結結結結結結 結 2 結結 結 結 結結 結結結 [eV] 結 結 [nm] 結結結結[Å] GaN ZnS ZnO InN ZnSe ZnTe CdSe AlP GaP Si Ge AlAs GaAs InP InAs 4.5 5.0 5.5 6.0 1 2 3 4 1000 400 600 800 2000 結結結結結 •結結 結結結結 体 LED, LD, HEMT •結結 結結結結結結結結結結結 体体 結結結結結結 結結結結結結 、、 結結結結結 結結 、 •結結 結結結結結結結結結 体 結結結結結結結結結結結結結 •結結結結結結結結結結 LPE, HVPE, MOVPE, MBE
結晶工学特論 第 2 回目
Mar 19, 2016
結晶工学特論 第 2 回目. 前回の内容 半導体デバイス LED, LD, HEMT 半導体デバイスと化合物半導体 種類の豊富さ、直接遷移型、 ヘテロ構造、混晶 半導体デバイスの作製方法 基板上にエピタキシャル成長 エピタキシャル成長法 LPE, HVPE, MOVPE, MBE. 今日の内容. 格子歪（結晶構造の変形） 結晶と歪 変位、歪、応力、歪エネルギー 不整合歪と熱歪. 半導体エピタキシーにおける基板と成長層. 用途に応じたバンドギャップ. バルク（インゴット）が作製可能 市場があること. 結晶と格子歪. 無歪. - PowerPoint PPT Presentation
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Transcript
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2LED, LD, HEMT
LPE, HVPE, MOVPE, MBE
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LEDGaAsAlGaAsGaPGaAsPAlGaInPGaInNGaAsGaAsGaPGaAs, GaPGaAsAl2O3LDInGaAsPAlGaAsAlGaInPGaInN(780nm)(650nm)(405nm)InPGaAsGaAsAl2O3
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(1)(2)
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(2)(3)(2),(3)()
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6
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1:Padyn/cm2
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x,y,z
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1dyn/cm2 = dyncm / cm3 = erg / cm3
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zy
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(epitaxial layer)(substrate)
epi subhomo-epitaxy GaAs/GaAs, GaP/GaP, Si/Si
episubhetero-epitaxy InGaAs/GaAs, GaN/Al2O3, SiGe/Si
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500mm10mm
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1epi.sub.epi.sub.aepi > asubaepi < asubasubasubaepiaepi
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1asubaaasub
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GaAsInPaRT[]5.65335.8687a[K-1]6.910-64.510-6
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