C2EA ACM’02 October 13-15, 2002 ALGIERS El Aurassi Hotel Algerian Conference on Microelectronics
Jan 11, 2016
C2EA
ACM’02
October 13-15, 2002
ALGIERS
El Aurassi Hotel
ACM’02
October 13-15, 2002
ALGIERS
El Aurassi Hotel
Algerian Conference on MicroelectronicsAlgerian Conference on Microelectronics
C2EA
Jean-Pierre CharlesJean-Pierre Charles
ACM’02 – 13-15 octobre 2002 - ALGERACM’02 – 13-15 octobre 2002 - ALGER
Université de Metz
Université de Metz
C2EA – MOPS – CLOES
Université de MetzSUPELEC2, rue Edouard Belin57070 Metz
C2EAUniversité de Metz et
SUPELECUniversité de Metz et
SUPELEC
• Université pluridisciplinaire
• UFR Sci-FA
• Institut Centre Lorrain d'Optique et d'Electronique des Solides (CLOES) : Dominique DURAND.
• Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes (MOPS) : Marc FONTANA
• Composants, Electronique et Environnements Agressifs (C2EA) : Jean-Pierre CHARLES
• " Défauts, comportement et fiabilité de composants sous conditions extrêmes. Durcissement de circuit"
Supélec
C2EA
Les activités de recherche
Deux thématiques complémentaires sont engagées:
- matériaux et fonctionnalités optiques
- fonctions optiques et systèmes
Les activités de recherche
Deux thématiques complémentaires sont engagées:
- matériaux et fonctionnalités optiques
- fonctions optiques et systèmes
Laboratoire
Matériaux Optiques, Photonique et SystèmesCNRS - FRE 2304
Laboratoire
Matériaux Optiques, Photonique et SystèmesCNRS - FRE 2304
http://www.ese-metz.fr/mops/http://www.ese-metz.fr/mops/
Merci de visiter:Merci de visiter:
C2EAUniversité de Metz et
SUPELECUniversité de Metz et
SUPELEC
• Université pluridisciplinaire
• UFR Sci-FA
• Institut Centre Lorrain d'Optique et d'Electronique des Solides (CLOES) : Dominique DURAND.
• Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes (MOPS) : Marc FONTANA
• Composants, Electronique et Environnements Agressifs (C2EA) : Jean-Pierre CHARLES
• " Défauts, comportement et fiabilité de composants sous conditions extrêmes. Durcissement de circuit"
Supélec
C2EA C2EA (CEHE)C2EA (CEHE)
Groupe de recherche multi-sites :
Metz - Montpellier - Perpignan
Groupe de recherche multi-sites :
Metz - Montpellier - Perpignan
Composants,Electroniques et
EnvironnementsAgressifs
Components,Electronics, and
HarshEnvironments
C2EA C2EAC2EA
Metz,
le MOPS
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes
CNRS-FRE-2304
Montpellier,
le CEM2
Centre d'Electronique et Micro-optoélectronique de Montpellier
UMR CNRS 5507
Perpignan,
le CSTIC
Centre des Sciences et Techniques pour l'Innovation et la Communication
Semiconductor Physics / Energy / Microelectronics
http://ceea.free.frhttp://ceea.free.frSite àvisiter :Site à
visiter :
C2EA
Simulation physique:outil de conception et
caractérisation
Simulation physique:outil de conception et
caractérisation
Jean-Pierre Charles (Metz)
Francis Dujardin (Metz)
Alain Hoffmann (Montpellier)
Omar El Mazria (Nancy)
et Ahmed Haddi (Casablanca)
ACM’02 – 13-15 octobre 2002 - ALGERACM’02 – 13-15 octobre 2002 - ALGER
C2EA
SIMULATIONSSIMULATIONS enen Micro-opto-électroniqueMicro-opto-électronique
avec quoi…. les outilspar quoi…. le contextepourquoi…. des applications
avec quoi…. les outilspar quoi…. le contextepourquoi…. des applications
ACM’02 – 13-15 octobre 2002 - ALGERACM’02 – 13-15 octobre 2002 - ALGER
Conception / simulation• de structures tests• de composants
Conception / simulation• de structures tests• de composants
C2EA
Plan
1/ Introduction
2/ Prévisions et procédés technologiques
3/ Logiciels de simulation SILVACO
4/ IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor)
5/ MCTs (MOS Controlled Thyristor)
6/ Conclusions
Simulation physiqueSimulation physique
outil de conception et caractérisationoutil de conception et caractérisation
C2EA MéthodeMéthode
ObjectifsObjectifs QUALITEFIABILITEQUALITE
FIABILITEConceptionConception
Fabrication (informations techno & process)
Fabrication (informations techno & process)
Simulation SILVACO
Simulation SILVACO
Caractérisation
Caractérisation
DégradationsDégradations
INFORMATIONINFORMATION
Utilisation / environnementUtilisation / environnement
Simulationélectrique
SPICE
Simulationélectrique
SPICE++
11 22
33
4455
C2EA Conception/simulation
La performance de tout composant dépend fortement de la technologie utilisée dans sa fabrication.
