias (VGS=0) maka deplesi hanya pada sambungan PN saja masih ada celah kanal n maka dengan hanya memberikan D-S tegangan kecil (VDS kecil) maka arus drain (ID) mengalir
• Jika VDS dinaikkan terus saat VGS=0, maka VDS= VDG dimana tipe p hole-nya pada G ditarik oleh tegangan negatif sehingga deplesi semakin mengecil kanal membesar akan didapatkan ID
konstan.• Jika terus dinaikkan, akan dicapai saluran diapit oleh daerah
deplesi pada daerah sekitar Drain, yang nilainya sama dengan bias balik VDG atau VDG = - VP
• Kenaikkan lebih lanjut tidak akan merubah bentuk saluran ID tetap konstan pada nilainya yang dicapai saat VDS= - VP
• Jika VGS dinaikkan maka deplesi semakin melebar dan suatu saat didapatkan arus drain sama dengan nol dan saat itulah dikatakan VGS=Vp tegangan pinch off
Kurva karakteristik Drain
Kurva karakteristik Drain
Daerah Ohmic/trioda
Kurva karakteristik Drain
Daerah aktif/pinch off/saturasi
Daerah Ohmic/Trioda
Daerah Aktif/ Pinch Off
Kurva Transfer 2
1
p
GSDSSD V
VII)(mAID
)(VoltVDS1
0GSV
1GSV
2GSV
3GSV
24 3)(VoltVGS
pGS
D
VVI
0
DSSI
JFET kanal p
DI
GSV
DSV
MOSFET depletion mode
Kurva Karakteristik)(mAID
)(VoltVDS1
0GSV
1GSV
2GSV
3GSV
26 3)(VoltVGS
1GSV
DSSI
Daerah Ohmic/Trioda
Daerah Aktif/Pinch Off/Saturasi
Simbol MOSFET depletion mode
MOSFET enhancement mode
Kurva karakteristik)(mAID
)(VoltVDS0
VV thGS 3)(
VVGS 5,3VVGS 4
VVGS 5,4
VVGS 5VVGS 6
Daerah Ohmic/Trioda
Daerah Aktif/ Pinch Off
Simbol MOSFET enhancement mode
Karakteristik FET– Operasinya tergantung pada aliran pembawa mayoritas
saja.– Mudah dibuat dalam bentuk IC dan memerlukan tempat
lebih sedikit dalam IC.– Rin tinggi (ratusan M).– Derau lebih rendah dibandingkan transistor bipolar.– Hasil kali penguatan dan lebar band frekuensi lebih kecil.– gm FET < gm transistor bipolar.– Konsumsi daya kecil
Related Documents
