1 A8B32IES – Úvod do elektronických systémů 5.11.2014 – Tranzistor MOSFET – charakteristiky, parametry, aplikace • Tranzistor řízený polem - princip a základní aplikace • Charakteristiky a mezní parametry tranzistoru MOSFET • Pracovní bod tranzistoru MOSFET • Invertor s tranzistorem MOSFET • Měření charakteristik invertoru A8B32IES – 5.11.2014 – Tranzistor MOSFET – charakteristiky, parametry, aplikace
21
Embed
A8B32IES Úvod do elektronických systémůradio.feld.cvut.cz/courses/A8B-IES/pub/IES_MOSFET.pdfA8B32IES – Úvod do elektronických systémů 5.11.2014 – Tranzistor MOSFET –
This document is posted to help you gain knowledge. Please leave a comment to let me know what you think about it! Share it to your friends and learn new things together.
Transcript
1
A8B32IES – Úvod do elektronických systémů
5.11.2014 – Tranzistor MOSFET – charakteristiky, parametry, aplikace
• Tranzistor řízený polem - princip a základní aplikace • Charakteristiky a mezní parametry tranzistoru MOSFET • Pracovní bod tranzistoru MOSFET • Invertor s tranzistorem MOSFET
• Měření charakteristik invertoru
A8B32IES – 5.11.2014 – Tranzistor MOSFET – charakteristiky, parametry, aplikace
gmU UGS
UGS
aplikace
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
UGS
G
G
D
S
G
D
S
B
D
S
D
S
D
S
G
D S B
schematická značka
kolektor
emitor
substrát hradlo
řízený proudový zdroj
spínač
řízený odpor
řídící struktura Kov-Oxid-Polovodič řízeno elektrickým polem transrezistance 1/gm
G D
S
1959 Dawon Kahng a M. M. Attala konstruují první polem řízený tranzistor
1926 J. E. Lilienfeld patentuje princip polem řízeného tranzistoru
S G
D
pohled shora
řez
G D S
kanál řízený polem
Princip – elektrostatická indukce
Q = 0 Q > 0 Q < 0
+
+
+
+
+
- - -
-
-
+
+
+
+
+
- - -
-
-
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
S G D
N +
S
G D
kanál N
S G D
P + P +
kanál P
kanál N kanál P
SUBSTRÁT P SUBSTRÁT N
N +
G G G
SiO 2 SiO 2
indukovaný indukovaný zabudovaný zabudovaný
B B
B S
D B
S
D B
S
D B
značení vycházející z polarity substrátu P→N
Tranzistor MOSFET N-kanálový nevodivý stav UGS= 0
elektrony
díry
hradlový oxid
izolace
kovový kontakt Drain (D)
kovový kontakt Source (S)
Source kanál Drain
energetická bariéra
elektrony
díry
UGS>>0
hradlový oxid
izolace
kovový kontakt Drain (D)
kovový kontakt Source (S)
Source kanál Drain
Tranzistor MOSFET N-kanálový vodivý stav UGS> UT
|UGS
| [V]
I
G [nA]
ID[mA]
UDS
[V]
UGS
MOSFET – VA charakteristika a mezní parametry
UDSmax
IDmax
UGSmax
UDSmax Drain-Source Voltage Maximum
ID Continuous Drain Current
ID M Pulsed Drain Current
UGSmax Gate-Source Voltage Maximum
Ptot Power Dissipiation
BUDSS Drain-Source Breakdown Voltage
0 BUDSS
Ptot= UDS·ID
Vstupní
Výstupní
G
D
S
B UDS
UGS
ID
MOSFET – katalogový list
Maximální napětí Drain-Source
Maximální hodnota ID – trvale Maximální hodnota ID – pulzně
Prahové napětí
Maximální napětí Gate-Source
Maximální ztrátový výkon
Průrazné napětí Drain-Source
Strmost
Statický odpor D-S v sepnutém stavu
Vstupní kapacita
Spínací/vypínací zpoždění
Tranzistor MOSFET jako řízený proudový zdroj
ID[mA]
UDS
[V]
UGS
UDSmax
IDmax
BUDSS
Ptot= UDS·ID
0
P0
ΔuGS
D
S
gmΔuGS
G
ΔiD
S
ΔiG=0
ΔuDS
RD R1
R2 G S
D
UDD
Aplikace → zesilovač
Volba polohy klidového pracovního bodu P0
ID[mA]
UDS
[V]
UGS
UDSmax
IDmax
BUDSS
Ptot= UDS·ID
UDS
RD
UDD
UGS =
D
S
G
ID
Většinou dáno použitým zdrojem => U DD fixní, dle UDD volí tranzistor s odpovídajícím UDSmax
RD omezuje polohu P0 ve výstupní charakteristice, ovlivňuje zisk a omezuje Pmax
UDD
UDD/2
RD2
RD3
RD3
RD1 < RD2 < RD3
Minimimální hodnota RD je dána maximálním ztrátovým výkonem tranzistoru.