Miniaturisation complexité des process
L’approche expérimentale démarche hasardeuse
coût élevé
Simulation de process réduire le coût
& assurer de nouvelles innovations.
C2EA
Plan
1/ Introduction
2/ Prévisions et procédés technologiques
3/ Logiciels de simulation SILVACO
4/ IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor)
5/ MCTs (MOS Controlled Thyristor)
6/ Conclusions
Simulation physiqueSimulation physique
outil de conception et caractérisationoutil de conception et caractérisation
C2EA Prévisions technologiquesPrévisions technologiques
La « Loi » de Moore des circuits intégrés (mémoires et circuits logiques):La « Loi » de Moore des circuits intégrés (mémoires et circuits logiques):
Depuis 35 ans:Depuis 35 ans:
- Croissance exponentielle de la vitesse et de la densité fonctionnelle- Décroissance exponentielle de la puissance dissipée et du coût de fonction.
- Croissance exponentielle de la vitesse et de la densité fonctionnelle- Décroissance exponentielle de la puissance dissipée et du coût de fonction.
- le nombre de bits mémoire par puce a quadruplé tous les ¾ ans- la vitesse des microprocesseurs a doublé tous les 3 ans (2MHz pour le 8080 dans les années 70 à plus de 1GHz actuel.)- la techno est passée de 8µm en 1972 à 0,13µm en 2000
- le nombre de bits mémoire par puce a quadruplé tous les ¾ ans- la vitesse des microprocesseurs a doublé tous les 3 ans (2MHz pour le 8080 dans les années 70 à plus de 1GHz actuel.)- la techno est passée de 8µm en 1972 à 0,13µm en 2000
C2EA
C2EA Elément clé de l’intégrationElément clé de l’intégration
ITRS: International Technology Roadmap for Semiconductors from the Semiconductor Industry AssociationITRS: International Technology Roadmap for Semiconductors from the Semiconductor Industry Association
Lg : longueur physique de la grille d’un MOSFETLg : longueur physique de la grille d’un MOSFET
Les projections faites en 99ont été avancées de 5 ansen 2001 !
Les projections faites en 99ont été avancées de 5 ansen 2001 !
Cette accélération dans la réduction d’échelle reflète le besoin de l’industrie de maximiser la vitesse des puces.
Cette accélération dans la réduction d’échelle reflète le besoin de l’industrie de maximiser la vitesse des puces.
!!Une vitesse maximalene va pas avecune puissance dissipéeminimisée !
Une vitesse maximalene va pas avecune puissance dissipéeminimisée !
C2EA Procédé de photolithographie classique
UV
Dépôt de la couche
Dépôt de la résine & Recuit de séchage
Masque
Développement
Gravure
Enlèvement de la résine
1
2
3
4
5
6
1
2
3
4
5
6
!!La réduction de taille est limitée par l’utilisation de masques transparents !
La réduction de taille est limitée par l’utilisation de masques transparents !
