Применение нанотехнологии химико-механического полирования (ХМП) для создания новых приборов Фарафонов С.Б., Артёмов Е.А., Артёмов А.С. ООО «Инновационный альянс» Институт Общей физики им. А.М. Прохорова РАН Дубна 2013
Feb 06, 2016
Применение нанотехнологии химико-механического полирования (ХМП) для
создания новых приборов
Фарафонов С.Б., Артёмов Е.А., Артёмов А.С.
ООО «Инновационный альянс»Институт Общей физики им. А.М. Прохорова РАН
Дубна 2013
2
Химическое Электрохимическое Фотоэлектрохимическое Механо-электрохимическое Химико-механическое Механическое Механохимическое Механо-термическое Магнитомеханическое Акустомеханическое Электронно-лучевое Лазерное и др.
Области применения технологии ХМП
Современнные нанотехнологии в электронике:Нанополирование (ХМП);Наноэпитаксия;Наноокисление;Нанолитография;Нанотравление;Наноструктуры;
6
Поверхность полупроводников после ХМП
АСМ изображения и сечения рельефа: а – Si (111), a = 0,5430нм; б – Ge (111), а = 0,5657нм; в – CdS (0001), а = 0,4134, с = 0,6749нм; г – SiC:6H (0001), а = 0,308, с = 0,252нм; д – ZnSe (100) после ХМП и последующего отжига в Н2.
а б в гРепл ЭМ поверхности при ув. 30 000: а – GaAs (100); б - InP (100); в - InAs (111); г – InSb (111), ХМПз.
а б в г д
А3В5
А4
А2В6
А4А4
7
Поверхность диэлектриков после ХМПАСМ изображения и сечения рельефа
α-Al2O3 (0001) бикристалл, ХМП
Scan: 2.5 x 2.5 мкм
α-Al2O3 (0001) ХМП, а = 0,4758нм, с = 0,1299нм .
ZrO2·Y2O3 (100) ХМП, а = 0,5141нм.
LiNbO3 y - cрез, а = 0,5150нм, с = 1,3816нм ХМП.
SrTiO3 (100) ХМП, а = 0,3904нм.CaF2 (111) ХМП, а =,5462нм.
Scan: 1,7 X 1,7 мкм
NdGaO3 (100) бикристалл, ХМП. MgAl2O4 после СК-1.
Кремниевые СБИС после ХМП АФС слоя Si3N4, h = 0,6мкм.
ПРИМЕНЕНИЕ МАТЕРИАЛОВ ПОСЛЕ ХМП В ПРИБОРАХ
11
Технология изготовления лазерных мишеней из монокристаллов
CdS, CdSe, CdSSe, ZnCdS, ZnCdSe, ZnSe и ZnO для создания ЛЭЛТ с электронной накачкой видимого, УФ и ИК
диапазонов излучения
ЛМ:
- толщина 5-20мкм;- плоскостность ≤ 5N;- разнотолщинность ± 2мкм;- σ ≤ 1нм.