je-li UDS = UDD/2
Zdroj dodává max. výkon do zátěže (FETu)
Pmax> UP0* IP0= UDD/2 * UDD/(2*RD)
max
2
DDDmin
4P
UR 0
pozor na průraz UGS<UGSmax
Tranzistor MOSFET jako spínač
ID[mA]
UDS
[V]
UGS
UDSmax
IDmax
BUDSS
Ptot= UDS·ID
0
P0ON
uGS
D
S
G
iD ~ nA
S
iG
uDS
RD
G S
D
UDD
uOFF
uON P0OFF
CGS uGS
D
S
G
iD =UDS/RON
S
iG
uDS CGS RON
OFF ON
Invertor invertuje hodnotu vstupní logické proměnné (pravda/nepravda)
invertor jako elektronický prvek mění definované úrovně napětí (proudu)
např.
je-li UIN = 0 (log.0), tak UOUT = UDD (log.1)
je-li UIN = UDD (log.1), tak UOUT = 0 (log.0)
Výstupní hodnota mezi těmito limitními stavy závisí na konstrukci invertoru (zapojení, parametrech tranzistorů, odporů, apod.)
Ideální charakteristika
Vin spínač je-li Vin> VDD/2 sepnut
je-li Vin< VDD/2 rozepnut
Možná realizace VDD
Vout
UDS
RD
UDD
UGS =
D
S
G
ID
UDS
[V]
ID [mA]
Převodní charakteristika invertoru MOSFET
závislost UDS= f(UGS) v zapojení společný Source (SS)
UGS
[V]
UDS
[V]
UGS[V]
A
UDD
UDD/RD
B
C
D
E
UT UGS < UT
A
D
UDS=UGS - UT
UDS=UGS - UT
B
C
E UDD
strmost lineární části je úměrná napěťovému zisku Au~ - gmRD
UDD
F G
F G
sepnuto (PON spínače)
rozepnuto (POFF spínače)
oblast volby P0 pro zesilovač
Měření převodní charakteristiky invertoru Cíl: změřit převodní charakteristiky invertoru s tranzistorem MOSFET BS170F pro
různé hodnoty zatěžovacího odporu RD, vykreslit grafy jejich charakteristik v Excelu (list InvertorMěření) a určit parametry UT, Ron, Au.
PARAMETRY@podmínky
UDS Drain-Source Voltage 60 V
ID Tamb= 25ºC Continuous Drain Current 0.15 A
IDM Pulsed Drain Current 3 A
UGS Gate Source Voltage ±20 V
Ptot Tamb= 25ºC Power Dissipation 330 mW
BUDSS ID=100μA, UGS=0V Drain-Source Breakdown Voltage 60- 90 V
UGS(th) ID=1mA, UDS=UGS Gate-Source Threshold Voltage 0.8 - 3 V