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<IGBTモジュール>
2018.6 作成 1 CMH-11875 Ver1.0
CM50MXUB-13T1/ CM50MXUBP-13T1 大電力スイッチング用 絶縁形
MXUB
コレクタ電流 IC ..................................... 5 0 A コレクタ・エミッタ間電圧 VCES .............. 6 5 0 V 最大接合温度 Tvjmax ............................. 1 7 5 °C ●フラットベース形 ●銅ベース板(ニッケルめっき) ●スズめっきピン端子 ●RoHS 指令準拠
MXUBP
コレクタ電流 IC ..................................... 5 0 A コレクタ・エミッタ間電圧 VCES .............. 6 5 0 V 最大接合温度 Tvjmax ............................. 1 7 5 °C ●フラットベース形 ●銅ベース板(ニッケルめっき) ●スズめっきプレスフィットピン端子 ●RoHS 指令準拠
CIB (Converter+Inverter+Chopper Brake) ●UL Recognized under UL1557, File No.E323585
用途 インバータ装置,サーボアンプ,電源装置 など
オプション ・PC-TIM 塗布仕様
内部接続図 TERMINAL CODE
1 R 16 TH1 31 N 2 R 17 TH2
3 S 18 GwN
4 S 19 GvN 5 T 20 E 6 T 21 GuN
7 GuP 22 GB
8 U 23 N1
9 U 24 N1
10 GvP 25 P1
11 V 26 P1
12 V 27 B 13 W 28 P 14 W 29 P 15 GwP 30 N
P1(25,26)
N1(23,24)
GuP(7)
U(8,9)
GuN(21)
T(5,6)S(3,4)R(1,2)
P(28,29)
N(30,31) E(20)
TH1(16)
TH2(17)
GvP(10)
V(11,12)
GvN(19)
GwP(15)
W(13,14)
GwN(18)
NTC
B(27)
GB(22)
<IGBTモジュール>
CM50MXUB-13T1/CM50MXUBP-13T1 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 2 CMH-11875 Ver1.0
外形図 単位 mm
MXUB
SECTION A
SECTION B
Tolerance otherwise specified Division of Dimension Tolerance
0.5 to 3 ±0.2 over 3 to 6 ±0.3 over 6 to 30 ±0.5 over 30 to 120 ±0.8 over 120 to 400 ±1.2
IC=50 A, Tv j =25 °C - 1.55 2.20 VGE=15 V, Tv j =125 °C - 1.75 - V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 試験回路図参照 (注5) Tv j =150 °C - 1.80 -
VCEsat
(Chip)
IC=50 A, Tv j =25 °C - 1.40 1.65 VGE=15 V, Tv j =125 °C - 1.45 - V (注5) Tv j =150 °C - 1.45 -
C i e s 入力容量 - - 4.7 C o e s 出力容量 VCE=10 V, G-E 間短絡 - - 0.2 nF C r e s 帰還容量 - - 0.1 QG ゲート電荷量 VCC=300 V, IC=50A, VGE=15 V - 0.14 - μC t d ( o n ) ターンオン遅延時間
VCC=300 V, IC=50 A, VGE=±15 V, - - 400
t r 上昇時間 - - 200 ns
t d ( o f f ) ターンオフ遅延時間
RG=15 Ω, 誘導負荷 - - 400
t f 下降時間 - - 600
VEC (注 1)
(Terminal)
エミッタ・コレクタ間電圧
IE=50 A, Tv j =25 °C - 1.75 2.15 G-E 間短絡, Tv j =125 °C - 1.90 - V 試験回路図参照 (注5) Tv j =150 °C - 1.95 -
VEC (注 1)
(Chip)
Tv j =25 °C - 1.45 1.85 IE=50 A, G-E 間短絡 (注5) Tv j =125 °C - 1.50 - V Tv j =150 °C - 1.50 -
IC=50 A, Tv j =25 °C - 1.55 2.20 VGE=15 V, Tv j =125 °C - 1.75 - V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 試験回路図参照 (注5) Tv j =150 °C - 1.80 -
VCEsat
(Chip)
IC=50 A, Tv j =25 °C - 1.40 1.65 VGE=15 V, Tv j =125 °C - 1.45 - V (注5) Tv j =150 °C - 1.45 -
C i e s 入力容量 - - 4.7 C o e s 出力容量 VCE=10 V, G-E 間短絡 - - 0.2 nF C r e s 帰還容量 - - 0.1 QG ゲート電荷量 VCC=300 V, IC=50 A, VGE=15 V - 0.14 - μC t d ( o n ) ターンオン遅延時間