C2EA
C2EA
Résolution: F ( K )
C2EA RESOLUTION
: longueur d’onde
Lampe à vapeur de mercure (le plus courant)
3 raies (proche UV): g (436nm), h(405nm), i(365nm)
Lithographie UV lointain248nm (laser eximer)
Rayon X, électrons (F=qq nm)
Résolution: F ( K ) Type de résine K
Résine ultra-mince (K=0.3)Résine multi-couche (K=0.5)Résine mono-couche (K=0.75)Résine sur surface réfléchissante (K=1.1)
C2EA Extreme UltraViolet (EUV)Extreme UltraViolet (EUV)
Optical lithography involves
use of photon and transmission photomask
Photomasks have high coefficient of thermal expansion
Hence: due to masks errors
< 157 nm
is lower limit of optical lithography
Node (nm) ProductionYear
(nm)
130 2001 248 - 157
90 2004 193 - 157
65 2007 157
45 2010 13.4 ?
32 2013 13.4 ?
22 2016 13.4 ?
C2EA Next Generation Lithography (NGL)Next Generation Lithography (NGL)
Candidates are: EUV with ~ 13.4 nm
There are no existing transparent materials All optics and mask must be reflective Multilayer films can be constructed (alterning Mo/Si) as reflectors EUV masks are patterned absorbers on top
IPL : ion projection lithography PEL : proximity electron lithography PXL : proximity X-ray lithography ML2 : maskless lithography
C2EA
Plan
1/ Introduction
2/ Prévisions et procédés technologiques
3/ Logiciels de simulation SILVACO
4/ IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor)
5/ MCTs (MOS Controlled Thyristor)
6/ Conclusions
Simulation physiqueSimulation physique
outil de conception et caractérisationoutil de conception et caractérisation
C2EA
C2EA Outils SILVACOOutils SILVACO
Outilsinteractifs
Outilsinteractifs
Outils desimulationOutils de
simulation
Simulationde processSimulationde process
Simulationde composant
Simulationde composant
Extraction deparamètres
Extraction deparamètres
Simulationde circuit
Simulationde circuit
ATHENAATHENA
ATLASATLAS
UTMOSTUTMOST
SMART SPICESMART SPICE
TonyPlotTonyPlot DevEditDevEdit DeckBuildDeckBuild OptimizerOptimizer
Cahier descharges
Cahier descharges
Conditions depolarisation
Conditions depolarisation
Description dela structure
Description dela structure
MasquesMasques
CaractéristiquesCaractéristiques
Paramètresdu modèle
Paramètresdu modèle
SUPREM 3-4FLASH
OPTOLITHELITH
SUPREM 3-4FLASH
OPTOLITHELITH
PISCESBLAZE
LUMINOUSGIGA
MIXEDMODE
PISCESBLAZE
LUMINOUSGIGA
MIXEDMODE
Performances du circuitPerformances du circuit
C2EA
Plan
1/ Introduction
2/ Prévisions et procédés technologiques
3/ Logiciels de simulation SILVACO
4/ IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor)
5/ MCTs (MOS Controlled Thyristor)
6/ Conclusions
Simulation physiqueSimulation physique
outil de conception et caractérisationoutil de conception et caractérisation
C2EA IGBT x 25IGBT x 25
C2EA IGBT x 750IGBT x 750
C2EA Présentation de l’IGBTPrésentation de l’IGBT
N+
P+
N+ N+N+
N-
N+
Anode
Grille
Cathode
P
P+
MOSFET alimentant la base d’un bipolaire
Présence d’une structure PNPN Présence d’une structure PNPN
Effet thyristor (latchup) non désirableEffet thyristor (latchup) non désirable
DSDS
THGSOXMOS V2
VVVC
L
ZµI
IE=IC+IB et IC= IBIE=IC+IB et IC= IB
IGBT
Structure de type Darlington
29
C2EA Courants dans l’IGBTCourants dans l’IGBT
- Courant de base est le même que le courant dans le MOSFET- Courant de base est le même que le courant dans le MOSFET
