دا ام خ ه ن ب ن ی ا م و ت ن وا کردهای ب س و کار ک% ی ن رو ت ن% ی* سپ ا ا ی ن% ی ا ی/ ش ا ران% ب ا ت ع ن ص مو عل گاه/ ش ن دا رق ب ی س د ی ه م کده/ ش ن دا( B ک% ی ن رو کت ل وم ا ت ن وا ک ار درس ی% پ م س1 ) : ادI ر ب مد ح م رام ه/ ش ور س ف روQ ب وطه ب ر م اد ی ش ا دی1392
19
Embed
به نام خدا آشنایی با اسپینترونیکس و کاربردهای کوانتومی آن
به نام خدا آشنایی با اسپینترونیکس و کاربردهای کوانتومی آن. دانشگاه علم و صنعت ایران دانشکده مهندسی برق سمینار درس کوانتوم الکترونیک (1) استاد مربوطه: پروفسور شهرام محمد نژاد دی 1392. معرفی. - PowerPoint PPT Presentation
Welcome message from author
This document is posted to help you gain knowledge. Please leave a comment to let me know what you think about it! Share it to your friends and learn new things together.
Transcript
به نام خدا
آشنایی با اسپینترونیکس و کاربردهای کوانتومی آن
ایران صنعت و علم دانشگاه
برق مهندسی دانشکده
الکترونیک ) کوانتوم درس (1سمینار : نژاد محمد شهرام پروفسور مربوطه استاد
ب0ردار مغناطیس0ی داخ0ل • ب0ه ب0زرگی را این اس0پینهای مغناطیس0ی ی0ک گش0تاور نس0بی ماده مغناطیسی خارجی اعمال میکند.
ک0ه منج0ر میش0ود • وارد میکن0د تپش ب0ار مغناطیس0ی بص0ورت ب0ه ان0رژیی این گش0تاور مغناطیس لحظه ای آن به سمت محور جسم گردان تغییر جهت دهد.
اگ0ر ن0یروی میراکنن0ده خیلی کوچ0ک باش0د، تکان0ه جری0ان اس0پینی ب0ه نانومغن0اطیس منتق0ل •خواهد شد که موجب میشود بردار مغناطیسی دچار تغییرات اندک و ناگهانی شود.
این عامل یکی از اثرات ناخواسته در شیرهای اسپینی است. •
از این مورد کاربردهایی اخیرا برای نوشتن حافظه پدیدار شده است.•
حافظه با دسترسی تصادفی مقاومت مغناطیسی (MRAM)
مکانیس0م انتق0ال اس0پینی میتوان0د ب0رای نوش0تن در س0لولهای حافظ0ه مغناطیس0ی م0ورد •استفاده قرار گیرد.
جریانه0ای اس0پینی در این ح0الت دارای س0رعت تقریب0ا یکس0ان ب0ا ح0الت خوان0دن هس0تند، •اما مصرف توان کاهش یافته است.
حافظه با دسترسی تصادفی مقاومت مغناطیسی (MRAM)
حافظه با دسترسی تصادفی مقاومت
مغناطیسی (MRAM)
شبیه حافظه falshهای
غیرفرار است.
چگالی DRAM ها را
داراست.
سرعتشان با SRAM ها
برابری میکند.
ترانزیستورهای اسپینی
ها میتوان جریان کانالهای اسپینی را کنترل کرد.MRAMبا استفاده ایده آل از •
میت0وان جری0ان • آن از اس0تفاده ب0ا ک0ه میده0د پیش0نهاد را اس0پینی روش0ی ترانزیس0تور اس0پینی را همانن0د ترانزیس0تورهای مرس0وم ک0ه جریانه0ای ب0ار الک0تریکی را کن0ترل میکنن0د،
کنترل کرد.
عملیاته0ای • ت0رکیب امک0ان اس0پینی ترانزیس0تورهای این از ه0ایی آرای0ه از اس0تفاده با ممکن را واح0د تراش0ه ی0ک روی مخ0ابراتی و س0ازی ذخ0یره آشکارس0ازی، منطقی،
میشود.
این عم0ل تم0ایز بین حافظ0ه درح0ال ک0ار و ذخ0یره س0ازی را ح0ذف ک0رده و کاره0ای زی0ادی •را موازی با هم روی یک تراشه واحد میتوان انجام داد.
DATTA DOSترانزیستور اسپینی
این ترانزیس0تور اولین قطع0ه اس0پینی پیش0نهاد •در ک0ه اس0ت فلز-اکس0ید هندس0ه ب0رای ش0ده
معرفی شد.1989سال
ب00ا • فرومغن00اطیس م00واد کلکت00ور و امی00تر بردارهای مغناطیسی موازی هستند.
گیت مولد میدان مغناطیسی است.•
جری0ان بوس0یله درج0ه انح0راف مس0یر در اس0پین •الکترون تعیین میگردد.
نیمه رساناهای مغناطیسی
موادی ک0ه دارای خ0واص مغناطیس0ی ص0ریح هس0تند و میت0وان از آنه0ا بعن0وان نیم0ه رس0انا •در قطعات الکترونیکی استفاده کرد، نیمه رساناهای مغناطیسی نامیده میشوند.
در الکترونی0ک مرس0وم کن0ترل روی حامله0ای ب0ار الک0تریکی انج0ام میگ0یرد، درحالیک0ه، در •نیمه رساناهای مغناطیسی میتوان خواص اسپینی کوانتومی را هم کنترل کرد.