Институт прикладной физики РАН РАН И П Ф Производство поликристаллических алмазных пленок методом осаждения из паровой фазы Нижний Новгород, 2005г.
Jan 07, 2016
Институт прикладной физики РАН
Р А НИ П Ф
Производство поликристаллических алмазных пленок методом
осаждения из паровой фазы
Нижний Новгород, 2005г.
Институт прикладной физики РАН
Р А НИ П Ф
Существует спрос на дешевые поликристаллические алмазные пластины для изготовления лазерных и рентгеновских окон, линз, выходных окон технологических лазеров ИК-диапазона и мощных источников электромагнитного излучения миллиметрового диапазона (гиротронов). Искусственный алмаз является перспективным материалом для изготовления мощных компактных электронных и оптоэлектронных приборов, которые могут работать в самых экстремальных условиях. Использование дешевых алмазных пленок предвещает революцию в электронике и микроэлектронике. Широкое практическое использование алмазных пленок, особенно в микроэлектронике и оптике, следует ожидать, только если CVD-технология (осаждение из паровой фазы) выйдет на более качественный уровень, который сможет обеспечить одновременное выполнение следующих условий осаждения: скорость роста пленки более 10 мкм в час, площадь осаждения более 100 см2, формирование высококачественных алмазных пленок,
CVD-алмаз – материал 21 века
Институт прикладной физики РАН
Р А НИ П Ф
Применение алмазных пленок основываются на уникальных физических свойствах, которыми они обладают: чрезвычайная механическая твердость (до 90 ГПа) и износостойкость, низкий коэффициент трения ~ 0,02, наивысший модуль упругости (1,21012 Н/м2), наибольшая теплопроводность при комнатной температуре (2103 Вт/мК), наименьший коэффициент теплового расширения при комнатной температуре (10-6 К) высокая оптическая прозрачность в широкой области от ультрафиолетового до дальнего инфракрасного диапазона длин волн, наивысшая скорость распространения звука (17,5 км/с), хорошие электроизоляционные свойства (удельное сопротивление при комнатной температуре 1013 Омсм), высокие напряжения пробоя ~ 107 В/см, может быть легирован, становясь полупроводником с шириной запрещенной зоны 5,4 эВ, химическая инертность к большинству агрессивных сред, биологическая инертность.
Свойства CVD-алмаза
Институт прикладной физики РАН
Р А НИ П Ф
ПЛАЗМА
CH 4
H 2
H 2
H 2H 2
H
H H H
H
H
CH 3
CH 3
CH 3
CH 3
Диссоциация
Химические реакциии газовые потоки
ДиффузияПоверхностные реакции
Нагрев
Подложка
Алмазная пленка
Процессы, протекающие в CVD
реакторе
HH
CC
C C
CC
H
H
CC
C C
CC
CH 3
H
CC
C C
CC
C H 3
H
CC
C C
CC
C H 3
CH 3
CC
C C
CC
C H 3 C H 3
H
CC
C C
CC
C H 3 C H 2
CC
C C
CC
CCH
HH
H
Схема реакций образования алмаза
из газовой фазы
Институт прикладной физики РАН
Р А НИ П Ф
Схемы CVD реакторов с использованием газоразрядной плазмы
1
2
3
4 56
7 8
9 10
4
1
23
5
MSU IAF ASTEX
Рабочая частота 2.45 GHzСВЧ мощность < 6 kW
Площадь осаждения 20 - 50 cm2
Скорость роста 0.5 - 2 m / h
Институт прикладной физики РАН
Р А НИ П Ф
Особенности CVD реакторов на основе СВЧ разряда относительно высокая скорость роста (1 - 2 мкм/час) большая площадь осаждения (до 100 см2) высокая степень конверсии углерода в алмаз отсутствие электродов и посторонних примесей получение пленок различного качества:– для покрытия инструментов– с теплопроводностью 8-12 Вт/смК – с теплопроводностью 12-20 Вт/смК – оптически прозрачный белый алмаз
Институт прикладной физики РАН
Р А НИ П Ф
Промышленный 2,45 ГГц CVD реактор
Общий вид установки Схема реактора
4
1
23
5
Институт прикладной физики РАН
Р А НИ П Ф
Синтез толстых алмазных дисков
1000 1200 1400 1600 1800
0
0.4
0.8
1.2
1.6
R a m a n sh ift, c m -1
I , a .u .