IB=IMOSIB=IMOS
IAK=IE=(+1)IBIAK=IE=(+1)IB
VAK=VDS+VBEVAK=VDS+VBE
- Courant de l’IGBT est le courant émetteur du bipolaire- Courant de l’IGBT est le courant émetteur du bipolaire
N+
P+
N+ N+N+
N-
N+
Anode
Grille
Cathode
P
P+
BEAKBEAKTHGKOX
AK VVVVVV2L2
ZC1I
Equation globaleEquation globale
IGBT
30
C2EA 3 types d’IGBTs3 types d’IGBTs
N+
P+
N+ N+N+
N-
N+
Anode
Grille
CathodeP
P+
Création de défauts dans le volume du SC Traitement par irradiation
Augmentation de la vitesse de commutation Optimisation
0
50
100
0
1
IAK (mA)
VAK (V)
VGK (V) = 8 V IRGBC20SIRGBC20FIRGBC20U
IGBT A RS
Standard 3.0 0.7
Fast 2.2 0.8
Ultrafast 2.2 3.3
C2EA Simulation des IGBTsOptimisation de la doseSimulation des IGBTs
Optimisation de la dose
IRGBC20SIRGBC20FIRGBC20U
ATHENAATLAS 2-D
Type d'irradiation : électrons de 4 MeV (NPL) Irradier des composants standard IRGBC20S pour
différentes doses (1, 4 et 8 Mrad(Si))Réaliser un recuit pour éliminer les charges piégées
dans les oxydes (573 K 10mn) Mesurer les caractéristiques dynamiques et statiques Simuler les effets de l'irradiation sur la structure
Introduction d'un niveau accepteur Ev+0.27 (eV) (n=8 10-13 et n=9.5 10-15 ) Introduction d'un niveau donneur Ec-0.16 (eV) (n=2 10-15 et n=2 10-15 ) Ajuster la densité de défauts
C2EA IGBT à la fermetureIGBT à la fermeture
IEEE TNS, V44, N1, 1997
1 1 f i
K Durée de vie des porteurs minoritaires en fonction de la dose:
Obtention de la durée de vie:
K
A
n+P+
N-épi
P+
pnp
NMOS
G
P
Temps
t1
t2
IAK
IAK
1
2I MOS
I2
0.63 I2
I
I
I
I
I
Ic
b PNP
cPNP
MOS MOS
2
Forme d'onde à la fermeture
I I t 2 exp( / )
Gain du bipolaire:
IRGBC20S
C2EA
Simulation deslignes de courantdans l’IGBTavant irradiation
Simulation deslignes de courantdans l’IGBTavant irradiation
IRGBC20SIRGBC20S
C2EA
Simulation deslignes de courantdans l’IGBTaprès irradiationpar électronsde 4 MeVà 8Mrad(Si)
Simulation deslignes de courantdans l’IGBTaprès irradiationpar électronsde 4 MeVà 8Mrad(Si)
IRGBC20SIRGBC20S
C2EAComparaison simulation-
mesureComparaison simulation-
mesureIRGBC20S
IV
RAKp
BENPN
p
( )11
Amélioration de la tenue au latchup:
IAKI
B
IC
pn
Rp
A
G
K
IEEE TNS, V44, N1, 1997
Amélioration du temps de commutation
C2EA
Dégradation de la tension de déchet
Dégradation de la tension de déchet
IRGBC20S
IEEE TNS, V44, N1, 1997
Fonctionnement: VAK pour IAK=100 mA et VGK=8 V Optimisationdes
performances
par le choixde la dose
T
Hautes fréquences:temps de fermeture
privilégié
Hautes fréquences:temps de fermeture
privilégié
Hautes tensions:tension de déchet
privilégiée
Hautes tensions:tension de déchet
privilégiée
C2EA
Plan
1/ Introduction
2/ Prévisions et procédés technologiques
3/ Logiciels de simulation SILVACO
4/ IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor)
5/ MCTs (MOS Controlled Thyristor)
6/ Conclusions
Simulation physiqueSimulation physique
outil de conception et caractérisationoutil de conception et caractérisation
C2EA VDMOSFET, IGBT, MCTVDMOSFET, IGBT, MCT
Le MCT est un thyristor commandéen blocage (ouverture) et en amorçage (fermeture)par des MOSFETs
Applications dans les domaines de forte puissance
excellent pouvoir de coupure en blocage ( 200 A.cm-2)
très faible tension de déchet après amorçage ( 1V)
utilisation d’une seule grille pour la commande
process de fabrication compliqué: à triple diffusion
