Top Banner
Руководитель работы: Абгарян К.К. Дипломник: Володина О.В., гр. 08-608 Дипломная работа на тему: Применение компьютерного моделирования для решения задач параметрической идентификации потенциалов межатомного взаимодействия
16

Применение компьютерного моделирования для решения задач параметрической идентификации потенциалов

Aug 15, 2015

Download

Science

Welcome message from author
This document is posted to help you gain knowledge. Please leave a comment to let me know what you think about it! Share it to your friends and learn new things together.
Transcript
Page 1: Применение компьютерного моделирования для решения задач параметрической идентификации потенциалов

Руководитель работы: Абгарян К.К.

Дипломник: Володина О.В., гр. 08-608

Дипломная работа на тему:

Применение компьютерного моделирования

для решения задач параметрической идентификации потенциалов межатомного

взаимодействия

Page 2: Применение компьютерного моделирования для решения задач параметрической идентификации потенциалов

Создание новых материалов – важнейшая задача структурного материаловедения

На основе многослойных полупроводниковых материалов (МПНС) создаются современные приборы для наноэлектроники -транзисторы, светодиоды, полупроводниковые лазеры и др.

• Некоторые способы получения новых МПНСПромышленный: Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ), газо-фазная эпитаксия .. Методы компьютерного моделирования

Введение в предметную область

Page 3: Применение компьютерного моделирования для решения задач параметрической идентификации потенциалов

Абгарян К.К.Особенности многоуровневого моделирования полупроводниковых наноструктур//Известия вузов. Материалы электронной техники. 2015. № 1. (в печати)

Программный модуль расчета

по простым моделям

Квантово-механический модульТеории функционала плотности

(VASP, PWscf и т.д.)Квантовые расчеты

Программный модуль расчета

инверсионных каналовInverse

Результаты экспериментов

Электроннаяструктура

транспортные свойства,(подвижность электронов)

Атомно-кристаллическаяструктура

Программный модуль кинетического метода Монте-Карло

Режимы роста структуры с заданными параметрами

Результаты экспериментов(внешние параметры:

t, давление ,газовая смесь в камере и т.д.)

Реальное время

Банк данныхСтруктура – свойства – технологические параметры

Уровень I. Стационарные модели (атомарный масштаб)

Уровень II.Динамические модели

Получениеновых материалов

с заданными свойствами

Программный модуль МД

Входныеданные

Выбор и параметрическая идентификация

потенциалов

Уровень III.Кин.ММК

Многомасштабная схема расчета полупроводниковых наноструктур

Многомасштабная схема расчета полупроводниковых наноструктур

Page 4: Применение компьютерного моделирования для решения задач параметрической идентификации потенциалов

Многоуровневый подход

Page 5: Применение компьютерного моделирования для решения задач параметрической идентификации потенциалов

Виды потенциалов межатомного взаимодействия

• Потенциал Леннарда-Джонса

• Потенциал Морзе

• Потенциал Терсоффа

• Потенциал Бреннера-Терсоффа

• Потенциал Терсоффа и

потенциал Бреннера-Терсоффа

описывают структуры с ковалентными связями.

Page 6: Применение компьютерного моделирования для решения задач параметрической идентификации потенциалов

Потенциал Терсоффа

• Потенциал парного взаимодействия • Параметры потенциала:• Позволяет проводить расчет когезионной энергии – энергии

взаимодействия пары атомов в присутствии третьего атома

coh

Page 7: Применение компьютерного моделирования для решения задач параметрической идентификации потенциалов

Целевая функция

 

Page 8: Применение компьютерного моделирования для решения задач параметрической идентификации потенциалов

Метод гранул (Granular Radial Search)

Page 9: Применение компьютерного моделирования для решения задач параметрической идентификации потенциалов

Метод оптимизации Хука-Дживса

Page 10: Применение компьютерного моделирования для решения задач параметрической идентификации потенциалов

Выбор области поиска значений по каждому параметру

- Фиксация всех параметров кроме одного

- Изменение значения параметра

- Рассмотрение графика изменения значения целевой функции

Изменение значения целевой функции в зависимости от значения параметрапотенциала n.

Page 11: Применение компьютерного моделирования для решения задач параметрической идентификации потенциалов

Получение данных о кристаллической решеткеПрограммный комплекс Accelrys Materials Studio

Координаты базисных атомов Постоянная решетки Клонирование

Page 12: Применение компьютерного моделирования для решения задач параметрической идентификации потенциалов

Диаграмма прецедентов для роли пользователя

Page 13: Применение компьютерного моделирования для решения задач параметрической идентификации потенциалов

Вычислительный эксперимент

• Структура кремния

• 400 наборов параметров

• Потенциал Терсоффа

• Области поиска значений параметров:

]={ }

5, 2, 30, 30, 100000, 5, 10)

• Методы оптимизации: Метод гранул,

Метода Хука-Дживса.

𝐷𝑒𝑅𝑒𝛽𝑆𝑛𝛾 𝜆𝑐 𝑑h

Page 14: Применение компьютерного моделирования для решения задач параметрической идентификации потенциалов

Вычислительный эксперимент

0

2

4

6

   

8

%

• Выбран набор параметров:- с наименьшим значением целевой функции- показавший наилучший результат при молекулярно-динамическом моделировании • Построен график отклонения значений параметров других наборов от

эталонного Granular Radial Search Метод Хука-Дживса

0

2

4

6

8

%

Page 15: Применение компьютерного моделирования для решения задач параметрической идентификации потенциалов

eD er S n c d h

Пользовательский интерфейс

Page 16: Применение компьютерного моделирования для решения задач параметрической идентификации потенциалов

Результаты дипломной работы

• Изучена специфичная предметная область• Разработана математическая модель• Формализована целевая функция в задаче

многопараметрической минимизации• Собраны требования и разработана архитектура

информационной системы• Реализован рабочий прототип с программным интерфейсом• В ходе компьютерной реализации использовалось

распараллеливание по входным данным• Проведена апробация представленного подхода на тестовых

примерах• Программный модуль интегрирован в многомасштабную

схему расчета полупроводниковых наноструктур