インバータ部 出力特性 コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性 (代表例) (代表例) Tv j=25 °C (チップ) VGE=15 V (チップ)
コレクタ電流
I C
(A
)
コレ
クタ・エミッタ間飽和電圧
V C
Esat
(V)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) コレクタ電流 IC (A)
コレクタ・エミッタ間電圧特性 フリーホイールダイオード順特性 (代表例) (代表例) Tv j=25 °C (チップ) G-E間短絡 (チップ)
コレクタ・エミッタ間電
圧
V CE
(V)
エミッタ電流
I E
(A
)
ゲート・エミッタ間電圧 VGE (V) エミッタ・コレクタ間電圧 VEC (V)
IC=100 A
IC=50 A
IC=25 A
Tv j=25 °C
Tv j=150 °C
Tv j=25 °C
VGE=20 V
10 V
8 V
11 V
13.5 V
15 V 12 V
Tv j=125 °C
Tv j=125 °C
Tv j=150 °C
<IGBTモジュール>
CM50MXUB-13T1/CM50MXUBP-13T1 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 12 CMH-11875 Ver1.0
特性図
インバータ部 スイッチング時間特性 スイッチング時間特性 (代表例) (代表例) VCC=300 V, RG=15 Ω, VGE=±15 V, 誘導負荷 VCC=300 V, IC=50 A, VGE=±15 V, 誘導負荷 ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C
スイッチング時間
(n
s)
スイッチング時間
(n
s)
コレクタ電流 IC (A) 外部ゲート抵抗 RG (Ω)
スイッチング損失特性 スイッチング損失特性 (代表例) (代表例) VCC=300 V, IC/IE=50 A, VGE=±15 V, VCC=300 V, RG=15 Ω, VGE=±15 V, 誘導負荷, 1パルスあたり 誘導負荷, 1パルスあたり ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C
スイッチング損失
, 逆回復損失
(m
J)
スイッチング損失
, 逆回復損失
(m
J)
コレクタ電流 IC (A) 外部ゲート抵抗 RG (Ω) エミッタ電流 IE (A)
t f
td ( on )
t f
td ( o f f )
t r
E o n
E o f f
E r r
E o f f
E r r
E o n
td ( on)
td ( o f f )
t r
<IGBTモジュール>
CM50MXUB-13T1/CM50MXUBP-13T1 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 13 CMH-11875 Ver1.0
特性図
インバータ部 容量特性 フリーホイールダイオード逆回復特性 (代表例) (代表例) VCC=300 V, RG=15 Ω, VGE=±15 V, 誘導負荷 G-E間短絡, Tv j=25 °C ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C
容量
(n
F)
t rr
(ns
), I r
r (
A)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) エミッタ電流 IE (A)
ゲート容量特性 過渡熱インピーダンス特性 (代表例) (最大) Single pulse, TC=25°C VCC=300 V, IC=50 A, Tv j=25 °C Rth( j -c )Q=625 K/kW, Rth(j -c )D=1032 K/kW
ゲート・エミッタ間電圧
V G
E (
V)
NO
RM
ALIZ
ED T
RAN
SIEN
T TH
ERM
AL I
MPE
DAN
CE
Zth
(j-c
)
ゲート容量 QG (nC) 時間 (S)
C i e s
C o e s
C r e s
t r r
I r r
<IGBTモジュール>
CM50MXUB-13T1/CM50MXUBP-13T1 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 14 CMH-11875 Ver1.0
特性図
インバータ部 ターンオフスイッチング安全動作領域 短絡安全動作領域 (逆バイアス安全動作領域) (最大) (最大) VCC≤450 V, RG=15~150 Ω, VGE=±15 V, -----------------: Tv j=25~150 °C (Normal load operations (Continuous) VCC≤400 V, RG=15~150 Ω, VGE=±15 V, - - - - - -: Tv j=175 °C (Unusual load operations (Limited period) Tvj= 25 ~ 150 °C, tW≤8 μs, 非繰返し
NO
RM
ALIZ
ED C
OLL
ECTO
R C
UR
REN
T I C
NO
RM
ALIZ
ED C
OLL
ECTO
R C
UR
REN
T I C
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
<IGBTモジュール>