impossibilité de contrôle du courant
faible aire de fonctionnement faible aire de fonctionnement
MCT
39
C2EA Photos d’un MCTPhotos d’un MCT
40
Photos ESA-ESTECPhotos ESA-ESTEC
MCT G35P60F1MCT G35P60F1
C2EA Structure du MCTStructure du MCT
Thyristor PNPN
Commandé en fermeture (amorçage) par un P-MOSFET
Commandé en fermeture (amorçage) par un P-MOSFET
Schéma équivalent:deux transistors bipolaires (PNPN) commandés par les deux MOSFETs
Schéma équivalent:deux transistors bipolaires (PNPN) commandés par les deux MOSFETs
Commandé en ouverture (blocage) par un N-MOSFET
Commandé en ouverture (blocage) par un N-MOSFET
41
ONON
OFFOFF
MCTG35P60F1MCT65P100F2MCTG35P60F1MCT65P100F2
C2EA
Structure complète d’une cellule ON entourant les 8
cellules OFF
Structure complète d’une cellule ON entourant les 8
cellules OFF
42
Une cellule ON(11%) à fermeture
entoure8 cellules OFF(89%) à ouverture
Une cellule ON(11%) à fermeture
entoure8 cellules OFF(89%) à ouverture
10 m10 m
11 000 groupes de cellules en parallèlesur 0,413 cm2
11 000 groupes de cellules en parallèlesur 0,413 cm2
C2EA
Structure complète d’une cellule ON entourant les 8
cellules OFF
Structure complète d’une cellule ON entourant les 8
cellules OFF
43
10 m10 m
11 000 groupes de cellules en parallèlesur 0,413 cm2
11 000 groupes de cellules en parallèlesur 0,413 cm2
Une cellule ON(11%) à fermeture
entoure8 cellules OFF(89%) à ouverture
Une cellule ON(11%) à fermeture
entoure8 cellules OFF(89%) à ouverture
C2EA
Structure complète d’une cellule ON entourant les 8
cellules OFF
Structure complète d’une cellule ON entourant les 8
cellules OFF
44
10 m10 m
11 000 groupes de cellules en parallèlesur 0,413 cm2
11 000 groupes de cellules en parallèlesur 0,413 cm2
Une cellule ON(11%) à fermeture
entoure8 cellules OFF(89%) à ouverture
Une cellule ON(11%) à fermeture
entoure8 cellules OFF(89%) à ouverture
C2EA Simulation-2D du MCT à l’aide de ATLAS
Simulation-2D du MCT à l’aide de ATLAS
Caractéristique de transfert IAK-VGA / P-MOSFET Caractéristique de transfert IAK-VGA / P-MOSFET
Simulation de la structure et de la caractéristique C-V du MCT / N-MOSFET
Simulation de la structure et de la caractéristique C-V du MCT / N-MOSFET
Simulation-2D effectuée à partir du logiciel ATLAS et en utilisant
les paramètres géométriques et les dopages donnés par [TEMPLE]
Simulation-2D effectuée à partir du logiciel ATLAS et en utilisant
les paramètres géométriques et les dopages donnés par [TEMPLE]
Modélisation de la structure MCT Modélisation de la structure MCT
Régions et dopage Régions et dopage
Définition du maillage
Définition du maillage
Choix des modèles physiques Choix des modèles physiques
Calibrage des paramètres Calibrage des paramètres
45
C2EA Construction de la structureConstruction de la structure
RégionsRégions
Y (µm)Y (µm)
X (µm)X (µm)00
-0,07-0,07Région 2 (oxyde)Région 2 (oxyde) 1515
Région 1 (silicium)Région 1 (silicium)
8585
ATLAS 2D
46
C2EA Profil de dopageProfil de dopage
Y (µm)Y (µm)
X (µm)X (µm)00
-0,07-0,07Région 2 (oxyde)Région 2 (oxyde) 1515
Région 1 (silicium)Région 1 (silicium)
8585CATHODECATHODE
ANODEANODE
GRILLEGRILLE
Axe OYAxe OY
ATLAS 2D
47
P+
N
P-
N+
C2EA
Construction du maillage de la structure test
Construction du maillage de la structure test
