ОКР «Парад» ФГУП «НИИЭТ» Начальник лаборатории Грищенко Сергей Викторович
ОКР «Парад»
ФГУП «НИИЭТ»
Начальник лаборатории Грищенко Сергей Викторович
ОКР «Парад»
«Разработка базовой технологии сборки миниатюрных
многокристальных усилителей мощности на основе LDMOS
транзисторов, МОП и керамических конденсаторов и резисторов
с использованием новых конструкционных материалов »
Цель ОКР — разработка базовой технологии сборки миниатюрных многокристальных усилителей мощности на основе LDMOS транзисторов, МОП и керамических конденсаторов и резисторов с использованием новых
конструкционных материалов. Зарубежный аналог : миниатюрный усилитель мощности
MPAL2731M15 фирмы Integra Technology (США).
Основная сфера применения — усилители мощности в перспективных радиолокационных станциях S-диапазона с активными фазированными
антенными решётками.
Требования к электрическим характеристикам макетных образцов
Наименование параметра, единица измерения
Значение
1 Полоса рабочих частот, ГГц 2,7 – 3,1
2 Выходная мощность, Вт 10,0
3 Коэффициент усиления по мощности, дБ ≥10,0
4 Напряжение питания, В 36,0
Поперечное сечение LDMOS транзисторной структуры
Электрические параметры транзисторного кристалла
Наименование параметра Значение
Крутизна характеристики S, А/В (UСИ = 10 В, IС = 0,7 A), 0,4
Входная емкость С11И , пФ (UЗИ = 0, UСИ = 36 В, f = 1 МГц) 20
Выходная емкость С22И, пФ (UЗИ = 0, UСИ = 36 В, f = 1 МГц) 9
Проходная емкость С12И, пФ (UЗИ = 0, UСИ = 36 В, f = 1 МГц) 0,7
Пороговое напряжение UЗИ.пор, В (IC = 30 мА, UСИ = 10 В) 3
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии RСИ.отк , Ом 1,4
Максимально допустимый постоянный ток стока IC.max, А
(UЗИ = 12 В, UСИ = 10 В) 2,5
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора Pmax, Вт (Tк = 40 °С) 30
Максимально допустимое напряжение сток-исток UСИ.max, В
(UЗИ = 0, IC.ост = 0,5 мА) 65,0
Принципиальная схема усилителя мощности
Схема включения многокристального усилителя мощности
XW1 XW2
R1
L1C2 C3
+36В
Вход ВЧ Выход ВЧW1 W2
DA1
C1 C4
Cхема размещения компонентов в многокристальномусилителе мощности
Керамический конденсатор
МДП конденсатор
Транзисторный кристалл
Чип резистор
Индуктивность (проволочные выводы)
Требования к параметрам макетных образцов
№п/п
Наименование параметра Значение
1 Прочность микропаяных и микроклеевых соединений (на срез), МПа
≥ 6,0
2 Прочность микросварных соединений, (на отрыв), гс ≥ 4,0
3 Точность посадки компонентов, мкм ± 10
4 Герметичность изделия по нормализованному потоку гелия, л(мкм рт. ст)/с
5×10-4
5 Воспроизводимость резонансной частоты входной согласующей цепи усилителей мощности, %
± 1,0
6 Воспроизводимость резонансной частоты выходной согласующей цепи усилителей мощности, %
± 1,5
7 Разброс значений комплексного коэффициента передачи по модулю, дБ
1,0
8 Разброс значений комплексного коэффициента передачи по фазе, град
10,0
Зависимость выходной мощности и КПД от частоты многокристального усилителя мощности
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
2,6 2,7 2,8 2,9 3 3,1 3,2
F, ГГц
Рв
ых,
Вт
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
КП
Д,
%
Pвых
КПД
Миниатюрный многокристальный усилитель мощности
Миниатюрный многокристальный усилитель мощности в контактном устройстве для измерения энергетических параметров