Алмазный диск диаметром 50 мм и толщиной 0,16 мм
1000 1200 1400 1600 1800
0
0.4
0.8
1.2
R a m a n sh ift, c m -1
I , a .u .
Алмазный диск диаметром 50 мм и толщиной 0,11 мм
Институт прикладной физики РАН
Р А НИ П Ф
Алмазный диск диаметром 75 мм и толщиной 1,5 мм в центре и 1,7 мм с краю диска, время осаждения 1060 часов
со стороны подложки со стороны поверхности роста
Институт прикладной физики РАН
Р А НИ П Ф
Общий вид алмазного диска диаметром 75 мм после
шлифовки
Микрофотография в отраженном свете поверхности алмазного диска диаметром 50
мм после шлифовки
Институт прикладной физики РАН
Р А НИ П Ф
• скорость роста – не менее 15 мкм/час
• площадь диска – до 100 см2
• высокая теплопроводность – 17 - 18 Вт/К.см (натуральный алмаз имеет теплопроводность 20 Вт/К.см)
• оптическая прозрачность
В ИПФ РАН разрабатывается CVD-технология высокоскоростного выращивания алмазных дисков
Патент РФ №2215061 от 27 октября 2003 г. “Высокоскоростной способ осаждения алмазных пленок из газовой фазы в плазме СВЧ разряда и
плазменный реактор для его реализации”. Приоритет от 30 сентября 2002 г.
Институт прикладной физики РАН
Р А НИ П Ф
Разработанный 20 кВт/30 ГГц CVD реактор
1
5
26
78
55
43
9
Схема реактора Достигнутые параметры роста:
• скорость роста – 8-10 мкм/час
• площадь роста – 60 см2
• высокая теплопроводность
• оптическая прозрачность
Институт прикладной физики РАН
Р А НИ П Ф
Общий вид установки
Институт прикладной физики РАН
Р А НИ П Ф
Возможные применения алмазных пленок и дисков
• теплопроводящие подложки для электронных устройств
• алмазные режущие инструменты, сверла и буры с алмазным покрытием
• применение CVD алмаза как полупроводникового материала (диоды, датчики)
• в качестве акустического детектора
• выходные окна технологических лазеров ИК-диапазона
• лазерные и рентгеновские окна, линзы
• выходные окна мощных генераторов миллиметрового диапазона (гиротронов)
Институт прикладной физики РАН
Р А НИ П Ф
Выходное окно гиротрона
Институт прикладной физики РАН
Р А НИ П Ф
Изготовление инструментов
Институт прикладной физики РАН
Р А НИ П Ф
Алмазные линзы
[E. Woerner et al., Diamond and Related Materials 10 (2001) 557-560]
Институт прикладной физики РАН
Р А НИ П Ф
Алмазная нанокристаллическая фольга толщиной 1,4-1,6 мкм
Институт прикладной физики РАН
Р А НИ П Ф
Заключение
На данном этапе - освоена CVD технология получения высококачественных алмазных
пленок и пластин - выращены алмазные диски толщиной 2 мм, диаметром 75 мм, имеющие
тангенс угла потерь не хуже (1-2) 10-5 - освоена шлифовка алмазных дисков - создана аппаратура для измерения сверхмалых диэлектрических потерь в
алмазных дисках - освоен процесс высокотемпературной пайки алмазных дисков к медным
тонким волноводам - разработана конструкция выходного окна гиротрона с алмазным диском
Институт прикладной физики РАН
Р А НИ П Ф
Ближайшие задачи
- дальнейшее совершенствование процесса синтеза АП с целью повышения скорости осаждения до 15 мкм/час
- создание промышленной установки для синтеза алмазных дисков диаметром 110 мм на основе 20кВт/30ГГц гиротрона
Заключение