Résultats précis Maillage fin (beaucoup de nœuds) temps de calcul
important recherche d’un compromis entre temps et précision de la simulation Résultats précis Maillage fin (beaucoup de nœuds) temps de calcul
important recherche d’un compromis entre temps et précision de la simulation
P-épiP-épi
N-wellN-well
J1J1 J2J2
N+N+P+P+
ATLAS 2D
48
C2EA Modèles physiques et calibrage des paramètres
Modèles physiques et calibrage des paramètres
Forts dopages: N+ et P+ forte injection model FERMIDIRAC Forts dopages: N+ et P+ forte injection model FERMIDIRAC
Recombinaison: Auger model AUGER Shockley-Read-Hall model RSH
Recombinaison: Auger model AUGER Shockley-Read-Hall model RSH
Mobilité : concentration model CONMOB champ électrique (effets des porteurs chauds) model FLDMOB
Mobilité : concentration model CONMOB champ électrique (effets des porteurs chauds) model FLDMOB
Modélisation des phénomènes de forte injection, de forts dopages, de recombinaison et des effets du champ électrique...
Modélisation des phénomènes de forte injection, de forts dopages, de recombinaison et des effets du champ électrique...
Calibrage des paramètres des modèles influence des paramètres physiques et technologiques sur les caractéristiques électriques de la structure MCT simulée
Calibrage des paramètres des modèles influence des paramètres physiques et technologiques sur les caractéristiques électriques de la structure MCT simulée
Tensions de seuil des MOSFETs Tensions de seuil des MOSFETs
Gains des deux bipolaires Gains des deux bipolaires
Temps de commutation et tension de déchet du MCT Temps de commutation et tension de déchet du MCT
Durée de vie des porteurs minoritaires Durée de vie des porteurs minoritaires
refn
0
N
N1
ATLAS 2D
49
C2EA Irradiation neutronIrradiation neutron
Effets après irradiation neutron effet de déplacement des atomes du silicium effet d’ionisation (présence de gammas)
CEA-DAM
Deux fluences ont été réalisées : 5x1013 n équivalent 1MeV/cm2 7,8 krad(Si) 1x1014 n équivalent 1MeV/cm2 11 krad(Si)
50
Réacteur : PROSPERO (CEA-DAM Valduc)
C2EA
-0,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
0,00
0,02
0,04
0,06
0,08
0,10
0,12
ir. 1x1014 n/cm2
ir. 5x1013 n/cm2
non irradié
I AK (
A)
VAK (V)
Simulation des effets dus à l’irradiation neutron / MCTSimulation des effets dus à l’irradiation neutron / MCT
ATLAS-2D
Application au composant MCT
densités de défauts introduites = 5x1013 et 1x1014 cm-3
Simulation en statique
caractéristique de sortie IAK-VAK
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
0
1x10-7
2x10-7
3x10-7
4x10-7
5x10-7
6x10-7
Nt=1x1014 cm-3 Nt=5x1013 cm-3 non irradié
I AK
(A/µ
m)
VAK (V)
51
C2EA
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,00,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
Simulation
Mesures
Ten
sion
de
déch
et (
V)
Densité de défauts (1014 cm -3)
Simulation des effets dus à l’irradiation neutron : MCTSimulation des effets dus à l’irradiation neutron : MCT
ATLAS-2D
Simulation en statique
tension de déchet
52
C2EA Simulation des effets dus à l’irradiation neutron : MCTSimulation des effets dus à l’irradiation neutron : MCT
ATLAS-2D
Simulation en dynamique
évolution de tf et
Simulation en dynamique
Forme d’onde du courant
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11-5,0x10-7
0,0