CM50MXUB-13T1/CM50MXUBP-13T1 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 15 CMH-11875 Ver1.0
特性図
ブレーキ部 出力特性 コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性 (代表例) (代表例) Tv j=25 °C (チップ) VGE=15 V (チップ)
コレクタ電流
I C
(A
)
コレ
クタ・エミッタ間飽和電圧
V C
Esat
(V)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) コレクタ電流 IC (A)
コレクタ・エミッタ間電圧特性 ダイオード順特性 (代表例) (代表例) Tv j=25 °C (チップ) G-E間短絡 (チップ)
コレクタ・エミッタ間電
圧
V CE
(V)
エミッタ電流
I E
(A
)
ゲート・エミッタ間電圧 VGE (V) エミッタ・コレクタ間電圧 VEC (V)
IC=100 A
IC=50 A
IC=25 A
Tv j=25 °C
Tv j=125 °C
Tv j=25 °C
VGE=20 V
10 V
8 V
11 V
13.5 V
15 V
12 V Tv j=150 °C
Tv j=150 °C
Tv j=125 °C
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CM50MXUB-13T1/CM50MXUBP-13T1 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 16 CMH-11875 Ver1.0
特性図
ブレーキ部 スイッチング時間特性 スイッチング時間特性 (代表例) (代表例) VCC=300 V, RG=15 Ω, VGE=±15 V, 誘導負荷 VCC=300 V, IC=50 A, VGE=±15 V, 誘導負荷 ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C
スイッチング時間
(n
s)
スイッチング時間
(n
s)
コレクタ電流 IC (A) 外部ゲート抵抗 RG (Ω)
スイッチング損失特性 スイッチング損失特性 (代表例) (代表例) VCC=300 V, IC/IE=50 A, VGE=±15 V, VCC=300 V, RG=15 Ω, VGE=±15 V, 誘導負荷, 1パルスあたり 誘導負荷, 1パルスあたり ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C
スイッチング損失
, 逆回復損失
(m
J)
スイッチング損失
, 逆回復損失
(m
J)
コレクタ電流 IC (A) 外部ゲート抵抗 RG (Ω) エミッタ電流 IE (A)
t f
td ( on )
t f
td ( o f f )
t r
E o n
E o f f
E r r
E o n
E r r
E o f f
td ( on )
t r
td ( o f f )
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CM50MXUB-13T1/CM50MXUBP-13T1 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 17 CMH-11875 Ver1.0
特性図
ブレーキ部 容量特性 (代表例) G-E間短絡, Tv j=25 °C
容量
(n
F)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
ゲート容量特性 過渡熱インピーダンス特性 (代表例) (最大) Single pulse, TC=25°C VCC=300 V, IC=50 A, Tv j=25 °C Rth( j -c )Q=625 K/kW, Rth(j -c )D=1346 K/kW
ゲート・エミッタ間電圧
V G
E (
V)
NO
RM
ALIZ
ED T
RAN
SIEN
T TH
ERM
AL I
MPE
DAN
CE
Zth
(j-c
)
ゲート容量 QG (nC) 時間 (S)
C i e s
C o e s
C r e s
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CM50MXUB-13T1/CM50MXUBP-13T1 大電力スイッチング用 絶縁形
2018.6 作成 18 CMH-11875 Ver1.0
特性図
ブレーキ部 ターンオフスイッチング安全動作領域 短絡安全動作領域 (逆バイアス安全動作領域) (最大) (最大) VCC≤450 V, RG=15~150 Ω, VGE=±15 V, -----------------: Tv j=25~150 °C (Normal load operations (Continuous) VCC≤400 V, RG=15~150 Ω, VGE=±15 V, - - - - - -: Tv j=175 °C (Unusual load operations (Limited period) Tvj= 25 ~ 150 °C, tW≤8 μs, 非繰返し
NO
RM
ALIZ
ED C
OLL
ECTO
R C
UR
REN
T I C
NO
RM
ALIZ
ED C
OLL
ECTO
R C
UR
REN
T I C
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コンバータ部 コンバータダイオード順特性 過渡熱インピーダンス特性 (代表例) (最大) Single pulse, TC=25 °C Rt h( j - c ) D=995 K/kW