This document is posted to help you gain knowledge. Please leave a comment to let me know what you think about it! Share it to your friends and learn new things together.
The p-SiGe/Ge/SiGe structure was grown by low-energy plasma–enhanced chemical vapor deposition (LEPECVD) [1] on a Si substrate. p=61011 см-2 and 6104 см2/Вс (4.2 К).
EF=14 meV << ∆ELL-HH
[1] C. Rosenblad, H.R. Deller, A. Dommann, T. Meyer, P. Schroeter, and H. von Känel, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 2785 (1998)
The properties of the two-dimensional hole gas are studied by a contactless acoustoelectonic method
The dependences of и v/v оn magnetic field at temperatures (0.3-1.6) К, f=30 МГц.
The dependences of 1 оn magnetic field at different temperatures (0.3-5.8) К, f=30МГц.
T
0 5 10 15 2010-8
10-7
10-6
10-5
10-4
10-3
12
8 5.8 K 4 K 3 K 2.5 K 1.9 K 1.8 K 1.6 K 1.4 K 1.2 K 1.1 K 0.9 K 0.7 K 0.5 K 0.3 K
1 (-1
)
B (T)
=234
5
6
7
Te
mp
era
ure
In
cre
ase
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
10-8
10-7
10-6
10-5
10-4
10-3
1
2
(-1)
B (T)
=3
4
56
7=2
The dependences of 1 and 2 on magnetic field ; Т=0.3 К, f=30 MHz
The dependences of 1 and 2 on temperature for а) =4, b) =5, с)
=6, d) =7
The dependences of 1 in minimum of oscillations on magnetic field at temperatures: 0.3, 0.7, 1.1 и 1.6 К
1 2 3 4 5 6 7
10-7
10-6
10-5
10-4
10-3
DC hf
DC,
1 (-1
)
B (T)
= 45678
1012
Comparison of (DC) conductivity and (hf)-conductivity 1 from acoustic methods
.I. L. Drichko, A.M. Diakonov, E.V. Lebedeva, I. Yu. Smirnov, A.V. Suslov, O.A. Mironov, М. Kummer, H. von Känel, J. Appl. Phys. 106, 094305 (2009
0 1 2 3 4 5
-18
-17
-16
-15
-14
-13
-12
-11
ln 1
1/T (K-1)
2 4 6 80.0
0.5
1.0
E (m
eV)
B (T)
0 2 4 6 8 10 12 14
5
10
15
g
F (meV)
1 exp[-Е/2kBT],
Е = g µВB.
g4.50.3.
The dependence of ln 1 on1/T. Inset 1: the dependence of Е on magnetic field В. Inset 2: the dependence of g-
factor on Fermi energy F
5. Ю.Г. Арапов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус , Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, О.А.Кузнецов, Л.Пономаренко, А де Виссер , ФНТ, 30, 1157 (2004)
3 2(2.4 0.2) 10 1/Ts 20 || 0(| | ) , g gs B zE g B B
The dependence of (g0-sBII2)/g0 от ВII for
two filling factors: =5,7
3 2ln tan(0) 2
Bs z
B
Bk T
Calculation of s in the framework of Luttinger Hamiltonian
The dependences of c and s on the QW width for a strained (=100 meV, solid curves) and strain-free (=0, dashed curves) Ge quantum
well for =13 and 1 =5
X
X
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
С помощью акустической бесконтактной методики в структуре p-GeSi/Ge/GeSi с одиночной напряженной квантовой ямой Ge проведены измерения поглощения и изменения скорости ПАВ в области температур( 0.3- 5.8) К и магнитных полях до 18 Т и определена высокочастотная проводимость при f=30 МГц
В режиме осцилляций Шубникова-де Гааза газа были определены основные параметры дырочного газа бесконтактным образом.
В режиме квантового эффекта Холла. При Т < 1K высокочастотная проводимость в минимумах осцилляций является прыжковой и может быть описана 2-х узельной моделью.
В области температур , в которой АС-проводимость имеет активационный характер, определен g-фактор
Акустические эффекты были также измерены при Т = 0.3 К в наклонном магнитном поле. Показано, что увеличение проводимости в минимумах осцилляций при увеличении определяется уменьшением g-фактора и увеличением циклотронной эффективной массы при росте продольной составляющей магнитного поля
Часть работы выполнялась в лаборатории сильных магнитных полей в Таллахасси (США)