5,0x10-7
1,0x10-6
1,5x10-6
2,0x10-6
2,5x10-6
3,0x10-6
Nt=1x1014 cm-3
Nt=5x1013 cm-3
Nt=0
I AK
(A/µ
m)
t (µs)
0,0 5,0x1013 1,0x10140
100
200
300
400
500
600
700
800
900
simulé mesuré tf simulé tf mesuré
t f et (
ns)
densité de piège (cm -3) ou fluence (n/cm -2)
53
C2EA Conclusion / composantsConclusion / composants
Caractérisation & simulation étude des « dégradations »
Irradiations à effets de déplacement
introduction de défauts dans le volume du semiconducteur
même tendance pour les différentes structures testées:
amélioration du temps d’ouverture
dégradation de la tension de déchet et des courants de fuite
éloignement du verrouillage vers des tensions plus grandes
54
C2EA Conclusion 1Conclusion 155
Simulation physique:outil de conception
Simulation physique:outil de conception
La caractérisation
reste incontournable
pour le calibrage
(la réalité physique….!)
La caractérisation
reste incontournable
pour le calibrage
(la réalité physique….!)
SIMULATION – 13-15 octobre 2002 - ALGERSIMULATION – 13-15 octobre 2002 - ALGER
C2EA Conclusion 2Conclusion 256
Simulation physique:outil de conception et
de caractérisation de dégradations
Simulation physique:outil de conception et
de caractérisation de dégradations
La simulation
permet de vérifier et confirmer
les hypothèses issues
des résultats de la caractérisation
La simulation
permet de vérifier et confirmer
les hypothèses issues
des résultats de la caractérisation SIMULATION – 13-15 octobre 2002 - ALGERSIMULATION – 13-15 octobre 2002 - ALGER
C2EA
Simulation physique:outil de conception et
caractérisation
Simulation physique:outil de conception et
caractérisation
Jean-Pierre Charles (Metz)
Francis Dujardin (Metz)
Alain Hoffmann (Montpellier)
Omar ElMazria (Nancy)
et Ahmed Haddi (Casablanca)
ACM’02 – 13-15 octobre 2002 - ALGERACM’02 – 13-15 octobre 2002 - ALGER
C2EA COMPLES’2k3 First CallCOMPLES’2k3 First Call
MEDITERRANEAN CONFERENCE
onENERGY and ENVIRONMENT, MATERIALS and SYSTEMS
Aleppo - Syria, March 16 - 17, 2003
Renewable Energies: solar, wind, biomass, geothermal, conversion, production, control and storing, new technologies,...
Developments: use of materials, architecture, drying, air conditioning,... Environment and Pollution: atmospheric, ocean, ground and interfaces
qualities, treatment and recycling of wastes,...
MEDITERRANEAN CONFERENCE
onENERGY and ENVIRONMENT, MATERIALS and SYSTEMS
Aleppo - Syria, March 16 - 17, 2003
Renewable Energies: solar, wind, biomass, geothermal, conversion, production, control and storing, new technologies,...
Developments: use of materials, architecture, drying, air conditioning,... Environment and Pollution: atmospheric, ocean, ground and interfaces
qualities, treatment and recycling of wastes,...
WEB SITE
http://www.univ-perp.fr/comples2k3WEB SITE
http://www.univ-perp.fr/comples2k3
C2EAUniversité de Metz et
SUPELECUniversité de Metz et
SUPELEC
• Université pluridisciplinaire
• UFR Sci-FA
• Institut Centre Lorrain d'Optique et d'Electronique des Solides (CLOES) : Dominique DURAND.
• Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes(MOPS) : Marc FONTANA
• Composants, Electroniques et Environnements Agressifs(C2EA) : Jean-Pierre CHARLES
• " Défauts, comportement et fiabilité de composants sous conditions extrêmes. Durcissement de circuit"